MEMORIAS Y

EXPANSIÓN DE
MEMORIAS
El propósito del almacenamiento es guardar datos que
la computadora no esté usando. El almacenamiento
tiene tres ventajas sobre la memoria: (1) Hay más
espacio en almacenamiento que en memoria. (2) El
UNIVERSIDAD SAN almacenamiento retiene su contenido cuando se
apaga el computador y (3) El almacenamiento es más
ANTONIO ABAD DEL
barato que la memoria. La memorización consiste en
CUSCO
la capacidad de registrar sea una cadena de
FACULTAD DE caracteres o de instrucciones (programa) y tanto volver
INGENIERIAELECTRICA, a incorporarlo en determinado proceso como
ejecutarlo bajo ciertas circunstancias. El computador
ELECTRONICA,
dispone de varios dispositivos de memorización: La
MECANICA Y MINAS
memoria ROM, La memoria RAM y Las memorias
CARRERA PROFESIONAL externas. Un aspecto importante de la memorización
DE INGENIERIA es la capacidad de hacer ese registro en medios
permanentes, básicamente los llamados “archivos”
ELECTRONICA
grabados en disco.
SISTEMAS DIGITALES II

ING. FACUNDO
PALOMINO
MEMORIAS
¿Qué es una memoria?
Es un dispositivo que es capaz de proporcionar un medio físico para almacenar
la información procesada por un sistema digital.
En nuestro caso sólo nos interesan las memorias de semiconductores
¿Para qué se emplean?
Para almacenar programas y datos en Sistemas Microprocesadores (90%)
Para implementar circuitos combinacionales.
¿Qué es una palabra?
Es un grupo de bits a los que se puede acceder de manera simultánea
¿Qué es una dirección?
Es la posición de identificación de una palabra en memoria

Clasificación de las Memorias

Por el Acceso
 RAM: Acceso Aleatorio, el tiempo de acceso a una dirección es
independiente de su posición física.
Se especifica la dirección y se accede al contenido
 SAM: Acceso Secuencial, para acceder a una posición se debe pasar por
todas las que le preceden físicamente
Se accede a toda la información contenida en las direcciones previas
 CAM: Acceso por contenido, o Asociativas; se direccionan por contenido
Se suministra un dato y la respuesta es si está o no almacenado y la
dirección en la que se encuentra.
Por las Operaciones
 RWM: Memorias de Lectura/Escritura; las operaciones de lectura y de
escritura son rápidas y habituales en el funcionamiento del µP
 ROM: Sólo Lectura; la información es leída de manera rápida pero la
escritura es más lenta y no es habitual en el funcionamiento del sistema
µP
Por el Interfaz Exterior
 Síncronas: con señal de reloj CLK para la sincronización
Las señales de direcciones, datos y control se almacenan en registros
internos en los flancos activos de la señal CLK
 Asíncronas: no disponen de señal de reloj
Por lo Permanente de la información
 No volátiles: la información se retiene de manera permanente aunque se
interrumpa la alimentación del circuito
 Volátiles: se pierde la información sin tensión de alimentación
 Estáticas: se mantiene la información permanentemente siempre que
exista alimentación
 Dinámicas: además de la alimentación se necesitan operaciones
periódicas de refresco de información
Por la Tecnología de Semiconductores
 Bipolares: con dispositivos bipolares (diodos o transistores)
 MOS: con transistores MOSFET
Memorias “habituales” en los Sistemas Microprocesadores

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Memorias ROM
CARACTERISTICAS
 No volátiles
 Acceso aleatorio
 Operaciones de sólo lectura
 Bipolares o MOS
TIPOS:
 ROM de máscara: programada en la fabricación
 PROM: programables por el usuario una sola vez
 EPROM: reprogramables y borrables por radiación UV
PROM=OTP son EPROM sin “ventana”
 EEPROM: reprogramables y borrables eléctricamente permiten un
borrado selectivo por posiciones
 Flash: EEPROM de acceso más rápido borrado simultáneo de toda la
memoria.

Las Memorias ROM Almacenan programas y datos permanentes o que no

cambian con frecuencia
Estructura matricial:
m líneas de direccionamiento (Ai): 2m direcciones
n líneas de datos (Di): tamaño de los datos líneas de control:/CE
(habilitación CI), /OE (hab.salidas)

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Memorias ROM: PROM
Se fabrican en “blanco” (todos fusibles intactos) y si se quema se graba un “0” en
esa celda.

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Memorias EPROM: Borrable por luz UV

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Memorias EEPROM (E2PROM): Borrable eléctricamente

El aislante entre la puerta flotante y el canal es muy delgado, permitiendo el paso

de los electrones para cargar o descargar la puerta por efecto túnel.

Memorias Flash EEPROM (FLASH):

Borrables eléctricamente todas las posiciones simultáneamente.

FLASH EEPROM: 256K x 8

2.6 segundos para grabar
1 segundo para borrado (todas a la vez)

Memorias RAM:
CARACTERISTICAS:
Almacenan datos o valores que cambian con frecuencia
 Volátiles (Variedad NVRAM no volátil porque se alimenta con batería)
 Acceso aleatorio
 Operaciones de lectura y escritura
TIPOS
 Asíncronas: sin señal de reloj
1. Estáticas (SRAM)
2. Dinámicas (DRAM)
 Síncronas: con señal de reloj para sincronización
1. Estáticas (SSRAM)
2. Dinámicas (SDRAM)

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Memorias RAM Síncronas

Memorias RAM Asíncronas

Memorias RAM Estáticas

Estructura matricial: Decodificadores de Filas y de Columnas

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RAM Estáticas: Celda básica biestable.

RAM Dinámicas
CARACTERISTICAS:
 Celda básica: condensador + MOS
 Condensador: cargado: ‘1’ y descargado: ‘0’
 Mayor integración que SRAM
 Necesidad de refresco por pérdida de carga del condensador
 Circuito adicional para “reescribir”
 Periodo de refresco (2ms aprox)
 Multiplexadas líneas de direcciones con control de acceso a filas (RAS) y
columnas (CAS)

RESUMEN DE MEMORIAS
Memorias RAM (volátiles)
SRAM: Alta velocidad
Bajo consumo
DRAM: Alta densidad de integración
Necesidad de refresco
Bajo precio
Memorias ROM (no volátiles)
EPROM: Borrado muy lento y total
EEPROM: Borrado selectivo de direcciones
FLASH: Borrado total
Escritura de un byte en microsegundos
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Expansión de Memorias

Expansión de Memorias

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Expansión de Memorias

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