GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior. Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Materiales semiconductores Tipo P. 5. Material semiconductor Tipo N. Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. Sin discontinuidades. Material semiconductor Tipo P. obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso).ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia. según el proceso de solidificación. Materiales Policristalinos . Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. ¿Cuando se dice que un material es amorfo. Son sistemas homogéneos de grano único. puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). Un mismo compuesto. quedando de esta forma cargados positivamente. Alta resistencia y baja capacidad de deformación. quedando cargados negativamente. Por ejemplo. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada. se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). 6. donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán.

mientras que en los de germanio (Ge) es de 0. Estos se van ordenando en forma regular. se clasifican de la siguiente forma: 1. la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. En los semiconductores de silicio (Si). La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. 7. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). Cada una de esas estructuras se llaman granos. En ese caso. * Granos pequeños: dúctiles. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1.21 eV.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. * Granos grandes: frágiles. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. Como se puede observar en la ilustración. Como se puede observar en la ilustración. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. . siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. que no contiene ninguna impureza. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina.785 eV. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Intrínsecos 2. según su pureza. o sea. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible.

la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. además del silicio y el germanio. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. pero en menor proporción que el silicio. se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. correspondiente a un antiguo diodo de selenio. Placa individual de 2 x 2 cm de área. silicio pulida con brillo de espejo. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica. es el cristal de germanio (Ge). Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. Hoy en día. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs).SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración. pulida como un espejo. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados. . En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. integrados. que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. minúsculos dados o “chips”. destinada a la fabricación de transistores y circuitos.25 mm aproximadamente). Una vez que los chips se han convertido en. Para hacer posible. uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. que se pueden obtener de cada una.20 y 0. en lugar de cuatro. Esos chips son los. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. transistores o circuitos integrados.

. En su estado puro. independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. esa estructura no conduce la electricidad. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. Diodos de alta Frecuencia. para adoptar una estructura cristalina. es decir. sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. Diodos de Conmutación. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. Diodos Zener.Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto. Los átomos de cualquier elemento. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes". Diodos especiales. presentaciones multimedia o música grabada en un CD. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. 8. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. Con respecto a los elementos semiconductores. semejante a una celosía. ya sea donándolos o aceptándolos. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. como ya se mencionó anteriormente. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. como elementos intrínsecos. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. Diodos de Señal. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. En esta ilustración el.

con ello. comienza a conducir. Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. 10. 11. Durante la fabricación de los diodos rectificadores. la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. La tensión Umbral. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. o tensión a partir de la cual el diodo. se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función.Umbral es aproximadamente 0. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos. es en las fuentes de alimentación.9. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves.3 voltios. evita el paso de la corriente en tal sentido. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa. el diodo se polariza de manera inversa. polarizado directamente. Se utilizan en etapas moduladoras. en modelos de media potencia. o señales débiles. Pero durante los medios ciclos negativos. suele ser inferior a la del diodo rectificador. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. Aplicaciones: Se emplean. . permite el paso de la corriente eléctrica. mezcla y limitación de señales. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). demoduladoras. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). aquí. se polariza en forma directa. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. O sea la V. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación. para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. de esta manera.

12. con encapsulado plástico o metálico. y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . para su funcionamiento. 13. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. Aprovechan. al alcanzar una determinada tensión. . como su nombre indica. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. . denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. cuando éstas están polarizadas en sentido directo. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz).Tensión zener (Vz). una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Sin embargo. que soportan la tensión inversa. Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. . dando lugar a una capacidad entre ambos. debida a la recombinación de electrones y huecos en ella.Potencia máxima (P/tot). que separa a los dos tipos de semiconductores. Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). 14. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P.

inventado en 1947 por J. oscilador. [editar] Transistor de unión bipolar . reproductores mp3. ordenadores. televisores. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). llamado varicap. por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. teléfonos móviles. automóviles. impresoras. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. Consta de una base de germanio. 1948) debido a su mayor ancho de banda. alarmas. lavadoras. aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. de ahí el nombre de "transfer resistor". 15. basta regular la tensión inversa. Brattain. En la actualidad ha desaparecido. equipos de rayos X. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. Bardeen y W. muy juntas. El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. 16. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. Se basa en efectos de superficie. etc. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. reproductores de audio y video. Shockley. ecógrafos. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. calculadoras. grabadoras. lámparas fluorescentes. hornos de microondas. tomógrafos. conmutador o rectificador. sobre la que se apoyan.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. equipos de refrigeración. respectivamente . ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. relojes de cuarzo. para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM.

) y del comportamiento cuántico de la unión. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). etc. donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. IGFET. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). o FET por sus siglas en inglés. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Sobre el sustrato de cristal. * Transistor de efecto de campo MOS. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. o BJT por sus siglas en inglés. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. epitaxial. se contaminan en forma muy controlada tres zonas. a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. se producirá una puerta. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. NPN o PNP. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. dan como resultado transistores PNP o NPN. MOSFET. el emisor está mucho más contaminado que el colector). construido mediante una unión PN. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. tienen alta impedancia de entrada. quedando formadas dos uniones NP. La configuración de uniones PN. Silicio o Arseniuro de galio. que tienen cualidades de semiconductores. JFET. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. El transistor de efecto de campo. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio. estableceremos una corriente. que controla la corriente en función de una tensión. . cesa la conducción en el canal. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. y las otras dos al emisor y al colector que. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. dos de las cuales son del mismo tipo. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). * Transistor de efecto de campo de unión. [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar.El transistor de unión bipolar.

Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia. en esencia. lo mismo que un transistor normal. Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. Un fototransistor es. * Como fototransistor. Este último disminuye la capacitancia. Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica. la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Debido a la recombinación de los portadores en el diodo. .Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible.Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). una zona de agotamiento se forma en la juntura. aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación). 17. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).

deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada. En sentido inverso. . La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción.18. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. es decir. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje. 19. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. 20. la cual se rectifica con el diodo. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales. Debido a su construcción. las cuales son prácticamente nulas. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Entra la señal alterna al circuito. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. 3.

Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua. A diferencia del caso anterior.4. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. en este caso. La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. Al igual que antes. en este caso. mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). . sólo son posibles dos estados de conducción. La tensión de salida es igual a la de entrada. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario . Tensión de entrada positiva. la misma que han de soportar los diodos en inversa. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. Tensión de entrada negativa. En el circuito de la figura. El condensador no se descarga por completo. al igual que en el rectificador con dos diodos. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior). A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. A diferencia del rectificador de media onda. ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). la mitad de la tensión del secundario del transformador. la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de entrada (Vi) es. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. Rectificador con dos diodos. Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. Existen dos alternativas.

Tensión rectificada. tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. 23. Además. también llamado diodo regulador de tensión 22. puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. etc. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas. Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener. 26. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. germanio.6V. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. La amplitud es la desviación máxima. desplazamiento. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas. ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. aproximadamente 0. En general. es decir. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. . Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. 25.) varía en función del tiempo de una forma periódica.1.2V. 24. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. frecuencias que exceden de 1 GHz. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. separadas por una región de material que es casi intrínseco.  Curva t 21. silicio y arsenurio de galio. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. y los costos de material son mucho menores. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia.

rectificando así la corriente.forzada. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales. -. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. 27. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias.fundamental. Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada.de media onda. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado.propia. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental. -. Por lo tanto. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente. -. -. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. por medio de una fuerza periódica externa.. triangulares. Rectificador elemental constituido por un diodo.acoplada. sólo circulará corriente en un sentido.) y en un amplio intervalo de frecuencias. y de ahí su nombre.de armstrong. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna. -. -.de onda completa. cuadradas. -. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado.amortiguada. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal.-. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. -. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos.. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones. . La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada). La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema.armónico. véase Armónico. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV.

una impedancia de salida nula. una impedancia de entrada infinita. ideal tiene una ganancia infinita. es fácil de entender por el desarrollador. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje.7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0. apagado 0).O. ¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A.2. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A. en matemáticas e informática. pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. pero difícil de entender para la unidad central de proceso. un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida.O.6. ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina.28. u op-amp). 31. es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1.1). Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. . un ancho de banda también infinito. llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes.1. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica. 30. lo que dificulta su aprendizaje. 32. por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores.3. 29. quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado). ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario.4. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0). Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero. Es el que se utiliza en las computadoras. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles.5. Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0.

33. la salida de la compuerta Y sería = 0. En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 . indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. o compuerta lógica. para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. que haga posible la miniaturización de circuitos. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. para adaptar impedancias (buffer en inglés). es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. realiza la función booleana igualdad. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto». ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR). Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. por ejemplo. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ.

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y.Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. Su símbolo es un punto (·). realiza la . la compuerta AND implementa el producto módulo 2. más conocida por su nombre en inglés AND ( ). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). realiza la función booleana de producto lógico. y se lee A y B o simplemente A por B. Así. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O. aunque se suele omitir. Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica.

. cuando los valores en las entradas son distintos. realiza la función booleana A'B+AB'. más conocida por su nombre en inglés XOR.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1. 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. ej: 1 y 0.

para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c. pone un 1 a la salida. Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 . La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. para que el número de unos pase a ser par.Si la puerta tuviese tres o más entradas . Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos. b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. Esto es así porque la operación XOR es asociativa. la puerta XOR implementa la suma módulo 2. la XOR tomaría la función de suma de paridad. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada".

. Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. más conocida por su nombre en inglés NOR. más conocida por su nombre en inglés NAND.Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. realiza la operación de suma lógica negada. realiza la operación de producto lógico negado. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica.

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores. realiza la función booleana AB+~A~B. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia.

Puertas NOR. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido. A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR. sólo si las dos entradas son iguales. Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica. esto es.B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND. Puertas OR y NOT. Puertas NAND.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A. 0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). Puertas AND y NOT. OR y NOT.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     . Equivalencias. Además.

En principio. Existe una gran variedad de transistores. Divida: 11010/11 42. ¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Convierta 87 decimal a binario 36. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35. Reste 11001 de 11101 40. decimal y hexadecimal 37. Multiplique: (111101) (101110) 41. 43. se explicarán los bipolares. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. Convierta 11111000010010 a octal. octal y binario 38.34. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP .

Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base . toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. la intensidad de Colector y Emisor también es nula. por lo que.emisor se polariza directamente y la unión base .. IB = IC = IE = 0. . De esta forma. IE = IB + IC . una intensidad muy pequeña circulará por la Base. ya que.colector inversamente. haciendo que se encienda la lámpara.Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá. Zonas de trabajo CORTE. se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande. (Figura 1). No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP. En general: IE < IC < IB .La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1. entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. (Figura 2). El transistor.No circula intensidad por la Base.

7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0. así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico.).. también aparece con la denominación hFE.) . TO-92.7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen.. Puede dejar pasar más o menos corriente. Esto. TO-247. TO-39.5 W .8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0.18. Vcb max = 75 V Pc max = 7.. ). la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3. Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0. los de gran potencia. TO-213. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. TO226 . como si fuera un interruptor. 44.. normalmente son los más pequeños ( TO. favorece. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico .. TO-66. los de mediana potencia. Por ejemplo: Ic max = 1 A. TO-218.. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. TO-123. son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. en gran medida. En definitiva.Activa Actúa como amplificador. ¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características.

Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. cinco (5). Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. usando el sistema BINARIO. Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. tres (3). Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. . Por ejemplo. es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico. cuatro (4). ni más ni menos.45. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales. por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Por lo tanto. fácilmente discernibles entre sí. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. seis (6). 48. lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación. ocho (8) y nueve (9) 50. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados. de implementar y de depurar. Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. uno (1). ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. infinitos). dos (2). (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47. siete (7). Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos.

En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. Peak Inverse Voltage. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Caída de tensión en PD.52. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. ya que cuando VC sigue siendo VM. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los parámetros comerciales del diodo serán. Corriente máxima en directa. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión.7V como valor típico. VC es siempre mayor que cero. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Además. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. PIV: Cuando esté en corte. por lo tanto: PIV=2VM . tal y como se aprecia en la figura. BV. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). llega a ser -VM. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. VD=vi-VC. 3. 4. Corriente en inversa. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. IFmax: Mientras esté en conducción y.  Tensión máxima en inversa. mediante la gráfica I-V del dispositivo. Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. Para ello. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. y su valor máximo es V M.

podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). . al no quedar estados libres dentro de esta banda. los electrones dejan un hueco. Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. se establece que: . algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir. dejando un estado libre en la BV. De la misma manera. ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación). Ambos ´átomos. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción. y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres. La estructura de bandas se modifica. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo).21 eV para el silicio. Si se incrementa la temperatura. semiconductores y aislantes. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. como los que mencionamos previamente. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin.53. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. . los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV. ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. el material se comporta como un aislante.Voltios) en el caso del germanio y los 1. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción. son tetravalentes. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. El aporte de energía debe superar los 0. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. Por lo tanto. Ahora. poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía.En los materiales semiconductores. apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción.785 eV (Electrón .Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. Con alta probabilidad. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. cuando están aislados. Por lo general. De esta manera. La estructura de bandas se modifica. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. es decir.

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