GUÍA DE ELECTRÓNICA BÁSICA

1. Como se define un semiconductor

Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad eléctrica puede considerarse
intermedia, situada entre las de un aislante y de un conductor, considerados en orden creciente
Los semiconductores más conocidos son el silicio (Si) y el germanio (Ge), debido a que, el
comportamiento del silicio es más estable que el germanio frente a todas las perturbaciones
externas que pueden hacer variar su respuesta normal, será el primero (Si) el elemento
semiconductor más utilizado en la fabricación de los componentes electrónicos de estado sólido.
2. Cuáles son los valores que se toman en cuenta para el Silicio y el Germanio
0.7 volts para el silicio y 0.3 para el germanio 

3. Cuáles son las características básicas de los semiconductores

El átomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el núcleo, como electrones en las órbitas que le
rodean, (en el caso del silicio este número es de 14). El interés del semiconductor se centra en su
capacidad de dar lugar a la aparición de una corriente, es decir que haya un movimiento de
electrones. Como es de todos conocido, un electrón está más ligado al núcleo, cuanto mayor sea
su cercanía entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atracción por parte
del núcleo y pueden ser liberados del mismo. Son los electrones que se encuentran en las órbitas
exteriores los que pueden ser liberados al inyectarles una pequeña energía.

(Solo dejan pasar la corriente hacia un solo lado. Son uniones PN o NP. Se utilizan para producir
una señal con semiciclospositivos o negativos únicamente)
4. Ilustre la estructura atómica del silicio

La zona sombreada de la figura 2 representa de una 

manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1
Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de
atracción del núcleo son cuatro
5. Mencione la clasificación de los semiconductores
Semiconductores Intrínsecos y Extrínsecos

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Como ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan
electrones en su última órbita; por tanto, no permiten la circulación de la corriente eléctrica,
comportandose como materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos

añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de átomos de un metaloide, como
por ejemplo antimonio (Sb) (elemento perteneciente a los elementos semiconductores del Grupo
Va de la Tabla Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos
átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus cinco electrones con
otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrón
restante del antimonio, al quedar liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la
estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo debido
al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material
semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio (Si)formando una celosía. Como se puede
observar, esta estructura se ha dopado añadiendo átomos de antimonio (Sb) para crear un
material semiconductor “extrínseco”. Los átomos de silicio (con cuatro electrones en la última
órbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los átomos de antimonio
(con cinco en su última órbita banda de valencia). En esa unión quedará un electrón libre dentro
de la estructura cristalina del silicio por cada átomo de antimonio que se haya añadido. De esa
forma el cristal. de silicio se convierte en material semiconductor tipo-N (negativo) debido al
exceso electrones libres con cargas negativas presentes en esa estructura. 

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente eléctrica en sus

extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura
aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrónica a través de
la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente
eléctrica.

No obstante, la posibilidad de que al aplicárseles una corriente eléctrica los electrones se puedan
mover libremente a través de la estructura atómica de un elemento semiconductor es mucho más
limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metálico buen conductor.
  

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos

añadiéndole átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo
IIIa de laTabla Periódica con tres electrones en su última órbita o banda de valencia), al unirse esa
impureza en enlace covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero, debido a que
faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su última órbita. En este
caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportaran
los átomos de silicio, como una forma de compensar las cargas eléctricas. De esa forma el material
adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrínseco dopado tipo-P
(positivo) o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en
los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por átomos de silicio (Si). que forman, como en el caso anterior,
una celosía, dopada. ahora con átomos de galio (Ga) para formar un. semiconductor “extrínseco”.
Como se puede observar en. la. ilustración, los átomos de silicio (con cuatro electrones en. la.
última órbita o banda de valencia) se unen formando. enlaces covalente con los átomos de galio
(con tres. electrones en su banda de valencia). En esas condiciones. quedará un hueco con defecto
de electrones en la. estructura. cristalina de silicio, convirtiéndolo en un. semiconductor tipo-P
(positivo) provocado por el defecto de. electrones en la estructura. 

6. Cuando se dice; que un material es amorfo, mono-cristalino o poli-cristalino

Amorfo (del griego, prefijo a, negación, y la palabra morfo, forma; literalmente, sin forma.) es una
de lasestructuras que pueden adoptar los materiales en estado sólido.
Mientras que los materiales cristalinos y, en menor medida, los semicristalinos presentan un
patrón regular y repetitivo de átomos o iones formado de estructuras tridimensionales periódicas,
los materiales amorfos presentan un patrón uniformemente deformado o estructura cristalina
retroactiva, es decir, no tienen un ordenamiento periódico.

SILICIO MONOCRISTALINO.
El tipo de célula más común y también el primero que se produjo industrialmente, es el formado
por silicio puro monocristalino. A continuación se pasa a describir brevemente el proceso de
fabricación de este tipo de células, así como sus características más sobresalientes, que son
también compartidas por la mayoría de las otras células que existen en el mercado

SILICIO POLICRISTALINO
Es una agrupación totalmente regular de múltiples células monocristalinas, regularmente
ordenadas, los tres tipos de arreglos cistalinos son utilizados para la constitucion de celdas
fotovoltaicas
7. DIGA CUÁL ES LA DIFERENCIA ENTRE UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO Y UN EXTRÍNSECO
Un intrínseco posee una pureza de 99.99999 % y un extrínseco es un material Impuro 

SEMICONDUCTORES "INTRÍNSECOS"

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 

1. Intrínsecos 
2. Extrínsecos 
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar labanda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrínseco,

algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de
valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica.

Como se puede observar en la ilustración, en el caso de los semiconductores el espacio

correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales
aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de
valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la
energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de
germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de silicio

(Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la ilustración, los átomos de silicio (que
sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces
covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor. En esas
condiciones el cristal desilicio se comportará igual que si fuera un cuerpo aislante. 

SEMICONDUCTORES "EXTRÍNSECOS" 

  Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta
alteración, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se
dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros
elementos o "impurezas". 

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos

semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última órbita [como el galio
(Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también en su última órbita [como el antimonio
(Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores
“extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la

industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de
obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena,
uno de los materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal
de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm
aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustración de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de. silicio
pulida con brillo de espejo,destinada a la fabricación de transistores y circuitos. integrados. A la
derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de. minúsculos dados o “chips”,
que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los. que después de pasar por un proceso
tecnológico apropiado se convertirán en. transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips
se han convertido en. transistores o circuitos integrados serán desprendidos de la oblea y
colocados dentro. de una cápsula protectora con sus correspondientes conectores externos. 

El segundo elemento también utilizado como semiconductor, pero en menor proporción que el
silicio, es el cristal de germanio (Ge).

Durante mucho tiempo se empleó también el selenio (Se) para fabricar diodos semiconductores
en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se
empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en día, además del
silicio y el germanio, se emplean también combinaciones de otros elementos semiconductores
presentes en la Tabla Periódica.

Placa individual de 2 x 2 cm de área, correspondiente a un antiguo diodo de selenio. 

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsénico (As) utilizada para
obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricación de diodos láser empleados
como dispositivos de lectura en CDs de audio.
  

Lente (señalada con la flecha) detrás de la cual se encuentra instalado un diodo láser de arseniuro
de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto, presentacionesmultimedia o música grabada
en un CD. En esta ilustración él. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plástico
común. 

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como
elementos intrínsecos, los electrones de su última órbita tienden a unirse formando "enlaces
covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los átomos de cualquier elemento,
independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su última órbita, tratan
siempre de completarla con un máximo de ocho, ya sea donándolos o aceptándolos, según el
número de valencia que le corresponda a cada átomo en específico.

Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen sólo cuatro electrones en su última
órbita, sus átomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre sí los
cuatro electrones que cada uno posee, según la tendencia de completar ocho en su órbita externa.
Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo sólido, los átomos del elemento semiconductor
adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosía. En su estado puro, como ya se
mencionó anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos
semiconductores se comportan como aislantes.

8. MENCIONE LA CLASIFICACIÓN DE LOS DIODOS SEMICONDUCTORES

a) Diodo rectificador
b) Diodo zener 
c) Diodo varactor
d) Diodo de potencia
e) Fotodiodo

9. DEFINA E ILUSTRE AL DIODO RECTIFICADOR

Diodo Rectificador 
Un diodo en su zona de operación de polarización directa cumple lafunción de rectificación por lo
que es común que se le llame rectificador. Sus valores nominales de potencia y corriente son
normalmente mucho más altos que los de los diodos que se usan en otras aplicaciones, como en
computadoras o sistemas de comunicación.

10.- Cuáles son los valores máximos de tensión y corriente en los diodos rectificadores

 Picos repetitivos de tensión inversa: 1000V máximo. 

 Picos no repetitivos de tensión inversa: 1200V máximo. 
 Tensión inversa máxima de forma continua: 700V. 
 Corriente nominal directa máxima: 1A. 
 Picos de corriente directa no repetitivos: 30A máximo. 

11.- Como se define un transistor y cuál es su clasificación.

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de : amplificador,

oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer
resistor ("resistencia de transferencia"). 

1.- De unión bipolar (BJT: BiJunctionTransistor, Transistor Bipolar o Biunion)

2.- De unión Unipolar o de Efecto de Campo (FET Field Effect Transistor)
3.- Fototransistor
4.- Transistor de Potencia 

12.- Cuáles son las características básicas del diodo zener e ilústrelo

Diodo Zener
El diodo operando en la zona Zener correspondiente a la polarización inversa, aprovecha
completamente la región de avalancha, en la que aunque se aumente el voltaje de polarización, la
corriente, se comporta incrementándose una vez alcanzado el voltaje Zener. La región de
avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar losvalores de dopado en los
materiales tipo P y tipo N. Sin embargo, se pueden tener valores muy bajos, como de -5V. 

13. Mencione las especificaciones del diodo Varactor e ilustre su símbolo

Diodo Varicap o Varactor

El Diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su
funcionamiento en la variación de extensión de la zona desierta de la unión PN en función de la
tensión inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de
esa barrera, disminuyendo así la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador
variable controlado por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La
tensión inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La aplicación de estos diodos se encuentra sobre todo, en 

sintonizadores de TV , modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los
osciladores controlados por voltaje (VCO).

                                                                       
Símbolo

14. En que basa su principio el diodo de potencia

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen
entre otras, las siguientes limitaciones : son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conducción. El único procedimiento de control es invertir el
voltaje entre ánodo y cátodo. 
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben
sercapaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de
fuga. 

15. Describa las características básicas de los fotodiodos 

Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz
visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza 
inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por
la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir,
en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en el ánodo y el
negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad. 

16. .- Explique cómo se realiza la rectificación de media onda y onda completa mediante el uso de
diodos y diga que aplicación tiene.
Rectificador de media onda

El rectificador de media onda es un circuito empleado para eliminar la parte negativa o positiva de
una señal de corriente alterna de entrada (Vi) convirtiéndola en corriente directa de salida (Vo).

Rectificador de onda completa

Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una señal de corriente
alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador
de media onda, en este caso, la parte negativa de la señal se convierte en positiva o bien la parte
positiva de la señal se convertirá en negativa, según se necesite una señal positiva o negativa de
corriente continua.Existen dos alternativas, bien empleando dos diodos o empleando cuatro
(puente de Graetz).

17. Mencione que tipo de diodo se utiliza en reguladores :

Zener
18. Cual es el diodo que tiene una impedancia negativa muy alta : 
el PIN

19. Mencione el diodo que se utiliza con potencias bajas 

El Diodo de Señal es usado, como detector de frecuencia

20. Cuál es el tipo de material del cual están formados los diodos 

Material semiconductor; tipo P y tipo N

21. Como se define la electrónica

La electrónica es la rama de la física y especialización de la ingeniería, que estudia y emplea

sistemas cuyo funcionamiento se basan en la conducción y el control del flujo microscópico de los
electrones u otras partículas cargadas eléctricamente.
22. Que es un oscilador 
Un oscilador es un sistema capaz de crear perturbaciones o cambios periódicos o cuasiperiódicos
en un medio, ya sea un medio material (sonido) o un campoelectromagnético (ondas de radio,
microondas, infrarrojo, luz visible, rayos X, rayos gamma, rayos cósmicos).
23. Que es un rectificador 
En electrónica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la corriente alterna
en corriente continua. Esto se realiza utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de
estado sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio.
Dependiendo de las características de la alimentación en corriente alterna que emplean, se les
clasifica en monofásicos, cuando están alimentados por una fase de la red eléctrica, o trifásicos
cuando se alimentan portres fases.

24. Que es un amplificador

Un amplificador es todo dispositivo que, mediante la utilización de energía, magnifica la amplitud

de un fenómeno
Amplificar es agrandar la intensidad de algo, por lo general sonido. También podría ser luz o
magnetismo
25. Como se define un amplificador operacional e ilustre su símbolo

Un amplificador operacional (comúnmente abreviado A.O. u op-amp), es un circuito electrónico

(normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida
es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G)
El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores
analógicos, en los que comenzaron a usarse técnicas operacionales en una época tan temprana
como en los años 40. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un
amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia
extremadamente alta, cuyas características de operación estaban determinadas por los elementos
de realimentación utilizados. Cambiando los tipos y disposición de los elementos de
realimentación, podían implementarse diferentes operaciones analógicas; en gran medida, las
características globales del circuito estaban determinadas sólo por estos elementos de
realimentación. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y
el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era
en los conceptos de diseño de circuitos.
El amplificador inversor
La figura 2 ilustrala primera configuración básica del AO. El amplificador inversor. En este circuito,
la entrada (+) está a masa, y la señal se aplica a la entrada (-) a través de R1, con realimentación
desde la salida a través de R2.

Fig. 2
Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las características distintivas
de este circuito se pueden analizar como sigue.
Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollará su tensión de salida, V0, con
tensión de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:
Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0.- Y si Vd = 0,
entonces toda la tensión de entrada Vi, deberá aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1

Vn está a un potencial cero, es un punto de tierra virtual

Toda la corriente I que circula por R1 pasará por R2, puesto que no se derivará ninguna corriente
hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita), así pues el producto de I por R2 será igual a
- V0

por lo que:

luego la ganancia del amplificador inversor:

Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se
puede variar ajustando bien R1, o bien R2. Si R2 varía desde cero hasta infinito, la ganancia variará
también desde cero hasta infinito, puesto que es directamente proporcional a R2. La impedancia
de entrada es igual a R1, y tanto Vi como R1 únicamente determinan la corriente I, por lo que la
corriente que circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2.
La entrada del amplificador, o el punto de conexión de la entrada y las señales de realimentación,
es un nodo de tensión nula,independientemente de la corriente I. Luego, esta conexión es un
punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habrá el mismo potencial que en la entrada (+).
Por tanto, este punto en el que se suman las señales de salida y entrada, se conoce también como
nodo suma. Esta última característica conduce al tercer axioma básico de los amplificadores
operacionales, el cual se aplica a la operación en bucle cerrado:
En bucle cerrado, la entrada (-) será regulada al potencial de entrada (+) o de referencia.
Esta propiedad puede aún ser o no obvia, a partir de la teoría de tensión de entrada de diferencial
nula. Es, sin embargo, muy útil para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como un
terminal de referencia, el cual controlará el nivel que ambas entradas asuman. Luego esta tensión
puede ser masa (como en la figura 2), o cualquier potencial que se desee.

El amplificador no inversor
La segunda configuración básica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura
3. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

Fig. 3
En este circuito, la tensión Vi se aplica a la entrada (+), y una fracción de la señal de salida, Vo, se
aplica a la entrada (-) a través del divisor de tensión R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de
entrada en ningún terminal de entrada, y ya que Vd = 0, la tensión en R1 será igual a Vi. 
Así pues
  
y como

tendremos pues que:

que si lo expresamos en términos de ganancia:

que es la ecuación característica de ganancia para el amplificador no inversor ideal.

También se pueden deducir propiedades adicionales para estaconfiguración. El límite inferior de
ganancia se produce cuando R2 = 0, lo que da lugar a una ganancia unidad.
En el amplificador inversor, la corriente a través de R1 siempre determina la corriente a través de
R2, independientemente del valor de R2, esto también es cierto en el amplificador no inversor.
Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal, capaz de incrementar la ganancia
desde el mínimo unidad hasta un máximo de infinito. La impedancia de entrada es infinita, puesto
que se trata de un amplificador ideal.
Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor
El amplificador diferencial.-
Una tercera configuración del AO conocida como el amplificador diferencial, es una combinación
de las dos configuraciones anteriores. Aunque está basado en los otros dos circuitos, el
amplificador diferencial tiene características únicas. Este circuito, mostrado en la figura 4, tiene
aplicadas señales en ambos terminales de entrada, y utiliza la amplificación diferencial natural del
amplificador operacional.

Fig. 4
Para comprender el circuito, primero se estudiarán las dos señales de entrada por separado, y
después combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero.
Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+)
La tensión a la salida debida a V1 la llamaremos V01

y como V(-) = V(+)

La tensión de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdrá:

Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) será, usando la ecuación de la ganancia para el circuito

inversor, V02

Y dado que, aplicando el teorema de la superposición latensión de salida V0 = V01 + V02 y

haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

por lo que concluiremos

que expresando en términos de ganancia:

que es la ganancia de la etapa para señales en modo diferencial

Esta configuración es única porque puede rechazar una señal común a ambas entradas. Esto se
debe a la propiedad de tensión de entrada diferencial nula, que se explica a continuación.
En el caso de que las señales V1 y V2 sean idénticas, el análisis es sencillo. V1 se dividirá entre R1 y
R2, apareciendo una menor tensión V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador, y a
la tensión de entrada diferencial cero, una tensión igual V(-) debe aparecer en el nodo suma (-).
Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensión a
ambas terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se
mantenga igual a V(+); Vo estará al mismo potencial que R2, el cual, de hecho está a masa. Esta
muy útil propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para discriminar componentes de
ruido en modo común no deseables, mientras que se amplifican las señales que aparecen de
forma diferencial. Si se cumple la relación

La ganancia para señales en modo común es cero, puesto que, por definición, el amplificador no
tiene ganancia cuando se aplican señales iguales a ambas entradas.
Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la impedancia de
entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial
(para una fuenteflotante) es la impedancia entre las entradas, es decir, R1+R3.
El sumador inversor
Utilizando la característica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor, se
obtiene una útil modificación, el sumador inversor, figura 5.

Fig. 5
En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensión V(+) está conectada a masa, por lo
que la tensión V(-) estará a una masa virtual, y como la impedancia de entrada es infinita toda la
corriente I1 circulará a través de RF y la llamaremos I2. Lo que ocurre en este caso es que la
corriente I1 es la suma algebraica de las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:

y también

Como I1 = I2 concluiremos que:

que establece que la tensión de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones de entrada
multiplicadas por un factor corrector, que el alumno puede observar que en el caso en que RF =
RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3)
La ganancia global del circuito la establece RF, la cual, en este sentido, se comporta como en el
amplificador inversor básico. A las ganancias de los canales individuales se les aplica
independientemente los factores de escala RG1, R G2, R G3,... étc. Del mismo modo, R G1, R G2 y
R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos canales.
Otra característica interesante de esta configuración es el hecho de que la mezcla de señales
lineales, en el nodo suma, no produce interacción entre las entradas, puesto que todas las fuentes
de señal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede acomodar cualquier número de
entradas añadiendo resistencias de entradaadicionales en el nodo suma.
Aunque los circuitos precedentes se han descrito en términos de entrada y de resistencias de
realimentación, las resistencias se pueden reemplazar por elementos complejos, y los axiomas de
los amplificadores operacionales se mantendrán como verdaderos. Dos circuitos que demuestran
esto, son dos nuevas modificaciones del amplificador inversor.

El integrador
Se ha visto que ambas configuraciones básicas del AO actúan para mantener constantemente la
corriente de realimentación, IF igual a IIN.

Fig. 6
Una modificación del amplificador inversor, el integrador, mostrado en la figura 6, se aprovecha de
esta característica. Se aplica una tensión de entrada VIN, a RG, lo que da lugar a una corriente IIN.
Como ocurría en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+) = 0, y por tener impedancia
infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF, llamaremos a esta corriente
IF.
El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Por consiguiente, la corriente
constante IF, en CF da lugar a una rampa lineal de tensión. La tensión de salida es, por tanto, la
integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar CF por el lazo de realimentación.
La variación de tensión en CF es

lo que hace que la salida varíe por unidad de tiempo según:

Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la impedancia de entrada es

simplemente RG
Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito

Por supuesto la rampa dependerá de los valores de la señal de entrada, de la resistencia y

delcondensador.
El diferenciador
Una segunda modificación del amplificador inversor, que también aprovecha la corriente en un
condensador es el diferenciador mostrado en la figura 7.

Fig. 7
En este circuito, la posición de R y C están al revés que en el integrador, estando el elemento
capacitativo en la red de entrada. Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa
de variación de la tensión de entrada:

De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circulará por RF, por lo que IF = IIN
Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos

Obsérvese el siguiente diagrama de señales para este circuito

26. Cuál es el tipo de lenguaje que interpretan las máquinas

Es el ensamblador

27. Como se define el sistema binario

El sistema binario, en matemáticas e informática, es un sistema de numeración en el que los
números se representan utilizando solamente las cifras cero y uno (0 y 1). Es el que se utiliza en las
computadoras, debido a que trabajan internamente con dos niveles de voltaje, por lo que su
sistema de numeración natural es el sistema binario (encendido 1, apagado 0).
28. Mencione cual es la diferencia entre utilizar un sistema binario y un sistema octal

La característica de estos sistemas es que su base es 2 para el binario y 8 para el octal 

29. Cuáles son las compuertas utilizadas en sistemas electrónicos y elabore su tabla de verdad de
cada una, indicando su expresión booleana.

30. Muestre la tabla de verdad y el símbolo de la compuerta OR exclusiva

31. Ilustre el diagramade la siguiente expresión booleana (A+B)+(C D) = F

32. Convierta 87 decimal a binario

33. Convierta 11111000010010 a octal, decimal y hexadecimal

34. Convierta 18AFB hexadecimal a decimal, octal y binario

35. Realice la siguiente suma binaria: 111001 + 101001

R = 1100010

36. Reste 11001 de 11101

R = 00100

37. Multiplique: (111101) (101110)

R = 101011110110

38. Divida: 11010 / 11

R = 1000 

39. Muestre sus símbolos en notación americana y sueca de cada una de las compuertas lógicas.

40. Cuál es su símbolo y mencione cada una de sus partes del transistor P-N-P y N-P-N

41. Cuáles son los valores máximos que manejan los transistores con referencia a su voltaje y
corriente

Voltaje de 25 volts y corriente de 3 amperes

42. La expresión siguiente (A+B)+(C+D) = F nos denota una aplicación de la compuerta 

R = OR
43. (C D) (B A) = F es una aplicación de la compuerta
R = AND

44. Cuál es la definición de compuerta lógica

Es un dispositivo electrónico que representa la expresión física de un operador booleano en la

lógica de conmutación. Cada puerta lógica consiste en una red de dispositivos interruptores que
cumplen las condiciones booleanas para el operador particular. Son esencialmente circuitos de
conmutación integrados en un chip. 

45. Mencione una aplicación de la compuerta NOT

Esta compuerta se utiliza como inversor, para complementar o invertir un estado lógico, es decir
cambiar el nivel o valor del estado lógico propuesto, en circuitos que deban ser activadospor un
nivel lógico bajo 

46. Definición de un sistema decimal

El sistema decimal es un sistema de numeración en el que las cantidades se representan utilizando

como base el número diez, por lo que se compone de diez digitos o cifras diferentes: cero (0); uno
(1); dos (2); tres (3); cuatro (4); cinco (5); seis (6); siete (7); ocho (8) y nueve (9).

47. Definición de un sistema digital

Es una combinación de dispositivos diseñada para manipular cantidades físicas o información que
estén representadas en forma discreta; es decir, que sólo puedan tomar valores discretos. Para el
análisis y la síntesis de sistemas digitales binarios se utiliza como herramienta el álgebra de Boole. 

48. Definicion de un sistema analógico

Es una parte de la electrónica que estudia los sistemas en los cuales sus variables; tensión,
corriente, potencia, etc, varían de una forma continua en el tiempo, pudiendo tomar infinitos
valores (al menos teóricamente)

49. Mencione las características a considerar para la elección de un diodo

Primero que nada el uso o aplicación que se le va a dar, los valores de funcionamiento , tales como
; tensión, corriente y potencia que desarrollará. Así como los parámetros físicos o eléctricos a los
que estará sujeto. 
50. Para que un semiconductor logre su estado de conducción cuales son los puntos que se deben
de tener en cuenta.

Son el tipo de voltaje de polarización y su nivel de voltaje de ruptura, su corriente inversa máxima
soportada, la temperatura máxima de operación así como un nivel máximo de voltaje de
funcionamiento.