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Semiconductores

Los semiconductores se clasifican en ese grupo, pero debido a la forma en la que se


agrupan sus átomos (cada átomo permanece equidistante en relación a otros cuatro
átomos, o sea, forman una estructura cristalina).
Estos consiguen alcanzar la estabilidad haciendo cuatro uniones químicas covalentes,
consiguiendo 8 electrones en la última capa, y como consecuencia permanecen
estables químicamente.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos. Los semiconductores
intrínsecos (que también se conocen como semiconductores extremadamente puros)
son cristales que, a través de enlaces covalentes entre los átomos, desarrollan una
estructura de tipo tetraédrico A temperatura de ambiente, estos cristales tienen
electrones que absorben la energía que necesitan para pasar a la banda de
conducción, quedando un hueco de electrón en la banda de valencia.

Características de los semiconductores


Los semiconductores forman Bandas de energía.
Se forman bandas, separadas por espacios vacíos. A la última banda se la llama
banda de conducción. Luego abajo se encuentra la banda de valencia, y por debajo de
las otras capas. En la temperatura 0K, la banda de conducción va a estar totalmente
vacía, y la banda de valencia totalmente ocupada.
Cuando el material se calienta, algunos electrones salen de la banda de valencia y
pasan a la banda de conducción. Esto solamente es posible debido a la ganancia de
energía en el electrón, pues para pasar a una banda superior, debe tener suficiente
energía (representado por ΔE).

Conclusión parcial
Bajo temperatura 0K los semiconductores poseen la capa de valencia totalmente
ocupada y un ΔE relativamente bajo (entre el ΔE de los conductores y de los
aislantes), lo que posibilita controlar la conductividad de ellos variando la temperatura.

Dopaje
Como los semiconductores en condiciones normales presentan una conducción muy
baja, algunos átomos (en un proceso muy preciso) son sustituidos por impurezas, con
la finalidad de aumentar la conductividad.

Impureza donadora
Corresponde a los elementos químicos que poseen cinco electrones en la última capa,
que si se colocan en las estructura del semiconductor, tendrán cuatro electrones
haciendo uniones covalentes (sobra uno, que queda prácticamente libre). El
semiconductor dopado con una impureza donadora es denominado del tipo N.
Semiconductores más utilizados
El silicio es un semiconductor, una clase de materiales cuyas propiedades eléctricas
difieren de las de los metales y de los aislantes. Una singularidad, entre otras, de los
semiconductores es que sus propiedades pueden modificarse drásticamente
incorporando átomos de otros elementos químicos en proporciones muy reducidas.

El germanio es uno de los semiconductores más importantes en la electrónica. Al


igual que éste pueden variarse sus propiedades con mezclándolo con elementos
conocidos como dopantes.

El arseniuro de galio es un semiconductor peculiar. Incluso, en cierto modo, atrevido.


Y es que aunque no forma parte de la estirpe de los semiconductores elementales,
entre los que se encuentra, cómo no, el silicio, tiene unas propiedades que lo hacen
muy atractivo y lo han colocado en el punto de mira de la industria de la electrónica.
Desde hace tiempo los fabricantes de células fotoeléctricas y equipos de
telecomunicaciones, entre otros, se ven obligados a compartirlo con las marcas de
electrónica de consumo, por lo que pronto los usuarios seremos conscientes del
impacto que ya tiene, y tendrá, en nuestras vidas.

¿Qué es un enlace covalente?


Se llama enlace covalente a un tipo de enlace químico, que ocurre
cuando dos átomos se enlazan para formar una molécula, compartiendo
electrones pertenecientes de su capa más superficial, alcanzando gracias a
ello el conocido “octeto estable” (conforme a la “regla del octeto” propuesto por Gilbert
Newton Lewis sobre la estabilidad eléctrica de los átomos). Los átomos así
enlazados comparten un par (o más) de electrones, cuya órbita varía y se
denomina orbital molecular.

Los enlaces covalentes son distintos de los enlaces iónicos, en los que ocurre
una transferencia de electrones y que se dan entre elementos metálicos. Estos últimos,
además, forman moléculas cargadas eléctricamente, llamadas iones: cationes si tienen
carga positiva, aniones si tienen carga negativa.

Semiconductor tipo n
Es el que está impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas
pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n,
reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensión al semiconductor de la figura, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha.
Cuando un hueco llega al extremo derecho del cristal, uno de los electrones del
circuito externo entra al semiconductor y se recombina con el hueco.
Los electrones libres de la figura circulan hacia el extremo izquierdo del cristal, donde
entran al conductor y fluyen hacia el positivo de la batería.
Un semiconductor tipo N se obtiene añadiendo un cierto tipo de átomos al
semiconductor para aumentar el número de portadores de cargas. Los átomos que
añaden son átomos pentavalentes (5 electrones en el orbital de valencia), como el
arsénico, antimonio y el fósforo.
Como el número de electrones es mayor que el de huecos, los electrones reciben el
nombre de portadores mayoritarios, y los huecos portadores minoritarios.

Las Impurezas tipo N más utilizadas en el proceso de dopado son el arsénico, el


antimonio y el fósforo
Está claro que si a un semiconductor dopado se le aplica tensión en sus bornes, las
posibilidades de que aparezca una corriente en el circuito son mayores a las del caso
de la aplicación de la misma tensión sobre un semiconductor intrínseco o puro.

Los átomos del silicio tienen una valencia atómica de cuatro, por lo que se forma
un enlace covalente con cada uno de los átomos de silicio adyacentes. Si un átomo
con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla periódica
(ej. fósforo (P), arsénico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el
lugar de un átomo de silicio, entonces ese átomo tendrá cuatro enlaces covalentes y
un electrón no enlazado
Semiconductor tipo p
Es el que está impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes.
Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son los
portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensión, los electrones libres se mueven hacia la izquierda y los
huecos lo hacen hacia la derecha. En la figura, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito externo.

Se obtiene mediante un proceso de dopaje añadiendo un cierto tipo de átomos al


semiconductor para aumentar el número de portadores de carga libres positivos o
huecos. Las impurezas aportan vacantes (no huecos consecuencias del salto de
un electrón) que tienen un nivel energético ligeramente superior al de la banda de
valencia por lo que los electrones saltarán con más facilidad a la vacante que a la
banda de conducción, dejando huecos en la banda de valencia . Por ejemplo si el
silicio fuese dopado con un elemento trivalente, este aportaría una vacante con un
nivel energético superior ligeramente a la banda de valencia, del orden de 0,01 eV.

Kevin Villacis Avelino 2/b Electrónica

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