FACULTAD INGENIERÍA ELECTRÓNICA

ASIGNATURA ELECTRÓNICA II

M.Sc. GIANINA GARRIDO SILVA

DOCENTE
gianinagarrido@usantotomas.edu.co

GUÍA PAR DIFERENCIAL BJT - FET 26 08 2019

OBJETIVOS

• Realizar diferentes montajes en OrCAD de circuitos electrónicos específicos con transistores de unión bipolar
(BJT) y metal oxido semiconductor MOS.
• Fortalecer el análisis de circuitos eléctricos.
• Comprender el funcionamiento y aplicación de los transistores de unión bipolar (BJT) y MOSFET.
• Identificar y analizar la información técnica de manuales y catálogos técnicos.

EQUIPOS – MATERIALES – SOFTWARE

• OrCAD • Fuente de • Multímetro
• Osciloscopio • Resistencias y • BJT (2N2222)
16.0/Proteus Tensión Dual Digital
• CA3086 Capacitores • CA3046
• CD4007

PROCEDIMIENTO

1) Par diferencial con transistores BJT.

Para este laboratorio se recomienda utilizar los

integrados CA3046 o CA3086 para el montaje del par
diferencial BJT NPN. No obstante, también puede hacer
uso de transistores discretos.

a) Realice el montaje de la figura 1, defina los

parámetros de las resistencias y de alimentación
como considere necesario, teniendo en cuenta que
Rc1 = Rc2 y que ambos transistores deben operar en
el modo adecuado para la amplificación de señal.

b) De forma analítica y experimental, calcule todos los

valores de voltajes y de corriente de cada uno de los
transistores y compare.
Figura 1. Circuito Amplificador 1

Página 1 de 3
 Tabla 1. Parámetros en DC de cada transistor.
f) Con la misma configuración del numeral d, calcule de
Parámetro Q1 Q2 forma analítica la impedancia de entrada del
IC amplificador Zin y, en serie con el generador de
IE señales, ubique una resistencia de un valor
IB comparable (idealmente debería ser el mismo) y
VB mida el voltaje que hay en Vi+. Por medio de un
VC divisor de voltajes calcule la impedancia de entrada
VE del amplificador de forma experimental. Compare
con los cálculos analíticos.
c) Coloque las entradas a tierra y mida la corriente de
colector de cada uno de los transistores Q1 y Q2. Si g) Conecte todas las entradas a tierra y en la salida Vo-
las corrientes son diferentes ubique un trimmer en coloque una fuente de voltaje de un valor que
serie con una de las resistencias de colector y ajústelo consideren necesario y mida la corriente de la fuente.
de tal manera que las dos corrientes sean iguales. Calcule mediante ley de ohm la resistencia de salida.
Compare con los cálculos analíticos.
d) Aplique una señal sinusoidal de 20mV de amplitud
con frecuencia de 1kHz a la entrada Vi+, mida las h) Defina la amplitud máxima de la señal de entrada de
salidas Vo+, Vo- y Vo+- y calcule la ganancia del manera que no se sature a la salida.
amplificador.

e) Aplique una señal sinusoidal de 10mV de amplitud

con frecuencia de 1kHz a la entrada Vi+ y a la entrada
Vi- aplique la misma señal, pero invertida 180°, y
mida las salidas Vo+, Vo- y Vo+-. Mida la ganancia del
amplificador y compare los resultados con los del
numeral anterior y con los analíticos.

2) Par diferencial con transistores FET. VDD

Para esta parte del laboratorio se recomienda utilizar el

integrado CD4007, el cual contiene seis MOSFETS de
enriquecimiento, tres tipo N y tres tipo P conectados en Rd1 Rd2
Vo- Vo+
par inversor. La tabla 2 provee los parámetros físicos de
los MOSFETS tipo N y tipo P que contiene el integrado.
Vi+ M1 M2 Vi-

Tipo N Tipo P
Threshold voltaje
1.4V -1.65V
(Vt)
Kn’ 112 µA/𝑉 2 27.6 µA/𝑉 2
Ancho del canal
170 µm 170 µm
(W) Rs

Largo del canal (L) 10 µm 10 µm

VSS

a) Con los mismos valores de resistencias del ejercicio

Figura 2. Circuito Amplificador 2
anterior, realice el mismo procedimiento, pero
empleando transistores NMOS. Si el dispositivo no se
encuentra en saturación, aplique un voltaje DC
(offset) al gate de los transistores M1 y M2.

Página 2 de 3
 ENTREGABLE

Modalidad Presencial:
1. Presentar un informe detallado de la práctica realizada, contemplando lo siguiente:
• Diagrama esquemático del circuito electrónico.
• Tablas de medición.
• Cálculos analíticos para los diferentes circuitos electrónicos.
• Fotos de los montajes realizados por cada circuito.
• Una conclusión por cada punto propuesto.
2. El informe debe ser en formato IEEE para artículos.
3. Adjuntar el documento en la plataforma Moodle en la fecha propuesta (Formato PDF).

Modalidad Virtual:
1. Presentar un informe detallado de la práctica realizada, contemplando lo siguiente:
• Diagrama esquemático del circuito electrónico obtenido de OrCAD 16.0 o Proteus.
• Tablas de medición realizadas en simulación.
• Cálculos analíticos para los diferentes circuitos electrónicos.
• Evidencia de la toma de datos obtenida en las simulaciones realizadas por cada circuito.
• Una conclusión por cada punto propuesto.
2. El informe debe ser en formato IEEE para artículos.
3. Adjuntar el documento en la plataforma Moodle en la fecha propuesta (Formato PDF).

BIBLIOGRAFÍA

1. Sedra A.S. Circuitos Microelectrónicos. 5ª Ed. McGraw-Hill, España 2006.

2. Thomas L. Floyd. Dispositivos Electrónicos. 8ª Ed. Pearson Education, México 2008.
3. Behzad Razavi. Fundamental of Microelectronics. 2ª Ed. Willey, 2013.
4. Boylestad Robert. L. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos 10ª Ed. Pearson Education, México
2009.
5. «people.rit.edu,» [En línea]. Available: https://people.rit.edu/lffeee/SPICE_MOSFET_Models_Intro/index.htm.
[Último acceso: 26 Agosto 2019].

Página 3 de 3