MATERIALES

SEMICONDUCTORES

ENLACES QUÍMICOS
EQUIPO “LOS OSCILOSCOPIOS”
Martínez Reyes José Enrique
Hurtado Silva José Julio Ingeniería Mecatrónica
González Sánchez Brenda Electrónica Analógica
Lagunas Domínguez José Luis
Vázquez García Cristian Isaac
■ Toda la materia está compuesta por átomos y un
átomo es la partícula más pequeña de la materia
que se compone de tres partículas básicas:
electrón, protón y neutrón.
■ En el modelo de Bohr, los neutrones y los protones
forman el núcleo y los electrones aparecen en
órbitas alrededor del mismo
■ Todos los elementos tienen un numero atómico
que es igual al número de protones en el núcleo, el
cual es igual al número de electrones en un átomo
eléctricamente balanceado (neutro).
■ La capa de valencia es la más externa de un átomo
donde existen electrones con un alto nivel de
energía y están relativamente enlazados al núcleo.
Estos electrones de valencia contribuyen a las
reacciones químicas y al enlace dentro de la
estructura de un material y determinan sus
propiedades eléctricas
 En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:
conductores, semiconductores y aislantes. Cuando los átomos se combinan para formar
un material sólido cristalino, se acomodan en una configuración simétrica. Los átomos
dentro de la estructura cristalina se mantienen juntos gracias a los enlaces covalentes, que
son creados por la interacción de los electrones de valencia de los átomos.
MATERIAL CONDUCTOR
Es el material que permite un flujo generoso
de carga cuando se aplica una fuente de
voltaje, la mayoría de los metales son buenos
conductores por ejemplo, los metales como el
oro, plata, cobre, aluminio, etc.
Se caracterizan por tener sólo un electrón de
valencia muy flojamente enlazado al átomo.
Estos electrones de valencia flojamente
enlazados se convierten en electrones libres
que son electrones de valencia.
MATERIAL AISLANTE
Este material presenta una gran
resistencia al desplazamiento de las
cargas que lo forman cuando se
encuentran bajo una fuente de
voltaje, por ejemplo materiales
como plástico, madera, cerámica,
vidrio, caucho, mica entre otros.
Un material aislante tiene 8
electrones en su última capa
MATERIAL SEMICONDUCTOR
Es un material que depende de diversos
factores como la presión, temperatura de
ambiente y el campo eléctrico o
magnético y se puede comportar como
un conductor o como un aislante. Los
semiconductores de un solo elemento
están caracterizados por átomos con
cuatro electrones de valencia
Los semiconductores más utilizados en
la construcción de dispositivos
electrónicos son Ge, Si y GaAs
Para entender los semiconductores
mas utilizados debemos conocer
entender la estructura atómica de
cada uno y cómo están enlazados los
átomos entre sí para formar una
estructura cristalina

Los átomos de acuerdo a los

electrones de valencia pueden ser
tetravalentes, trivalentes y
pentavalentes. Valencia se utiliza
para indicar que el potencial de
ionización requerido para remover
cualquiera de estos electrones de la
estructura atómica es
significativamente más bajo que el
requerido para cualquier otro
electrón en la estructura
En un cristal de silicio o
germanio puros, los
cuatro electrones de
valencia de un átomo
forman un arreglo de
enlace con cuatro
átomos adyacentes, este
enlace de átomos,
reforzado por compartir
electrones, se conoce
enlace covalente
El GaAs es un
semiconductor
compuesto, se comparten
entre los dos átomos
diferentes. Cada átomo
está rodeado por átomos
del tipo complementario.
Sigue habiendo
compartición de
electrones similares en
estructura a la de Ge y Si,
pero ahora el átomo de As
aporta cinco electrones y
el átomo de Ga tres.
El término intrínseco se aplica a cualquier material
semiconductor que haya sido cuidadosamente refinado
para reducir el número de impurezas a un nivel muy
bajo, es decir lo más puro posible que se pueda
fabricar utilizando tecnología.

Estas impurezas pueden

alterar la estructura de las
bandas lo suficiente para
cambiar del todo las
propiedades eléctricas
del material.
La impurificación o dopado es la
capacidad de cambiar las características de
un material por ejemplo el germanio, el
silicio y el arseniuro de galio lo aceptan con
facilidad y rapidez
 Un material semiconductor que ha sido
sometido al proceso de dopado se conoce como
material extrínseco

Material tipo n se forma agregando un

número predeterminado de átomos de
impureza a una base de silicio. Un material
tipo n se crea introduciendo elementos de
impureza que contienen cinco electrones de
Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se
valencia (pentavelantes), como el
conocen como átomos donadores antimonio, el arsénico y el fósforo
 El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio
puro con átomos de impureza que tienen tres electrones de valencia. Los
elementos más utilizados para este propósito son boro, galio e indio

Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman

átomos aceptores
 FLUJO DE ELECTRONES CONTRA
FLUJO DE HUECOS
Si un electrón de valencia adquiere suficiente
energía cinética para romper su enlace
covalente y llenar el vacío creado por un
hueco, entonces se creará un vacío o hueco en
la banda covalente que cedió el electrón.
Existe, por consiguiente, una transferencia de
huecos hacia la izquierda y de electrones hacia
la derecha. La dirección es la del flujo
convencional, la cual está indicada por la
dirección del flujo de huecos.
 PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS
En el estado intrínseco, el número de electrones libres en Ge o Si se debe sólo a los electrones
en la banda de valencia que adquirieron suficiente energía de fuentes térmicas o luminosas para
romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser eliminadas. Los vacíos que
quedan en la estructura de enlace covalente representan una fuente muy limitada de huecos. En
un material tipo n, el número de huecos no cambia significativamente con respecto a este nivel
intrínseco
 FUENTES
BIBLIOGRÁFICAS
■ Boylestad, R.L, y Nashelsky L. (2009), Electrónica: Teoría de circuitos y
dispositivos electrónicos, 10° edición, México, Ed. Pearson
■ Malvino A. y Bates D. (2007), Principios de electrónica, 7" Edición,
México, Ed. Mc Graw Hill
■ Dispositivos Electrónicos, 8° edición, Thomas L. Floyd, Ed. Pearson
Education
■ Pleite, G.J., (2009) Electrónica Analógica para Ingenieros, España, Ed.
Mc Graw-Hill Interamericana de España