UNIVERSIDAD NACIONAL PEDRO RUIZ GALLO-ESCUELA DE INGENIERIA

ELECTRONICA
Semiconductores
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1. Definicion
Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores
diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se
conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra
de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado
para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja
que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible
seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie
conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.
En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos
cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica
variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al
desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William
Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden,
desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron
transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo,
constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin
embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin
de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se
utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de
corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica
digital, etc.
Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen.
No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y
el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso,
el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de
esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los
tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no
permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una
diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar
conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

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2. Tipos de Semiconductores
Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma:
1. Intrnsecos
2. Extrnsecos
1.- Intrnsecos.- Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra
en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro
de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda
de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres
que se encuentran presentes en la banda de conduccin.
Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor
intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones
pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del
tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all
funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un
tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento
semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica.

Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio

correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los
materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para
saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los
semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones
es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

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2.- Extrnsecos.- Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del
germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la
estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de
germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".
Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita
[como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima
rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el
germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la
corriente elctrica.
En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la
industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato
de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio
es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma
industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco
grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.
El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin
que el silicio, es el cristal de germanio (Ge).
Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos
semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una
especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa.
Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros
elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.
En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es
decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse
formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de
cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en
su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea
donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada
tomo en especfico.
Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su
ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes,
compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de
completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo
slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina,
semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa
estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se
comportan como aislantes.

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3.- Semiconductor Tipo N
Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina
ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la
corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes.
Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos
aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un
metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos
semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima
rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y
compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos
de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar
liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma
se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones
libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa. Como se
puede observar, esta estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio (Sb) para
crear un material semiconductor extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro electrones
en la ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes con los
tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa unin
quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo de
antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas
presentes en esa estructura.

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4.- Semiconductor Tipo P
Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo
dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento
perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o
banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio
quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos
para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que
captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como
una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere
propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P
(positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de
electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si).que forman, como en el caso
anterior, una celosa, dopada ahora con tomos de galio (Ga) para formar un
semiconductor extrnseco. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de
silicio (con cuatro electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen formando
enlaces covalente con los tomos de galio (con tres electrones en su banda de valencia).
En esas condiciones quedar un hueco con defecto de electrones en la
estructura cristalina de silicio, convirtindolo en un semiconductor tipo-P (positivo)
provocado por el defecto de electrones en la estructura.

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5.- Unin semiconductor P-N
Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos
comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores. Est
formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de silicio (Si), aunque
tambin se fabrican de germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel
atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro
intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto
qumico. Es la base del funcionamiento de la energa solar fotovoltaica.
Al colocar parte del semiconductor TIPO P junto a otra parte del semiconductor TIPO N,
debido a la ley de difusin los electrones de la zona N, donde hay alta concentracin de
estos, tienden a dirigirse a la zona P, que a penas los tiene, sucediendo lo contrario con
los huecos, que tratan de dirigirse de la zona P, donde hay alta concentracin de huecos,
a la zona N. Eso ocasiona su encuentro y neutralizacin en la zona de unin. Al
encontrarse un electrn con un hueco desaparece el electrn libre, que pasa ocupar el
lugar del hueco, y por lo tanto tambin desaparece este ltimo, formndose en dicha zona
de la unin una estructura estable y neutra.

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6.- Dopajes
En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de
agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como
intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes
ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente
dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado
degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades
conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo
nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se
dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden
de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje
pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material
de tipo P.
1.Tipo N.- Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan
electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no
se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos
que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del
tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del
semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los
primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de
portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas
introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del
Fsforo, se dona un electrn.

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2. Tipo P.- Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman
un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio.
Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad
elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa
de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos
prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros
sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el
material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad
de tomos de impurezas introducidos.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro
le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco de electrn.

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7- Bandas en los Semiconductores Dopados
La aplicacin de la teora de banda en los semiconductores de tipo n y tipo p, muestra que
las impurezas aaden niveles extras de energa. En el material de tipo n, hay niveles de
energa de electrones cerca de la parte superior de la banda prohibida, de modo que
pueden ser fcilmente excitados hacia la banda de conduccin. En el material de tipo p,
los huecos extras en la banda prohibida, permiten la excitacin de los electrones de la
banda de valencia, dejando huecos mviles en la banda de valencia.
1. Estructura de Banda en el Tipo N
La adicin de impurezas donantes contribuye a subir los niveles de energa de los
electrones en la banda prohibida de los semiconductores, de modo que pueden ser
excitados fcilmente hacia la banda de conduccin. Esto desplaza el nivel de Fermi
efectivo, a un punto a medio camino entre los niveles de los electrones donantes y la
banda de conduccin.
Con la energa proporcionada por un voltaje aplicado, los electrones pueden ser elevados
a la banda de conduccin, y moverse a travs del material. Los electrones se dice que
son los "portadores mayoritarios" del flujo de corriente en un semiconductor de tipo n.
2. Estructura de Banda en el Tipo P
La adicin de impurezas aceptoras contribuye a bajar los niveles de los huecos en la
banda prohibida de los semiconductores, de modo que los electrones pueden ser
fcilmente excitados desde la banda de valencia hasta estos niveles, dejando huecos
mviles en la banda de valencia. Esto desplaza el nivel de Fermi efectivo, a un punto a
medio camino entre los niveles aceptores y la banda de valencia.
Con la energa proporcionada por un voltaje aplicado, los electrones pueden ser
elevados desde la banda de valencia hasta los huecos en la banda prohibida. Dado que
los electrones pueden ser intercambiados entre los huecos, se dice que son mviles. Los
huecos se dice que son los "portadores mayoritarios" para el flujo de corriente en un
semiconductor de tipo p.

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Fuentes de Informacin
http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf
http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_1.htm
http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/default.asp
http://www.youtube.com/watch?v=IMiuD-PNIts&feature=related
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/dsem.html
Introduccin a la Fsica del Estado Solido Charles Kittel

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