ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA

Nombre: Roberto Calva
Escriba la diferencia entre material semiconductor tipo P y tipo N
Un material semiconductor de tipo n tiene un exceso de electrones para la conducción
establecido al dopar un material intrínseco con átomos donadores que tienen más
electrones de valencia que los necesarios para establecer el enlace covalente. El
portador mayoritario es el electrón, mientras que el portador minoritario es el agujero.

Un material semiconductor de tipo p se forma dopando un material intrínseco con

átomos aceptores que tienen un número insuficiente de electrones en el caparazón de
valencia para completar el enlace covalente creando así un agujero en la estructura
covalente. El portador mayoritario es el hoyo, mientras que el portador minoritario es
el electrón.

Escriba la diferencia entre impurezas de donadores y aceptadores

Un átomo donador tiene cinco electrones en su capa de valencia más externa mientras
que un átomo aceptor tiene solo 3 electrones en la capa de valencia.

Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

Los transportistas mayoritarios son aquellos que transportan un material que supera
con creces el número de otros transportistas en el material. Los transportistas
minoritarios son aquellos transportistas de un material que son menos en número que
cualquier otro transportista del material.

Diodo semiconductor
Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por condiciones de
polarización en directa y en inversa en un diodo de unión pn y cómo se ve afectada la
corriente resultante.
Se forma solo con juntar los materiales, en momento de unión huecos y e- se
combinaran en la región de unión, dando como resultado una falta de portadores en la
región cercana a unión. (zona de agotamiento). La aplicación de voltaje produce
3posibilidades.
Sin polarización aplicada: el flujo neto de la carga en cualquier dirección p/diodo =0 (sin
V)
Polarización inversa: terminal + conectada como n y -como p. corriente bajo estas
condiciones se representa mediante ls y no es mayor que unos mA.

Polarización directa: hay polarización directa cuando se ha establecido la asociación de

tipo p y positivo y tipo n y negativo.
La aplicación de potencial “presiona” los e- en N y huecos en P que se recombinen con
los iones cercanos a unión reduciendo región agot.
Describa cómo recordará los estados de polarización en directa y en inversa del diodo
de unión p n. Es decir, ¿cómo recordará cual potencial (positivo o negativo) se aplica
a cual terminal?
Para el sesgo directo, el potencial positivo se aplica al material de tipo p y el potencial
negativo para el material de tipo n

Con la ecuación (1.1), determine la corriente en el diodo a 20°C para un diodo de silicio
con Is= 50 nA y una polarización en directa aplicada de 0.6 V
ANEXO
Repita el problema 15 con T =100°C (punto de ebullición del agua). Suponga que Is se
ha incrementado a 50 mA
ANEXO
Con la ecuación (1.1) determine la corriente a 20°C en un diodo de silicio con Is 0.1 mA con
un potencial de polarización en inversa de -10 V.

ANEXO