GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. ¿Como se define un semiconductor? Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando ésta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related http://www.youtube.com/watch?v=rm8V7aBWvXM&feature=related 2. ¿Cuales son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio? Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante. 3. ¿Cuales son las características básicas de los semiconductores?  Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos químicos y compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el seleniuro de cinc y el telururo de plomo.  Para incrementar el nivel de la conductividad se provocan cambios de temperatura, de la luz o se integran impurezas en su estructura molecular.  Estos cambios originan un aumento del numero de electrones liberados (o bien huecos) conductores que transportan la energía eléctrica.  Los cuatro electrones de valencia (o electrones exteriores) de un átomo están en parejas y son compartidos por otros átomos para formar un enlace covalente que mantiene al cristal unido.  Para producir electrones de conducción, se utiliza energía adicional en forma de luz o de calor (se maneja como temperatura), que excita los electrones de valencia y provoca su liberación de los enlaces, de manera que pueden transportar su propia energía.  Cada electrón de valencia que se desprende de su enlace covalente deja detrás de sí un hueco, o dicho en otra forma, deja a su átomo padre con un electrón de menos, lo que significa entonces que en ese átomo existirá un protón de más.  Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva). Éste es el origen físico del incremento de la conductividad eléctrica de los semiconductores a causa de la temperatura.

Los cristales semiconductores de dividen en intrínsecos y extrínsecos. Un cristal intrínseco es aquél que se encuentra puro (aunque no existe prácticamente un cristal 100% puro); es decir, no contiene impurezas; mientras que un cristal extrínseco es aquél que ha sido impurificado con átomos de otra sustancia. Al proceso de impurificación se le llama también dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la energía eléctrica a otros puntos del cristal. Los materiales extrínsecos se dividen en “tipo n” y “tipo p”.

La diferencia del número de electrones entre el material dopante (tanto si acepta como si confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el número de electrones de conducción negativos o positivos. Si aumenta el número de electrones de conducción negativos, entonces el material es tipo n; y si aumenta el numero de cargas positivas (lagunas), es un material tipo p. 4. Ilustre la estructura atómica del silicio

Mirando la figura del centro puede verse la representación del átomo de silicio. Note como los electrones se distribuyen en los niveles. El átomo de silicio tiene 14 protones y 14 electrones. El primero y segundo nivel están completos, y hay cuatro electrones en el último nivel. Estos electrones del último nivel se conocen como electrones de valencia y pueden ser compartidos con otros átomos para formar enlaces. GERMANIO

Un átomo de germanio está formado por un núcleo, el cual está rodeado por varias cadenas de electrones y se ilustra en la figura anterior. Su núcleo está formado por 32 protones, mismos que son la parte principal de su masa. Ya hemos visto en otras lecciones que los protones poseen una carga positiva de electricidad. El núcleo está rodeado por 32 electrones, los que giran en órbitas fijas. Los cuatro electrones de la órbita no son atraidos tan fuertemente por el núcleo, como lo son los de las órbitas siguientes. A estos electrones se les da el nombre de

monocristalino y policristalino? El sólido amorfo es un estado sólido de la materia. obtenidos al añadir impureza como el Boro o el Indio y se caracterizan por tener una gran tendencia a captar electrones (pues en su estructura presentan gran número de huecos). según la disposición espacial de las moléculas de sílice (SiO2). Material semiconductor Tipo N. 6. quedando cargados negativamente. Esta clasificación contrasta con la de sólidos cristalinos. ¿Cuando se dice que un material es amorfo. según el proceso de solidificación. Un mismo compuesto.ELECTRONES DE VALENCIA ( ver figura 1b ). Material semiconductor Tipo P. Materiales semiconductores Tipo P. Son sistemas homogéneos de grano único. donde los puntos cuadrados representan huecos que fácilmente captarán electrones. donde los puntos redondos representan el exceso de electrones que fácilmente cederán. Sin discontinuidades. Muchos sólidos amorfos son mezclas de moléculas que no se pueden apilar bien. Por ejemplo. Materiales Policristalinos . Alta resistencia y baja capacidad de deformación. obtenidos al añadir impurezas como el Fósforo o el Antimonio y se caracterizan por tener gran tendencia a ceder electrones (pues tienen en exceso). se puede obtener una estructura cristalina (el cuarzo) o un sólido amorfo (el vidrio). Casi todos los demás se componen de moléculas grandes y complejas. puede formar una red cristalina o un sólido amorfo. en el que las partículas que conforman el sólido carecen de una estructura ordenada. cuyos átomos están dispuestos de manera regular y ordenada formando redes cristalinas. puede verse la carga neta resultante de 4 protones en el núcleo y 4 electrones en la órbita exterior. Entre los sólidos amorfos más conocidos destaca el vidrio. Mencione la clasificación de los semiconductores Materiales semiconductores Tipo N. Estos sólidos carecen de formas y caras bien definidas. 5. Materiales Monocristalinos Constituidos por un solo tipo de red cristalina. quedando de esta forma cargados positivamente.

algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Extrínsecos Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco. se clasifican de la siguiente forma: 1. pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina. ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. Diga ¿cual es la diferencia entre un semiconductor intrínseco y un extrínseco? Los materiales semiconductores. la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción. Esos electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de conducción”. mientras que en los de germanio (Ge) es de 0. Como se puede observar en la ilustración. * Granos grandes: frágiles. Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco. * Granos pequeños: dúctiles. Intrínsecos 2. o sea.21 eV.785 eV.Tienen más de un tipo de ordenamiento o estructura cristalina. que no contiene ninguna impureza. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. Los extremos de los cristales interaccionan entre sí produciendo discontinuidades: limites de granos. los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia). según su pureza. En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente eléctrica. Como se puede observar en la ilustración. En los semiconductores de silicio (Si). en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. Durante la solidificación hay competencia entre los cristales para ocupar el mayor espacio posible. la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1. En ese caso. 7. compuesta solamente por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Cada una de esas estructuras se llaman granos. . Estos se van ordenando en forma regular.

integrados.25 mm aproximadamente). de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos.20 y 0. en lugar de cuatro. pulida como un espejo. Esos chips son los. Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares. Para hacer posible. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y colocados dentro. En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. que después de pasar por un proceso tecnológico apropiado se convertirán en. es el cristal de germanio (Ge). se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Periódica. la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas". minúsculos dados o “chips”. transistores o circuitos integrados. destinada a la fabricación de transistores y circuitos. que se pueden obtener de cada una. Una vez dopados. que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. material destinado a la fabricación de diodos láser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. Placa individual de 2 x 2 cm de área. poseen tres electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)]. A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio pulida con brillo de espejo. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica. o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. además del silicio y el germanio. pero en menor proporción que el silicio. El segundo elemento también utilizado como semiconductor. uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena. Una vez que los chips se han convertido en. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0. Hoy en día.SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteración. . correspondiente a un antiguo diodo de selenio. Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs). Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos semiconductores que.

esa estructura no conduce la electricidad. Mencione la clasificación de los diodos semiconductores Diodos Rectificadores. En esta ilustración el. Diodos Zener. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido. . Diodos de Conmutación. es decir. para adoptar una estructura cristalina. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico común.Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto. los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes". como ya se mencionó anteriormente. por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes. compartiendo entre sí los cuatro electrones que cada uno posee. tratan siempre de completarla con un máximo de ocho. independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita. sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes. Los átomos de cualquier elemento. los átomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina. ya sea donándolos o aceptándolos. semejante a una celosía. que poseen sólo cuatro electrones en su última órbita. En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro. Diodos especiales. según la tendencia de completar ocho en su órbita externa. según el número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico. Diodos de alta Frecuencia. En su estado puro. presentaciones multimedia o música grabada en un CD. Con respecto a los elementos semiconductores. como elementos intrínsecos. 8. Diodos de Señal.

es en las fuentes de alimentación. o tensión a partir de la cual el diodo. la cual consiste en separar los ciclos positivos de una señal de corriente alterna. mezcla y limitación de señales. convierten una señal de corriente alterna en otra de corriente directa. Pueden ser considerados rápidos aquellos diodos con un TRR inferior a 400 nanosegundos. el diodo se polariza de manera inversa. La tensión Umbral. o señales débiles. la corriente máxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa máximas que soportarán. evita el paso de la corriente en tal sentido. Aplicaciones: Se emplean. 10. Durante la fabricación de los diodos rectificadores. aquí. Defina e ilustre al diodo rectificador Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos más sencillos. Se utilizan en etapas moduladoras. se polariza en forma directa.3 voltios. demoduladoras. en modelos de media potencia. suele ser inferior a la del diodo rectificador. por lo que trabaja con pequeñas corrientes. permite el paso de la corriente eléctrica. de esta manera. Defina e ilustre al diodo de señal Este tipo de diodo se utiliza para la detección de pequeñas señales.9. . Si se aplica al diodo una tensión de corriente alterna durante los medios ciclos positivos. polarizado directamente. Defina e ilustre al diodo de comunicación Los diodos de conmutación o rápidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con señales de tipo digital o <<lógico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos muy breves. comienza a conducir. El nombre diodo rectificador” procede de su aplicación.Umbral es aproximadamente 0. sobre todo el la detección de señales de Radio Frecuencia (RF). para los de baja potencia este tipo es del orden de los 5 nanosegundos. Símbolo: Aspecto físico: El material semiconductor suele ser el Germanio. Pero durante los medios ciclos negativos. Una de las aplicaciones clásicas de los diodos rectificadores. 11. El factor o parámetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de recuperación inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unión P-N en desalojar la carga eléctrica que acumula. se consideran tres factores: la frecuencia máxima en que realizan correctamente su función. con ello. cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a la acumulación de carga de un condensador). O sea la V. y recibe súbitamente un cambio de tensión que la polariza en sentido directo.

como su nombre indica. 14. para su funcionamiento.Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz).12. una propiedad muy interesante que presenta la unión semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un determinado nivel. . al alcanzar una determinada tensión. desde 250 mili vatios hasta decenas de vatios. Defina e ilustre al diodo Zener Los diodos estabilizadores de tensión se emplean. Aprovechan. Defina e ilustre al diodo de alta Frecuencia Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 millón de ciclos por segundo). Los parámetros que caracterizan a un diodo zener son: . Defina e ilustre los diodos especiales El diodo varicap y su funcionamiento Al polarizar inversamente la unión N-P se crea en la zona central una capa aislante y neutra. cuando éstas están polarizadas en sentido directo.Tensión zener (Vz). dando lugar a una capacidad entre ambos. debida a la recombinación de electrones y huecos en ella. que soportan la tensión inversa. y el dieléctrico es la zona neutra cuyo espesor es variable con el valor de la polarización externa. Las armaduras del condensador ficticio están constituidas por los semiconductores N y P. que separa a los dos tipos de semiconductores.Potencia máxima (P/tot). . con encapsulado plástico o metálico. Sin embargo. . 13. para producir una tensión entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que los atraviesa. Se caracterizan por presentar una baja capacidad de difusión (Cd) entre las dos zonas semiconductoras que forman la unión P-N. aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la intensidad que lo atraviesa. denominada tensión zener se produce un aumento de la cantidad de corriente. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar. de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene prácticamente constante. Normalmente un diodo que recibe una polarización inversa no permite el paso de la corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilísima.

La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector. calculadoras. inventado en 1947 por J. equipos de rayos X. fue el primer transistor capaz de obtener ganancia. automóviles. 16. Tipos de transistores Transistor de contacto puntual Llamado también transistor de punta de contacto. Se basa en efectos de superficie. dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. equipos de refrigeración. conmutador o rectificador. relojes de cuarzo. Se consiguen diodos rectificadores con valores de VRRM desde menos de 40V hasta mas de 600V y valores de IF(av) desde menos de 100 mA hasta mas de 100 A.El comportamiento de la unión N-P cuando se polariza inversamente es la de un condensador cuya capacidad depende de la tensión aplicada. oscilador. ¿Cuales son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores? Se especifican por la corriente máxima promedio que pueden conducir con polarización directa y por el voltaje máximo que pueden soportar en polarización inversa sin entrar en avalancha. En el caso de utilizar una unión N-P como condensador variable. [editar] Transistor de unión bipolar . etc. Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios. En la actualidad ha desaparecido. reproductores de audio y video. grabadoras. hornos de microondas. que se aplica entre sus extremos con ayuda de un potenciómetro. impresoras. 1948) debido a su mayor ancho de banda. basta regular la tensión inversa. ordenadores. Bardeen y W. reproductores mp3. sobre la que se apoyan. para modificar la capacidad de forma muy exacta y ocupando el mínimo espacio. semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre. teléfonos móviles. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. 15. Shockley. tomógrafos. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). aunque con poca precisión y utilizando un componente de bastante volumen. en los que mediante movimientos mecánicos se procedía a variar la superficie o espesor entre armaduras para lograr la capacidad adecuada. alarmas. lavadoras. Brattain. ¿Como se define un transistor y cual es su clasificación? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador. muy juntas. lámparas fluorescentes. ecógrafos. Consta de una base de germanio. Estos parámetros se designan en las hojas de datos como IF(av) y VRRM. respectivamente . por lo que sustituye ventajosamente a los antiguos condensadores variables. de ahí el nombre de "transfer resistor". poco conocidos en su día. frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. televisores. El subíndice "F" (forward) representa las condiciones en polarización directa y el subíndice "R" (reverse) las condiciones en polarización inversa. llamado varicap. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones. MOSFET. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador.El transistor de unión bipolar. dos de las cuales son del mismo tipo. tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. cesa la conducción en el canal. El transistor de efecto de campo. se contaminan en forma muy controlada tres zonas. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio. que tienen cualidades de semiconductores. se producirá una puerta. Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In). a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando a puerta al surtidor. etc. JFET. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico. [editar] Transistor de unión unipolar o de efecto de campo El transistor de unión unipolar. dan como resultado transistores PNP o NPN. y las otras dos al emisor y al colector que. La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base. o FET por sus siglas en inglés. de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa. La configuración de uniones PN. en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal semiconductor por una capa de óxido. quedando formadas dos uniones NP. tienen alta impedancia de entrada. o BJT por sus siglas en inglés. construido mediante una unión PN. Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P). IGFET. epitaxial. estableceremos una corriente. NPN o PNP. * Transistor de efecto de campo de compuerta aislada. Sobre el sustrato de cristal. Silicio o Arseniuro de galio. donde MOS significa Metal-ÓxidoSemiconductor. que controla la corriente en función de una tensión.) y del comportamiento cuántico de la unión. en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico. * Transistor de efecto de campo de unión. también llamado de efecto de campo de unión (JFET). si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base. . * Transistor de efecto de campo MOS. tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general. estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí. fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. el emisor está mucho más contaminado que el colector).

17. * Como fototransistor.Si la tensión disminuye la capacitancia aumenta Símbolo del diodo varacto . Transistores y electrónica de potencia Con el desarrollo tecnológico y evolución de la electrónica. una zona de agotamiento se forma en la juntura. la capacidad de los dispositivos semiconductores para soportar cada vez mayores niveles de tensión y corriente ha permitido su uso en aplicaciones de potencia. La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la tensión inversa aplicada al diodo con una fuente externa. lo mismo que un transistor normal.Fototransistor Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible. Debido a la recombinación de los portadores en el diodo. ya que no hay ninguna carga y flujo de corriente. controles para motores y llaves de alta potencia (principalmente inversores). aunque su principal uso está basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado. (IP) (modo de iluminación). Es así como actualmente los transistores son empleados en conversores estáticos de potencia. . sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes: * Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común).Si la tensión aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye . en esencia. Esta zona de agotamiento actúa como un dieléctrico (aislante). Esto causa que se aumente la separación (aislante) y separa más las áreas semiconductoras. Este último disminuye la capacitancia. debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo Los diodos varactores o varicap han sido diseñados de manera que su funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una característica capacitancia-tensión dentro de límites razonables En el siguiente gráfico se muestra las similitudes entre un diodo y un capacitor. Entonces la capacitancia es función de la tensión aplicada al diodo. Se puede visualizar sin dificultad la formación de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por un aislante). Un fototransistor es. Las áreas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de carga (área semiconductor). cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.

(Solo permite pasar un semi-ciclo de la señal. sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. que en este caso es el semi-ciclo positivo) 2. entonces el condensador se empieza a descargar (la velocidad con la que se descarga depende de la capacitancia). en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el negativo en el cátodo. Entra la señal alterna al circuito. las cuales son prácticamente nulas. El circuito funciona de la siguiente manera: 1. En el semi-ciclo negativo no hay voltaje por que el diodo no permite que fluya nada. Rectificador de media onda con filtro RC (Diodo ideal) Un circuito RC sirve como filtro para hacer que el voltaje alterno se vuelva directo casi como el de una batería. Debido a su construcción. Explique ¿como se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de diodos y diga que aplicación tiene? El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo). Describa las características básicas de los fotodiodos Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. Es el circuito más sencillo que puede construirse con un diodo. La primera parte del circuito consta de una fuente de voltaje alterna. esto es gracias a las pequeñas oscilaciones que tiene la salida del voltaje. es decir. deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción. . En el momento que el voltaje sale del diodo el condensador se empieza a cargar y la caída de voltaje se recibe en la resistencia. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. 3. 19. ¿En que basa su principio el diodo de potencia? Son dispositivos unidireccionales. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. 20. deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.18. seguido de un diodo que en esta ocasión será ideal (simplemente para facilitar la comprensión del funcionamiento) y finalmente el filtro RC. la cual se rectifica con el diodo. El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo. En sentido inverso. no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción.

Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. la misma que han de soportar los diodos en inversa. El condensador no se descarga por completo. Tensión de entrada negativa. El diodo 2 se encuentra en directa (conduce). la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la señal se convertirá en negativa. La tensión de salida es igual a la de entrada pero de signo contrario. entonces en el momento que otra vez empieza el semi-ciclo positivo el condensador se vuelve a cargar. mientras que el 2 se encuentra en inversa (no conduce). .4. mientras que el diodo 1 se encuentra en inversa (no conduce). El diodo 2 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario. En el circuito de la figura. Puente de Graetz o Puente Rectificador de doble onda En este caso se emplean cuatro diodos con la disposición de la figura. Rectificador con dos diodos. El diodo 1 se encuentra en polarizado directamente (conduce). en este caso. según se necesite una señal positiva o negativa de corriente continua. la mitad de la tensión del secundario del transformador. Al igual que antes. A esta diferencia que existe se le conoce como voltaje de rizo (Vr) y la idea es que sea muy pequeña. La tensión de salida es igual a la de entrada. Esta es la configuración usualmente empleada para la obtención de onda continua. por tanto uno se encontrará polarizado inversamente y el otro directamente. A diferencia del rectificador de media onda. Tensión de entrada positiva. ambos diodos no pueden encontrarse simultáneamente en directa o en inversa. A diferencia del caso anterior. bien empleando dos diodos o empleando cuatro (puente de Graetz). La tensión de entrada (Vi) es. al igual que en el rectificador con dos diodos. sólo son posibles dos estados de conducción. El diodo 1 ha de soportar en inversa la tensión máxima del secundario . ya que las diferencias de potencial a las que están sometidos son de signo contrario. ahora la tensión máxima de salida es la del secundario del transformador (el doble de la del caso anterior). en este caso. Existen dos alternativas. o bien los diodos 1 y 3 están en directa y conducen (tensión positiva) o por el contrario son los diodos 2 y 4 los que se encuentran en inversa y conducen (tensión negativa).

Vo = Vi = Vs en el rectificador con puente de Graetz. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas La familia de diodos rectificadores está concebida especialmente para esta aplicación aunque los de baja potencia también pueden ser empleados como diodos de señal o conmutación en circuitos de CD o baja frecuencia y en aquellos de tipo digital que no requieran velocidad muy elevada. Además. silicio y arsenurio de galio. El tiempo transcurrido entre dos estados iguales se llama período. y el número de oscilaciones por unidad de tiempo es la frecuencia. . Si consideramos la caída de tensión típica en los diodos en conducción. ¿Como se define la electrónica? La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería. desplazamiento. también llamado diodo regulador de tensión 22. frecuencias que exceden de 1 GHz.6V. aproximadamente 0. En general. 24. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas. El arsenurio de galio es particularmente útil en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. es decir. tendremos que para el caso del rectificador de doble onda la Vo = Vi . Vo = Vi = Vs/2 en el rectificador con dos diodos. Un material es semiconductor como silicio o germanio excesivamente cargado de partículas negativas (electrones). puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando está inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo.2V. ¿Que es un oscilador? Oscilación Fenómeno por el cual una magnitud (corriente. que estudia y emplea sistemas cuyo funcionamiento se basa en la conducción y el control del flujo microscópico de los electrones u otras partículas cargadas eléctricamente. Mencione ¿que tipo de diodo se utiliza en reguladores? El diodo Zener. La amplitud es la desviación máxima. 23. 25. germanio.1. en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energía que permiten la operación a temperaturas más altas.  Curva t 21. ¿Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta? El diodo PIN es un diodo que presenta una región P fuertemente dopada y otra región N también fuertemente dopada. Se colocan dos materiales semiconductores con contenido de carga opuesta uno al lado del otro. Las oscilaciones que se propagan en el tiempo y en el espacio reciben el nombre de ondas. Los materiales más comunes utilizados en la construcción de diodos son tres. las tensiones de ruptura están comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. ¿Cual es el tipo de material del cual están formados los diodos? En la construcción del diodo semiconductor. etc. separadas por una región de material que es casi intrínseco.Tensión rectificada. El otro material es del mismo tipo semiconductor con la diferencia de que este tiene la ausencia de cargas negativas. y los costos de material son mucho menores.) varía en función del tiempo de una forma periódica. 26.

Oscilador Circuito electrónico que convierte la energía de corriente continua en una corriente alterna de frecuencia determinada. -. -. Con circuitos adecuados pueden generarse gran variedad de señales alternas con diversas formas de onda ( sinusoidales. La producida por un sencillo oscilador u otro sistema mecánico equivalente. por medio de una fuerza periódica externa. El sistema Armstrong utiliza un desfasador y un modulador equilibrado. y de ahí su nombre.-.de onda completa.) y en un amplio intervalo de frecuencias. Sistema oscilante cuya fuerza recuperadora es proporcional a la desviación con respecto a la posición de equilibrio.. Rectificador elemental constituido por un diodo. rectificando así la corriente. Cuando pasa por él una corriente alterna sinusoidal. Cuando se intercala un rectificador en un circuito de corriente alterna. 27. -. Por lo tanto. -.de media onda. Se utilizan ampliamente en emisores y receptores de radio y TV.. Oscilador usado para emitir ondas sinusoidales de amplitud y frecuencia constante dentro del espectro de radiofrecuencia.de armstrong. lo que conduce a un proceso vibratorio sinusoidal. ¿Que es un rectificador? Aparato o dispositivo para convertir una corriente alterna en unidireccional o continua. -. -.propia. -. Rectificador constituido por dos diodos de tal forma que cada uno de ellos conduce durante una mitad del ciclo de la corriente alterna. sólo circulará corriente en un sentido. La que realiza un sistema con una de sus frecuencias propias. véase Armónico. sólo dejará pasar la mitad de cada onda (la de polaridad adecuada).acoplada. La que realizan dos sistemas acoplados cuya energía de oscilación se intercambia periódicamente de uno a otro a través de una ligadura entre ellos. y en instrumentos electrónicos destinados a medidas de tiempo y comprobaciones. Un rectificador ideal posee una resistencia nula en un sentido e infinita en el otro.armónico. cuadradas. triangulares. -. sólo circulará corriente mientras la polaridad de la misma esté en el sentido favorable. Se obtiene de esta forma un suministro de corriente durante los dos semiciclos.amortiguada. La oscilación de frecuencia más baja con la que puede vibrar naturalmente un sistema. La señal de RF del oscilador a cristal se aplica al desfasador y al modulador equilibrado.forzada. Aquella en la que el valor de la magnitud oscilante va disminuyendo con el tiempo. .fundamental. La frecuencia de las demás oscilaciones es múltiplo de la fundamental.

los cuales son entregados a la unidad central de proceso en forma de estados eléctricos (encendido – apagado). por lo cual estos lenguajes de programación utilizan traductores. es fácil de entender por el desarrollador.1). en matemáticas e informática. pero difícil de entender para la unidad central de proceso. ¿Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo? Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A. lo que dificulta su aprendizaje.28. 31. por lo que su sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1. debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje.6. es un sistema de numeración en el que los números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). quienes se encargan de traducir este lenguaje de alto nivel a lenguaje entendible por la unidad central de proceso. Aparato electrónico que capta las vibraciones mecánicas o las débiles señales de una cápsula magnética y las amplifica hasta activar las bobinas de los altavoces u otros dispositivos que permitan la percepción de las ondas sonoras. está compuesto por un conjunto de instrucciones en código binario (1 y 0).1. ¿Cual es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas? El Lenguaje Maquina. 29. pero su dificultad radica en que existe un lenguaje específico para cada tipo de procesador. un ancho de banda también infinito.2. apagado 0).7) cifras y el sistema binario utiliza dos cifras (0. ¿Que es un amplificador? Circuito que incrementa el valor de voltaje o de la intensidad de una señal eléctrica. u op-amp). un tiempo de respuesta nulo y ningún ruido. Mencione ¿cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal? La diferencia es que el sistema octal utiliza 8 cifras (0. ¿Como se define el sistema binario? El sistema binario.O.4. 32. una impedancia de salida nula. una impedancia de entrada infinita. 30. El Lenguaje de Bajo Nivel o Lenguaje de Ensamblador está compuesto por código entendible por la persona.3. Es el que se utiliza en las computadoras. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G·(V+ − V−) El A.5. llamados técnicamente Compiladotes o Interpretes. El Lenguaje de Alto Nivel esta compuesto básicamente por enunciados en ingles. es un circuito electrónico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. ideal tiene una ganancia infinita.O. Como la impedancia de entrada es infinita también se dice que las corrientes de entrada son cero. .

Son esencialmente circuitos de conmutación integrados en un chip. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica SÍ. realiza la función booleana igualdad. que haga posible la miniaturización de circuitos. mientras que para la implementación de una compuerta O (OR). por ejemplo. o compuerta lógica. El chip de la CPU es una de las máximas expresiones de este avance tecnológico. La tecnología microelectrónica actual permite la elevada integración de transistores actuando como conmutadores en redes lógicas dentro de un pequeño circuito integrado. indicando su expresión booleana? Puerta lógica Una puerta lógica. la salida de la compuerta Y sería = 0. ¿Cuales son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de cada una. Claude Elwood Shannon experimentaba con relés o interruptores electromagnéticos para conseguir las condiciones de cada compuerta lógica. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que cumple las condiciones booleanas para el operador particular.33. ya que con uno solo de éstos que tuviera la condición «abierto». para adaptar impedancias (buffer en inglés). para la función booleana Y (AND) colocaba interruptores en circuito serie. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta SÍ es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta SI Entrada A 0 1 Salida A 0 1 . En la práctica se suele utilizar como amplificador de corriente o como seguidor de tensión. En nanotecnología se está desarrollando el uso de una compuerta lógica molecular. Lógica directa Puerta SÍ o Buffer Símbolo de la función lógica SÍ: a) Contactos. es un dispositivo electrónico el cual es la expresión física de un operador booleano en la lógica de conmutación. la conexión de los interruptores tiene una configuración en circuito paralelo.

la compuerta AND implementa el producto módulo 2. más conocida por su nombre en inglés AND ( ). b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica Y. realiza la . b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica O. más conocida por su nombre en inglés OR ( operación de suma lógica. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta OR es: ). Puerta OR Símbolo de la función lógica O: a) Contactos. el producto lógico de las variables A y B se indica como AB. Así. realiza la función booleana de producto lógico. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta AND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta AND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 0 0 1 Así. Su símbolo es un punto (·). y se lee A y B o simplemente A por B. aunque se suele omitir. desde el punto de vista de la aritmética módulo 2.Puerta AND Símbolo de la función lógica Y: a) Contactos.

más conocida por su nombre en inglés XOR. Puerta OR-exclusiva (XOR) Símbolo de la función lógica O-exclusiva: a) Contactos. 0 y 1 (en una compuerta de dos entradas). La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XOR es: |Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 Se puede definir esta puerta como aquella que da por resultado uno. realiza la función booleana A'B+AB'. ej: 1 y 0. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica OR-exclusiva. . Se obtiene cuando ambas entradas tienen distinto valor. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. cuando los valores en las entradas son distintos. Su símbolo es el más (+) inscrito en un círculo.Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta OR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 0 1 1 1 Podemos definir la puerta O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico si al menos una de sus entradas está a 1.

la XOR tomaría la función de suma de paridad. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOT es: Su tabla de verdad es la siguiente: Se puede definir como una puerta que proporciona el estado inverso del que esté en su entrada. Su tabla de verdad sería: XOR de tres entradas Entrada A 0 0 0 0 1 1 1 1 Entrada B 0 0 1 1 0 0 1 1 Entrada C 0 1 0 1 0 1 0 1 Salida 0 1 1 0 1 0 0 1 Desde el punto de vista de la aritmética módulo 2. Esto es así porque la operación XOR es asociativa. pone un 1 a la salida. b) Normalizado y c) No normalizada La puerta lógica NO (NOT en inglés) realiza la función booleana de inversión o negación de una variable lógica. cuenta el número de unos a la entrada y si son un número impar. Una variable lógica A a la cual se le aplica la negación se pronuncia como "no A" o "A negada". Puerta NO (NOT) lógica negada Símbolo de la función lógica NO: a) Contactos. para tres entradas escribiríamos: a (b c) o bien (a b) c.Si la puerta tuviese tres o más entradas . la puerta XOR implementa la suma módulo 2. para que el número de unos pase a ser par. Tabla de verdad puerta NOT Entrada A 0 1 Salida 1 0 .

realiza la operación de suma lógica negada. . b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-Y. Puerta NO-O (NOR) Símbolo de la función lógica NO-O: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica.Puerta NO-Y (NAND) Símbolo de la función lógica NO-Y: a) Contactos. más conocida por su nombre en inglés NAND. más conocida por su nombre en inglés NOR. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica NO-O. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NAND es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NAND Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 1 1 0 Podemos definir la puerta NO-Y como aquella que proporciona a su salida un 0 lógico únicamente cuando todas sus entradas están a 1. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. realiza la operación de producto lógico negado.

La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta NOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta NOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 0 Podemos definir la puerta NO-O como aquella que proporciona a su salida un 1 lógico sólo cuando todas sus entradas están a 0. b) Normalizado y c) No normalizado La puerta lógica equivalencia. Puerta equivalencia (XNOR) Símbolo de la función lógica equivalencia: a) Contactos. En la figura de la derecha pueden observarse sus símbolos en electrónica. Su símbolo es un punto (·) inscrito en un círculo. La ecuación característica que describe el comportamiento de la puerta XNOR es: Su tabla de verdad es la siguiente: Tabla de verdad puerta XNOR Entrada A 0 0 1 1 Entrada B 0 1 0 1 Salida 1 0 0 1 . La puerta lógica NOR constituye un conjunto completo de operadores. realiza la función booleana AB+~A~B.

Puertas NOR. A continuación se muestran las equivalencias al conjunto de puertas lógicas completas con las funciones NAND y NOR.Se puede definir esta puerta como aquella que proporciona un 1 lógico. A continuación se muestran distintos conjuntos completos (uno por línea):      Puertas AND. Además. Puertas NAND. Equivalencias. Puertas OR y NOT. un conjunto de puertas lógicas es completo si puede implementar todas las puertas de otro conjunto completo conocido. Conjunto completo de puertas lógicas utilizando sólo puertas NAND. esto es. 0 y 0 ó 1 y 1 (2 encendidos o 2 apagados). OR y NOT. Sólo es verdadero si ambos componentes tiene el mismo valor lógico Conjunto de puertas lógicas completo Un conjunto de puertas lógicas completo es aquel con el que se puede implementar cualquier función lógica.B) 0 0 0 1 Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NAND :     Equivalencias del conjunto completo anterior con sólo puertas NOR :     . Puertas AND y NOT.B) 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 1 A 1 1 0 0 B 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 Salida función NOR(A. sólo si las dos entradas son iguales. Conjunto de puertas lógicas completo : Salida función NAND(A.

Convierta 87 decimal a binario 36. Ilustre el diagrama de la siguiente expresión booleana (A+B)+(CD) = F A 0 0 1 1 B 0 1 0 1 A+B 0 1 1 1 C 0 0 1 1 D 0 1 0 1 CD 0 0 0 1 F = (A+B)+(CD) 0 1 1 1 35. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes: Transistor NPN Estructura de un transistor NPN Transistor PNP Estructura de un transistor PNP . Existe una gran variedad de transistores. decimal y hexadecimal 37. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001 39. Multiplique: (111101) (101110) 41. En principio. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas. octal y binario 38. Convierta 11111000010010 a octal. ¿Cual es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N? Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal. 43. se explicarán los bipolares. Reste 11001 de 11101 40.34. Divida: 11010/11 42.

(Figura 1). (Figura 2). IB = IC = IE = 0. IE = IB + IC .La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. haciendo que se encienda la lámpara. De esta forma. En este caso el transistor entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor cerrado. entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto. VCE = VCB + VBE Polarización de un transistor Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. Así el transistor disminuirá su resistencia entre Colector y Emisor por lo que pasará una intensidad muy grande. ya que. Zonas de trabajo CORTE. En general: IE < IC < IB . la intensidad de Colector y Emisor también es nula. toda la tensión se encuentra entre Colector y Emisor. por lo que.No circula intensidad por la Base. Figura 1 Figura 2 Cuando se cierra el interruptor SW1. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP. Polarización de un transistor NPN Polarización de un transistor PNP Generalmente podemos decir que la unión base .colector inversamente..Funcionamiento básico Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la Base del transistor por lo que la lámpara no se encenderá. se puede decir que la tensión de la batería se encuentra en la carga conectada en el Colector. . una intensidad muy pequeña circulará por la Base. VCE = Vbat Saturación Cuando por la Base circula una intensidad. se aprecia un incremento de la corriente de colector considerable. El transistor.emisor se polariza directamente y la unión base .

5 W . como si fuera un interruptor. Los fabricantes suelen especificarlo en sus hojas de características.).. los de gran potencia. En definitiva.) .7v Activa Variable Variable Variable Variable ~ 0. Puede dejar pasar más o menos corriente. también aparece con la denominación hFE. TO-66.8v Corte ~ VCC ~0 = ICEO lang=EN-GB~ 0 =0 < 0. Esto. normalmente son los más pequeños ( TO. TO-218. TO-92.18. los de mediana potencia. TO-247.. Cuando trabaja en la zona de corte y la de saturación se dice que trabaja en conmutación.. en gran medida. ). Vcb max = 75 V Pc max = 7.. la evacuación del calor a través del mismo y un radiador (TO-3.7v Los encapsulados en los transistores dependen de la función que realicen y la potencia que disipen. TO-39. 44.Activa Actúa como amplificador.. Por ejemplo: Ic max = 1 A. ¿Cuales son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y corriente? En los manuales de datos publicados por los fabricantes siempre están especificados los valores máximos y minimos permitidos de voltajes y corrientes. así nos encontramos con que los transistores de pequeña señal tienen un encapsulado de plástico. son algo mayores y tienen en la parte trasera una chapa metálica que sirve para evacuar el calor disipado convenientemente refrigerado mediante radiador (TO-220. TO226 . TO-123. La ganancia de corriente es un parámetro también importante para los transistores ya que relaciona la variación que sufre la corriente de colector para una variación de la corriente de base. son los que poseen una mayor dimensión siendo el encapsulado enteramente metálico . Se expresa de la siguiente manera: ß = I C / IB En resumen: Saturación VCE VRC IC IB VBE ~0 ~ VCC Máxima Variable ~ 0. favorece.. TO-213.

cinco (5). Por lo tanto. El mejor argumento a favor de la mayor flexibilidad de los sistemas digitales se encuentra en los actuales ordenadores o computadoras digitales. cuando la música se convierte a formato digital puede ser almacenada de una forma mucho más compacta que en modo analógico. ¿Cual es la definición de compuerta lógica? Una compuerta logica es un dispositivo que nos permite obtener resultados. ya que las técnicas utilizadas en cada una de esas fases están bien establecidas. de implementar y de depurar. Por ejemplo. ocho (8) y nueve (9) 50. Definición de un sistema decimal es un sistema de numeración posicional en el que las cantidades se representan utilizando como base el número diez. (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta 47. lo que reduce la probabilidad de cometer errores de interpretación. usando el sistema BINARIO. dos (2). basados íntegramente en diseños y circuitos digitales. seis (6). Los sistemas digitales tienen también una gran ventaja cuando nos referimos al almacenamiento.45. Definición de un sistema digital Se puede definir un sistema digital como cualquier sistema de transmisión o procesamiento de información en el cual la información se encuentre representada por medio de cantidades físicas (señales) que se hayan tan restringidas que sólo pueden asumir valores discretos. ¿La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta? 46. por lo que se compone de diez cifras diferentes: cero (0). Esta nos muestra todas las combinaciones lógicas posibles y su resultado. ni más ni menos. Ahora para comprender como se comporta cada compuerta se debe ver su TABLA DE VERDAD. Los sistemas digitales se definen a través de funciones digitales que son. que aplicaciones entre dos conjuntos discretos: el conjunto de todas las entradas posibles X y el conjunto de todas las salidas posibles Y 51. infinitos). Definición de un sistema analógico los sistemas analógicos en los cuales las señales tanto de entrada como de salida no poseen ningún tipo de restricción y pueden asumir todo un continuo de valores (es decir. Este consta de solo 2 indicadores 0 y 1 llamados BIT dado que en electrónica solo hay 2 valores equivalentes 0=0volt 1=5volt (conectado-desconectado). dependiendo de los valores de las señales que le ingresemos. La principal ventaja de los sistemas digitales respecto a los analógicos es que son más fáciles de diseñar. Mencione una aplicación de la compuerta NOT Circuitos digitales y microprocesadores 49. Es decir que cuando conectamos una compuerta a el negativo equivale a introducir un cero (0) y por el contrario si derivamos la entrada a 5v le estamos enviando un uno (1). Las operaciones digitales también son mucho más precisas y la transmisión de señales dentro del circuito y entre circuitos es más fiable porque utilizan un conjunto discreto de valores. uno (1). fácilmente discernibles entre sí. Es necesario aclarar entonces que las compuertas lógicas se comunican entre sí (incluidos los microprocesadores). siete (7). tres (3). 48. . cuatro (4). es más sencillo y flexible realizar un diseño digital que uno analógico.

Además. Tensión de ruptura en polarización inversa (Breakdown Voltage. Corriente máxima en directa.  Tensión máxima en inversa. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operación en inversa segura. puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule excesivo. IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa 5. Para ello. en la que se especifica la frecuencia máxima del pico 2. en la que se especifica también el tiempo que dura el pico c) Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current). IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningún daño. por lo tanto: PIV=2VM . se debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante provee. Por ejemplo:  Corriente máxima en polarización directa. 3. y se tiene VD=vi-VC=-VM-VM=-2VM. Los fabricantes suelen distinguir tres límites: a) Corriente máxima continua (IFM) b) Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current). En este aspecto es más exigente el funcionamiento en vacío que en carga. 4. ya que cuando VC sigue siendo VM. PIV): Es la tensión a la que se produce el fenómeno de ruptura por avalancha. Peak Inverse Voltage. y su valor máximo es V M. mediante la gráfica I-V del dispositivo. IFmax: Mientras esté en conducción y. Las características comerciales más importantes de los diodos que aparecen en cualquier hoja de especificaciones son: 1. es frecuente que los fabricantes suministren datos adicionales a cerca del comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la nominal. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que presente unas características apropiadas para dicha aplicación. VF (Forward Voltage): Pese a que se ha señalado anteriormente los 0. BV. tal y como se aprecia en la figura. PIV: Cuando esté en corte. VD=vi-VC. Los parámetros comerciales del diodo serán. VC es siempre mayor que cero. Caída de tensión en PD. despreciando su caída de tensión (V(ON)): También se desprecia la corriente que absorbe C para cargarse.7V como valor típico. llega a ser -VM. en muchas ocasiones los fabricantes aportan datos detallados de esta caída de tensión. Corriente en inversa.52.

es decir. apareciendo un nuevo nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de valencia. se establecen dos corrientes: una producida por los electrones situados en la Banda de Conducción y otra originada por los huecos (en el proceso de recombinación).21 eV para el silicio. podemos ahora considerar un semiconductor puro tetravalente al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos tetravalentes (por ejemplo Boro). La estructura de bandas se modifica. semiconductores y aislantes. al que se le agrega una pequeña dosis de ´átomos (impurezas) de ´átomos pentavalentes (por ejemplo Fosforo). El germanio (Ge) y el silicio (Si) son los semiconductores más frecuentemente utilizados en la fabricación de diodos y transistores. se establece que: . ya que este aporte de energía sirve para que los electrones puedan saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. De esta manera. Al saltar de la Banda de Valencia a la de Conducción. A este tipo de materiales los denominaremos tipo p. Ambos ´átomos. Ahora. los electrones dejan un hueco. la cual impide el paso de electrones de la Banda de Valencia a la de Conducción. dejando un estado libre en la BV. Pero a medida que aumenta la temperatura lo hace su capacidad de conducción. Con alta probabilidad. Consideremos ahora un semiconductor puro tetravalente. el material se comporta como un aislante. . son tetravalentes. El aporte de energía debe superar los 0. Por lo tanto. Un electrón que ocupa este nivel de energía fácilmente puede saltar a la banda de conducción. un electrón en la banda de valencia puede ocupar ese estado en la banda prohibida. apareciendo un nivel de energía en la banda prohibida muy cercano a la banda de conducción.785 eV (Electrón . y al verse imposibilitados de pasar a la banda de conducción donde si hay estado libres. De la misma manera. ¿Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben de tener en cuenta? Al estudiar la naturaleza de los materiales conductores. a 0º K los materiales semiconductores se comportan como aislantes. . La estructura de bandas se modifica.53.En los materiales semiconductores. poseen cuatro electrones en su ´ultima capa de energía. al no quedar estados libres dentro de esta banda.Los materiales aislantes se caracterizaban por poseer una Banda Prohibida muy ancha. la Banda Prohibida es mucho menos ancha que en los aislantes. Si se incrementa la temperatura. A este tipo de materiales los denominaremos tipo n. como los que mencionamos previamente. Por lo general. los electrones en la BV cuentan con un estado libre que hace posible la conducción. algunos electrones tendrían una probabilidad no nula (la distribuci´on de probabilidad que corresponde es la de Fermi-Dirac) de pasar a la BC y de esa manera podrá conducir.Voltios) en el caso del germanio y los 1. La anchura de la Banda Prohibida condiciona la energía que debe aportarse a los electrones para que pasen de la Banda de Valencia a la de Conducción. cuando están aislados. los electrones de la red ocuparan todos los estados de energía posibles dentro de la BV. La resistividad de los semiconductores se encuentra entre la de los aislantes y la de los metales. Si consideramos un material semiconductor puro (semiconductor intrínseco) a una temperatura de cero grados Kelvin.

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