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Unidad II Unión P-N

Física de Semiconductores.

Ingeniería Electrónica.

M.C Fernando Landeros P


Material Semiconductor
Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor
o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por
ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le
incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. El
semiconductor más utilizado es el silicio, que es el elemento más
abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio.

Electrones en
Elemento Grupos
la última capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B,
13 3 e-
In
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-
Material Semiconductor
Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo
cuatro electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos
forman una red cristalina, en la que cada átomo comparte sus cuatro
electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de
valencia absorben suficiente energía Calorífica para librarse del enlace
covalente y moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace
covalente, se les somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al
polo positivo.
Material Semiconductor
Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio,
deja en la red cristalina un hueco, que con respecto a los electrones
próximos tiene efectos similares a los que provocaría una carga
positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con
signo positivo.
El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por
los siguientes fenómenos:
-Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen
hacia el polo positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo
negativo de la pila.
-Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito
cerrado, siendo constante en todo momento el número de electrones
dentro del cristal de silicio.
-Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el
conductor exterior sólo circulan los electrones que dan lugar a la
corriente eléctrica.
Cristal semiconductor intrínseco
A simple vista es imposible que un semiconductor permita el
movimiento de electrones a través de sus bandas de energía
▫ Idealmente, a T=0ºK, el semiconductor es un aislante porque todos los
e- están formando enlaces covalentes.
Pero al crecer la temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar
libre un e- para moverse en la estructura cristalina.
El hecho de liberarse un e-deja un “hueco” (partícula ficticia positiva) en la
estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el
electrón libre (e-), pero también hay un segundo tipo de portador: el hueco
(h+).
Cristal semiconductor intrínseco
Cristal semiconductor intrínseco
En un semiconductor perfecto, las concentraciones de electrones y
de huecos son iguales:

n: número de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conducción


p: número de huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia
n!: concentración intrínseca de portadores.
Cristal semiconductor intrínseco
Cristal semiconductor intrínseco
Modelo de bandas de energía: Conducción intrínseca
Dependencia con la Temperatura: Gráfico
Material semiconductor intrínseco
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en
estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de
otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos
que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda
prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento


semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen
y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de
la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan
como “electrones de conducción”, pudiéndose desplazar libremente de
un átomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que
el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica.
Material semiconductor extrínseco
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se
le introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores
permiten el paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola
dirección. Para hacer posible, la estructura molecular del
semiconductor se dopa mezclando los átomos de silicio o de germanio
con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o "impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a


elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres
electrones en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que
poseen cinco electrones también en su última órbita [como el
antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el
germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán
capaces de conducir la corriente eléctrica.
Material semiconductor extrínseco
Dopaje
En la producción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un semiconductor
extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores
con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que actúa más como un conductor
que como un semiconductor, es llamado degenerado.

El número de átomos dopantes necesitados para crear una diferencia


en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequeña.
Cuando se agregan un pequeño número de átomos dopantes (en el
orden de 1 cada 100.000.000 de átomos) entonces se dice que el
dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos más átomos (en el
orden de 1 cada 10.000 átomos) entonces se dice que el dopaje es alto
o pesado.
Dopaje
En función del tipo de dopante, obtendremos semiconductores
dopados tipo p o tipo n. Para el silicio, son dopantes de tipo n los
elementos de la columna V, y tipo p los de la III
Material Semiconductor Tipo N

Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que


permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos
semiconductores. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que
"donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el
Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la
neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es
neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos
que conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria
para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper
una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original).
Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los
primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los
minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función
directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
Material Semiconductor Tipo N
Material Semiconductor Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten
la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los
mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este
tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón.
Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará
la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres
electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota,
que tenderá a tomar electrones de los átomos próximos, generando
finalmente más huecos que electrones, por lo que los primeros serán
los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual
que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios será
función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
Material Semiconductor Tipo N
Union P-N en estado de Equilibrio
Union P-N en estado de Equilibrio
Union P-N en estado de Equilibrio
Union P-N en estado de Equilibrio
Union P-N en estado de Equilibrio
Potencial de contacto
La presencia de cargas en la región espacial de carga da lugar a un
campo eléctrico, el cual causa una diferencia de potencial en dicha
región que recibe el nombre de potencial de contacto, Vbi. Este
potencial de contacto viene acompañado por un desnivel de las bandas
de energía Este desnivel se explica como sigue: la caída de tensión
entre dos puntos a y b se define como la energía empleada o adquirida
para mover una unidad de carga positiva desde a hasta b. Si la carga
positiva (hueco) está en a (zona P) y b(zona N) está a una mayor
tensión Vbi, se realiza un trabajo para mover la carga. Al llegar a b, la
carga positiva ha ganado una energía potencial igual a la energía
empleada que viene dada por (q⋅Vbi), donde q es la carga del electrón.
Union P-N en estado de Equilibrio
Potencial de contacto
Union P-N en estado de Equilibrio
Potencial de contacto
Union P-N en estado de Equilibrio
Potencial de contacto
Si un electrón es llevado desde a hasta b, con ba una tensión superior Vbi,
el electrón (carga negativa) pierde una energía potencial - q⋅Vbi. En
consecuencia, un electrón en x ≥xn tiene menos energía potencial que un
electrón en x ≤xp(zonas neutras). Los niveles energéticos de la zona N son
menores que los de la zona P en una cantidad q⋅Vbi.
Recordemos que los electrones residen en la banda de conducción y los
huecos en la de valencia y que la energía del electrón aumenta al moverse
hacia arriba en la banda de conducción siendo Ecla mínima energía de un
electrón libre (corresponde a la energía de un electrón en reposo y toda ella
es energía potencial –energía cinética cero aumentando la energía cinética
al desplazarse hacia arriba en la banda de conducción) , mientras que la
del hueco aumenta al moverse hacia abajo en la banda de valencia siendo
Ev la energía de un hueco en reposo (toda ella es energía potencial –
energía. cinética cero- aumentando la energía cinética al desplazarse hacia
arriba en la banda de conducción) Al potencial de contacto también se le
conoce como barrera de potencial
Union P-N en estado de Equilibrio
Potencial de contacto
En la unión P-N en equilibrio, es la diferencia de potencial existente
en la zona de transición. Depende de la concentración de impurezas
aceptoras (NA), donadoras (ND) y de la concentración intrínseca (ni), y
viene dada por:

en la que VT es el potencial de temperatura , donde k es la


constante de Boltzmann (1,38066·10-23 J/K), T la temperatura
absoluta y qe la carga del electrón. De este modo, a 300 K, VT vale 26
mV.
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
la definición de campo eléctrico, este se define como la fuerza ejercida
sobre la unidad de carga positiva. Cuando un campo eléctrico ε se aplica al
semiconductor, dicho campo realiza una fuerza -q⋅ε sobre cada electrón,
donde q es el valor de la carga del electrón. También sabemos que dicha
fuerza ejercida es igual al valor negativo del gradiente de la energía
potencial:
F = -q⋅ε= - (gradiente de la energía potencial del electrón)

La distribución dipolar de las cargas origina un campo eléctrico en la


zona de transición, dirigido desde la zona n a la zona p, Debido a la
existencia del campo eléctrico aparece una corriente de desplazamiento
en la dirección del campo eléctrico. Así, en la unión p-n en equilibrio o
en circuito abierto, el módulo de dicha corriente de desplazamiento es
igual al módulo de la corriente de difusión, y como son de sentidos
opuesto la corriente eléctrica total (desplazamiento + difusión) es nula.
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
la intensidad de campo eléctrico en un punto se define como la fuerza
que actúa sobre la unidad de carga situada en él. si e es la intensidad de
campo, sobre una carga q actuará una fuerza
la dirección del campo eléctrico en cualquier punto viene dada por la de
la fuerza que actúa sobre una unidad de carga positiva colocada en dicho
punto. las líneas de fuerza en un campo eléctrico están trazadas de modo
que son, en todos sus puntos, tangentes a la dirección del campo, y su
sentido positivo se considera que es el que partiendo de las cargas
positivas termina en las negativas. la intensidad de un campo eléctrico
creado por varias cargas se obtiene sumando vectorialmente las.
intensidades de los campos creados por cada carga de forma individual
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
Sabemos que el valor inferior de la banda de conducción Ec corresponde a
la energía potencial de un electrón. Como estamos interesados en el
gradiente de la energía potencial, podemos utilizar cualquier parte del
diagrama de bandas que sea paralelo a Ec. (es decir, EF, Eio Ev). Es
conveniente utilizar Eipues dicha magnitud es ampliamente utilizada en el
caso de uniones P-N . Por tanto y para el caso unidimensional:
Union P-N en estado de Equilibrio
Campo Electrico
Union P-N en estado de Equilibrio
Zona de Vaciamiento
Cuando se forma la unión, y no se aplica voltaje, en la zona de la unión
los electrones libres de los átomos de fósforo se combinan con los
huecos de los átomos de aluminio. Esto se llama recombinación. los
átomos en cada lado de la unión no pueden moverse ya que están fijos
en el cristal, de manera que forman una barrera de potencial a cada
lado de la unión - un potencial positivo en el lado del tipo N y un
potencial negativo en el otro lado tipo P. Como la recombinación
continua, la región con potenciales se expande. Esta región se llama
zona de vaciado, debido a que todos los electrones libres y huecos se
combinan y la zona queda vacía de portadores de carga
Union P-N en estado de Equilibrio
Zona de Vaciamiento
Union P-N en estado de Equilibrio
Carga almacenada
Union P-N en estado de Equilibrio
Carga almacenada
Union P-N en estado de Equilibrio
Carga almacenada
Union P-N en estado de Equilibrio
Carga almacenada
Union P-N en estado de Equilibrio

Tarea
Investigar
capacitancia de difusión
Capacitancia de transición
Union P-N Condiciones de Polarizacion.
Potencial de Barrera.
En el punto de unión p-n de las dos piezas semiconductoras de diferente
polaridad que forman el diodo, se crea una ―barrera de potencial‖, cuya
misión es impedir que los electrones libres concentrados en la parte negativa
salten a la parte positiva para unirse con los huecos presentes en esa parte del
semiconductor. Hasta tanto los electrones no alcancen el nivel de energía
necesario que le debe suministrar una fuente de energía externa conectada a
los dos extremos del diodo, no podrán atravesar esa barrera.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Por otra parte, a ambos lados de la barrera de potencial se forma una ―zona de
deplexión‖ (también llamada zona de agotamiento, de vaciado, de carga
espacial o de despoblación). Esa es una zona o región aislada, libre de
portadores energéticos, que se origina alrededor del punto de unión de los dos
materiales semiconductores dopados de diferente forma y que poseen también
polaridades diferentes. La función de la ―zona de deplexión‖ es alejar a los
portadores de carga energética (electrones) del punto de unión p-n cuando el
diodo no se encuentra energizado con la tensión o voltaje suficiente, o cuando
se energiza con una tensión o voltaje inverso.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Pues bien, bajo estas premisas, resulta que toda la tensión externa aplicada, V,
aparece en la unión, aparece en la zona dipolar. Por lo tanto, para el análisis
bajo polarización de la zona dipolar, basta con sustituir
Union P-N Condiciones de Polarización.
Polarización directa.
Si se aplica una tensión positiva en el ánodo, se generará un campo eléctrico
que "empujará" los huecos hacia la unión, provocando un estrechamiento de
la zona de agotamiento. Sin embargo, mientras ésta exista la conducción es
casi nula. Si la tensión aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de
agotamiento, electrones y huecos se dirigen a la unión y se recombinan. En
estas condiciones la corriente queda determinada por el circuito externo ya
que la tensión en bornes de la juntura permanece prácticamente constante.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Un diodo PN conduce cuando está polarizado directamente, si bien recién
cuando la tensión aplicada vence la barrera de potencial los portadores de
carga tienen un movimiento suficiente para que la zona de agotamiento se
inunde de cargas móviles.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Polarización Inversa.
Al aplicar una tensión positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran
portadores mayoritarios próximos a la unión. Estos portadores son atraídos
hacia los contactos aumentando la anchura de la zona de agotamiento, y la
corriente debido a los portadores mayoritarios es nula Dado que en ambas
zonas hay portadores minoritarios, y un diodo polarizado en inversa lo está en
directa para los minoritarios, estos portadores minoritarios son atraídos hacia
la unión. Este movimiento crea una corriente cuya magnitud es muy inferior a
la que se obtendría en polarización directa para los mismos niveles de tensión.

Al aumentar la tensión inversa, hay un nivel de tensión, al igual que sucede


en un material aislante, en que se produce la ruptura de la zona de
agotamiento: el campo eléctrico puede ser tan elevado que arranque
electrones que forman los enlaces covalentes entre los átomos de silicio,
originando un proceso de ruptura por avalancha. Esta ruptura, no
necesariamente conlleva la destrucción de la juntura, mientras la potencia
disipada se mantenga en niveles admisibles.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Característica de corriente-voltaje.
La forma de funcionamiento de un diodo común de silicio se puede apreciar
observando la curva característica que se crea cuando se polariza, bien de
forma directa, o bien de forma inversa. En ambos casos la curva gráfica
muestra la relación existente entre la corriente y la tensión o voltaje que se
aplicada a los terminales del diodo.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Característica de corriente-voltaje.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Característica de corriente-voltaje.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Característica de corriente-voltaje.
Principales características comerciales
A la hora de elegir un diodo para una aplicación concreta se debe cuidar que
presente unas características apropiadas para dicha aplicación. Para ello, se
debe examinar cuidadosamente la hoja de especificaciones que el fabricante
provee. Las características comerciales más importantes de los diodos que
aparecen en cualquier hoja de especificaciones son:

1. Potencia máxima que puede disipar (PMAX)


2. Corriente máxima en directa, IFMAX o IFM (DC forward current): Es la
corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin
que este sufra ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar
un calentamiento por efecto Joule excesivo. Los fabricantes suelen
distinguir tres límites: Corriente máxima (IFM, Forward Maximum
Current), Corriente de pico no repetitivo (IFP, Peak Forward Current), en
la que se especifica también el tiempo de duración del pico, Corriente de
pico repetitivo (IRFP, Recurrent Peak Forward Current), para la cual
también se especifica la frecuencia máxima de repetición del pico.
Union P-N Condiciones de Polarización.
3. Tensión de ruptura en polarización inversa (VIP, Breakdown Voltage, BV;
Peak Inverse Voltage, PIV). Es la tensión a la que se produce el fenómeno de
ruptura por avalancha.
4. Tensión máxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse
Voltage): Es la tensión que el fabricante recomienda no sobrepasar para una
operación en inversa segura.
5. Corriente en inversa (IR, reverse current): Es habitual que se exprese para
diferentes valores de la tensión inversa.
6. Caída de tensión en PD en plena conducción, (Vγ, o VF, Forward
Voltage): Pese a que se han señalado anteriormente los valores típicos para
los distintos materiales, en ocasiones los fabricantes aportan datos detallados
de esta caída de tensión, mediante la gráfica i-v del dispositivo.

Además, los fabricantes pueden suministrar datos adicionales acerca del


comportamiento del dispositivo para otras temperaturas diferentes a la
nominal.
Union P-N Condiciones de Polarización.
Característica de corriente-voltaje.
Voltaje de Umbral.
La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización
directa coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo
no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial
inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor
del 1 % de la nominal. Sin embargo, cuando la tensión externa supera la
tensión umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para
pequeños incrementos de tensión se producen grandes variaciones de la
intensidad de corriente.
Union P-N Fenomeno de Ruptura
El fenómeno de ruptura aparece en las uniones p-n cuando se las somete a
una tensión inversa de elevado valor. En principio, para pequeños valores de
la tensión inversa aplicada, la corriente que circula por la unión es
aproximadamente constante e igual a –Is. Sin embargo, cuando la tensión
inversa aplicada toma valores relativamente elevados se llega a un momento
en el cual la corriente crece bruscamente alcanzando valores muy grandes, es
el fenómeno de la ruptura. Al valor de la tensión inversa aplicada para el cual
ocurre este aumento brusco de la corriente recibe el nombre de tensión de
ruptura Vr.
Union P-N Fenomeno de Ruptura
El proceso de ruptura por si solo es destructivo y el aumento de
corriente debe ser limitado por un circuito externo a la unión p-n para
evitar el aumento excesivo de calor en la unión. Fundamentalmente se
dan dos tipos de fenómenos de ruptura:
a) ruptura por avalancha.
b) ruptura por efecto túnel o zéner.
Union P-N Fenomeno de Ruptura
Ruptura de multiplicación por avalancha:
Fenómeno de ruptura provocado por la creación en cadena de pares e—h+ en
condiciones de campo eléctrico intenso. Desde un punto de vista cualitativo,
el proceso de multiplicación por avalancha ocurre cuando en presencia de un
campo eléctrico suficientemente elevado se genera un electrón de procedencia
térmica (denotado por 1). Dicho electrón adquiere energía cinética a expensas
de la del campo eléctrico. Si este campo es suficientemente elevado, la
energía cinética puede ser la suficiente como para producir, mediante colisión
con un átomo de la red cristalina, un par electrón-hueco (denotado por 2 y 2’).
Este hecho se denomina ionización por impacto. El par electrón-hueco
también puede aumentar su energía cinética a expensas del campo aplicado y
generar otro par electrón-hueco (3 y 3’). Este proceso en presencia del campo
eléctrico puede ser multiplicativo aumentando la conductividad de las
regiones P y N y, en consecuencia, la corriente que pasa a su través.
Union P-N Fenomeno de Ruptura
Existe un factor M llamado factor multiplicativo que gobierna la corriente
inversa Ii una vez iniciado el proceso de avalancha. Este factor viene dado
por:
Union P-N Fenomeno de Ruptura
.
Union P-N Fenomeno de Ruptura
Ruptura Zener.
El efecto túnel o zéner se produce cuando un campo eléctrico intenso
se aplica a la unión p-n. Tiene su explicación en las propiedades
mecánico-cuánticas de los electrones. En concreto bajo estas
condiciones de campo eléctrico un electrón situado en la banda de
valencia puede efectuar una transición a la banda de conducción
penetrando o saltándose la barrera de potencial.

El efecto túnel se da cuando hay presente en la unión p-n altos valores


de campo eléctrico, para el caso del Si y el GaAs, el valor del campo
para manifestarse el efecto túnel es de 106V/cm o mayor. Esto sólo es
posible cuando las regiones P y N están fuertemente dopadas
(>5⋅1017cm-3), de forma que la anchura W de la región espacial de
carga es muy pequeña.
Union P-N Fenomeno de Ruptura