TRABAJO COLABORATIVO NO.

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SIMULADOR SOFTWARE
UNIDAD II

DIANA LEIDY FIGUEROA

CDIGO 1126448418

CDIGO: 100414 -61

TUTOR: MARTHA ROCIO SUAREZ

UNIVERSIDAD NACIONAL AB IERTA Y ADISTANCIA

CERES VALLE DEL GUAMUEZ
OCTUBRE 2011

INTRODUCCIN

En esta unidad se describen los fenmenos fsicos involucrados en la creacin de

materiales semiconductores. Tambin se presenta el funcionamiento y aplicacin de
los principales componentes semiconductores.
El trabajo de investigacin que se presenta es sobre Conductores, Semiconductores
y Aislantes, en el cual se maneja lo que es Teora de Bandas de cada uno de los tres
materiales, una lista de conductores del de mayor calidad al de menor, los tres tipos
de semiconductores existentes que son muy tiles en nuestros tiempos y las
diferentes clases de aislantes que como se ver ms adelante una de ellos nos
ahorra grandes cantidades de dinero y muchos recursos.
La electrnica se encuentra en nuestra vida diaria en forma de telfonos, receptores
de radio, televisores, equipo de audio, aparatos domsticos, computadoras y equipo
para el control y la automatizacin industrial. Se ha convertido tanto en un estmulo
como en una parte integral del crecimiento y desarrollo tecnolgico actual en los
diferentes pases.

OBJETIVOS

General.
Lograr que el estudiante comprenda los fenmenos fsicos relacionados con la
electricidad y la electrnica y los aplique apropiadamente en el campo tecnolgico.

Especficos.

Comprender
los principios de funcionamiento y la aplicabilidad de los
dispositivos y circuitos electrnicos de mayor uso en la actualidad.
Interpretar los planos electrnicos sencillos y distinguir en ellos sus diferentes
componentes.
Implementar y poner en funcionamiento circuitos electrnicos bsicos.
Reconocer la importancia e influencia de la electrnica y las telecomunicaciones
en su profesin y en el mundo actual.

FASE 1
1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un
semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo.
CARACTERSTICAS Y DIFERENCIAS DE LOS MATERIALES
AISLANTES
CONDUCTORES
SEMICONDUCTORES
Sus tomos tienen entre 4 y 8 electrones
Sus tomos tienen 4 electrones de
Sus tomos tienen entre 1 y 2
de valencia, y entre ms tenga ser mejor
valencia (o electrones exteriores) que
electrones de valencia, y entre menos
aislante.
estn en parejas y son compartidos por
tenga ser mejor conductor.
Los slidos tienen excelentes propiedades Se requiere menos energa para liberar
otros tomos para formar un enlace
covalente que mantiene al cristal
dielctricas y buena adherencia sobre los
un electrn de valencia que para liberar
unido.
alambres magnticos y un buen aislante
un nmero mayor.
Para incrementar el nivel de la
entre vueltas de las bobinas de
Los slidos poseen opacidad, excepto
transformadores es el cartn prensado o
conductividad se provocan cambios de
en capas muy finas, son buenos
pressboard, el cual da forma a estructuras
temperatura, de la luz o se integran
conductores elctricos y trmicos y sus
de aislacin rgidas.
impurezas en su estructura molecular.
valencias positivas tienden a ceder
Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen
electrones a los tomos con los que se Para producir electrones de
la doble funcin de aislar los bobinados en
conduccin, se utiliza energa adicional
enlazan.
los transformadores y disipar el calor al
en forma de luz o de calor Cada
Los lquidos como el agua, con sales
interior de estos equipos.
electrn de valencia que se desprende
como cloruros, sulfuros y carbonatos
Entre los nuevos lquidos sintticos
de su enlace covalente deja detrs de
que actan como agentes reductores
s un hueco, o dicho en otra forma,
destacan las siliconas y los poly-alfa(donantes de electrones), conduce la
deja a su tomo padre con un electrn
olefines. Tienen un alto costo, eso dificulta
electricidad.
de menos, lo que significa entonces
su masificacin.
Los conductores gaseosos tienen
que en ese tomo existir un protn de
Los gases aislantes ms utilizados en los
valencias negativas (se ioniza
ms.
transformadores son el aire y el nitrgeno,
negativamente).
este ltimo a presiones de 1 atmsfera.
Ejemplos:
Ejemplos:
Silicio, germanio.
Ejemplos:
El cobre, agua con sales como cloruros,
Aceite mineral, siliconas, herramientas
sulfuros y carbonatos, Nitrgeno, cloro.
elaboradas con fierro.

2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o

caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro?
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso negativas o electrones). Cuando el material dopante es
aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del
semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donante
ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el
material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso
del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej.
fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn
no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos o huecos). Cuando el material dopante es aadido,
ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor.
Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del
semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo IVA de la tabla peridica) de los tomos
vecinos se le une completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los
"huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo
que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando
cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del
hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un
hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.

El semiconductor tipo N o tipo P; conocido como material extrnseco se caracteriza

porque ha sido impurificado con tomos de otra sustancia, proceso llamado tambin
dopado, y se utiliza para obtener electrones libres que sean capaces de transportar la
energa elctrica; hacindolo diferente respecto al material intrnseco que es aqul que se
encuentra puro; es decir, no contiene impurezas (aunque no existe prcticamente uno
100% puro).
3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner
y el fotodiodo.
Diodos de tratamiento de seal (RF): Los diodos de tratamiento de seal necesitan algo
ms de calidad de fabricacin que los rectificadores. Estos diodos estn destinados a
formar parte de etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitacin de seales, etc.
En los diodos de RF (radio frecuencia) se intenta que dicha capacidad sea reducida a su
mnima expresin, lo cual ayudar a que el diodo conserve todas sus habilidades
rectificadoras, incluso cuando trabaje en altas frecuencias. Entre los diodos ms
preparados para lidiar con las altas frecuencias destaca el diodo denominado Schottky.
Este diodo fue desarrollado a principio de los sesenta por la firma Hewletty, deriva de los
diodos de punta de contacto y de los de unin PN de los que han heredado el
procedimiento de fabricacin.
Diodos de capacidad variable (VARICAP): La capacidad formada en los extremos de la
unin PN puede resultar de gran utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los
diodos de RF, se busca precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en
el cual se est utilizando el diodo. Al polarizar un diodo de forma directa se observa que,
adems de las zonas constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con
ellas una resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un capacitor de
elevadas prdidas.
La utilizacin ms solicitada para este tipo de diodos suele ser la de sustituir a complejos
sistemas mecnicos de capacitor variable en etapas de sintona en todo tipo de equipos
de emisin y recepcin, ejemplo, cuando cambiamos la sintona de un receptor antiguo,
se vara mecnicamente el eje de un capacitor variable en la etapa de sintona; pero si
por el contrario, pulsamos un botn de sintona de un receptor de televisin moderno, lo
que hacemos es variar la tensin de polarizacin de un diodo varicap que se encuentra en
el mdulo sintonizador del TV.
Diodo tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto
rpidamente al observar su curva caracterstica. En lo que respecta a la corriente en
sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso
ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente
crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C)
desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que
vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Diodos PIN: Es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y

otra regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material
que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas,
es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas
frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente
polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las
tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.
En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor o como
modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propsitos se
le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en
sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o
tensiones muy grandes.
Diodo Gunn: Es una forma de diodo usado en la electrnica de alta frecuencia. A
diferencia de los diodos ordinarios construidos con regiones de dopaje P o N, solamente
tiene regiones del tipo N, razn por lo que impropiamente se le conoce como diodo.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos de ellas tienen regiones tipo N fuertemente
dopadas y una delgada regin intermedia de material ligeramente dopado. Cuando se
aplica un voltaje determinado a travs de sus terminales, en la zona intermedia el
gradiente elctrico es mayor que en los extremos.

Diodo Shockley: Es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables:
OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de
barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente.
Es un tipo de tiristor.

Diodo schottky (diodo de barrera): Son dispositivos que tienen una cada de voltaje
directa (VF) muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y
se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de
portadores calientes.
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un material
semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico, cualquiera, la
resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente.
Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la
densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el
resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo Schottky, se

forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un

semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita generalmente en
un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los portadores en este tipo de
material. La parte metlica ser el nodo y el semiconductor, el ctodo.

4. Cules son las principales caractersticas y diferencias existentes entre un

transistor NPN y uno PNP?

TRANSISTORES BIPOLARES
TRANSISTOR NPN
TRANSISTOR PNP
Las letras "N" y "P" se refieren a los
Las letras "P" y "N" refirindose a las
portadores de carga mayoritarios dentro
cargas mayoritarias dentro de las
de las diferentes regiones del transistor.
diferentes regiones del transistor.
La mayora de los transistores usados
hoy en da son NPN, debido a que la
movilidad del electrn es mayor que la
movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores
corrientes y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una
capa de material semiconductor dopado
P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequea
corriente ingresando a la base en
configuracin emisor-comn es
amplificada en la salida del colector.

Pocos transistores usados hoy en da

son PNP, debido a que el NPN brinda
mucho mejor desempeo en la mayora
de las circunstancias.

Los transistores PNP consisten en una

capa de material semiconductor dopado
N entre dos capas de material dopado
P. Los transistores PNP son
comnmente operados con el colector a
masa y el emisor conectado al terminal
positivo de la fuente de alimentacin a
travs de una carga elctrica externa.
Una pequea corriente circulando
desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor
hacia el colector.

5. Cual es la importancia de los elementos semiconductores en el actual

desarrollo tecnolgico?
Actualmente los adelantos electrnicos ms sofisticados se basan en componentes
denominados materiales semiconductores, pertenecientes a los materiales cermicos. Por
lo cual los elementos semiconductores estn ligados a los avances radicales en los
materiales que pueden conducir a la creacin de nuevos productos o nuevas industrias,
as como la generacin de empleo a los cientficos de materiales encargados de
incrementar las mejoras y localizar las posibles averas de los materiales que estn en
uso en la bsqueda de la innovacin y el desarrollo tecnolgico.
La importancia que los semiconductores tienen en las tecnologas actuales,
microelectrnica, comunicaciones, comunicaciones pticas y sensores, as como su
potencialidad en el futuro, hace que sea necesario mantener grupos de investigacin en
estos temas.

Crecimiento de nanoestructuras, siliciuros y capas tensadas para su aplicacin en

dispositivos electrnicos, optoelectrnicas y sensores.
Semiconductores policristalinos y amorfos para su aplicacin en dispositivos
electrnicos y sensores.
Procesos de micromecanizacin en silicio.
Desarrollo de nuevos precursores organometlicos para la deposicin de materiales
electrnicos.

FASE 2

1. Polarizacin del Diodo Comn. Construya los siguientes circuitos y realice su

simulacin por medio del software Workbench. Explique lo sucedido.

Anlisis:
De acuerdo a lo observado, se logr identificar que el indicador de sonda roja se activa
cuando el diodo est ubicado correctamente ya que acta como un interruptor, mientras
que en el diodo ubicado de forma inversa el indicador de sonda roja sigui apagado
debido a que ste acta como un aislante.
2. Aplicacin del Diodo como Rectificador. Construya los siguientes circuitos y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal
de salida. Explique lo sucedido.
a) Rectificador de Media Onda

Anlisis:
De acuerdo a lo observado, se logr identificar que una onda es la generada por la fuente
y la otra por el diodo que acta como rectificador dejando pasar un semiciclo positivo.
Esto teniendo en cuenta que el rectificador de media onda permite transformar una seal
alterna (compuesta por dos semiciclos, uno positivo y otro negativo) en una seal con un
slo semiciclo.
Cuando el semiciclo positivo de la seal de entrada est presente en el diodo, este se
polariza directamente y acta como un circuito cerrado o corto, lo cual permite que el
semiciclo positivo de la entrada pase a la resistencia de carga y Vo ser la parte positiva
de la seal.
Cuando la parte negativa de la seal de entrada est presente, el diodo acta como un
circuito abierto debido a que queda polarizado inversamente, esto implica que no pasar
corriente a la carga y tampoco habr voltaje sobre ella, luego la salida Vo ser cero en
este momento

b) Rectificador de Onda Completa con Puente de Greatz

Anlisis:
De acuerdo a lo observado, se logr identificar que la onda est completa esto se debe a
la distribucin de los diodos que conducen la corriente en un solo sentido.
Durante el semiciclo positivo de la seal de entrada tenemos que los diodos D1 y D3
quedan polarizados en forma directa entrando en conduccin y los diodos D2 y D4
quedan polarizados inversamente ocasionando que el Vm quede sobre la resistencia de
carga.
Durante el semiciclo negativo los diodos D2 y D4 quedarn polarizados directamente,
mientras que los diodos D1 y D3 estarn en forma inversa, pero de todas maneras el
voltaje sobre la carga ser Vm.
2. Aplicacin del Transistor como Amplificador. Construya el siguiente circuito y
realice su simulacin por medio del software Workbench. Anexe al informe las
grficas obtenidas en el osciloscopio. Compare la seal de entrada con la seal
de salida. Explique lo sucedido.

Anlisis:
De acuerdo a lo observado, se logr identificar que en el generador del osciloscopio la
seal de entrada tiene una amplitud menor que la seal de salida; lo cual hace evidente
que la aplicacin del transistor como amplificador cumple la funcin de amplificar la seal
generando ganancias.

CONCLUSIONES

Los diodos son todo un campo de especializacin que nos permite avanzar en la
construccin de tecnologa, que busca hacer ms fcil la vida del hombre actual.
Conocimos la importancia de los semiconductores dentro de nuestra sociedad actual
como parte fundamental de esta.
Utilizar el software WORKBENCH en la construccin de circuitos, es una herramienta
importante, que simplifica la consecucin de elementos fsicos, la obtencin de resultados
genera confiabilidad, lo que permite crear cualquier tipo de circuito para su posterior
implementacin fsica.
Un diodo puede ser polarizado de forma directa de nodo a ctodo, lo que permite que la
corriente fluya de manera libre, actuando como un circuito cerrado.

BIBLIOGRAFA

Tllez Acua F. R. Fsica Electrnica. Universidad Nacional Abierta y a Distancia

UNAD. Bogot, 2006.

Pginas de internet consultadas:

URL http://html.rincondelvago.com/conductores-semiconductores-y-aislantes.html

URL http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

URL http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm

URL http://www.electronicafacil.net/tutoriales/tipos-de-diodos.php

URL http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

URL http://www.enciclonet.com/documento/semiconductor/

URL http://platea.pntic.mec.es/~jalons3/SEMICON/htm/npnpnp.htm

URL http://www.slideshare.net/capalara/clase-de-transistores