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GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

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GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). Son sistemas homogéneos de grano único. Sin discontinuidades. quedando de esta forma cargados positivamente. 5. Materiales Policristalinos . Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. Materiales semiconductores Tipo P. Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Alta resistencia y baja capacidad de deformación. ¿Cuando se dice que un material es amorfo. según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia. donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán. obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso). en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada. Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). Material semiconductor Tipo P. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina.ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). según el proceso de solidificación. Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. Por ejemplo. Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. Material semiconductor Tipo N. 6. Un mismo compuesto. quedando cargados negativamente. puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior.

. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. 7. Estos se van ordenando en forma regular.21 eV. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En los semiconductores de silicio (Si). la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. según su pureza. siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. Como se puede observar en la ilustración. que no contiene ninguna impureza. Cada una de esas estructuras se llaman granos. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. se clasifican de la siguiente forma: 1. * Granos pequeños: dúctiles. En ese caso. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). * Granos grandes: frágiles. algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante.785 eV.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. Intrínsecos 2. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1. Como se puede observar en la ilustración. o sea. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. mientras que en los de germanio (Ge) es de 0. pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía.

además del silicio y el germanio. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. Hoy en día. uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. en lugar de cuatro. Una vez dopados. minúsculos dados o “chips”. que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. destinada a la fabricación de transistores y circuitos. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. Para hacer posible. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de.25 mm aproximadamente). Una vez que los chips se han convertido en. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. pero en menor proporción que el silicio. la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". silicio pulida con brillo de espejo. Placa individual de 2 x 2 cm de área. que se pueden obtener de cada una. Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que.SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica. integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. pulida como un espejo.20 y 0. Esos chips son los. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. transistores o circuitos integrados. material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. . se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs). correspondiente a un antiguo diodo de selenio. esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. es el cristal de germanio (Ge).

es decir. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. ya sea donándolos o aceptándolos. Diodos de Conmutación. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. 8. semejante a una celosía. Diodos Zener.Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto. para adoptar una estructura cristalina. como ya se mencionó anteriormente. independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. . Con respecto a los elementos semiconductores. los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes". sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. presentaciones multimedia o música grabada en un CD. En esta ilustración el. como elementos intrínsecos. Diodos especiales. esa estructura no conduce la electricidad. En su estado puro. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. Los átomos de cualquier elemento. Diodos de alta Frecuencia. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. Diodos de Señal.

la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. en modelos de media potencia. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. 10. comienza a conducir. evita el paso de la corriente en tal sentido. O sea la V. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. demoduladoras. con ello. es en las fuentes de alimentación. La tensión Umbral. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa.9. de esta manera. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. polarizado directamente. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. el diodo se polariza de manera inversa. aquí. Aplicaciones: Se emplean. o tensión a partir de la cual el diodo. se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF).Umbral es aproximadamente 0. para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. suele ser inferior a la del diodo rectificador. Pero durante los medios ciclos negativos. Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. mezcla y limitación de señales. . 11. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. Se utilizan en etapas moduladoras. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. o señales débiles.3 voltios. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. permite el paso de la corriente eléctrica. se polariza en forma directa. Durante la fabricación de los diodos rectificadores.

Sin embargo. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean. al alcanzar una determinada tensión. 14. .Potencia máxima (P/tot). Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. debida a la recombinación de electrones y huecos en ella. como su nombre indica. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P. con encapsulado plástico o metálico.Tensión zener (Vz). que separa a los dos tipos de semiconductores. 13. . una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. que soportan la tensión inversa. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . dando lugar a una capacidad entre ambos.12. Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. . cuando éstas están polarizadas en sentido directo. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). para su funcionamiento.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). Aprovechan.

lavadoras. alarmas. reproductores mp3. teléfonos móviles. 1948) debido a su mayor ancho de banda. lámparas fluorescentes. inventado en 1947 por J. televisores. para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. En la actualidad ha desaparecido. poco conocidos en su día. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. relojes de cuarzo. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. Shockley. equipos de refrigeración. El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. basta regular la tensión inversa. [editar] Transistor de unión bipolar . Consta de una base de germanio. sobre la que se apoyan. oscilador. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. muy juntas. respectivamente . Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. Brattain. ecógrafos. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). 15.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. 16. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM. llamado varicap. calculadoras. reproductores de audio y video. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. grabadoras. de ahí el nombre de "transfer resistor". La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. Se basa en efectos de superficie. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. tomógrafos. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. Bardeen y W. conmutador o rectificador. en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. hornos de microondas. impresoras. ordenadores. equipos de rayos X. etc. automóviles.

el emisor está mucho más contaminado que el colector). Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. se contaminan en forma muy controlada tres zonas. que controla la corriente en función de una tensión. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. o BJT por sus siglas en inglés. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). estableceremos una corriente. * Transistor de efecto de campo de unión. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.) y del comportamiento cuántico de la unión. La configuración de uniones PN. se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. Silicio o Arseniuro de galio. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. quedando formadas dos uniones NP. Sobre el sustrato de cristal. cesa la conducción en el canal. dos de las cuales son del mismo tipo. [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar. tienen alta impedancia de entrada. y las otras dos al emisor y al colector que. NPN o PNP. Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. JFET. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. El transistor de efecto de campo. se producirá una puerta. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. MOSFET. * Transistor de efecto de campo MOS. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. dan como resultado transistores PNP o NPN. que tienen cualidades de semiconductores. o FET por sus siglas en inglés. IGFET.El transistor de unión bipolar. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. construido mediante una unión PN. . etc. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. epitaxial. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).

una zona de agotamiento se forma en la juntura. Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. 17. Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). . Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). en esencia. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia. Un fototransistor es. Este último disminuye la capacitancia.Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. * Como fototransistor. lo mismo que un transistor normal. Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica. (IP) (modo de iluminación). Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa.Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . Debido a la recombinación de los portadores en el diodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. Entra la señal alterna al circuito. 20. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada.18. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. 3. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. Debido a su construcción. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales. la cual se rectifica con el diodo. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). . que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. las cuales son prácticamente nulas. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. es decir. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso. 19.

por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. en este caso. o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. en este caso. sólo son posibles dos estados de conducción. En el circuito de la figura. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario . Rectificador con dos diodos. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. al igual que en el rectificador con dos diodos. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). Existen dos alternativas. El condensador no se descarga por completo. Tensión de entrada positiva. La tensión de salida es igual a la de entrada. Tensión de entrada negativa. La tensión de entrada (Vi) es. La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. A diferencia del caso anterior.4. la misma que han de soportar los diodos en inversa. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. A diferencia del rectificador de media onda. bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua. . ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior). Al igual que antes. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. la mitad de la tensión del secundario del transformador.

tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. 24. ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. germanio.6V. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos.) varía en función del tiempo de una forma periódica. silicio y arsenurio de galio. etc. puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo.  Curva t 21. aproximadamente 0. . Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres.2V. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas. ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). 25. En general. es decir.Tensión rectificada. frecuencias que exceden de 1 GHz. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener. y los costos de material son mucho menores. La amplitud es la desviación máxima. desplazamiento. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas. ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. separadas por una región de material que es casi intrínseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. Además. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. también llamado diodo regulador de tensión 22. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia.1. 26. 23.

propia. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV.armónico. -. -. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. -.. 27.) y en un amplio intervalo de frecuencias. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal. véase Armónico. Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. y de ahí su nombre. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua.-. -. -. Rectificador elemental constituido por un diodo.forzada. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones. sólo circulará corriente en un sentido.de media onda. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada).de onda completa. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. cuadradas.fundamental. por medio de una fuerza periódica externa.de armstrong.acoplada. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado. -. La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema. -.amortiguada. -. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos. triangulares. . sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable.. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. Por lo tanto. rectificando así la corriente. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias.

los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado). en matemáticas e informática. por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores. una impedancia de salida nula. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0). es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1).6.4. es fácil de entender por el desarrollador.O. Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. ideal tiene una ganancia infinita. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje. pero difícil de entender para la unidad central de proceso.7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0. pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. apagado 0). es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0. llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes.5. por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1. quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica.1). Es el que se utiliza en las computadoras. ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario.28. un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. . El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles. una impedancia de entrada infinita. lo que dificulta su aprendizaje. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona. 30.1.O. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero. un ancho de banda también infinito.3. ¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A. 31. 29. ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina.2. u op-amp). 32.

indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. realiza la función booleana igualdad. para adaptar impedancias (buffer en inglés). En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. por ejemplo. para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR). es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 .33. que haga posible la miniaturización de circuitos. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico. ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto». la salida de la compuerta Y sería = 0. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. o compuerta lógica.

realiza la . Su símbolo es un punto (·). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). realiza la función booleana de producto lógico. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. más conocida por su nombre en inglés AND ( ).Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos. Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. y se lee A y B o simplemente A por B. aunque se suele omitir. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y. Así. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O. más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. la compuerta AND implementa el producto módulo 2.

. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor. realiza la función booleana A'B+AB'. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1. más conocida por su nombre en inglés XOR. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. ej: 1 y 0. cuando los valores en las entradas son distintos. 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas).

pone un 1 a la salida. b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 . La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada". Esto es así porque la operación XOR es asociativa.Si la puerta tuviese tres o más entradas . Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos. Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. la XOR tomaría la función de suma de paridad. para que el número de unos pase a ser par. la puerta XOR implementa la suma módulo 2. para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c.

Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. realiza la operación de suma lógica negada. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. . más conocida por su nombre en inglés NAND. más conocida por su nombre en inglés NOR.Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. realiza la operación de producto lógico negado. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica.

La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia. Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo.La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. realiza la función booleana AB+~A~B.

esto es. Puertas NAND. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido. Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A. OR y NOT. Puertas OR y NOT. Puertas NOR. Equivalencias. 0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). Puertas AND y NOT. sólo si las dos entradas son iguales. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND.B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     . Además.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico. A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR.

¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Convierta 11111000010010 a octal.34. decimal y hexadecimal 37. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP . Multiplique: (111101) (101110) 41. Convierta 87 decimal a binario 36. octal y binario 38. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. Divida: 11010/11 42. se explicarán los bipolares. En principio. 43. Reste 11001 de 11101 40. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35. Existe una gran variedad de transistores.

No circula intensidad por la Base. .. una intensidad muy pequeña circulará por la Base. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En general: IE < IC < IB .emisor se polariza directamente y la unión base . En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. IE = IB + IC . toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. Zonas de trabajo CORTE. por lo que. haciendo que se encienda la lámpara.Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá. Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base . entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1. VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad. ya que.La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. (Figura 2). (Figura 1). El transistor. la intensidad de Colector y Emisor también es nula. IB = IC = IE = 0. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP. De esta forma. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande.colector inversamente.

7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen. TO-92.. TO-39. los de mediana potencia. TO-247. ¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. 44.) .).7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0.. TO-66.. también aparece con la denominación hFE. así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico. ). TO-123. En definitiva. TO226 . son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3..5 W . Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación. TO-213. Esto. Vcb max = 75 V Pc max = 7.18. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. normalmente son los más pequeños ( TO. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características. como si fuera un interruptor..Activa Actúa como amplificador. Por ejemplo: Ic max = 1 A. los de gran potencia.. en gran medida. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico . TO-218.8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0. favorece. Puede dejar pasar más o menos corriente. Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0.

ni más ni menos. por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). dos (2). infinitos). cuatro (4). basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. ocho (8) y nueve (9) 50. Por lo tanto. seis (6). siete (7). (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47. ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. Por ejemplo. lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación. Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos. Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados. Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). usando el sistema BINARIO. 48. cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. cinco (5). Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). tres (3). fácilmente discernibles entre sí. Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. uno (1). es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico. de implementar y de depurar. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. . Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir.45.

VD=vi-VC. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current).52. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. tal y como se aprecia en la figura. VC es siempre mayor que cero.7V como valor típico. ya que cuando VC sigue siendo VM. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. mediante la gráfica I-V del dispositivo. y su valor máximo es V M. Además. 3. Corriente máxima en directa. En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. por lo tanto: PIV=2VM . VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. llega a ser -VM. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. 4. Los parámetros comerciales del diodo serán. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal.  Tensión máxima en inversa. Caída de tensión en PD. Corriente en inversa. PIV: Cuando esté en corte. Para ello. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). BV. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. Peak Inverse Voltage. IFmax: Mientras esté en conducción y.

La estructura de bandas se modifica. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV. De la misma manera. Si se incrementa la temperatura. se establece que: . ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. Por lo tanto. son tetravalentes. Ahora. El aporte de energía debe superar los 0.En los materiales semiconductores. podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir. al no quedar estados libres dentro de esta banda. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. como los que mencionamos previamente. De esta manera. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción.Voltios) en el caso del germanio y los 1. . Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción.21 eV para el silicio. es decir. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. dejando un estado libre en la BV. los electrones dejan un hueco. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación). semiconductores y aislantes. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. La estructura de bandas se modifica. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin.785 eV (Electrón . Por lo general. poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía. el material se comporta como un aislante. Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. Ambos ´átomos. apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia.53.Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres. apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción. cuando están aislados. . Con alta probabilidad. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo).

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