Tipos de Memoria

 RAM= Memoria de Lectura y Escritura

 ROM = Memoria de ‘Solo’ Lectura
ROM
PROM= ROM programable por única vez
EPROM = Se regraban con luz ultravioleta
EEPROM= Se reescriben Eléctricamente, bit a bit
Memoria Flash = Se reescriben eléctricamente, por
bloques, de forma más rápida.
Jerarquía de Memorias

CACHE DE DISCO
INSTRUC. MEMORIA DURO
CACHE DE RAM
NIVEL 2

REGISTROS CACHE DE
PROCESADOR DATOS

Aumenta el tamaño

Aumenta el costo por Byte y la velocidad de acceso

 ¿Cómo Reconocer
los tipos de Memoria RAM?
 DEBEMOS OBSERVAR:

Tamaño
Forma
Cantidad de Contactos
MEMORIA SIMM 30
 MEMORIA SIMM 30
 Single In-Line Memory Module – Modulo de
Memoria en Línea Simple.
 30 contactos
 Puede manejar 8 Bits
 Se utilizó en los modelos de PC como 80286 y
80386
 Velocidad entre 25 MHZ y 33 MHz
 Tiempo de respuesta 60 nseg
 Capacidades: 256 Kb, 512 Kb, 1 Mb, 2 Mb, 4
Mb, 8 Mb
 MEMORIA SIMM 30
 Zócalo SIMM: Son blancos de 8,5cm de largo
MEMORIA SIMM 72
 MEMORIA SIMM 72
 Cuando surgieron los procesadores 80486 y
Pentium, que trabajan con 32 bits, se
necesitó una memoria acorde, asi surgió la
memoria SIMM 72
 Posee 72 conectores
 Maneja 32 bits
 Físicamente cambia, agregandosele una
ranura en la parte central
 Tiempo de acceso 40 nseg
 Capacidades: 4 Mb, 8 Mb, 16 Mb, 32 Mb, 64
Mb
MEMORIA DIMM
 MEMORIA DIMM
 Dual In-Line Memory Module – Modulo
de Memoria en Doble Línea.
 Cambio de tamaño
 Tiene 168 contactos
 2 ranuras de posicionamiento
 Maneja 64 bits
MEMORIA DIMM
 Zócalo DIMM: De color negro y 13cm largo
MEMORIA RIMM
 MEMORIA RIMM
 Rambus In-Line Memory Module – Modulo de
Memoria en linea Rambus
 184 contactos
 Dos ranuras de posicionamiento que la hace no
compatible con el resto
 Un sola ranura para traba
 Un distintivo recubrimiento metálico, disipador de
calor ya que desarrollan elevadas temperaturas.
 Solo maneja 16 bits.
 Se usaban para servidores basados en Intel
Pentium 4.
 Su costo elevado hizo que no tuviera aceptación
Zócalo RIMM
MEMORIA DDR1
 MEMORIA DDR1
 Double Data Rate, Doble Velocidad de Datos
(transfiere dos datos en un solo ciclo de reloj)
 184 contactos
 Una sola ranura de posicionamiento
 Doble ranura para traba
 Maneja 64 bits (8 bytes)
 Se comenzó a usar en equipos con procesador
AMD Athlon y Pentium 4 (con FSB de 64bits y
frecuencia de reloj de 200 a 400Mhz)
 MEMORIA DDR1
 Que corra doblando la velocidad del BUS,
significa que si el BUS funciona a 100MHz la
DDR correrá a 200MHz.
 Velocidades PC1600 Y PC2100.
Ej: Bus de 100Mhz, 2 datos por ciclo y 8bytes por
ciclo
100 x 2 x 8 = 1600 MBytes/seg
Zócalo DDR1
MEMORIA DDR2

DDR2 de 1GB con Disipador

 MEMORIA DDR2
 Transfiere 4 datos por ciclo
 240 conectores
 Una sola ranura de posicionamiento
(desplazada más al centro que en la DDR1)
 Doble ranura para traba
 Agrega un disipador de temperatura
 Apareció con los procesadores Pentium 4. En
2.006 se incorporaron instrucciones en los
Procesadores AMD con AM2.
Zócalo DDR2
MEMORIA DDR3
 MEMORIA DDR3
 Transfiere 8 datos por ciclo
 240 conectores
 Una sola ranura de posicionamiento (ubicada
más a la izquierda)
 Doble ranura para traba
 Agrega un disipador de temperatura
 Se usan en las PCs más modernas
Zócalo DDR3
Dual Channel / Doble Canal
 Consiste en que el sistema pueda acceder a
dos módulos de memoria simultáneamente
(uno para leer y al otro para escribir), lo que
mejora el rendimiento del equipo
 Deben colocarse módulos de a pares
 Se recomienda que los módulos sean de la
misma:
Marca
Frecuencia (Velocidad)
Latencia (demora de acceso)
Dual Channel / Doble Canal
 Con single Channel, se accede con un determinado
ancho de banda, ya que se lee o se escribe por vez
Dual Channel / Doble Canal
 Con Dual Channel, ese ancho de banda se duplica
BUS DE DATOS
 Hay que tener en cuenta que el bus de datos
del procesador debe coincidir con el de la
memoria, y en el caso de que no sea así,
esta se organizará en bancos, habiendo de
tener cada banco la cantidad necesaria de
módulos hasta llegar al ancho buscado.
Tecnología de Integración
Actual

65 nm
nanotechnology

Imágenes obtenidas con TEM (Transmission

Electron Microscope) de una cepa del virus de la
gripe, y de un transistor construido con la
tecnología de 65 nm utilizada desde el año 2005 en
el Procesador Pentium IV y posteriores.
 Tecnología de memorias: RAM
Dinámica
CAS
RAS

Cd

Buffer

Transistor
Bit de datos de salida al bus
Diagrama de un bit elemental de DRAM (Dynamic RAM).
 Almacena la información como una carga en una capacidad
espuria de un transistor.
 Una celda (un bit) se implementa con un solo transistor 
máxima capacidad de almacenamiento por chip.
 Ese transistor consume mínima energía  Muy bajo consumo.
 Al leer el bit, se descarga la capacidad  necesita regenerar la
carga  aumenta entonces el tiempo de acceso de la celda.
 Tecnología de memorias:
RAM Estática
Línea de Línea de Bit
Bit Selección
3 4 6
1

2 5

Diagrama del biestable de un bit básico de SRAM (Static RAM).

 Almacena la información en un biestable.
 Una celda (un bit) se compone de seis transistores  menor
capacidad de almacenamiento por chip.
 3 transistores consumen energía máxima en forma permanente y
los otros 3 consumen mínima energía  Mayor consumo
 La lectura es directa y no destructiva  tiempo de acceso muy
bajo
 Tecnologías de memoria I
 Existen muchas tecnologías de memoria RAM, pero
pueden resumirse en dos grandes grupos:
 Memorias RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM).
 Ambas pueden escribirse y leerse repetidamente, y ambas
pierden su contenido cuando se apaga el sistema.
 Las dinámicas tienen la característica de que deben ser
"refrescadas" constantemente. Esto significa que una vez
escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por
lo que debe utilizarse un sistema que lea el contenido y
vuelva a escribirlo.
 Las estáticas conservan su contenido indefinidamente
(mientras se mantenga la alimentación de energía), por lo
que solo deben ser reescritas nuevamente cuando se
desee cambiar su contenido.
 Tecnologías de memoria II
 DRAM (Dinamic Memory): es del tipo
asíncronas, es decir, que van a diferente
velocidad que el sistema.
 Sus tiempos de acceso son bastante altos (lo
que es malo), llegando en sus últimas
versiones, las memorias EDORAM a unos
tiempos de acceso de entre 40ns y 30ns.
 Se utilizó en los primeros módulos (tanto en
los SIMM como los primeros DIMM)
 Tecnologías de memoria II.1
 DRAM (Dinamic Memory):

Transistor
Es un conmutador que
Permite Leer o
Capacitor modificar el estado del
Capacitor
Almacena
electrones

DRAM pierden su
información muy rápido,
por lo que deben ser
‘Refrescadas’
 Tecnologías de memoria III
 EDO: "Extended Data Output" es una es una
inovacion (1995) en la tecnología de la DRAM.
Permite a la CPU tener acceso a la memoria un
10 o 15% más rápido que en los chips
comparables.
 Estaban presentes en todas las Pentium I MMX
y tenia la posibilidad de localizar un dato
mientras transfería otro.
 Se usó en las SIMM de 72 conectores
 No era compatible con todos los sistemas
 Tecnologías de memoria IV
 SDRAM: Funciona a la velocidad del bus
(sincrónicamente).
 Podemos encontrarlas en velocidades cómo
PC100 y PC133 que son variantes de
SDRAM para estas velocidades de BUS.
 Se usa en las DIMM de 168 conectores
 Tiempo de acceso de 25 a 10ns
 Se usaba en las Pentium II y en los Celeron
 Tecnologías de memoria V
 SRAM: Del inglés, Static RAM, es decir,
memoria RAM estática
 4 a 6 veces mas rápida que la DRAM
 30 veces más grande que una DRAM y son
más costosas
 Constituye lo que se denomina caché
 Tiempos de acceso del orden de 2 a 15 ns o
menos
Memoria Caché en
procesadores Core i
Memoria Caché en Procesador
AMD Phenom II X6
 Tecnologías de memoria V
 Que es un Ns (Nanosegundo)?

 Es la milmillonésima parte de un segundo,

(10-9 s).
 Así, un nanosegundo es la duración de un
ciclo de reloj de un procesador de 1 GHz, y
es también el tiempo que tarda la luz en
recorrer aproximadamente 30 cm.
 Comparativa
 RAM dinámica (DRAM)
 Consumo mínimo.
 Capacidad de almacenamiento comparativamente alta.
 Costo por bit bajo.
 Tiempo de acceso alto (lento), debido al circuito de regeneración de
carga.
 Si construimos el banco de memoria utilizando RAM dinámica, no
aprovechamos la velocidad del procesador.
 RAM estática (SRAM)
 Alto consumo relativo.
 Capacidad de almacenamiento comparativamente baja.
 Costo por bit alto.
 Tiempo de acceso bajo (es mas rápida).
 Si construimos el banco de memoria utilizando RAM estática, el
costo y el consumo de la computadora son altos.