GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

Sin discontinuidades. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. Un mismo compuesto. puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada. obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia.ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso). donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán. Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. quedando cargados negativamente. quedando de esta forma cargados positivamente. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior. Alta resistencia y baja capacidad de deformación. Materiales Policristalinos . Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. Material semiconductor Tipo N. Material semiconductor Tipo P. 5. Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. Por ejemplo. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. según el proceso de solidificación. Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Materiales semiconductores Tipo P. Son sistemas homogéneos de grano único. según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). 6. ¿Cuando se dice que un material es amorfo.

785 eV.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. se clasifican de la siguiente forma: 1. mientras que en los de germanio (Ge) es de 0. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura.21 eV. Estos se van ordenando en forma regular. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina. Como se puede observar en la ilustración. siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. según su pureza. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). . * Granos pequeños: dúctiles. en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. o sea. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. que no contiene ninguna impureza. Intrínsecos 2. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. Cada una de esas estructuras se llaman granos. 7. Como se puede observar en la ilustración. En ese caso. * Granos grandes: frágiles. En los semiconductores de silicio (Si). Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1.

además del silicio y el germanio. integrados. es el cristal de germanio (Ge).SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración.25 mm aproximadamente). esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. pero en menor proporción que el silicio.20 y 0. Esos chips son los. que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. minúsculos dados o “chips”. se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". en lugar de cuatro. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. silicio pulida con brillo de espejo. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. que se pueden obtener de cada una. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs). pulida como un espejo. correspondiente a un antiguo diodo de selenio. Placa individual de 2 x 2 cm de área. Una vez dopados. Hoy en día. . La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que. destinada a la fabricación de transistores y circuitos. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en. material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. Para hacer posible. uno de los materiales más abundantes en la naturaleza.

Con respecto a los elementos semiconductores. los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. como elementos intrínsecos. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes". esa estructura no conduce la electricidad. Diodos de Señal. presentaciones multimedia o música grabada en un CD. para adoptar una estructura cristalina. como ya se mencionó anteriormente. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. Diodos de Conmutación. es decir. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. . Diodos Zener. independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. En su estado puro. ya sea donándolos o aceptándolos. Diodos especiales. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. Diodos de alta Frecuencia. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. Los átomos de cualquier elemento. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto. 8. En esta ilustración el. semejante a una celosía. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho.

o señales débiles. de esta manera.9.3 voltios. Pero durante los medios ciclos negativos. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves.Umbral es aproximadamente 0. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. O sea la V. aquí. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. polarizado directamente. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. permite el paso de la corriente eléctrica. Aplicaciones: Se emplean. con ello. La tensión Umbral. 10. . se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. mezcla y limitación de señales. la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. demoduladoras. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. se polariza en forma directa. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). evita el paso de la corriente en tal sentido. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa. comienza a conducir. suele ser inferior a la del diodo rectificador. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación. o tensión a partir de la cual el diodo. Durante la fabricación de los diodos rectificadores. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales. es en las fuentes de alimentación. Se utilizan en etapas moduladoras. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. 11. el diodo se polariza de manera inversa. en modelos de media potencia.

que separa a los dos tipos de semiconductores. como su nombre indica.Tensión zener (Vz). Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima.12. con encapsulado plástico o metálico. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. para su funcionamiento. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. . Sin embargo. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. . para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P. Aprovechan. cuando éstas están polarizadas en sentido directo.Potencia máxima (P/tot). una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. dando lugar a una capacidad entre ambos. que soportan la tensión inversa. al alcanzar una determinada tensión.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. debida a la recombinación de electrones y huecos en ella. 13. 14. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean. Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. . Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: .

lámparas fluorescentes. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. muy juntas. En la actualidad ha desaparecido. televisores. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. etc. Brattain. para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. [editar] Transistor de unión bipolar . llamado varicap. poco conocidos en su día. sobre la que se apoyan. teléfonos móviles. Bardeen y W. ecógrafos. hornos de microondas. 1948) debido a su mayor ancho de banda. Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. basta regular la tensión inversa. relojes de cuarzo. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). equipos de refrigeración. calculadoras. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. reproductores de audio y video. automóviles. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. Se basa en efectos de superficie. ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. Shockley. aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. respectivamente . inventado en 1947 por J. 16. conmutador o rectificador. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM. Consta de una base de germanio. El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. alarmas. ordenadores. equipos de rayos X. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. reproductores mp3.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. tomógrafos. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. impresoras. en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. lavadoras. grabadoras. 15. oscilador. de ahí el nombre de "transfer resistor".

se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio.) y del comportamiento cuántico de la unión. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Sobre el sustrato de cristal. dos de las cuales son del mismo tipo. La configuración de uniones PN. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base.El transistor de unión bipolar. construido mediante una unión PN. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. * Transistor de efecto de campo MOS. . o FET por sus siglas en inglés. quedando formadas dos uniones NP. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. MOSFET. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. dan como resultado transistores PNP o NPN. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. tienen alta impedancia de entrada. cesa la conducción en el canal. IGFET. NPN o PNP. JFET. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. Silicio o Arseniuro de galio. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. que tienen cualidades de semiconductores. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. se producirá una puerta. a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. o BJT por sus siglas en inglés. epitaxial. estableceremos una corriente. etc. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). se contaminan en forma muy controlada tres zonas. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. * Transistor de efecto de campo de unión. y las otras dos al emisor y al colector que. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. que controla la corriente en función de una tensión. el emisor está mucho más contaminado que el colector). [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar. El transistor de efecto de campo. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general.

cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. 17. Un fototransistor es. Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Este último disminuye la capacitancia. . (IP) (modo de iluminación). sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. una zona de agotamiento se forma en la juntura.Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica. Debido a la recombinación de los portadores en el diodo. ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia.Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. lo mismo que un transistor normal. * Como fototransistor. Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa. en esencia. Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras.

La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. 3. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. En sentido inverso. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. 19. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. es decir. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo.18. las cuales son prácticamente nulas. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. 20. Debido a su construcción. Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). Entra la señal alterna al circuito. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. la cual se rectifica con el diodo. Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales. . deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas.

A diferencia del rectificador de media onda. mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior). bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). en este caso. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. la mitad de la tensión del secundario del transformador. ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). . El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario . En el circuito de la figura. El condensador no se descarga por completo. Tensión de entrada negativa. Tensión de entrada positiva. sólo son posibles dos estados de conducción. en este caso. La tensión de salida es igual a la de entrada. Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua.4. Rectificador con dos diodos. la misma que han de soportar los diodos en inversa. La tensión de entrada (Vi) es. A diferencia del caso anterior. la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. Existen dos alternativas. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. al igual que en el rectificador con dos diodos. Al igual que antes.

puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. 26. La amplitud es la desviación máxima. ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. germanio. 23. En general. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. Además. desplazamiento. ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones).Tensión rectificada. 25. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. etc. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. frecuencias que exceden de 1 GHz. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. 24. es decir.1.6V. también llamado diodo regulador de tensión 22. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. . ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia. aproximadamente 0.) varía en función del tiempo de una forma periódica.  Curva t 21.2V. silicio y arsenurio de galio. y los costos de material son mucho menores. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres. tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. separadas por una región de material que es casi intrínseco. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener.

-. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias.fundamental. triangulares. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. rectificando así la corriente. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental.armónico. . Rectificador elemental constituido por un diodo. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. Por lo tanto. por medio de una fuerza periódica externa. -. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio.amortiguada.de media onda. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna. -. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones.) y en un amplio intervalo de frecuencias. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV..propia. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada).de armstrong. -. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. -. sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal. cuadradas.forzada. -.-. -. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos. 27. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado. y de ahí su nombre.acoplada.. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. véase Armónico.de onda completa. sólo circulará corriente en un sentido. Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. -. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema.

Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0). quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso.O. ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina.1). un ancho de banda también infinito. 29. lo que dificulta su aprendizaje. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica. es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores. apagado 0). por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles. es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. es fácil de entender por el desarrollador.3. 32.28.6. ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario.2. una impedancia de salida nula.O. . llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes. 31. una impedancia de entrada infinita. 30.1. Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje. en matemáticas e informática. los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado).7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0.4. Es el que se utiliza en las computadoras. ¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero. u op-amp).5. pero difícil de entender para la unidad central de proceso. ideal tiene una ganancia infinita.

ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto».33. para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. la salida de la compuerta Y sería = 0. indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. que haga posible la miniaturización de circuitos. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ. ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. o compuerta lógica. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. para adaptar impedancias (buffer en inglés). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 . realiza la función booleana igualdad. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico. por ejemplo. Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR).

realiza la . Así. realiza la función booleana de producto lógico. más conocida por su nombre en inglés AND ( ). y se lee A y B o simplemente A por B. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O.Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos. más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB. aunque se suele omitir. la compuerta AND implementa el producto módulo 2. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. Su símbolo es un punto (·). b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2.

0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). realiza la función booleana A'B+AB'. cuando los valores en las entradas son distintos. Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor. ej: 1 y 0. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. más conocida por su nombre en inglés XOR. . En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1.

para que el número de unos pase a ser par. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 . La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. pone un 1 a la salida. la puerta XOR implementa la suma módulo 2.Si la puerta tuviese tres o más entradas . b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. Esto es así porque la operación XOR es asociativa. la XOR tomaría la función de suma de paridad. para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada". Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2.

b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. más conocida por su nombre en inglés NAND. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica.Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. más conocida por su nombre en inglés NOR. realiza la operación de producto lógico negado. . La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1. Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. realiza la operación de suma lógica negada. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O.

b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia. Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos.La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. realiza la función booleana AB+~A~B. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo.

Además. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. Puertas AND y NOT.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico. esto es. Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica. sólo si las dos entradas son iguales. Puertas NOR. Equivalencias. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido. OR y NOT. 0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados).B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A. A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR. Puertas OR y NOT. Puertas NAND.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     .

Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35.34. Convierta 11111000010010 a octal. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP . decimal y hexadecimal 37. 43. octal y binario 38. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. ¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Divida: 11010/11 42. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. Reste 11001 de 11101 40. Multiplique: (111101) (101110) 41. Existe una gran variedad de transistores. se explicarán los bipolares. En principio. Convierta 87 decimal a binario 36.

(Figura 2). . VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad. Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base . toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor.No circula intensidad por la Base. Zonas de trabajo CORTE. la intensidad de Colector y Emisor también es nula. (Figura 1). ya que. se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. El transistor.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería.emisor se polariza directamente y la unión base . No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.. IB = IC = IE = 0. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande.colector inversamente. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. por lo que.Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá. IE = IB + IC . En general: IE < IC < IB . haciendo que se encienda la lámpara. una intensidad muy pequeña circulará por la Base. entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. De esta forma.

TO-213. TO-66. como si fuera un interruptor. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características..).. TO-123. Puede dejar pasar más o menos corriente. TO-39. En definitiva. en gran medida. Vcb max = 75 V Pc max = 7. ¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. también aparece con la denominación hFE. son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. TO-218.7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0. Por ejemplo: Ic max = 1 A.. ). Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0. normalmente son los más pequeños ( TO...7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen. los de mediana potencia.18. TO226 .8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0. Esto. la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3. TO-92.Activa Actúa como amplificador. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico . los de gran potencia. TO-247.. favorece.) .5 W . así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico. 44. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación.

Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. fácilmente discernibles entre sí. ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. ocho (8) y nueve (9) 50. dos (2). Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir. de implementar y de depurar. seis (6). (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47. Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. tres (3). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados. es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico. . Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos. Por lo tanto. ni más ni menos. Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. usando el sistema BINARIO. Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). 48. cinco (5). lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación.45. Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. cuatro (4). Por ejemplo. dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). uno (1). basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). infinitos). siete (7). El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales.

 Tensión máxima en inversa. VC es siempre mayor que cero. Corriente en inversa. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. tal y como se aprecia en la figura. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. 3. Además. BV. PIV: Cuando esté en corte. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2. IFmax: Mientras esté en conducción y. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. y su valor máximo es V M.7V como valor típico. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Corriente máxima en directa. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Caída de tensión en PD. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). 4. llega a ser -VM. mediante la gráfica I-V del dispositivo. Los parámetros comerciales del diodo serán. VD=vi-VC. Peak Inverse Voltage. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. Para ello. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5.52. por lo tanto: PIV=2VM . ya que cuando VC sigue siendo VM.

ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. Con alta probabilidad. La estructura de bandas se modifica. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin. Ahora. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. Por lo general. y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales.En los materiales semiconductores. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. al no quedar estados libres dentro de esta banda. .53. dejando un estado libre en la BV. poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción. apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción. Por lo tanto. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. Si se incrementa la temperatura. De la misma manera. semiconductores y aislantes. La estructura de bandas se modifica.Voltios) en el caso del germanio y los 1.Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV. son tetravalentes. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación). . el material se comporta como un aislante. se establece que: . Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. Ambos ´átomos. podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). los electrones dejan un hueco. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. es decir. El aporte de energía debe superar los 0. ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n.785 eV (Electrón . Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. De esta manera. algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. como los que mencionamos previamente. cuando están aislados. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción.21 eV para el silicio.