FORMAS MOLECULARES

En la actualidad se conocen ms de 30 millones de compuestos qumicos, de los cuales 1

milln son inorgnicos y el resto orgnicos. Los qumicos determinan las propiedades fsicas
y qumicas de estas sustancias (puntos de fusin y ebullicin, solubilidad, densidad....). Sin
embargo, la informacin ms codiciada por el qumico es la determinacin de la estructura
del compuesto, qu tipo de tomos lo forman y cmo se enlazan dichos tomos.

Sabemos que una sustancia como el butano est formada por carbono e hidrgeno. Cada
molcula contiene 4 tomos de carbono y 10 atomos de hidrgeno, lo cual se representa
mediante la frmula C4H10, llamada frmula molecular. Adems sabemos que los tomos
de carbono se enlazan formando una cadena lineal. Al primer carbono se unen 3
hidrgenos, al segundo carbono 2 hidrgenos, al tercer carbono 2 hidrgenos y al cuarto
carbono los ltimos 3 hidrgenos.

Cmo obtienen los qumicos esta informacin?. Desafortunadamente no existe un

microscopio capaz de distinguir los tomos y ver como se unen para formar la molcula. A
continuacin, se inican los pasos a seguir:

1. Determinar la frmula molecular, que puede realizarse mediante la espectrometra

de masas de alta resolucin (HRMS). Aunque existen mtodos clsicos que permiten
determinar la formula molecular a partir de la composicin centesimal y peso
molecular del compuesto. En este momento, conocemos los tomos que componen
nuestro compuesto y la proporcin en la que participan. En el caso del butano,
C4H10. Una vez conocida la formula molecular podemos escribir las posibles
estructuras del compuesto. La frmula C4H10 es compatible con dos ismeros:
butano lineal y metilpropano.
2. Una vez consideradas las posibles estructuras de nuestra frmula molecular, el
anlisis de los espectros permitir distinguir unos ismeros de otros para establecer
cual de ellos corresponde a la sustancia problema.
 SEMICONDUCTORES
Semiconductor (abreviadamente, SC) es un elemento que se comporta como un
conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el
campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla
peridica se indican en la tabla adjunta.

Electrones en
Elemento Grupos
la ltima capa
Cd 12 2 e-
Al, Ga, B, In 13 3 e-
Si, C, Ge 14 4 e-
P, As, Sb 15 5 e-
Se, Te, (S) 16 6 e-

El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque de

idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 16 y 15 respectivamente (Ga As, P In, As Ga Al, Te Cd, Se Cd y S
Cd). Posteriormente se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica
comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin
electrnica sp.

Tipos de semiconductores

Semiconductores intrnsecos

Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la del
carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de conduccin
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas requeridas, a
temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio
respectivamente.

El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer desde el
estado energtico correspondiente en la banda de conduccin a un hueco en la banda de
valencia, liberando as energa. Este fenmeno se conoce como "recombinacin". A una
determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin
se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Sea "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la
concentracin de huecos (cargas positivas), se cumple entonces que:

ni = n = p

donde ni es la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la

temperatura y del elemento en cuestin.

Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):

ni(Si) = 1.5 1010cm-3

ni(Ge) = 2.4 1013cm-3

Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los semiconductores,

ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente elctrica. Si se somete el
cristal a una diferencia de potencial se producen dos corrientes elctricas. Por un lado la
debida al movimiento de los electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la
debida al desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar
a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la
direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos

Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje de

impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las impurezas debern formar parte de
la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de silicio.

Semiconductor tipo N

Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso negativos o electrones).

Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a

los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como
material donante, ya que da algunos de sus electrones.

El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones portadores en el

material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo n considrese el caso del
silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se
forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo 15 de la tabla peridica p. ej.,
fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de
un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn
no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese
caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores
minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un
electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre
en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material
dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

Semiconductor tipo P

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un

cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de
carga libres (en este caso positivos o huecos).

Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente vinculados de

los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material
aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como
huecos.

El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio,
un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le une un tomo
con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la tabla peridica (ej. Al,
Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese
tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco producido que se encontrar en
condicin de aceptar un electrn libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado
por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en
breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de
aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los
electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones
son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb),
que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se
produce de manera natural.