Unidad de memoria

Punto de memoria: celda capaz de almacenar un bit. “Celda de bit”

Celda de memoria: grupo de celdas de bit capaces de almacenar una pal
Dirección de memoria: es el rótulo q permite identificar a c/una de las celdas de memoria.
Direccionamiento: procedimiento por el cual es posible ubicar las posiciones de memoria para
efectuar su lectura o escritura
Lectura: proceso de transferir el cont de una celda de memoria a un reg de salida de la memoria
Escritura: proceso de almacenar una info en una celda
Acceso a memoria: proceso genérico de lectura/escritura en memoria
Tiempo de acceso: demora necesaria para efectuar una lectura o escritura en memoria, promedio
entre el tiempo de lectura y escritura. ta = ½ (tl + te)
Ciclo de memoria: Procedimiento que se desarrolla cada vez que se produce un acceso a memoria,
desde la orden hasta completarlo.

El tiempo q se demora antes de empezar la búsqueda del lugar donde está guardada la info es llamado
latencia, depende del tipo de memoria. Si es de acceso aleatorio la latencia no existe, si es de cinta
magnética la latencia media puede llegar a valer tanto como la mitad del tiempo total de lectura de
toda la cinta y si es un disco se trata de disponer la cabeza en la pista indicada y luego esperar como
prom media vuelta del disco.
Dimensiones de la memoria
Capacidad: cant de info q puede almacenar y se mide en bits, bytes o palabras y mediante algún
múltiplo kilo, mega o giga
Caudal: es la cant de info q puede transferir por U de tiempo, medida en bits o bytes
(gigabyte/segundo)
Densidad: puede ser lineal, superficial o volumétrica y permite determinar la cantidad de info en bits o
bytes q puede ser almacenada por unidad de longitud, de sup o de volumen (bits/cm)

Capacidad o tamaño de una memoria: num direcciones x num bits palabra

Rendimiento de la memoria: es el tiempo medio de acceso. Siendo el tiempo de acierto, el tiempo
necesario para un acceso correcto, y la demora por fallas el tiempo necesario para buscar la info en
otro bloque de memoria, y q se debe agregar cuando el dato no se encuentra en la MP. Finalmente, la
frecuencia de fallas, es la cant de veces por U de tiempo, q ocurre una falla de acceso.

CLASIFICACIÓN DE LAS MEMORIAS

Central o interna: para el almacenamiento de programas y datos q se están ejecutando en ese momento
Periférica, externa o de masa: almacena programas y datos q no están en ejecución, sino para su
utilización, la U de control deberá proceder a transferirlos a la memoria central

Por jerarquía
Grado de proximidad con respecto a la ALU, la mayor jerarquía corresponde a los reg ubicados en
ésta, y la menor a los almacenes externos.
La utilización de un sist de memoria jerárquico, tiende al equilibrado de los anchos de banda.

A mayor jerarquía corresponde menor capacidad y una mayor velocidad de transferencia.

Registros: soportan los datos intermedios de las operaciones.
Memoria cache: memoria intermedia entre la central y la unidad de calculo, utilizada para almacenar
info de próximo uso.
Cache de disco: memoria cache entre memoria central y discos y cinta, permite efectuar transferencias
en modo multiprocesamiento.

Por su tipo de acceso

● SECUENCIAL: Cuando la lectura se realiza recorriendo todas las posiciones en forma
secuencial, tal como sucede en las cintas magnéticas. CINTAS, CD-ROM
● CÍCLICO: Cuando la info es accesible en intervalos regulares de tiempo. DISCOS
● COORDINADO: El acceso es independiente de cada una de las posiciones, un sist de
direccionamiento por coordenadas. ROM, RAM, DRAM
Por su funcionamiento
❖ ESTÁTICAS: Cuando no es necesario ningún tipo de mov, ni de cargas eléctricas, ni de
campos magnéticos para refrescar. SRAM, ROM
❖ DINÁMICAS: Cuando es necesario el continuo refresco para reponer cargas perdidas.DRAM
Por la permanencia de la info
★ VOLÁTILES: Cuando la info almacenada se pierde al cabo de cierto tiempo. DRAM
★ NO VOLÁTILES: Cuando la info perdura indefinidamente, o por un tiempo largo. DISCOS
Por su forma de lectura
➔ DE LECTURA DESTRUCTIVA: Cuando es necesario modificar la info almacenada para
leerla. DRAM
➔ DE LECTURA NO DESTRUCTIVA: Cuando no es necesario alterar su cont para leerlo.
RAM, ROM
MEMORIAS ESPECIALIZADAS

Memorias de pilas: Permiten almacenar datos apilándolos uno sobre otro,

solo se puede acceder al ultimo dato almacenado (LIFO) o al primero
(FIFO). Si se extrae el ultimo/primero se puede acceder al siguiente.

Memorias asociativas: direccionadas según su cont, en vez de indicar la

posición indica el valor a buscar.

DIRECCIONAMIENTO
Proceso por el cual se ubica una posición de memoria para su lectura o escritura, consiste en asociar
cada uno de los casilleros de la memoria con un núm q permita su identificación. Existen 2 formas de
direccionar: una asignando un núm a cada celda (almacenes estáticos) y otra por combinación de núm
de pista y de sector o de columna y tiempo (almacen de propagación)

MEMORIAS DE SEMICONDUCTOR
Almacenan info electrónicamnet usando semiconductores. Por su funcionamiento existen 2 tipos: los
de lectura exclusiva o ROM (Read Only Memory) y los de lectura y escritura o RAM (Random
Access Memory)

Memorias ROM
No son alterables ni volátiles, utilizadas para almacenar programas específicos q se deben realizar
siempre por computadoras, almacena el BIOS.
● Memorias PROM: El significado es Programmable Read-Only Memory. Pueden ser
programadas por el usuario. Se graban una sola vez. Luego se pueden pasar a ROM
● Memorias EPROM: variante de las PROM q permite su borrado por luz ultravioleta (Erasable
PROM o PROM borrable), tmb conocidas como REPROM (Reprogrammable PROM o
PROM reprogramable), permiten su total blanqueado para luego ser programadas de nuevo.
● Memorias EAROM: Electrically Alterable ROM (ROM eléctricamente alterable), o EEROM,
(Electrically Erasable ROM o ROM eléctricamente borrable).Se escribe en ellas mediante
aplicación de impulsos eléctricos, y del mismo modo pueden borrarse. Permiten un borrado
selectivo. Se las conoce como memorias flash.

Memorias RAM dinámicas: Conocidas como DRAM (Dinamic RAM o RAM Dinámica), son
memorias de lectura y escritura, en las cuales es necesario refrescar la info contenida cada cierto
tiempo, el refresco consiste en una lectura ordenada y su correspondiente reescritura. Su estructura es
muy simple, pero se necesita un sist de refresco. Son las más utilizadas porq son muy compactas y de
bajo costo. Se usan como memoria central de la computadora
Memorias RAM estáticas: Conocidas como SRAM (Static RAM). Tmb se la conoce con el nombre
de RAM directamente. Su utilización es en memorias caché o en toda aplicación donde haga falta una
elevada velocidad de acceso y grandes caudales de transferencia.

ORGANIZACIÓN DE LAS MEMORIAS DE SEMICONDUCTOR

Los multivibradores o las celdas de DRAM se disponen según matrices. Se agregan en el chip los
circuitos de selección, de lectura y de escritura. En el caso de las DRAM se agregan los circuitos de
refresco. A cada celda le llegan 3 líneas, la de selección, la de control y la de datos
La de selección, es la encargada de habilitar la celda para ejecutar la operación indicada por la línea de
control. La de datos es la q llevará o traerá la info binaria.

ORGANIZACIÓN DE LAS MEMORIAS PARA COMPUTADORES PERSONALES

Hay 3 tipos de memorias, la central, formada por ROM’s y DRAM’s, y la caché q normalmente es una
SRAM (CMOS). En la ROM se guarda el BIOS q tmb es el sist de arranque..
La memoria central es implementada mediante DRAM. Existen 2 formas de conectar los circuitos en
las placas:
● SIMM (Single In line Memory Module): se fabrican en módulos con 30 y 72 terminales. Las
72 terminales permiten direcciones de 32 bits por cada placa. Con las de 30 terminales se
necesitan 2 placas para alcanzar la misma capacidad
● DIMM (Dual In line Memory Module): la capacidad de direccionamiento se lleva a 64 bits.
Para ello se usa impreso de doble capa. En total hay 162 contactos (SDR-SDRAM), 168
contactos (DDR-SDRAM), 240 contactos (DDR2 y DDR3-SDRAM) y 288 contactos
(DDR4-SDRAM) por placa.
○ SODIMM (Small Outline DIMM): son placas de bajo perfil para uso en portátiles

DRAM sincrónica (SDRAM = Synchronous DRAM)

Las DRAM normales son asincrónicas, pues su carga y su lectura pueden hacerse solo a la velocidad
del refresco. En estas la lectura se hace sincrónicamente con el procesador sin tener en cuenta la
velocidad de refresco y sin imponer tiempos de espera
DDR (Double Data Rate) SDRAM: transfiere info 2 veces en cada ciclo de reloj, una en el flanco de
subida y otra de bajada
● DDR1 usa 2 bits en el buffer de prebúsqueda de manera q puede operar al doble de velocidad
de datos q una SDR (Single Data Rate) SDRAM usando la misma frecuencia de chip.
● DDR2 dobla a 4 bits en el buffer de prebúsqueda y tmb dobla la frecuencia de reloj para
transferir desde el buffer al bus de datos. Esto le permite doblar la velocidad de datos con
respecto a DDR1.
● DDR3 dobla a 8 bits en el buffer de prebúsqueda y aumenta la frecuencia de reloj para
alcanzar una mayor velocidad de datos con respecto a DDR2

MEMORIAS EXTERNAS
Así se designan todos los almacenes conectados al computador mediante los terminales de E/S

Almacenes magnéticos
Existieron 4 variantes: tambor, cinta, disco y núcleos. Los q se siguen usando son los de cinta y disco
(rígido y flexible)
Disco magnético
Toda máquina posee por lo menos una U de disco rígido y una o 2 U de disco flexible.
Discos rígidos
Cada disco está formado por un soporte rígido, gralmente de aluminio.
Estos discos, se agrupan formando el llamado pack o pila, de varios de ellos, q giran solidarios a un
eje. Cada sup es dividida, por señales magnéticas, en una cierta cant de pistas y sectores.
La división en pistas y sectores de cada cara del disco, es tmb conocida como formato, y a la
operación para realizarla se la denomina formateo.
Discos flexibles
La grabación y lectura se realiza en igual forma q en los discos rígidos, sólo difieren en ese aspecto en
cuanto a su capacidad y a su vida útil.
HDD y SSD
Una unidad de estado sólido o SSD ( Solid State Drive) es un dispositivo de almacenamiento de datos
q usa una memoria no volátil, como la memoria flash. Son menos sensibles a los golpes, son
prácticamente inaudibles, tienen un menor tiempo de acceso y de latencia. Hacen uso de la misma
interfaz q los discos duros (HDD) por lo q son fácilmente intercambiables.
Un disco duro o HDD (HArd Drive Disk) es un dispositivo de almacenamiento de forma permanente
y utiliza el magnetismo para grabar los datos y archivos
HHD
Se han desarrollado dispositivos q combinan ambas tecnologías (discos duros y memorias flash) se
denominan discos duros híbridos o HHD (Hybrid Hard Disk)
Cinta magnética
Los sist de cinta son utilizados con las mismas técnicas de grabación q los discos. La grabación
gralmente se realiza en varias pistas paralelas.
La cinta magnética fue el primer tipo de almacén externo magnético utilizado, y hoy se sigue
utilizando gracias a su economía y flexibilidad, especialmente para archivos históricos o de respaldo
de grandes volúmenes de info.

Almacenes ópticos
Se desarrollaron los CD para computación, de los cuales se tienen actualmente tres variantes:
● CD-ROM (Read Only Memory Compact Disc) (Disco Compacto de Lectura Exclusiva)
● WORM (Writable Once - Read Many) (Grabable una Vez-Leíble muchas)
● EOD (Erasable Optic Disk) (Disco Óptico Borrable)
CD-ROM
La grabación consiste en una serie de puntos deprimidos. La lectura se hace por medio de un haz de
láser. En consecuencia, la presencia o ausencia de luz es la forma de leer los datos.
Técnicas de grabación
● CAV (Constant Angular Velocity): Se varía el espacio ocupado por cada bit los cual da lugar a
desperdicio de sup. Pero se puede implementar un direccionamiento por pista y sector como
en los discos magnéticos
● CLV (Constant Linear Velocity): Se varía la velocidad de giro, disminuyendo a medida q nos
alejamos del centro. Se aprovecha mejor la sup disponible pero la grabación es en espiral.
Las ventajas:
● La capacidad de almacenamiento es mucho mayor q en un disco magnético.
● El disco óptico con su info almacenada puede duplicarse indefinidamente a un costo bajo.
● El disco óptico es removible, por lo q se lo puede cambiar por otro, mientras q para capacidad
similar, es necesario utilizar disco rígido, el q no es removible y para cambiar la info debe ser
descargado en otro soporte y recargado con la info pertinente.
Las desventajas:
● Es de lectura exclusiva, por lo q no puede ser actualizado.
● Su tiempo de acceso es mucho mayor q el de un disco rígido.
WORM
Se comporta tal como una PROM, se graba una vez, no es borrable, y se puede de allí en más usarlo
como un CD-ROM.
Disco óptico borrable
Puede ser borrado y reescrito repetidamente, tal como un disco magnético.
El último desarrollo corresponde al DVD (Digital Versatile Disk o Disco Digital Versátil),
esencialmente es igual al CD pero tiene mayor capacidad; lograda por un mayor acercamiento de las
pistas y de los puntos de quemado, así como por la inclusión de una capa más de material grabable

JERARQUÍA DE LAS MEMORIAS

Memoria caché (MC): Ubicada en el mismo chip q el procesador, fabricada con SRAM y controlada
por el controlador de caché incluido en el mismo chip. Lo habitual es q haya varios niveles de MC. En
una MC de nivel 1, se utiliza una MC para datos y otra para instrucciones.
Memoria principal (MP): Ubicada en un chip dif (o el mismo) al procesador, fabricada con memoria
DRAM y controlada por el controlador de MP (es importante para el rendimiento de la jerarquía de
memoria ya q se encarga de la planificación de los accesos a MP).
Memoria virtual (MV): Ubicada en un disco duro (HDD) o en un dispositivo de estado sólido (SSD),
se controla desde el sist operativo a través del controlador del HDD o del SSD.

Memoria Virtual
Conj de programas q dispone el sist operativo q hace creer a la CPU q puede manejar directamente la
memoria de masa o virtual aunque en realidad sólo pueda acceder a la memoria electrónica (física)
más chica (DRAM)
La CPU sólo es capaz de acceder directamente a una MP o física, cuya capacidad está limitada por el
tamaño del bus de direcciones. Es poner a disposición de la CPU la memoria secundaria (magnética o
electrónica) a través de la MP a la q puede acceder.
Para utilizar la MV el procesador deberá realizar una serie de comprobaciones y pasos:
1. Genera la dir correspondiente a la memoria virtual del objeto que necesita.
2. La Unidad de Gestion de Memoria comprueba si el objeto se encuentra en MP.
a. Si esta, accede.
b. Si no esta, le dice al sist operativo y busca el obj en la MV y lo transfiere a la MP.

Memoria Caché
Es utilizada para tener una velocidad de acceso cercana a la de las más veloces obtenibles, al mismo
tiempo q ayuda a tener una gran capacidad de almacenamiento.

Acceso a la memoria caché

Niveles de la MC
● Nivel 1 (L1): es el más cercano al procesador, esta memoria caché es pequeña y rápida.
● Nivel 2 (L2): Es el sgte nivel de la jerarquía, de mayor tamaño (por lo q aprovecha mejor el
principio de localidad) y más lento aunque con menos fallos de capacidad.
● Niveles de cachés: los procesadores multinúcleos poseen una organización de caché de 3
niveles (L1, L2 y L3) en el mismo integrado
● Uso unificado o distribuido: En el nivel 1 se prefiere una caché dividida en 2 partes: una
para datos y otra para instrucciones, en cambio en los niveles 2 y 3 se usa una caché
compartida para datos e instrucciones
Tipos de conexión
● Serie: Todas las peticiones a memoria se realizan a través de la caché. Se disminuye el núm
de accesos a la MP. Sólo en ausencia, la petición se transfiere a la MP. Permite q el procesador
trabaje en la caché y otro procesador pueda acceder a la MP (sist multiprocesador)
● Paralelo: Todas las peticiones llegan simultáneamente a la caché y a la MP. Si el dato está en
la caché, se lo entrega al procesador y envía una señal a la MP para q aborte el ciclo. La
ventaja es q la caché se puede quitar del sist sin modificación alguna. No es buena en sist
multiprocesador.
Estructura interna
Si lo solicitado esta en la cache, se guarda junto a los datos en una etiqueta, los valores de las
direcciones q tienen asignados en la MP. Cada etiqueta contiene la dir original y un bit de estado
usado por el controlador de la cache. Actúa como un directorio de la cache. La info almacenada
asociada a una etiqueta (línea de la cache) se denomina sector, cada sector contiene múltiples palabras
de datos. Para reducir la cant de etiquetas a comparar se asocian múltiples direcciones a una sola
etiqueta, utilizando los mapeos.
Algoritmos de reemplazo
Cuando se lleva un nuevo bloque a la caché, es necesario reemplazar uno de los existentes. Para el
caso de los mapeos asociativos, totalmente y por conjuntos, es necesario implementar algún tipo de
algoritmo para el reemplazo. Para lograr la mayor velocidad, este algoritmo debe implementarse en
hardware. El más efectivo es el LRU= Least Recently Used, el reemplazo del bloque en el conj ocurre
con aquel q ha sido menos referenciado últimamente.
Direccionamiento de la memoria caché
Debe usarse la misma dir q la de una pal en la memoria central. Para ello debe haber un correcto
mapeo. Para esto se utiliza una política de asignación de espacios
Tipos de mapeo:
● Mapeo directo: A cada línea de la caché le corresponden varios bloques de la MP, q va
cargando uno por vez.
● Mapeo totalmente asociativo: Todos los bloques de la MP pueden ocupar cualquier línea de
la caché.
● Mapeo asociativo por conjuntos: La caché es dividida en conjuntos, cada uno contiene
cierto núm de celdas, en forma tal q cada bloque de la MP puede alojarse en cualquier celda.
Organización
● Cache totalmente asociativa: Cada posición de la MP puede almacenarse en cualquier
posición de la caché. No pueden ser muy grandes porq cuando el procesador solicita un dato
en la caché se debe comparar cada una de las etiquetas con la dir de la MP.

Si se hace referencia a una dirección de memoria

A035F014 hex= 1010 0000 0011 0101 1111 0000 0001 0100
Los últimos cinco indican la palabra (Word)
10100 = 14 hex 2^5= 32 palabras por bloque
El resto la etiqueta (Tag)
101 0000 0001 1010 1111 1000 0000 = 501AF80 2^27 bloques en MP
● Cache de correspondencia directa (asociativa de una vía): La caché es un solo banco de
memoria y ve a la MP como dividida en páginas del mismo tamaño q la RAM de la caché. La
eficacia de la caché disminuye si la aplicación requiere cambios de páginas reiteradamente.
 Si se hace referencia a una dirección de memoria
A035F014 hex= 1010 0000 0011 0101 1111 0000 0001 0100
Los últimos cinco indican la palabra (Word)
10100 = 14 hex 2^5 = 32 palabras por bloque
Los siguientes 14 bits indican la ranura (Slot)
10 1111 1000 0000 = 2F80 2^14 Slots
Los siguientes 13 bits indican la etiqueta (Tag)
1 0100 0000 0110 = 1406 hex 2^27/2^14 = 2^13 bloques MP por Slot
● Caché asociativa de n vías: Está dividida en n bancos q operan en paralelo. Se divide la
caché en grupos o vías y MP en páginas de tamaño de un grupo de la caché. Como se accede
simultáneamente a las n vías, si no se encuentra el dato en un grupo, puede encontrarse en
alguno de los otros grupos. Esto mejora la eficacia de la caché. Combina la simplicidad del
mapeo directo con la flexibilidad del mapeo asociativo.
★ Cuando un nuevo bloque es almacenado en la memoria de datos de la caché su etiqueta es
almacenada en la correspondiente locación de memoria de etiquetas
★ Un programa es primero cargado en la MP, la caché es limpiada, mientras ese programa se
está ejecutando el bit Valid indica cuando un Slot de la caché contiene un bloque de ese
programa al colocarse en 1.
★ El bit Dirty indica q ese bloque ha sido modificado mientras se encuentra en la caché, por lo q
deberá ser vuelto a escribir en la MP antes q el mismo Slot sea rehusado por otro bloque.

1. Cuando se hace referencia a una dir de MP el hardware de la caché intercepta la referencia y

busca en la memoria de etiquetas para ver si el bloque solicitado está en la caché.
2. Para cada Slot, si el bit Valid es 1, el campo Tag de la dir es comparado con la etiqueta del
Slot (todas las etiquetas son comparadas en paralelo).
3. Si existe coincidencia, la pal es tomada desde la posición en el Slot especificada por el campo
pal (Word).
4. Si no hay coincidencia, el bloque de MP q contiene a la pal referenciada es llevado a la caché
y la pal es tomada desde la caché, actualizándose la etiqueta y los bits Valid y Dirty.
Actualización de la memoria principal
 ● ™Write through (escritura inmediata): Todas las escrituras del procesador en la caché son
traspasadas a la MP. Baja la performance del sist porq se usa mucho el bus de MP.
● ™Buffered/posted write through (escritura diferida): Incorpora reg intermedios (3 a 5), q
permiten q el controlador de la caché actualice cuando el bus está ocioso.
● Write back (escritura obligada): Las escrituras del procesador en la caché solamente se
hacen en la MP si son estrictamente necesarias (cuando otro procesador accede a la MP o
cuando se reemplaza una posición de la caché q ha sido previamente modificada)
Coherencia de la caché
Es la relación de contenidos entre la o las caches y la MP. Es necesario q el cont de la caché siempre
sea coherente con el cont de la MP para evitar errores.
Elementos para el diseño de memorias caché
➔ Capacidad de la caché: Se aconseja un tamaño entre 256 kiBytes y 512 kiBytes
➔ Tamaño de los bloques: tiene 2 aspectos límite;
◆ Bloques grandes: mejora la probabilidad de encontrar lo buscado en él, pero la
transferencia tmb es grande
◆ Bloques chicos: baja probabilidad de encontrar lo buscado, pero mejora la velocidad
de transferencia
Direccionamiento físico y lógico
★ Lineal
La dir lógica = a la dir física. La dir lógica es la dir q está presente en la pal instrucción.
Por ejemplo, si en la pal instrucción, en su campo de dir, contiene la dir lógica:
0 2 A 7 hex = 0000 0010 1010 0111,
la dirección física es: 0 2 A 7 hex = 0000 0010 1010 0111

★ Segmentada
En la memoria pueden almacenarse segmentos de distintas longitudes. Cada segmento está
def por un descriptor q indica la base del segmento, el lím y los atributos del segmento (si es
de cód, si de sólo lectura, etc.). Esto permite q algunos segmentos estén presentes en la MP y
otros segmentos se encuentren en una memoria auxiliar (MV), por ejemplo disco rígido. Este
sist permite q se intercambien segmentos. La dir lógica no es igual a la física, por lo que se
aplica un mecanismo de traducción. El lim del direccionamiento físico esta dado por los bits
del bus de direcciones, y del virtual por los de la dir lógica.
★ Paginada
Similar al segmentada, salvo q las páginas tienen todas la misma cantidad de bytes.
★ Segmentada-paginada
Cuando funciona la U de Paginación, los segmentos del espacio lineal se dividen en páginas y
se trasladan al espacio físico sólo aquellas páginas q se precisan en cada momento.
La U de Manejo de Memoria (MMU) es la encargada de convertir la dir virtual de 46 bits a la dir
física de 32 bits. En la MMU reside la U de Segmentación y la U de Paginación.
La MMU toma la dir virtual de 46 bits y la introduce en la U de Segmentación q contiene la Tabla de
Descriptores de Segmentos, q determina y registra los segmentos q están en la MP y su posición. Si el
seg solicitado está en la MP, se traduce la dir virtual a dir lineal de 32 bits y se accede a la posición.
Si el segmento solicitado no está en la MP (ocurre un fallo), el Sist Operativo inicia una excepción q
traslada el segmento desde la MV (HDD o SSD) a la memoria física (DRAM), actualizando la Tabla
de Descriptores de Segmentos para proceder al acceso.
Si la U de Paginación está activada, la dir lineal q sale de la U de Segmentación pasa a la U de
Paginación. La U de Paginación contiene la Tabla de Descriptores de Páginas, q soporta la ubicación
de las páginas en q se han dividido los segmentos y q están en la MP.
Si la pág solicitada está presente en la MP, la dir lineal se traduce a dir física de 32 bits.
Si la pág solicitada no está presente en la MP, ocurre un fallo, se produce una excepción q atiende el
Sist Operativo y realiza la transferencia de la correspondiente pág a la MP, actualizando las tablas.

El Directorio de Páginas tiene 1 Ki entradas q direccionan cada una de ellas unas Tabla de Páginas q
hace referencia a 1 Ki páginas de la memoria, entre el Directorio de Páginas y la Tabla de Páginas se
puede manejar 1Mi páginas de 4 Ki cada una (4 GiB).
Cada uno de los elementos tiene el tamaño de 4 KiB, es decir q con 8 KiB se puede mantener
operativa la paginación, con este proceso de traducción en 2 niveles. Para realizar este proceso la CPU
debe realizar 2 accesos a la MP para consultar primero el Directorio de Páginas y luego la Tabla de
Páginas, posteriormente debe realizar un tercer acceso a la pág donde está el dato solicitado.
Para acelerar el proceso de traducción se agregó un Buffer de Traducción Adelantada (TLB =
Translation Lookaside Buffer), q es una MC de acceso por cont, q contiene como etiqueta la dir lineal
y como dato asociado la dir física correspondiente.
Cada vez q el mecanismo de paginación realiza una traducción guarda en la TLB el rdo de la misma.
Cuando hay q traducir una dir lineal la CPU consulta primero a la TLB y si está la traducción obtiene
la respuesta en muy pocos nanosegundos, si no está, se pone en marcha el mecanismo de traducción
completo, q sólo se ve penalizado por el escaso tiempo q llevó la consulta a la TLB.