INSTITUTO TECNOLOGICO DE OAXACA

“Tecnología propia e independencia económica”

Carrera: Ingeniería Electrónica.

Alumno:

Catedrático:
Cristal semiconductor

Estructuras básicas de cristales

Los átomos están arreglados de manera periódica tridimensional. Los arreglos periódicos de los
átomos en un cristal se conocen como “enrejado” .Dentro de un cristal, un átomo nunca se aleja
mucho de uno solo, posición arreglada. Las vibraciones térmicas asociadas con el átomo están
centradas respecto a su posición .Para un semiconductor dado, existe una “celda unidad” la cual
es la que representa un enrejado entero; repitiendo la “celda unidad” a través del cristal, uno
puede generar el enrejado entero.

Celda unidad.

En esta figura se puede observar el concepto de una celda unidad tridimensional:

La relación entre esta celda y el enrejado está caracterizada por 3 vectores a, b y c quienes no son
necesariamente perpendiculares entre si y pueden o no ser iguales en longitud. Cada punto
enrejado equivalentemente en un cristal tridimensional puede ser encontrado.

R=ma+nb+pc.
Donde m, n and p son enteros

Materiales extrínsecos n y p

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

Las características de los materiales semiconductores pueden ser alternadas significativamente

por la adicción de ciertos átomos de impureza a un material semiconductor relativamente puro.
Aunque solo haya sido añadido 1 parte en 10 millones pueden alternar de forma suficiente la
estructura de la bomba.
Existen dos materiales extrínsecos de gran importancia para la fabricación de dispositivos
semiconductores el tipo N y el tipo P.

Material tipo N:

Tanto el material tipo N como el tipo P se forma mediante la adicción mediante un numero
predeterminado de átomos e impurezas al germanio o al silicio. El tipo n se crea a través de la
introducción de elementos de impurezas que poseen cinco electrones de valencia (pentavalentes).

A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencias les llama átomos donadores.

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso negativas o electrones).

Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a
los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es también conocido como material
donante ya que da algunos de sus electrones.

El propósito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cómo se produce el dopaje tipo n considérese el caso del silicio
(Si). Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma un enlace
covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo con cinco electrones de
valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica (ej. fósforo (P), arsénico (As) o
antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un átomo de silicio, entonces ese
átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y un electrón no enlazado. Este electrón extra da como
resultado la formación de "electrones libres", el número de electrones en el material supera
ampliamente el número de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y
los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los átomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrón extra que "dar", son llamados átomos donadores. Nótese que cada
electrón libre en el semiconductor nunca está lejos de un ion dopante positivo inmóvil, y el
material dopado tipo N generalmente tiene una carga eléctrica neta final de cero.

En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por ejemplo;
introduciendo sólo un átomo donador por cada 1000 átomos de silicio, la conductividad es 24100
veces mayor que la del silicio puro.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).
Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de
los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como material aceptor y
los átomos del semiconductor que han perdido un electrón son conocidos como huecos.

El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, un átomo
tetravalente (típicamente del grupo IVA de la tabla periódica) de los átomos vecinos se le une
completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está
asociado con un Ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene
eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red,
un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve
equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva.
Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la
excitación térmica de los electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo
IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.

¿Qué es un semiconductor tipo n?

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso negativas o electrones).

¿Qué es un semiconductor tipo p?

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto

tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres
(en este caso positivos o huecos).

¿Qué son los materiales extrínsecos?

Si a un semiconductor intrínseco, como el anterior, se le añade un pequeño porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se denomina
extrínseco, y se dice que está dopado. Evidentemente, las impurezas deberán formar parte de la
estructura cristalina sustituyendo al correspondiente átomo de silicio.

2.- Estructuras cristalinas de los semiconductores

La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja aunque puede visualizarse

mediante superposición de estructuras más sencillas. La estructura más común es la del diamante,
común a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del Arseniuro de Galio. En
estas redes cristalinas cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes
con simetría tetraédrica. Se requiere que posean unas estructuras cristalinas únicas, es decir, que
sea monocristal.

El diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por átomos de carbono. El
silicio y el germanio forman redes similares. Asi generalmente a estos se les introducen átomos de
otros elementos para modificar algunas propiedades específicas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.

La estructura cristalina mas común en los semiconductores es la red de diamante. Cada átomo en
esta red tiene un enlace covalente con cuatro átomos adyacentes, los cuales todos juntos, forman
un tetraedro.

Semiconductores compuestos como el Arsenurio de Galio (GaAs) y el Fosfuro de Indio (InP) tienen
una estructura cristalina similar a la del diamante. La red en estos casos, tiene dos tipos diferentes
de átomos. Cada átomo tiene cuatro enlaces covalentes, que son enlaces a átomos de otro tipo.
Esta estructura se conoce como de zinc-blenda. La red de diamante y la de zinc-blenda son redes
cúbicas. Otra estructura usual para los semiconductores es la estructura hexagonal.

SILICIO

El átomo de silicio posee catorce electrones. De estos, los cuatro más alejados del núcleo son los
electrones de valencia que participan en los enlaces con otros átomos. El silicio es, por tanto, un
átomo tetravalente.

El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrónicos es un monocristal cuya estructura
cristalina se denomina de diamante. Cada átomo de silicio está unido a otros cuatro mediante
enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos átomos que comparten dos
electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un átomo diferente. La celda
básica del cristal es un cubo de 5,43 angstroms de arista (1 Angstrom = 1 Å =10-10cm). Esta
estructura conlleva una densidad de 5x1022átomos de silicio por centímetro cúbico.

Arseniuro de galio

Compuesto que posee una estructura cúbica (Zinc Blenda) con potenciales aplicaciones en
dispositivos como: Células fotovoltaicas, diodos Láser, circuitos integrados a frecuencias de
microondas, satélites de comunicaciones, radares, etc.

Tiene propiedades electrónicas que lo hacen superior al Silicio como lo es la alta movilidad
electrónica, lo que permite fabricar transistores capaces de operar a 250 GHz produciendo mucho
menos ruido que el Silicio.
Su Band Gap es directa, lo que hace factible su utilización para emitir luz eficientemente. Por lo
que se popularizó a partir de 1970 como el componente ideal para la construcción de
Heteroestructuras solares que fueron implementadas en las fuentes de poder de sondas
espaciales Opportunity y Rovers Spirit para la exploración de Marte.

Estudio de propiedades y aplicaciones de semiconductores.

A manera de introducción digamos que entre los materiales conductores, que conducen la
electricidad con un resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no conducen la
electricidad, nos encontramos una gama de materiales con propiedades propias que
denominamos semiconductores. En estos la conducción se da tanto por el movimiento de cargas
negativas (electrones) como de positivas (huecos). Si echamos un vistazo a la tabla periódica,
veremos que en la columna donde se encuentra el carbono, también aparecen el silicio y el
germanio. Todos ellos se caracterizan porque en la última capa de electrones de su estructura
atómica poseen cuatro electrones. Se sabe que estos elementos tienen una estructura más estable
si comparten electrones, formando enlaces covalentes, de forma que al compartir estos electrones
con átomos vecinos todos ellos tengan en la última capa ocho electrones, situación que es muy
estable. Esto hace que se forme una malla de átomos que se denomina red cristalina. El diamante
es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina formada por átomos de carbono. El silicio y el
germanio forman redes similares. Generalmente a estos se les introducen átomos de otros
elementos para modificar algunas propiedades específicas, denominados impurezas, que
modifican por ejemplo la capacidad de conducir corriente haciendo que se deba primordialmente
a huecos o a electrones, dependiendo de la impureza introducida.

3.-Propiedades físicas, químicas y eléctricas de los semiconductores.

Una propiedad importante en los semiconductores es que posibilita el poder modificar su

resistividad de manera controlada entre márgenes muy amplios. La razón primera de este
comportamiento diferente reside en su estructura atómica, básicamente en la distancia
interatómica de sus átomos en la red así como el tipo de enlace entre ellos. Así el enlace atómico
depende del número de electrones de valencia de los átomos formantes del enlace y de la
electronegatividad de los mismos. Los electrones de la capa externa o electrones de valencia son
los que determinan y forman los enlaces y los que en su momento pueden determinar el carácter
conductivo o no de él. En un semiconductor formado por dos elementos químicos diferentes
(Arseniuro de Galio) la asimetría conlleva en general una cierta pérdida de carácter covalente
puro, en el sentido de desplazar el centro de gravedad de la carga hacia uno u otro átomo. El
parámetro que determina este desplazamiento es la electronegatividad de los átomos
constituyentes. Cuanto más diferente sea, mayor será el desplazamiento y el enlace será más
iónico que covalente. La estructura cristalina de los semiconductores es en general compleja
aunque puede visualizarse mediante superposición de estructuras más sencillas. La estructura más
común es la del diamante, común a los semiconductores Si y Ge, y la del Zinc-Blenda que es la del
Arseniuro de Galio. En estas redes cristalinas cada átomo se encuentra unido a otros cuatro
mediante enlaces covalentes con simetría tetraédrica. Se requiere que posean unas estructuras
cristalinas únicas, es decir, que sea monocristal. Dependiendo de cómo se obtengan éste puede
presentarse en forma de monocristal, policristal y amorfo. El comportamiento eléctrico de los
materiales semiconductores (resistividad y movilidad) así como su funcionamiento depende de la
estructura cristalina del material de base, siendo imprescindible la forma monocristalina cuando
se requiere la fabricación de circuitos integrados y dispositivos electroópticos (láser, leds).

En lo referente al transporte de carga en semiconductores el fenómeno de las colisiones de los

portadores con otros portadores, núcleos, iones y vibraciones de la red, disminuye la movilidad.
Ello guarda relación con el parámetro de la resistividad (o conductividad) definido como la
facilidad para la conducción eléctrica, depende intrínsecamente del material en cuestión y no de
su geometría. Así pues en los fenómenos de transporte en semiconductores y a diferencia de los
metales, la conducción se debe a dos tipos de portadores, huecos y electrones.

Conducción de un semiconductor

Calculemos la densidad de corriente para el semiconductor por exceso (tipo n),cuyos electrones de
conducción los consideramos como partículas clásicas con determinadas posiciones y velocidades
en cada instante.

La densidad de corriente es la carga transferida en la unidad de tiempo por la unidad de sección

transversal. Por eso, la densidad de corriente se determina por la concentración de electrones de
conducción n (número de electrones libres en la unidad de volumen de la sustancia), la velocidad
media de su deriva <u> y la magnitud de la carga e, o sea,

J=en<v>.
La velocidad de deriva se determina teniendo en cuenta que el equilibrio térmico de los electrones
es un concepto estático y por eso también el tiempo de recorrido libre debe tener un carácter
probabilístico.

Supongamos que dt/t es la probabilidad de que un electrón experimente un choque (dispersión)

en el tiempo dt .Además vamos a considerar que la probabilidad de dispersión del electrón no
depende del tiempo transcurrido desde su ultimo choque .Esto significa que T es una cierta
magnitud constante .En tal caso, la probabilidad de que choquen n partículas en el tiempo dt será
en consecuencia igual a ndt/t. Por lo tanto, en el tiempo dt el número de los portadores que se
mueven en una dirección prefijada disminuye debido a la dispersión en la magnitud

𝑑𝑡
-dn=n 𝑥
Con la ecuación anterior con respecto a n obtenemos la cantidad de electrones en el instante t:

1
−
n(t)=𝑛0 𝑒 𝑡

donde n=0 cuando t=0

de la correlación anterior se deduce que la cantidad de electrones que se mueven en una dirección
dada se reduce debido a los choques por una ley exponencial con constante de tiempo t.

Para determinar t suponemos que el instante t=0 todos los electrones han experimentado
choques. Debido a la deriva, hasta el choque siguiente cada portador de carga ha corrido en
dirección x respectivamente durante el recorrido libre siendo así en el tiempo T=𝑇1 +𝑇2 + 𝑇3 +.

Los portadores de carga recorren una distancia total igual a X=𝑋1 +𝑋2 +𝑋3 . En este caso la velocidad
media deriva de los portadores es:
𝑋
<u> = .
𝑇