GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Materiales semiconductores Tipo P. Por ejemplo. quedando de esta forma cargados positivamente. Material semiconductor Tipo P. se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. Material semiconductor Tipo N. según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada. obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso). Un mismo compuesto. donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán. Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. según el proceso de solidificación. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia. quedando cargados negativamente. Sin discontinuidades. Alta resistencia y baja capacidad de deformación. obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). Materiales Policristalinos . 5. ¿Cuando se dice que un material es amorfo. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior. Son sistemas homogéneos de grano único. 6. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas.ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina.

pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. según su pureza. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. Como se puede observar en la ilustración. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Cada una de esas estructuras se llaman granos. Estos se van ordenando en forma regular. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. En ese caso.21 eV. Como se puede observar en la ilustración. la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. 7. Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. * Granos pequeños: dúctiles. siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1. o sea. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. mientras que en los de germanio (Ge) es de 0.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. . Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. se clasifican de la siguiente forma: 1. que no contiene ninguna impureza.785 eV. Intrínsecos 2. * Granos grandes: frágiles. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. En los semiconductores de silicio (Si).

pulida como un espejo. que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. que se pueden obtener de cada una. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. Esos chips son los. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. pero en menor proporción que el silicio. correspondiente a un antiguo diodo de selenio. silicio pulida con brillo de espejo. Una vez que los chips se han convertido en. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. Para hacer posible. Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que. .20 y 0. minúsculos dados o “chips”. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. además del silicio y el germanio. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. Placa individual de 2 x 2 cm de área. integrados. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. transistores o circuitos integrados. la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. es el cristal de germanio (Ge).25 mm aproximadamente). se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. Una vez dopados. Hoy en día. destinada a la fabricación de transistores y circuitos.SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs). en lugar de cuatro. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección.

semejante a una celosía. En su estado puro. Diodos especiales. para adoptar una estructura cristalina. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. Diodos de Señal. como elementos intrínsecos. En esta ilustración el. Diodos Zener. Diodos de alta Frecuencia. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes". independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. Los átomos de cualquier elemento. . Diodos de Conmutación. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. como ya se mencionó anteriormente. presentaciones multimedia o música grabada en un CD. ya sea donándolos o aceptándolos. 8. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho. esa estructura no conduce la electricidad. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. Con respecto a los elementos semiconductores. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. es decir.Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto.

comienza a conducir.Umbral es aproximadamente 0. Pero durante los medios ciclos negativos. es en las fuentes de alimentación. Se utilizan en etapas moduladoras. suele ser inferior a la del diodo rectificador. demoduladoras. o señales débiles. La tensión Umbral. de esta manera. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación. en modelos de media potencia. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo. permite el paso de la corriente eléctrica. 10. Durante la fabricación de los diodos rectificadores. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos. aquí. o tensión a partir de la cual el diodo. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. . con ello. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales. el diodo se polariza de manera inversa. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. evita el paso de la corriente en tal sentido. Aplicaciones: Se emplean. 11. para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.3 voltios.9. la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. se polariza en forma directa. polarizado directamente. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. O sea la V. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa. mezcla y limitación de señales.

al alcanzar una determinada tensión. una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean.Potencia máxima (P/tot).Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz).12. Sin embargo. Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima. cuando éstas están polarizadas en sentido directo. como su nombre indica. Aprovechan. dando lugar a una capacidad entre ambos. . con encapsulado plástico o metálico. . de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. 13. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. . debida a la recombinación de electrones y huecos en ella. Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). 14. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P. Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. que soportan la tensión inversa. para su funcionamiento. que separa a los dos tipos de semiconductores.Tensión zener (Vz).

hornos de microondas. equipos de rayos X. relojes de cuarzo. Shockley. sobre la que se apoyan. reproductores de audio y video. Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. basta regular la tensión inversa. lavadoras. ecógrafos. inventado en 1947 por J. Consta de una base de germanio. Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A. reproductores mp3. respectivamente . tomógrafos. 16. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). [editar] Transistor de unión bipolar . El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. etc. impresoras. muy juntas. Bardeen y W. teléfonos móviles.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. grabadoras. alarmas. llamado varicap. Se basa en efectos de superficie. en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. En la actualidad ha desaparecido. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. Brattain. televisores. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. 1948) debido a su mayor ancho de banda. aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. conmutador o rectificador. calculadoras. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano). 15. poco conocidos en su día. equipos de refrigeración. ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. ordenadores. automóviles. oscilador. lámparas fluorescentes. de ahí el nombre de "transfer resistor".

Silicio o Arseniuro de galio. el emisor está mucho más contaminado que el colector). que tienen cualidades de semiconductores.) y del comportamiento cuántico de la unión. dan como resultado transistores PNP o NPN. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. MOSFET. o FET por sus siglas en inglés. si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. * Transistor de efecto de campo de unión. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. JFET. cesa la conducción en el canal. se producirá una puerta. se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio. y las otras dos al emisor y al colector que. El transistor de efecto de campo. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. NPN o PNP. dos de las cuales son del mismo tipo. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. se contaminan en forma muy controlada tres zonas. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). * Transistor de efecto de campo MOS. estableceremos una corriente. [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar. Sobre el sustrato de cristal. tienen alta impedancia de entrada. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.El transistor de unión bipolar. quedando formadas dos uniones NP. El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. construido mediante una unión PN. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. epitaxial. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. . tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. La configuración de uniones PN. Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). que controla la corriente en función de una tensión. etc. o BJT por sus siglas en inglés. IGFET.

* Como fototransistor. Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia. . Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común). (IP) (modo de iluminación). Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). lo mismo que un transistor normal. una zona de agotamiento se forma en la juntura. Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica. ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. Un fototransistor es. Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Debido a la recombinación de los portadores en el diodo. Este último disminuye la capacitancia. aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible.Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. 17.Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. en esencia.

Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje.18. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. las cuales son prácticamente nulas. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. 20. Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). El circuito funciona de la siguiente manera: 1. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo. la cual se rectifica con el diodo. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas. 19. En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. (Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. . sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Entra la señal alterna al circuito. 3. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. Debido a su construcción. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. es decir. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. En sentido inverso.

ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior).4. o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa). sólo son posibles dos estados de conducción. Al igual que antes. mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. La tensión de salida es igual a la de entrada. Tensión de entrada negativa. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario . en este caso. Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. la misma que han de soportar los diodos en inversa. en este caso. . A diferencia del rectificador de media onda. mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). Existen dos alternativas. Rectificador con dos diodos. ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. El condensador no se descarga por completo. En el circuito de la figura. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). La tensión de entrada (Vi) es. El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. Tensión de entrada positiva. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. A diferencia del caso anterior. al igual que en el rectificador con dos diodos. Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua. la mitad de la tensión del secundario del transformador. A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente.

. En general.) varía en función del tiempo de una forma periódica. separadas por una región de material que es casi intrínseco.1. ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. germanio. es decir. 24. tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. Además. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. aproximadamente 0. frecuencias que exceden de 1 GHz. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas.6V. desplazamiento. Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. y los costos de material son mucho menores. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro.Tensión rectificada. Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. 23. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas. puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres. Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia. 26. 25.2V. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). silicio y arsenurio de galio. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas. La amplitud es la desviación máxima. también llamado diodo regulador de tensión 22.  Curva t 21. etc. ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada.

) y en un amplio intervalo de frecuencias.. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV. Por lo tanto. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado. 27.-. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. cuadradas. -. -.fundamental. Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. -. -. sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable. rectificando así la corriente. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. -. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio.de media onda. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones.armónico. . Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna.propia. -. por medio de una fuerza periódica externa. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. Rectificador elemental constituido por un diodo. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente.de onda completa. triangulares. sólo circulará corriente en un sentido. y de ahí su nombre. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental.acoplada.. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro. -. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada).forzada. véase Armónico. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia. La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema.amortiguada. -. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales.de armstrong.

30. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica. una impedancia de salida nula. Es el que se utiliza en las computadoras.O. pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores. un ancho de banda también infinito. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0). ¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A. . Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero.28. lo que dificulta su aprendizaje.2. Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. 29. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A.1.O. un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes.7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0.5. es fácil de entender por el desarrollador.4. una impedancia de entrada infinita. u op-amp).1). ideal tiene una ganancia infinita. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje. apagado 0). quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario. por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1. pero difícil de entender para la unidad central de proceso. los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado).3. en matemáticas e informática. ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina. 31. 32.6. es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona.

Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular. Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. o compuerta lógica. indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. por ejemplo. que haga posible la miniaturización de circuitos. para adaptar impedancias (buffer en inglés). Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 . ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico.33. En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. realiza la función booleana igualdad. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR). la salida de la compuerta Y sería = 0. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto».

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). realiza la . más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica.Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y. la compuerta AND implementa el producto módulo 2. aunque se suele omitir. y se lee A y B o simplemente A por B. realiza la función booleana de producto lógico. Así. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O. más conocida por su nombre en inglés AND ( ). Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. Su símbolo es un punto (·).

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva. . Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo. más conocida por su nombre en inglés XOR. cuando los valores en las entradas son distintos. ej: 1 y 0. 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). realiza la función booleana A'B+AB'. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos.

la XOR tomaría la función de suma de paridad. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 . b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. para que el número de unos pase a ser par.Si la puerta tuviese tres o más entradas . Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos. Esto es así porque la operación XOR es asociativa. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. pone un 1 a la salida. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada". Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. la puerta XOR implementa la suma módulo 2.

En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. más conocida por su nombre en inglés NOR. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O. realiza la operación de suma lógica negada. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. .Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos. realiza la operación de producto lógico negado. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. más conocida por su nombre en inglés NAND. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1.

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo. La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia. realiza la función booleana AB+~A~B. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica.

esto es. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND. Además. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. Equivalencias. Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica. sólo si las dos entradas son iguales.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico. Puertas NAND. 0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR.B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A. OR y NOT. Puertas AND y NOT. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     . Puertas NOR. Puertas OR y NOT.

Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP . Existe una gran variedad de transistores. decimal y hexadecimal 37. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Convierta 87 decimal a binario 36. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35. Reste 11001 de 11101 40. 43. En principio. octal y binario 38. se explicarán los bipolares. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. ¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña.34. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. Convierta 11111000010010 a octal. Divida: 11010/11 42. Multiplique: (111101) (101110) 41.

Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base . (Figura 1). una intensidad muy pequeña circulará por la Base.emisor se polariza directamente y la unión base . la intensidad de Colector y Emisor también es nula.colector inversamente.. (Figura 2). .La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. De esta forma. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. ya que. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. En general: IE < IC < IB . No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP. IE = IB + IC . se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1.Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá. VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad. entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. por lo que. Zonas de trabajo CORTE. haciendo que se encienda la lámpara. El transistor. IB = IC = IE = 0.No circula intensidad por la Base.

también aparece con la denominación hFE. TO-218. TO226 .18..7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0. los de gran potencia. TO-213. los de mediana potencia. TO-39.5 W .8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0. así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico.. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico .. en gran medida.. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características. ¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. Esto.) . Puede dejar pasar más o menos corriente. favorece. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación.Activa Actúa como amplificador. Por ejemplo: Ic max = 1 A.7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen. son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0. En definitiva. normalmente son los más pequeños ( TO. TO-92..).. TO-123. la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3. TO-66. ). como si fuera un interruptor. Vcb max = 75 V Pc max = 7. 44. TO-247. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base.

Por ejemplo. dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. ni más ni menos. cuatro (4). Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir. Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. siete (7). de implementar y de depurar. . Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento. Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación. (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47.45. infinitos). ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico. 48. Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. dos (2). fácilmente discernibles entre sí. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. Por lo tanto. cinco (5). basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. tres (3). Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. usando el sistema BINARIO. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados. Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. uno (1). seis (6). ocho (8) y nueve (9) 50. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49.

Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño.  Tensión máxima en inversa.7V como valor típico. llega a ser -VM. y su valor máximo es V M. ya que cuando VC sigue siendo VM. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. PIV: Cuando esté en corte. Para ello. 3. IFmax: Mientras esté en conducción y. por lo tanto: PIV=2VM . Además. mediante la gráfica I-V del dispositivo. se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. BV. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). Corriente en inversa. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. VD=vi-VC. 4. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.52. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. VC es siempre mayor que cero. tal y como se aprecia en la figura. Peak Inverse Voltage. Los parámetros comerciales del diodo serán. Caída de tensión en PD. Corriente máxima en directa. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura.

ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres.785 eV (Electrón . algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir. La estructura de bandas se modifica. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. De esta manera. .Voltios) en el caso del germanio y los 1. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. De la misma manera. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. . Por lo general. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación). apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. Ambos ´átomos.En los materiales semiconductores. al no quedar estados libres dentro de esta banda.21 eV para el silicio. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. semiconductores y aislantes. los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV. dejando un estado libre en la BV. Ahora. poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía. el material se comporta como un aislante. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. La estructura de bandas se modifica. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. Con alta probabilidad.Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción. son tetravalentes. es decir. Por lo tanto. como los que mencionamos previamente. cuando están aislados. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. Si se incrementa la temperatura. El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. El aporte de energía debe superar los 0. Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin. se establece que: . los electrones dejan un hueco.53. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful