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NOMBRE DEL MAESTRO: PEDRO GARCIA S

MATERIA: TECNOLOGIA A LOS MATERIALES

NOMBRE DEL ALUMNO: GALLEGOS JUAREZ YOSHIMAR

TEMA: SEMICONDUCTORS UNIDAD: III

CARRERA: INGENIERIA ELECTRICA

GRUPO: L

SEMESTRE: 2

HEROICA CIUDAD DE JUCHITAN DE ZARAGOSA A 29 DE ABRIL DEL 20013

INDICE PAG INTRODUCCION 3

CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES.. 4 10

ESTRUCTURA ATOMICA DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES.. 10, 11, 12, 13

FORMA EN QUE SE COMPORTA AL PASO DE LA CORRIENTE ELCTRICA.. 14, 15

CONCLUSION 16

BIBLIOGRAFIA 17

INTRODUCCION

En este tema hablaremos sobre los materiales semiconductores y daremos sus caractersticas de los materiales semiconductores como est formado. Los semiconductores producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas. Tambin hablaremos sobre la estructura atmica de los materiales semiconductores ya existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros y por ultimo hablaremos cmo se comporta los semiconductores al paso de la corriente elctrica.

CARACTERISTICAS DE LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES Semiconductores Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos. La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca energa que no har posible la conduccin
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elctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formacin de un espacio vaco, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo denomina hueco. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo, La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.

Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste. Niveles De Energa Un cristal est formado por un conjunto de tomos muy prximos entre s dispuestos espacialmente de forma ordenada de acuerdo con un determinado patrn geomtrico. La gran proximidad entre los tomos del cristal hace que los electrones de su ltima capa sufran la interaccin de los tomos vecinos. El nivel energtico de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de

conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente por l mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el electrn
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puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una corriente elctrica. Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de esta banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores. Aislantes. La magnitud de la banda prohibida es muy grande ( 6 eV ), de forma que todos los electrones del cristal se encuentran en la banda de valencia incluso a altas temperaturas por lo que, al no existir portadores de carga libres, la conductividad elctrica del cristal es nula. Un ejemplo es el diamante. Conductores. No existe banda prohibida, estando solapadas las bandas de valencia y conduccin. Esto hace que siempre haya electrones en la banda de conduccin, por lo que su conductividad es muy elevada. Esta conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina. Un ejemplo son todos los metales. Semiconductores. La magnitud de la banda prohibida es pequea ( 1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son aislantes, pero conforme aumenta la temperatura algunos electrones van alcanzando niveles de energa dentro de la banda de conduccin, aumentando la conductividad. Otra forma de aumentar la conductividad es aadiendo impurezas que habiliten niveles de energa dentro de la banda prohibida. El germanio y el silicio son semiconductores. Aceptadores Y Donadores
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Se denomina semiconductor puro aqul en que los tomos que lo constituyen son todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio), es decir no tiene ninguna clase de impureza. Si a un semiconductor puro como el silicio o el germanio, se le aade una pequea cantidad de tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo, etc). Se transforma en un semiconductor impuro. A las impurezas se las clasifica en donadoras y aceptadoras. Si a la estructura del semiconductor de silicio se le aade alguna impureza, como puede ser el arsnico (As), que tiene cinco electrones externos ligados al ncleo con carga positiva +5, se obtiene la forma que se muestra en la figura. Ahora, bien para aumentar la conduccin de cualquier semiconductor se recurre a un proceso denominado "dopado" o "envenenamiento". El objeto del mencionado proceso es el del aumentar la cantidad de portadores libres en el cristal provocando un aumento en la conductividad del mismo (recordar que la corriente es el flujo de portadores). El dopado del cristal es realizado con tomos trivalentes (con tres electrones en su ltima rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin no es resultado de un proceso azaroso sino que uno u otro tipo de tomo aumentar a su vez la presencia de uno u otro tipo de portador. Cmo es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene cuatro electrones en su ltima rbita que se combinan a su vez con otros tomos para formar un cristal. Al introducir un tomo penta o trivalente en dicho cristal, se provocar un aumento o un defecto de electrones que har aumentar la cantidad portadores. Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As) en un cristal puro, cuatro de sus electrones se unirn a cuatro electrones de los tomos de silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin formar parte de ninguna unin, por lo que est dbilmente ligado al tomo: Este electrn libre, requerir muy poca energa para "saltar" a la banda de conduccin. La energa trmica del ambiente basta para provocar este salto. De esta forma al agregar tomos pentavalentes agregamos electrones en la banda de conduccin, es decir, agregamos portadores.
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Cabe mencionar que los mencionados tomos pentavalentes se ubican en un nivel de energa mucho ms cercano a la banda de conduccin que la banda de valencia, denominado "nivel donador" este nivel se ubica a una distancia, energticamente hablando, de 0,05 electron-volt, mientras que la distancia entre las bandas de un semiconductor es de 0,7 eV. De la misma forma, podemos dopar al cristal con tomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el Galio, etc), esto provocar un exceso de electrones en el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la ltima rbita del Silicio se combinan con los tres electrones del anterior tomo. Esto trae como consecuencia la generacin de un espacio sin electrones, que tendr carga positiva, es decir, esto generar un hueco. De esta forma podemos controlar de manera casi definida, a travs del dopado, la cantidad de electrones o huecos que existen en un cristal. A este tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue modificado por elementos exteriores Semiconductores Tipo P Y Tipo N Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico se unirn a los correspondientes electrones de los cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto se convertir en un portador de corriente. A este tipo de impurezas que entregan electrones portadores (negativos) se los denomina donadores o del tipo n. En un semiconductor con impurezas del tipo n, no slo aumenta el nmero de electrones sino que tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo del que tena el semiconductor puro. La causa de esta disminucin se debe a que una parte de los electrones libres llena algunos de los huecos existentes. Si al semiconductor puro de silicio se le aade algn tipo de impureza que tenga tres electrones externos, solo podr formar tres uniones completas con los tomos de silicio, y la unin incompleta dar lugar a un hueco. Este tipo de impurezas proporcionan entonces portadores positivos, ya que crean huecos que pueden aceptar electrones; por consiguiente son conocidos con el nombre de aceptores, o
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impurezas del tipo p. Al contrario de lo que suceda antes en el tipo n en un semiconductor con impurezas de tipo p los portadores que disminuyen son los electrones en comparacin, con los que tena el semiconductor puro. A los semiconductores que contengan ya sea impurezas donadoras o aceptad se les llama respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor del tipo n, los electrones se denominan portadores mayoritarios y los huecos portadores minontarios. En un material de tipo p, los huecos son portadores mayoritarios, y los electrones portadores minoritarios. Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le conectamos una fuente externa de tensin. Al existir mayor cantidad de portadores (no importa de qu tipo), circular por el cristal una corriente mucho mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente depender de que tan contaminado est el material. Si el cristal es de tipo 'n' la corriente se deber casi en su totalidad a los electrones en la banda de conduccin, aunque siempre existe una pequea corriente producida por los huecos generados trmicamente. Anlogamente, si el cristal es del tipo 'p' la corriente estar regida por huecos mayormente, existiendo, sin embargo, una pequea corriente de electrones. Polarizacin Directa E Inversa De La Unin P-N El diodo de unin P-N es el dispositivo semiconductor ms elemental. Consiste en el dopado de una barra de cristal semiconductor en una parte con impurezas donadoras (tipo N) y en la otra con impurezas aceptadoras (tipo P)De esta forma, en la parte P existe mucha mayor concentracin de huecos que de electrones libres y en la parte N ocurre lo contrario. La conductividad del diodo es diferente segn sea el sentido en que se aplique un campo elctrico externo. Existen dos posibilidades de aplicacin de este campo: polarizacin inversa y polarizacin directa. Polarizacin inversa.

Consiste en aplicar a la parte N del diodo una tensin ms positiva que a la parte P. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte N a la parte P y los huecos tendern a circular en ese sentido

Mientras que los electrones tendern a circular en sentido contrario. Esto significa que circularan huecos de la parte N (donde son muy minoritarios) a la parte P (donde son mayoritarios), por lo que esta corriente se ve contrarrestada por una corriente de difusin que tiende a llevar a los huecos de donde son mayoritarios (parte P) hacia donde son minoritarios (Parte N). Por consiguiente, la corriente global de huecos es prcticamente nula. Algo totalmente anlogo ocurre con la corriente de electrones, la corriente de arrastre va en sentido contrario a la de difusin, contrarrestndose ambas y produciendo una corriente total

Prcticamente nula. La corriente total es la suma de la de huecos ms la de electrones y se denominan Corriente inversa de saturacin ( Is ). En la prctica, el valor de esta corriente es muy pequeo (del orden de nA en el Silicio) y depende de la temperatura de forma que aumenta al aumentar sta. Polarizacin directa. Consiste en aplicar a la parte P del diodo una tensin ms positiva que a la parte N. De esta forma, el campo elctrico estar dirigido de la parte P a la parte N. Esto significa que circularan huecos de la parte P (donde son mayoritarios) a la parte N (donde son minoritarios) por lo que esta corriente tiene el mismo sentido que la corriente de difusin. De esta forma, la corriente total de huecos es muy alta. Un proceso anlogo ocurre para la corriente de electrones. La corriente total es la suma de la de huecos y la de electrones y toma un valor elevado a partir de un determinado valor de tensin (tensin umbral, V) que depende del tipo de semiconductor (en el Silicio es aproximadamente de 0,7 V y en el Germanio de 0,2 V). Puede considerarse que el diodo es el dispositivo binario ms elemental, ya que permite el paso de corriente en un sentido y lo rechaza en sentido contrario.

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ESTRUCTURA

ATMICA

DE

LOS

MATERIALES

SEMICONDUCTORES
Como sabemos existen materiales capaces de conducir la corriente elctrica mejor que otros. Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al paso de la corriente elctrica son conductores. Analgicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prcticamente tampoco el conductor perfecto.

Existe un tercer grupo de materiales denominados semiconductores que, como su nombre lo indica, conducen la corriente bajo ciertas condiciones.

Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atmica. Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos poseen pocos tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios tomos de un metal, se acercan los electrones de su ltima rbita se desprenden y circulan desordenadamente entre una verdadera red de tomos. Este hecho (libertad de los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente elctrica. Los aislantes, en cambio, estn formados por tomos con muchos electrones en sus ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a perderlos fcilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ah su alta resistencia. Tambin existe otro tercer tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida la caracterstica de los anteriores, los semiconductores. Su caracterstica principal es la de conducir la corriente slo bajo determinadas circunstancias, y evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en los que la electrnica de estado slida est basada. La estructura atmica de dichos materiales presenta una caracterstica comn: est formada por tomos tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro.
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Un semiconductor es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Peridica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen tomos de otros elementos, denominados impurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra caracterstica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando sta comprendida entre la de los metales y la de los aislantes. Disposicin esquemtica de los tomos de un semiconductor de silicio puro, No existen electrones ni huecos libres. La disposicin esquemtica de los tomos para un semiconductor de silicio podemos observarla en la figura de arriba, Las regiones sombreadas representan la carga positiva neta de los ncleos y los puntos negros son los electrones, menos unidos a los mismos.

La fuerza que mantiene unidos a los tomos entre s es el resultado del hecho de que los electrones de conduccin de cada uno de ellos, son compartidos por los cuatro tomos vecinos. A temperaturas bajas la estructura normal es la que se muestra en la figura de arriba en la cual no se observa ningn electrn ni hueco libre y por tanto el semiconductor se comporta como un aislante. Estos cuatro electrones se encuentran formando uniones covalentes con otros tomos vecinos para as formal un cristal, que es la forma que se los encuentra en la naturaleza. Si esta estructura se encuentra a una temperatura muy baja o en el cero absoluto, el cristal tendr tan poca energa que no har posible la conduccin elctrica. Al aumentar la temperatura (a temperatura ambiente por ejemplo) ciertos electrones adquieren suficiente energa para romper el enlace del que forman parte y "saltar" al siguiente orbital. Esto provoca la formacin de un espacio vaco, que por carencia de electrones, posee carga positiva, a este espacio se lo
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denomina hueco. El aumento de temperatura rompe algunas uniones entre tomos liberndose un cierto nmero de electrones. En cambio, a la temperatura ambiente (20-25 grados C.) algunas de las fuertes uniones entre los tomos se rompen debido al calentamiento del semiconductor y como consecuencia de ello algunos de los electrones pasan a ser libres. En la figura siguiente se representa esta situacin. La ausencia del electrn que perteneca a la unin de dos tomos de silicio se representa por un crculo, La forma en que los huecos contribuyen a la corriente, se detalla seguidamente Cuando un electrn puede vencer la fuerza que le mantiene ligado al ncleo y por tanto abandona su posicin, aparece un hueco, y le resulta relativamente fcil al electrn del tomo vecino dejar su lugar para llenar este hueco.

Este electrn que deja su sitio para llenar un hueco, deja a su vez otro hueco en su posicin inicial, De esta manera el hueco contribuye a la corriente lo mismo que el electrn, con una trayectoria de sentido opuesto a la de ste.

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FORMA DE COMO SE COMPORTA AL PASO DE CORRIENTE ELECTRICA

Dada la especial estructura de los semiconductores, en su interior pueden darse como:

Corrientes por arrastre de campo

En los siguientes subapartados se explica cada uno de estos tipos de conduccin. CORRIENTE POR ARRASTRE DE CAMPO Supongamos que disponemos de un semiconductor con un cierto nmero de electrones y de huecos, y que aplicamos en su interior un campo elctrico. Veamos que sucede con los portadores de carga: Electrones libres: Obviamente, la fuerza que el campo elctrico ejerce sobre los electrones provocar el movimiento de estos, en sentido opuesto al del campo elctrico. De este modo se originar una corriente elctrica. La densidad de la corriente elctrica (nmero de cargas que atraviesan la unidad de superficie en la unidad de tiempo) depender de la fuerza que acta (qE), del nmero de portadores existentes y de la facilidad con que estos se mueven por la red, es decir: Je = en(qE) en donde:

Je = Densidad de corriente de electrones

e

= Movilidad de los electrones en el material

n = Concentracin de electrones q = Carga elctrica E = Campo elctrico aplicado

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La movilidad e es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad de movimiento del electrn a travs de la red cristalina. Huecos: El campo elctrico aplicado ejerce tambin una fuerza sobre los electrones asociados a los enlaces covalentes. Esa fuerza puede provocar que un electrn perteneciente a un enlace cercano a la posicin del hueco salte a ese espacio. As, el hueco se desplaza una posicin en el sentido del campo elctrico. Si este fenmeno se repite, el hueco continuar desplazndose. Aunque este movimiento se produce por los saltos de electrones, podemos suponer que es el hueco el que se est moviendo por los enlaces.

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CONCLUSION

Este

tema

nos

explic

las

caractersticas

que

tienen

los

materiales

semiconductores y su estructura atmica de los materiales semiconductores ya que sabes que los semiconductores es un componente que no es directamente un conductor de corriente, pero tampoco es un aislante. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas negativas. Tambin nos dio a conocer cmo se comporta ante el paso de la corriente elctrica ya que depende del arrastre de campo del campo

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BIBLIOGRAFIA

WIKIPEDIA.COM MONOGRAFIAS.COM

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