GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

quedando de esta forma cargados positivamente. ¿Cuando se dice que un material es amorfo. obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso). Son sistemas homogéneos de grano único. Sin discontinuidades. Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). Un mismo compuesto. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán. obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). quedando cargados negativamente. Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. según el proceso de solidificación. Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior. Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. Alta resistencia y baja capacidad de deformación. 6. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. Materiales Policristalinos . se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). 5. monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia. en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada.ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). Material semiconductor Tipo N. puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. Material semiconductor Tipo P. Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Materiales semiconductores Tipo P. Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. Por ejemplo.

* Granos grandes: frágiles. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes.21 eV. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). Como se puede observar en la ilustración. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. . En los semiconductores de silicio (Si). Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. o sea. 7. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. * Granos pequeños: dúctiles. Como se puede observar en la ilustración. según su pureza. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. que no contiene ninguna impureza. se clasifican de la siguiente forma: 1. Intrínsecos 2. mientras que en los de germanio (Ge) es de 0.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Cada una de esas estructuras se llaman granos. Estos se van ordenando en forma regular.785 eV. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. En ese caso. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco.

uno de los materiales más abundantes en la naturaleza.25 mm aproximadamente). Hoy en día. se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. además del silicio y el germanio. minúsculos dados o “chips”. que se pueden obtener de cada una. la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. Esos chips son los. silicio pulida con brillo de espejo. pulida como un espejo. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. destinada a la fabricación de transistores y circuitos. Una vez dopados. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs). material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. Una vez que los chips se han convertido en. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. Placa individual de 2 x 2 cm de área. integrados. en lugar de cuatro. Para hacer posible. pero en menor proporción que el silicio.SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. correspondiente a un antiguo diodo de selenio. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.20 y 0. . A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. transistores o circuitos integrados. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. es el cristal de germanio (Ge). que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que.

los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. En su estado puro. como ya se mencionó anteriormente. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. Diodos Zener. independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. . sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho. como elementos intrínsecos. 8. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. Diodos de Señal. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes".Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto. ya sea donándolos o aceptándolos. Diodos de alta Frecuencia. Diodos de Conmutación. semejante a una celosía. Los átomos de cualquier elemento. esa estructura no conduce la electricidad. es decir. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. Con respecto a los elementos semiconductores. En esta ilustración el. Diodos especiales. para adoptar una estructura cristalina. presentaciones multimedia o música grabada en un CD.

Umbral es aproximadamente 0. Pero durante los medios ciclos negativos. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos.9. permite el paso de la corriente eléctrica. polarizado directamente. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. comienza a conducir. O sea la V.3 voltios. con ello. se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. en modelos de media potencia. Aplicaciones: Se emplean. 10. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. evita el paso de la corriente en tal sentido. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). Durante la fabricación de los diodos rectificadores. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). mezcla y limitación de señales. . de esta manera. la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa. se polariza en forma directa. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. suele ser inferior a la del diodo rectificador. es en las fuentes de alimentación. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación. aquí. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. demoduladoras. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. La tensión Umbral. el diodo se polariza de manera inversa. o tensión a partir de la cual el diodo. Se utilizan en etapas moduladoras. 11. o señales débiles. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales.

como su nombre indica. Aprovechan. al alcanzar una determinada tensión. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. debida a la recombinación de electrones y huecos en ella. dando lugar a una capacidad entre ambos. con encapsulado plástico o metálico. 13. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. . que separa a los dos tipos de semiconductores. una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. cuando éstas están polarizadas en sentido directo. Sin embargo. . aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. que soportan la tensión inversa. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. 14. Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. . Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean.12.Potencia máxima (P/tot). Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). para su funcionamiento.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz).Tensión zener (Vz). y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P. Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima.

teléfonos móviles. aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. 15. Brattain. lavadoras. oscilador. respectivamente . tomógrafos. hornos de microondas. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM. 1948) debido a su mayor ancho de banda. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. etc. llamado varicap. Consta de una base de germanio. impresoras. ordenadores. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. reproductores mp3. Bardeen y W. equipos de rayos X. Se basa en efectos de superficie. muy juntas. sobre la que se apoyan. [editar] Transistor de unión bipolar . El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. ecógrafos. 16. ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. reproductores de audio y video. equipos de refrigeración. por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. automóviles. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. lámparas fluorescentes. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). En la actualidad ha desaparecido. televisores. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. conmutador o rectificador.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. de ahí el nombre de "transfer resistor". basta regular la tensión inversa. relojes de cuarzo. Shockley. en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. alarmas. poco conocidos en su día. inventado en 1947 por J. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. grabadoras. calculadoras.

que controla la corriente en función de una tensión.) y del comportamiento cuántico de la unión. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. cesa la conducción en el canal. etc. y las otras dos al emisor y al colector que. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. IGFET. dan como resultado transistores PNP o NPN. se contaminan en forma muy controlada tres zonas. JFET. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. . estableceremos una corriente. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. se producirá una puerta. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. construido mediante una unión PN. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. el emisor está mucho más contaminado que el colector). si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. Sobre el sustrato de cristal. MOSFET. La configuración de uniones PN. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. * Transistor de efecto de campo MOS. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. dos de las cuales son del mismo tipo. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). El transistor de efecto de campo. Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). o FET por sus siglas en inglés. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica.El transistor de unión bipolar. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. epitaxial. se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio. NPN o PNP. quedando formadas dos uniones NP. que tienen cualidades de semiconductores. Silicio o Arseniuro de galio. tienen alta impedancia de entrada. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. o BJT por sus siglas en inglés. * Transistor de efecto de campo de unión. [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar.

Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente.Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). Debido a la recombinación de los portadores en el diodo. una zona de agotamiento se forma en la juntura. Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante).Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. . (IP) (modo de iluminación). 17. Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. Un fototransistor es. aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. lo mismo que un transistor normal. la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. en esencia. Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa.Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. * Como fototransistor. Este último disminuye la capacitancia. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia. Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica.

la cual se rectifica con el diodo. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. 3. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. Entra la señal alterna al circuito. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. 19. . no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. 20. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales.18. es decir. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. las cuales son prácticamente nulas. Debido a su construcción. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada. En sentido inverso. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Al igual que antes. o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada. A diferencia del rectificador de media onda. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. Existen dos alternativas. la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. al igual que en el rectificador con dos diodos. A diferencia del caso anterior. ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior). El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua. La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. en este caso. ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. la mitad de la tensión del secundario del transformador. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante.4. mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). la misma que han de soportar los diodos en inversa. Tensión de entrada negativa. según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. En el circuito de la figura. en este caso. Tensión de entrada positiva. . sólo son posibles dos estados de conducción. La tensión de entrada (Vi) es. El condensador no se descarga por completo. Rectificador con dos diodos. A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario .

26. En general. silicio y arsenurio de galio. es decir.1. 24. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.) varía en función del tiempo de una forma periódica. Además. ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. aproximadamente 0. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz.6V. y los costos de material son mucho menores. La amplitud es la desviación máxima. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. desplazamiento. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia. . ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. 25. tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas.  Curva t 21. separadas por una región de material que es casi intrínseco.Tensión rectificada.2V. frecuencias que exceden de 1 GHz. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). germanio. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. 23. también llamado diodo regulador de tensión 22. etc.

fundamental. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada). . Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. -. véase Armónico. 27. -. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones. rectificando así la corriente. -. por medio de una fuerza periódica externa. sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal.forzada.de armstrong.amortiguada. -. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna. cuadradas. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos. triangulares. Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. sólo circulará corriente en un sentido.-. Rectificador elemental constituido por un diodo. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. -. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente.. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales.acoplada.) y en un amplio intervalo de frecuencias. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. -. -. y de ahí su nombre. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo.de media onda. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema.de onda completa. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado. Por lo tanto. -.. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio.armónico.propia.

¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A.7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0.6. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona. lo que dificulta su aprendizaje. apagado 0).1). 29. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero. 30. una impedancia de entrada infinita. Es el que se utiliza en las computadoras. es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0). ideal tiene una ganancia infinita. quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario. llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes. por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1. Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0.O. Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. un ancho de banda también infinito. en matemáticas e informática.5. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje. 32. u op-amp). . un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. es fácil de entender por el desarrollador. por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores.3.2.28. los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado). ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina. pero difícil de entender para la unidad central de proceso. es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1).O.1. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles. una impedancia de salida nula. 31.4.

o compuerta lógica. Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR). por ejemplo. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. la salida de la compuerta Y sería = 0. para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto». realiza la función booleana igualdad. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico.33. para adaptar impedancias (buffer en inglés). ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 . es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. que haga posible la miniaturización de circuitos. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip.

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). Así. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. Su símbolo es un punto (·). más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica. y se lee A y B o simplemente A por B. más conocida por su nombre en inglés AND ( ). b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y. la compuerta AND implementa el producto módulo 2. realiza la función booleana de producto lógico. realiza la . Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB.Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos. aunque se suele omitir. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2.

más conocida por su nombre en inglés XOR. cuando los valores en las entradas son distintos. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. realiza la función booleana A'B+AB'. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1. ej: 1 y 0. 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). .

Esto es así porque la operación XOR es asociativa. la puerta XOR implementa la suma módulo 2. la XOR tomaría la función de suma de paridad. para que el número de unos pase a ser par. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2.Si la puerta tuviese tres o más entradas . Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 . b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. pone un 1 a la salida. para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada". Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos.

realiza la operación de producto lógico negado. realiza la operación de suma lógica negada. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1. más conocida por su nombre en inglés NAND. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O. más conocida por su nombre en inglés NOR. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. .Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos.

realiza la función booleana AB+~A~B. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores.La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo.

0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). sólo si las dos entradas son iguales. A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A. Puertas OR y NOT.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     . Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica. Equivalencias. Puertas NOR. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico.B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. esto es. Además. Puertas NAND. Puertas AND y NOT. OR y NOT.

octal y binario 38. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35. Reste 11001 de 11101 40. decimal y hexadecimal 37. Existe una gran variedad de transistores. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. ¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. En principio. se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP . Convierta 11111000010010 a octal. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Multiplique: (111101) (101110) 41. Divida: 11010/11 42.34. 43. Convierta 87 decimal a binario 36.

No circula intensidad por la Base. toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. (Figura 2). En general: IE < IC < IB .Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá.colector inversamente. . IB = IC = IE = 0. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP. haciendo que se encienda la lámpara. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad.emisor se polariza directamente y la unión base . ya que. El transistor. la intensidad de Colector y Emisor también es nula. (Figura 1). se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. Zonas de trabajo CORTE. IE = IB + IC . por lo que. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1. entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. De esta forma.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería.. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande. una intensidad muy pequeña circulará por la Base. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base .

¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. Por ejemplo: Ic max = 1 A.. favorece.8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0. En definitiva. TO-39. como si fuera un interruptor. Puede dejar pasar más o menos corriente.) . también aparece con la denominación hFE. ). Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación.Activa Actúa como amplificador. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. Vcb max = 75 V Pc max = 7. TO-213. así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico. TO-123. Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0. normalmente son los más pequeños ( TO. TO-218. TO-66. son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3.7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico . 44.18. TO-92... los de gran potencia..). los de mediana potencia. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características.5 W . TO-247. TO226 .7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0. Esto. en gran medida...

siete (7).45. Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. . lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación. cinco (5). infinitos). cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. 48. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales. Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir. por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). tres (3). Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. ni más ni menos. ocho (8) y nueve (9) 50. Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). seis (6). dos (2). uno (1). fácilmente discernibles entre sí. Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47. dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. usando el sistema BINARIO. Por lo tanto. cuatro (4). de implementar y de depurar. basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico. Por ejemplo. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados.

IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. VD=vi-VC. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Peak Inverse Voltage. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. tal y como se aprecia en la figura. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2.  Tensión máxima en inversa. ya que cuando VC sigue siendo VM. por lo tanto: PIV=2VM . PIV: Cuando esté en corte. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. mediante la gráfica I-V del dispositivo. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. Caída de tensión en PD. 4. Corriente en inversa. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Para ello.52. IFmax: Mientras esté en conducción y. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. y su valor máximo es V M. Además. VC es siempre mayor que cero. 3. llega a ser -VM. Corriente máxima en directa. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage.7V como valor típico. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. BV. Los parámetros comerciales del diodo serán.

Si se incrementa la temperatura. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. La estructura de bandas se modifica. como los que mencionamos previamente. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. son tetravalentes. cuando están aislados. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción. podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía. dejando un estado libre en la BV. algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir. los electrones dejan un hueco. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción.785 eV (Electrón . Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. . los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación). Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. Por lo tanto. los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV.Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. semiconductores y aislantes. y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres. De la misma manera. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin. La estructura de bandas se modifica. El aporte de energía debe superar los 0. De esta manera. Ambos ´átomos. es decir. el material se comporta como un aislante. apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia.Voltios) en el caso del germanio y los 1. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. Por lo general. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n.53. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. . al no quedar estados libres dentro de esta banda. Con alta probabilidad. Ahora.21 eV para el silicio. se establece que: .En los materiales semiconductores.