TIPOS DE MEMORIA

 Las distintas memorias, de las cuales veremos sus

características y funcionamiento a continuación, se clasifican
atendiendo a la posibilidad de Lectura / Escritura de la
memoria:
 SOLO LECTURA (Programables): No volátiles, no pierden la
información en ausencia de alimentación.
 ROM: READ ONLY MEMORY. PROGRAMADA POR MÁSCARA.
 PROM. PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY. Sólo se puede
programar una vez, fundiendo sus fusibles (es decir, el proceso es
irreversible).
 EPROM: EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only
Memory (ROM programable borrable).
 EEPROM: ELECTRICALLY ERASABLE PROM). Memorias EPROM,
con posibilidad de borrado eléctrico.
TIPOS DE MEMORIA
 LECTURA Y ESCRITURA: Volátiles, pierden la
información en ausencia de alimentación. RAM:
RANDOM ACCESS MEMORY:
 SRAM: estáticas. Empleadas en las memorias caché.
 DRAM: dinámicas. Memoria principal RAM.
CARACTERÍSTICAS Y FUNCIONAMIENTO
 Un parámetro de gran importancia de las memorias
accesibles por dirección es la velocidad de respuesta
ante la petición de un dato o instrucción.
 Usualmente se utilizan los siguientes parámetros
relacionados con la velocidad:
 Ciclo de reloj: frecuencia que marca los tiempos y la velocidad de
funcionamiento de la circuitería interna de la memoria.
Habitualmente medido en MHz o GHz.
 Tiempo de ciclo, tc. Es el tiempo mínimo entre dos lecturas sucesivas.
Dependerá del ciclo de reloj que emplee la unidad de memoria.
CARACTERÍSTICAS Y FUNCIONAMIENTO
 Ancho de banda, AB. Es el número de palabras que se
transfieren entre memoria y la CPU por unidad de tiempo:
 Se mide habitualmente en Mb/s o Gb/s.
 Tiempo de acceso, ta. Es el tiempo máximo que se tarda
en leer (tiempo de acceso de lectura) o escribir (tiempo de
acceso de escritura) el contenido de una posición de
memoria.
 Latencia CAS: número de ciclos de reloj a partir del
tiempo que la petición de datos es enviada a la posición de
memoria actual hasta que los datos sean transmitidos del
módulo.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
 PURAS (ROM). Sus características principales son:
 Sólo permiten lectura.
 La información que poseen se graba en el proceso de
fabricación
 Son de acceso aleatorio
 Permanentes (NO VOLATILES).
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
 PROM (PROGRAMMABLE READ ONLY
MEMORY):
 La PROM sólo se puede programar una vez, fundiendo sus
fusibles (es decir, el proceso es irreversible).
 Los datos los define el usuario.
 Económicas en baja producción.
 La programación es rápida, usando un dispositivo llamado
programador.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
 EPROM (ERASABLE PROGRAMMABLE ROM).
 Memorias PROM, programables eléctricamente.
 Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente
mediante exposición a una fuerte luz ultravioleta.
 Esto es debido a que los fotones de la luz excitan a los electrones de las
celdas provocando que se descarguen.
 Las EPROM se reconocen fácilmente por una ventana
transparente en la parte alta del encapsulado, a través de la cual
se puede ver el chip de silicio y que admite la luz ultravioleta
durante el borrado.
 El dispositivo puede borrarse y programarse muchas veces.
 Las EPROMs son más caras que las ROMs para bajos
volúmenes de producción.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
 EEPROM (ELECTRICALLY ERASABLE
PROM).
 Memorias EPROM, posibilidad de borrado eléctrico.
 El tiempo de borrado es inferior al de las EPROMs.
 No se necesitan rayos ultravioleta para borrar. Basta la
tensión eléctrica.
 La programación y el borrado repetidos de celdas causan
daños a las capas aislantes.
MEMORIAS DE SOLO LECTURA (ROM)
 Las EEPROMs de tipo FLASH permiten borrar toda
la matriz de celdas simultáneamente (en un “flash”),
usando campos de menor intensidad, por lo que
solventan algunos problemas de las EEPROM
convencionales.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 SRAM (Memoria de acceso aleatorio estática), se
implementan con biestables, mantienen los datos
mientras se les suministra corriente. Sus principales
características son:
 Permiten operaciones de lectura y escritura.
 Direccionamiento aleatorio.
 Volátiles, pero no necesitan refresco.
 Más caras y de mayor tamaño que las DRAM.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM (Memoria de acceso aleatorio dinámica), usa
tecnología MOS y CMOS haciendo uso de
condensadores, necesitan refresco para que conserven
la información. Sus principales características son:
 Permiten operaciones de lectura y escritura.
 Direccionamiento aleatorio.
 Volátiles y requieren refresco.
 Más económicas y de mayor tamaño que las SRAM.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM Presentan una velocidad de evolución
vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas
configuraciones:
 FPM (Fast Page Mode, Modo de búsqueda rápida), obsoleta, acelera
la búsqueda de los datos en memoria, elimina la búsqueda del RAS
en lecturas múltiples de la misma fila de datos
 EDO (Extended Data Output, Salida de datos extendida), obsoleta,
mejora entre 5-20% con respecto a la FPM.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM Presentan una velocidad de evolución
vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas
configuraciones:
 SDRAM (DRAM Sincronizada). se producen cambios en
el diseño con respecto a FPM o EDO, trabajan a la misma
velocidad que el bus del procesador, ya que utilizan una
entrada de reloj para sincronizarse con el bus de datos.
 RDRAM, La RAMBus o RDRAM fue un paso
revolucionario de la SDRAM, tecnología propietaria de
Rambus con alto coste de fabricación.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM Presentan una velocidad de evolución
vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas
configuraciones:
 DDR SDRAM, DDR son las siglas para Doble Tasa de
Transferencia de Datos, y es la memoria que evoluciona de
la SDRAM.
 DDR2, mejoran sustancialmente el ancho de banda
potencial bajo la misma frecuencia de una DDR
SDRAM tradicional.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM Presentan una velocidad de evolución
vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas
configuraciones:
 DDR3, hace transferencias de datos más rápidamente, y
con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más
altas que las versiones DDR2. Disminución global del
consumo eléctrico.
 DDR4, ventajas en comparación con DDR2 y DDR3, tasa
más alta de frecuencias de reloj y de transferencias de
datos, con menor voltaje.
MEMORIAS LECTURA Y ESCRITURA
(RAM)
 DRAM Presentan una velocidad de evolución
vertiginosa en el mercado, dando lugar a muchas
configuraciones:
 GDDR, utilizado en las tarjetas gráficas de alto
rendimiento, última versión GDDR5
 VRAM (RAM Video), diseñadas para construir memorias
de refresco de terminales gráficos. Pueden ser accedidas
simultáneamente por el monitor y el hardware de la placa
grafica (RAMDAC).
 SGRAM (RAM síncrona para gráficos), basada en
SDRAM, acelera algunas funciones.
MODULOS DE MEMORIA
 Comercialmente las memorias se suministran en
pequeñas tarjetas de circuito impreso denominados
módulos de memoria, que agrupan varios circuitos
integrados y que se insertan directamente en las
regletas de conectores de las placas bases comerciales.
MODULOS DE MEMORIA
 Las pastillas de memoria se suelen emplear
empaquetadas en módulos:
MODULOS DE MEMORIA
 Las pastillas de memoria se suelen emplear
empaquetadas en módulos:
 SIMM (Single Inline Memory Module). Que puede
contener 8 chips de 32 o 64 Mbits cada uno totalizando un
módulo con una capacidad total de 32 o 64 MBytes,
respectivamente.
 Hay versiones con conectores de 30 o 72 contactos, según
sea de 8 o 32 bits el ancho de la palabra. (DRAM – FPM).
MODULOS DE MEMORIA
 Las pastillas de memoria se suelen emplear
empaquetadas en módulos:
 DIMM (Dual Inline Memory Module). Los
contactos están por las dos superficies de la tarjeta.
Es capaz de leer datos de 64 bits. Estos módulos se
utilizan con los primeros chips SDRAM, existiendo
en la actualidad módulos DIMM de 184 y 240
contactos para las memorias SDRAM de tipo DDR,
DDR2 y DDR3, respectivamente.
MODULOS DE MEMORIA
 Las pastillas de memoria se suelen emplear
empaquetadas en módulos:
 SODIMM (Small Outline – DIMM) son módulos
miniaturizados que realizan funciones análogas a las
anteriores y que han sido ideados para portátiles y
pequeños equipos.
 RIMM (Rambus In Line Memory Module), con 232
pines, pero con asignación de pines distinta, y se usa con
módulos de las memorias RDRAM. Incluyen un radiador
metálico para disipar mejor el calor.
TENDENCIAS ACTUALES
 La principal evolución supuso el sincronizar con el reloj
sus operaciones, llegando a operar a altas frecuencias (2-3
GHz). En la actualidad las DDR3 y DDR4 y sus variantes
especificas en gráficos GDDR5 son las más utilizadas,
consiguiendo alto rendimiento con tensiones cada vez más
bajas de poco más de un voltio.
 En los procesadores se implementan memorias cache por
cada núcleo dividida en zona de instrucciones y de datos.
Además, se incluyen cache de mayor tamaño compartida
que agiliza el rendimiento.