TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CANCÚN

Alumnos:
De Anda Perez Francisco Esau 20530141
Maas May Luis Angel 20530152
Gomez bravo Ernesto Alonso 20530147
Carrera: Ingeniería Electromecánica

5to. Semestre Grupo: A

Asignatura: Electrónica digital

31/AGOSTO/2022
 Uniones Tipo NP
La base de la Electrónica Analógica es la estructura de una unión PN, es decir,
dos
materiales semiconductores extrínsecos de tipos diferentes, unidos. Lo que nos
interesa es lo que ocurre en la misma zona de la unión, donde aparecen los
efectos que se usan en electrónica.
Una unión PN consta de un único cristal de material semiconductor que está
dopado mediante la unión de dos materiales semiconductores de tipo N en un lado
y de tipo P en el otro. (Pleite Guerra, Vergaz Benito, & Ruiz de Marcos, 2009)
Características del diodo de unión PN es una curva entre el voltaje y la corriente a
través del circuito
El voltaje se toma a lo largo del eje x mientras que la corriente se toma a lo largo
del eje y.

El gráfico anterior es la curva característica VI del diodo de unión PN. Con la

ayuda de la curva podemos entender que hay tres regiones en las que el diodo
funciona, y son:
 Sesgo cero

 Sesgo de avance

 Sesgo inverso

Cuando el diodo de unión PN se encuentra en condición de sesgo cero, no hay

voltaje externo aplicado y esto significa que la barrera de potencial en la unión no
permite el flujo de corriente.
Cuando el diodo de unión PN está en condición de polarización hacia adelante, el
tipo p se conecta al terminal positivo mientras que el tipo n se conecta al terminal
negativo del voltaje externo. Cuando el diodo está dispuesto de esta manera, hay
una reducción de la barrera de potencial.
(anonimo, 2020)

Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como, los tipo p se forman agregando un numero
predeterminado de átomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se
crea introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de
valencia (pentavalentes), como el antimonio, el arsénico y el fosforo. (. L. Boylestad y
Nashelsky, Electrónica, Teoria de circuitos)

Observe que los cuatros enlaces

covalentes permanecen. Existe, sin
embargo, un quinto electrón adicional
debido al átomo de impureza, el cual no
está asociado con cualquier enlace
covalente particular. Este electrón
restante, enlazado de manera poco firme a
su átomo padre (antimonio), está en cierto
modo libre para moverse dentro del
material tipo n recién formado, puesto que
el átomo de impureza insertado ha donado
un electrón relativamente “libre” a la
estructura.

Tendremos que para este semiconductor la mayoría de los portadores de carga

serán los electrones; mientras que los portadores de carga minoritarios son
huecos. En este caso tendremos que la densidad en los electrones es mucho
mayor que la densidad que tienen los huecos. Aquí tenemos que el nivel del
donante se encuentra gradualmente más cerca de la banda de conducción.
Características generales.
 Son elementos del grupo V ver en la imagen de la tabla periódica
química As, Sb, P, Bi, etc.
 El semiconductor de tipo N normalmente
se forman agregando impurezas pentavalentes.
  Debido a la concentración de electrones, este semiconductor llevará
una carga preferentemente -Ve.
 Tendremos que el movimiento del portador de carga mayoritario será
de bajo potencial a alto potencial.
 Se denominan aceptores debido a la formación de electrones en
este semiconductor.
 La conductividad que poseen los del tipo N se deberá por la
presencia que tienen los portadores de carga mayoritarios ya
que son electrones.
 En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, se
obtendrán unos electrones adicionales extras. El cual se nombrará
como átomo donante.
 Aquí tenemos que los portadores de cargas mayoritarias son
los electrones y los portadores de cargas minoritarios son
los huecos.
 Tenemos que el nivel de Fermi en los semiconductores tipo N; se
encuentra entre el nivel de energía del donante y con la banda de
conducción.
 La densidad que poseen los electrones será mucho mayor que la
densidad que poseen lo huecos; la cual se representa (ne >> nh).
 El nivel de concentración en los portadores de carga mayoritarios es
superior.
 En el caso del tipo N; encontramos que el nivel de energía del
donante está muy cerca de la banda de conducción y ausente de
la banda de valencia.

Materiales Tipo P
A los semiconductores extrínsecos que llegan a ser dopados con átomos
aceptores de electrones se los conoce como semiconductores tipo P, esto se debe
a que mayormente los portadores de carga en el cristal son agujeros de
electrones.
El silicio semiconductor puro es un elemento tetravalente, la estructura cristalina
normal contiene 4 enlaces covalentes de cuatro electrones de valencia. En el
silicio, los dopantes más comunes son los elementos del grupo III y del grupo V.
(Connor, 2020)
Los elementos del grupo III (trivalentes) contienen tres electrones de valencia, lo
que hace que funcionen como aceptores cuando se usan para dopar silicio.
Cuando un átomo aceptor reemplaza un átomo de silicio tetravalente en el cristal,
se crea un estado vacante (un agujero de electrones). Un agujero de electrones (a
menudo simplemente llamado agujero) es la falta de un electrón en una posición
en la que uno pudiera existir en un átomo o en una red atómica.
Es uno de los dos tipos de portadores de carga que son responsables de crear
corriente eléctrica en materiales semiconductores. Estos agujeros cargados
positivamente pueden moverse de un átomo a otro en materiales semiconductores
a medida que los electrones abandonan sus posiciones. La adición de impurezas
trivalentes como boro, aluminio o galio un semiconductor intrínseco crea estos
agujeros de electrones positivos en la estructura. Por ejemplo, un cristal de silicio
dopado con boro (grupo III) crea un semiconductor de tipo p, mientras que un
cristal dopado con fósforo (grupo V) da como resultado un semiconductor de tipo
n.
La neutralidad de carga de este material semiconductor también se mantiene. El
resultado neto es que aumenta el número de agujeros de electrones, mientras que
se reduce el número de electrones de conducción. El desequilibrio de la
concentración de portadores en las bandas respectivas se expresa por el número
absoluto diferente de electrones y agujeros. Los agujeros de electrones son
portadores mayoritarios, mientras que los electrones son portadores minoritarios
en material tipo p. (Connor, 2020)
Características de los semiconductores tipo P
 Son elementos del grupo III ver en la imagen de la tabla periódica

química Al, Ga, In, etc.

 El semiconductor de tipo P normalmente se forman agregando

impurezas trivalentes.

 Debido a la concentración de agujeros es alta, este semiconductor

llevará una carga preferentemente +Ve.

 Tendremos que el movimiento del portador de carga mayoritario será

de alto potencial a bajo potencial.

 Se denominan aceptadores debido a la formación de agujeros en

este semiconductor.

 La conductividad que poseen los del tipo P se deberá por la

presencia que tienen los portadores de carga mayoritarios debido a

los agujeros.
 En el proceso de dopaje cuando se le agrega la impureza, como

resultado se obtendrán huecos (espacio sin electrones). El cual se

nombrará como átomo aceptor.

 Aquí tenemos que los portadores de cargas mayoritarios son los

huecos y que los portadores de cargas minoritarias serán los

electrones.

 Tenemos que el nivel de Fermi del semiconductor de tipo P; se

encuentra entre el nivel de energía del aceptor y con el de la banda

de valencia.

 La densidad que poseen los huecos será mucho mayor a la densidad

de los electrones; la cual se representa (nh >> ne).

 El nivel de concentración en los portadores de carga mayoritarios

será superior.

 En el caso del tipo P; encontramos que el nivel de energía del

aceptor está muy cerca de la banda de valencia y ausente de la

banda de conducción.

(Erick, 2021)
 Bibliografía.
. L. Boylestad y Nashelsky, Electrónica, Teoria de circuitos, octava edición, Ed. Pearson
anonimo. (13 de Marzo de 2020). Unisalia. Obtenido de https://unisalia.com/que-es-la-

union-p-n/

Pleite Guerra, J., Vergaz Benito, R., & Ruiz de Marcos, J. M. (2009). Electronica

Analogica para Ingenieros. Madrid: Mc Graw Hill.

Connor, N. (9 de Marzo de 2020). Radation Disometry. Obtenido de https://www.radiation-

dosimetry.org/es/que-es-un-semiconductor-tipo-n-y-tipo-p/

Erick, R. (9 de Enero de 2021). Transistores. Obtenido de

https://transistores.info/diferencias-entre-semiconductores-tipo-p-y-tipo-n/