Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería Eléctrica

Ingeniería Electromecánica
Circuitos Electrónicos - Laboratorio
Sobenis Hamilton
LABORATORIO N°2: AMPLIFICADOR FUENTE COMÚN

Nombre: Alfonso Oro Loo

Cédula: 8-900-2101
e-mail: alfonsooro1987@gmail.com

Nombre: ……………
Cédula: 8-916-2243
e-mail: valdez.g507@gmail.com

Nombre: Gervacio Valdez

Cédula: 8-916-2243
e-mail: valdez.g507@gmail.com

1. Introducción

Podemos decir que el amplificador de fuente común (la fuente es común a la entrada y a la salida) es una de
las configuraciones más usuales de amplificación con transistores MOSFET. Esto se debe a que permite una
ganancia significativa siempre y cuando se consideren cuidadosamente los parámetros de diseño. Los
MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drenador y la fuente, al
aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de
manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el
sustrato originalmente.

El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un

aumento de la cantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede
formarse con un incremento en la concentración de electrones (en un nMOSFET o NMOS), o huecos (en un
pMOSFET o PMOS). p.

El diseño formulado parte de la utilización de un divisor de voltaje en la compuerta del transistor de manera
que se obtenga un voltaje VGS óptimo para la amplificación. El transistor de efecto de campo metal-óxido-
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor
utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas.

2. Materiales y métodos

Materiales

Los materiales empleados para el desarrollo del laboratorio de amplificador emisor común.

 1-Multímetro
 1-Fuente de voltaje DC
 1-Osciloscopio de dos canales
 1-Generador de Fusiones
 Resistores(Rd=Rs=120 Ω, R1=R2=10kΩ)
 Capacitores
 1-NMOS de enriquecimiento (2N7000)
 Conexiones
 1-Protoboard
 3. Métodos

 Primer paso:
Como sabemos obteniendo las especificaciones del fabricante obtenemos valores a V TN y k del NMOS, luego
se diseña los valores de las resistencias R1, R2, RS y RD para el punto de operación asignado y se elige valores
comerciales de R los más cercanos a los calculados anteriormente. Se obtiene una tabla de datos de las
resistencias, se recalcula el punto de operación con las resistencias comerciales escogidas. Se armó el
circuito mostrado en la fig.1 para este laboratorio y se midió con la señal de excitación en cero para
determinar el punto de operación del circuito. Al final se hace una comparación con los valores calculados.
Se estima el valor de vgs requerido para la operación lineal consultando con el libro de texto.

Fig.1 Circuito propuesto del amplificador de fuente común con MOSFET

 Segundo paso:
Calculamos el valor aproximado de la resistencia del generador de fusiones Rg. Con el osciloscopio
comparamos la señal de entrada y luego colocamos una carga de prueba y medimos la señal de salida,
mostrado en la fig. 2 y 3

Estas pruebas se darán en el programa multisin con el fin de reforzar cálculos.

Fig. 2 Circuito de prueba en vacío

Se coloco una resistencia sola con el generador de señales con su respectiva puesta a tierra para ver el valor
de la resistencia de generador de funciones, un método factible en simulaciones con multisin.
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Fig. 3 Circuito de prueba con carga

Este circuito se realizó común potenciómetro de valor de 1komhs a 50% de su capacidad.

Calculamos la ganancia Vo/ Vg e Io/Ig. Obtenemos Rsalida y Rentrada. Ajustamos el voltaje de la señal de
excitación lentamente, observamos la señal de salida en la carga hasta alcanzar el Vopp máximo posible sin
distorsión. Se mide los voltajes de salida y de excitación usando el osciloscopio y se determina su relación
de fase. Calculamos la ganancia de voltaje y de corriente usando las mediciones tomadas y se hace una
comparación de los valores medidos con los valores calculados analíticamente.

4. Resultados y Discusión

 Comprendiendo las especificaciones del fabricante obtenga los valores correspondientes a VTN y k
del NMOS seleccionado.

Los valores 𝑉𝑇𝑁 y k de NMOS 2N7000 aparecen en la hoja de especificaciones del fabricante, para este caso
utilizamos la hoja del fabricante “MOTOROLA” quien presenta las especificaciones de forma clara.

Los valores de 𝑉𝑇𝑁 para nuestro MOSFET oscilan entre 0.8V como valor mínimo y 3.0V de acuerdo al
datasheet, esto se debe a la presencia de portadores minoritarios los cuales dependen de la temperatura.
Para la resolución de nuestro circuito adoptaremos una temperatura ambiente de 25°C como la
temperatura de operación del transistor tal que si verificamos en la curva de transferencia del transistor
(Figure 2) podemos observar que el valor de 𝑉𝑇𝑁 queda determinado como

𝑉𝑇𝑁 = 2.6𝑉 (1)

El datasheet del fabricante no presenta el valor de “k” el cual es una constante que depende de los métodos
de fabricación utilizados para el MOSFET, sin embargo el datasheet nos presenta la curva característica
𝐼𝐷 𝑣𝑠 𝑉𝐷𝑆 , (Figura 1.) la cual podemos utilizar junto a la ecuación de corriente para la región saturada.

La ecuación para un MOSFET de enriquecimiento canal N que trabaja en la región de saturación es:

𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2 (2)

Esto es cierto cuando se considera que el FET trabaja en la región de saturación y no existe o se desprecia el
fenómeno de modulación de la longitud de canal, de tal forma que se cumpla la condición 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁
donde el transistor trabaja en la región de saturación y cualquier aumento de 𝑉𝐷𝑆 no ocasiona aumento en
la corriente 𝐼𝐷 . De esta manera utilizamos la siguiente ecuación para calcular k a diversos valores de 𝐼𝐷 y 𝑉𝐺𝑆 .
 𝐼𝐷
𝑘= (3)
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2

A partir de la ecuación (3) y de la curva de transferencia (Figura 2), podemos armar la siguiente tabla de
valores:

Tabla 1. Muestra la relación entre los valores de ID, VGS, VTN, y k

Valor de K para diversos valores de Q

ID(A) VGS(V) VTN(V) k(mA/V^2)
0.20 4.00 2.60 102.040816
0.30 4.66 2.60 70.6946932
0.40 5.33 2.60 53.6703833
0.50 5.85 2.60 47.3372781
0.60 6.30 2.60 43.8276114
0.70 6.75 2.60 40.6445057
0.80 7.15 2.60 38.642676
0.90 7.60 2.60 36
1.00 8.00 2.60 34.2935528

Como podemos ver el valor de la constante k disminuye a medida que el valor 𝑉𝐺𝑆 aumenta. Debe notarse
que los valores utilizados de 𝑉𝐺𝑆 están por encima del voltaje de umbral, sabemos que los MOSFET de
enriquecimiento canal N operan de tal forma que el voltaje de compuerta atrae a los portadores
minoritarios del sustrato tipo P y a su vez repele a los portadores mayoritarios formando un canal tipo N que
permite el flujo de electrones del terminal de drenaje a la fuente. A medida que el voltaje de compuerta 𝑉𝐺𝑆
aumenta, la cantidad de portadores minoritarios del material tipo P disponibles para formar parte del canal
N disminuyen tal que se alcanza un punto donde la variación de 𝑉𝐺𝑆 no contribuye al aumento de la
corriente 𝐼𝐷 y se dice que el canal esta saturado. Esta es la razón por la cual el valor de la constante k a
pesar de ser producto de la geometría y las técnicas de fabricación del transistor FET varía en función del
valor de 𝑉𝐺𝑆 .

Esto nos permite graficar el valor de k vs 𝑉𝐺𝑆 y obtener la ecuación que nos permita obtener el valor de k
para diferentes valores de 𝑉𝐺𝑆 dentro del rango de operación. (Grafica 1.A)
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También podemos definir una relación entre k y 𝐼𝐷 a partir de la tabla anterior y generar un gráfico por
medio del cual obtener la ecuación que nos permita obtener el valor de k para un valor determinado de Id.
(Grafica 1.B)

Grafica 1. Muestra la relación entre k vs VGS y k vs ID

300 k vs VGS
k vs VGS
250
Poly. (k vs
200 VGS)
k(mA/V2)

Poly. (k vs
150 VGS)
100

50

0
2.00 4.00 6.00 8.00 10.00
k= 5.5314x2 - 81.297x + 334.18 VGS(V)
R² = 0.9741
k= 0.479x4 - 13.603x3 + 145.04x2 - 693.76x + 1304.4

k vs Id
250
k vs Id
200
k(mA/V2)

150 Poly. (k vs Id)

100

50

0
0.00 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00
Id(A)
y = 680.02x4 - 2010.8x3 + 2196.2x2 - 1075.3x +
244.24
R² = 0.9997
 Figura 3. Muestra el circuito para el cual se deben calcular los puntos 4.2 y 4.3

Debemos ahora diseñar el circuito de polarización por división de voltaje del MOSFET-E Canal N obteniendo
el valor de las resistencias 𝑅1 , 𝑅2, 𝑅𝐷, 𝑅𝑠 . Para esto debemos empezar con un análisis DC de la malla de salida.

A partir de la imagen del circuito tenemos que:

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆 + 𝐼𝐷 ∙ 𝑅𝑆

𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 ∙ (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) + 𝑉𝐷𝑆

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
= 𝐼𝐷 (4)
(𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

𝑝𝑒𝑟𝑜 𝑠𝑖 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 ) = 𝑅𝑇 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠:

𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐷𝑆
= 𝐼𝐷 (5) 𝑜 = 𝑅𝑇 (6)
𝑅𝑇 𝐼𝐷

Donde:

𝑉𝐷𝐷 : Es el voltaje entregado por la fuente DC.

𝑉𝐷𝑆 : Es el voltaje de caída entre el terminal D y S el cual debemos analizar para asegurarnos que el valor de
la corriente 𝐼𝐷 en nuestro punto de operación se mantenga estable y constante para determinado valor
𝑉𝐷𝑆 .

𝑅𝑇 : Es el valor de la resistencia total disponible en la malla de salida en el análisis DC el cual podemos variar
entre 𝑅𝐷 𝑦 𝑅𝑆 para asegurar nuestro punto de operación.

Para obtener el valor de 𝑅𝑇 que podemos distribuir entre las resistencias 𝑅𝐷 𝑦 𝑅𝑆 de la malla de salida del
análisis DC para asegurar nuestro punto de operación, debemos definir los valores de 𝑉𝐷𝐷 , 𝑉𝐷𝑆 y 𝐼𝐷 .

Para 𝑽𝑫𝑫 , podemos escoger entre los valores de 12V, 15V y 18V.

Para 𝑰𝑫 , los valores pueden oscilar entre 0A y 1A.

Para 𝑽𝑫𝑺 , debemos considerar para que intervalos de 𝐼𝐷 un valor determinado de 𝑉𝐷𝑆,𝑚í𝑛𝑖𝑚𝑜 permite una
corriente 𝐼𝐷 constante a ambos lados de tal valor ya que se debe cumplir la relación 𝑉𝐷𝑆 ≥ 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 . Para
esto solo hacemos una inspección de la curva característica del FET (Figura 2.) y generamos la siguiente
tabla.
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Tabla 2. Muestra que valores de VDS mínimos mantienen la corriente ID constante.

Intervalo de ID (A) VDS mínimo (V)

0<ID<0.2 3.00
0.2<ID<0.4 3.00
0.4<ID<0.6 4.00
0.6<ID<0.8 4.00
0.8<ID<1.0 4.50

Teniendo estos datos disponibles podemos establecer las variables de la ecuación (6) a valores fijos con el
fin de encontrar el valor de 𝑅𝑇 del cual disponemos para distribuir entre las resistencias 𝑅𝐷 𝑦 𝑅𝑆 .

Fijando entonces el valor de 𝑉𝐷𝐷 a 18V, haciendo variar el valor de 𝐼𝐷 en el intervalo 0A<ID<0.2A y
asumiendo 𝑉𝐷𝑆 como 6V podemos generar una tabla que nos permita verificar distintos valores de 𝑅𝑇 y
seleccionar el más adecuado. (Tabla 3)

Tabla 3. Muestra los valores de la Resistencia total en la malla de salida la cual debe ser repartida entre R S y
RD.

Tabla de selección de RT
VDD(V) VDS(V) ID(mA) RT(Ohm)
18 6 1 12000
18 6 2 6000
18 6 3 4000
18 6 4 3000
18 6 5 2400
18 6 10 1200
18 6 20 600
18 6 30 400
18 6 40 300
18 6 50 240

La siguiente tabla 4 nos muestra algunos de los valores comerciales de resistencias:

Tabla 4. Muestra los valores de resistencia comerciales disponibles.

Sabemos que a medida que la corriente 𝐼𝐷 aumenta, también aumenta 𝑉𝐺𝑆 lo que es favorable ya que a
medida que 𝑉𝐺𝑆 se aleja de 𝑉𝑇𝑁 , el MOSFET posee un canal bien definido para el paso de la corriente, por lo
tanto elegimos el último caso de la tabla donde:

Ya que 𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 = 𝑅𝑇 podemos hacer que 𝑅𝐷 = 𝑅𝑆 = 120Ω

En este punto solo hace falta determinar el valor de 𝑉𝐺𝑆 que nos permitirá luego determinar el valor de las
resistencias R1 y R2, esto lo hacemos a partir de la ecuación:

𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2 (7)

Sin embargo debemos determinar el valor de k en nuestro punto de operación o sino un valor de k
aproximado que nos permita hacer una “aproximación para obtener el valor de 𝑉𝐺𝑆 , que nos asegura una
corriente de 50mA.

Debido a que empezamos nuestro análisis en la malla de salida, es viable que utilicemos una expresión que
relacione el valor de k con el valor 𝐼𝐷 , por suerte esta expresión la obtuvimos mediante la utilización de las
técnicas de regresión polinomial en los procesos anteriores.

Por consiguiente el valor de k como función de la corriente 𝐼𝐷 queda expresada como:

𝑘 = 680.02𝐼𝐷4 − 2010.8𝐼𝐷3 + 2196.2𝐼𝐷2 − 1075.3𝐼𝐷 + 244.24 (8)

𝑚𝐴
Donde k esta expresada en y 𝐼𝐷 esta expresado en ampere.
𝑉2

Evaluamos entonces k en la ecuación (8) con 𝐼𝐷 = 50𝑚𝐴 = 0.050𝐴 y obtenemos un valor de k igual a:
𝑚𝐴
195.7184001 2
𝑉

Obtenemos entonces el valor de 𝑉𝐺𝑆 a partir de la manipulación de la ecuación (7)

𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2

𝐼𝐷
= (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2
𝑘
𝐼
𝑉𝐺𝑆 = √ 𝐷 + 𝑉𝑇𝑁
𝑘

𝑚𝐴
Reemplazamos entonces los valores 𝐼𝐷 = 50𝑚𝐴, 𝑘 = 195.7184 y 𝑉𝑇𝑁 = 2.6𝑉 teniendo como
𝑉2
resultado:

𝑉𝐺𝑆 = 3.10543949𝑉

Este valor de 𝑉𝐺𝑆 debe ser obtenido mediante divisor de voltaje por lo tanto debemos definir los parámetros
que afectan su valor de la siguiente manera:

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝑉𝑆
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Donde:
𝑉𝐷𝐷 𝑅2
𝑉𝐺 =
𝑅1 +𝑅2
𝑉𝑠 = 𝐼𝐷 𝑅𝑆
Entonces:
𝑉𝐷𝐷 𝑅2
𝑉𝐺𝑆 = − 𝐼𝐷 𝑅𝑆 (9)
𝑅1 +𝑅2
Sabiendo que:
𝑉𝐺𝑆 = 3.10543949𝑉
𝑅𝑆 = 120Ω
𝐼𝐷 = 50𝑚𝐴 = 0.050𝐴
Entonces:
𝑉𝐷𝐷 𝑅2
= 𝑉𝐺𝑆 + 𝐼𝐷 𝑅𝑆
𝑅1 +𝑅2
𝑉𝐷𝐷 𝑅2
= 3.1054𝑉 + 0.050𝐴 ∙ 120Ω = 9.1054𝑉
𝑅1 +𝑅2

Mediante este valor, planteando el siguiente sistema de ecuaciones podremos determinar los valores de
𝑅1 𝑦 𝑅2 .
𝑉𝐷𝐷 𝑅2
= 9.1054𝑉 𝑉𝐷𝐷 = 18𝑉
𝑅1 +𝑅2
𝑅1 = 10𝑘Ω 𝑜𝑏𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠 𝑅2 = 10.23𝑘Ω

Sin embargo el valor de 𝑅2 no es un valor comercial de resistencia, además el valor de 𝑉𝐺 se aproxima

mucho al valor de 9V que corresponde al mismo valor de divisor de voltaje que tendría 𝑉𝐺, si 𝑅1 𝑦 𝑅2 fuesen
iguales
Por lo tanto podemos decir que 𝑅1 𝑦 𝑅2 son iguales y que su valor es de 10kΩ.

De esta manera nuestro punto de operación y los valores de las resistencias utilizadas para la polarización
del circuito quedarían definidas como:

𝑉𝐷𝐷 = 18𝑉
𝑉𝐺𝑆𝑄 = 3.0𝑉
𝑉𝐷𝑆𝑄 = 6.0𝑉
𝐼𝐷𝑄 = 50𝑚𝐴
𝑚𝐴
𝑘 = 195.7184 2
𝑉
𝑉𝑇𝑁 = 2.6𝑉
𝑅1 = 𝑅2 = 10𝑘Ω
𝑅𝐷 = 𝑅𝑆 = 10𝑘Ω
 Figura 4. Muestra el circuito de polarización por divisor de voltaje final

Tabla 5. Valores de las Resistencias del Circuito

Valores de Diseño Valores Comerciales

R1 10kΩ 10kΩ
R2 10kΩ 10kΩ
RS 120Ω 120Ω
RD 120Ω 120Ω

Mediante la simulación en multisim donde nos arrojara los valores de las entradas para saber el voltaje que
allí pasan, para una mayor comprensión tenemos lo siguiente (Figura 5):

Figura 5. Muestra los resultados de la simulación utilizando los valores de resistencias obtenidos a partir del
método analítico

4.1 Recalcule el punto de operación estática con los resistores comerciales escogidos.
No ha de ser necesario puesto que el análisis fue desarrollado con tal precisión que los valores
obtenidos del método analítico son los mismos que los valores experimentales.

4.2 Arme el circuito propuesto usando los capacitores y la carga RL asignados por su instructor. Con la
señal de excitación en cero determine por medición el punto de operación del circuito. Anote sus
mediciones. Compare los valores medidos con los calculados.
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La comparación se muestra en la siguiente tabla 6.

Tabla 6. Muestra los valores calculados y los medidos durante la experiencia.

Parámetro Valores Valores

Calculados Medidos
Idq 50mA 57.2mA
Vgsq 3.0V 1.9V
Vdsq 3.0V 0.75V
Podemos decir quelos valores calculados a partir del método analítico se asemejan notoriamente a los
valores obtenidos mediante la simulación, durante la experimentación los valores medidos directamente del
circuito a partir del uso de los equipos de medición pertinentes muestran una diferencia considerable. Esto
puede ser de esta manera debido a la tolerancia de las resistencias. Además sabemos que el valor de k
como parámetro de funcionamiento del transistor varía con la temperatura de tal manera que podríamos
deducir que para el funcionamiento de los transistores el control adecuado de los parámetros de
funcionamiento son importantes para obtener el resultado analítico que buscamos.

4.6 Estime el valor de vgs requerido para la operación lineal y anótelo.(Consulte su libro de texto)

De la ecuación de saturación:
𝐼𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2

Podemos escribir en presencia de una señal de la siguiente forma

𝑖𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑣𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )^2

Donde 𝑣𝐺𝑆 = 𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝑔𝑠 por lo tanto la expresión anterior podemos escribirla como:
𝑖𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 + 𝑣𝑔𝑠 − 𝑉𝑇𝑁 )^2
𝑖𝐷 = 𝑘 ∙ ((𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ) + 𝑣𝑔𝑠 )^2
𝑖𝐷 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )2 + 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ) ∙ 𝑣𝑔𝑠 + 𝑘 ∙ 𝑣𝑔𝑠 2

Donde la componente DC de la corriente corresponde al primer término y los dos restantes son la
componente AC.

Analizamos la componente AC
𝑖𝑑 = 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ) ∙ 𝑣𝑔𝑠 + 𝑘 ∙ 𝑣𝑔𝑠 2

Para la condición de pequeña señal, el segundo término de la componente AC de la corriente 𝐼𝐷 se desprecia

para valores pequeños de 𝑣𝑔𝑠 lo que aproxima el aporte de la componente AC de la corriente al primer
término. Esto se hace porque para valores de 𝑣𝑔𝑠 elevados el término al cuadrado distorsiona la linealidad
de la expresión de corriente.

Se establece entonces que:

𝑘 ∙ 𝑣𝑔𝑠 2 ≪ 𝑘 ∙ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 ) ∙ 𝑣𝑔𝑠

𝑣𝑔𝑠 ≪ (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝑁 )
Para nuestro caso:
𝑉𝐺𝑆 = 3.0𝑉 𝑦 𝑉𝑇𝑁 = 2.6𝑉
𝑣𝑔𝑠 ≪ 0.4𝑉
 0.15 ≪ 0.4𝑉

4.7 Estime por medición el valor de Rg del generador de señales usando el osciloscopio tal como se
indica en la figura 6 y 7. Anote el valor medido y compárelo con el dato de placa del generador de
señales.

Fig. 6. Circuito de prueba en vacío

Fig. 7. Circuito de prueba con carga

El valor obtenido a partir de la práctica para la resistencia del generador de funciones es de 480 ohm.

4.8 Calcule analíticamente la ganancia de Vo/Vg e Io/Ig.

La ganancia de voltaje, sin tomar en consideración RL y Rg, es:

𝑔𝑚𝑅𝐷 𝑖𝑑
𝐴𝑣 = − donde 𝑔𝑚 = y RD = Rs =120 ohms.
1+𝑔𝑚𝑅𝑠 𝑉𝑔𝑠

Mantenemos a RL como despreciado y agregando Rg, se usa la siguiente ecuación para obtener la
ganancia de voltaje:

𝑅𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
𝐴𝑣𝑠 = ∗ 𝐴𝑣
𝑅𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 + 𝑅𝑔
Rentrada = 5 kilo ohms (procedimiento en inciso 4.9)
𝑅
𝐴𝑣𝑠 = 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 ∗ 𝐴𝑣 = -0.60827
𝑅𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 +𝑅𝑔
Para el cálculo de ganancia de corriente se usa la siguiente relación:
𝐼𝑜 𝑉𝑜 𝑅𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎 𝑅𝑒𝑛𝑡𝑟𝑎𝑑𝑎
= ∗ = 𝐴𝑣𝑠 ∗ = −25.34469
𝐼𝑖 𝑉𝑖 𝑅𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎 𝑅𝑠𝑎𝑙𝑖𝑑𝑎

4.9 Calcule analíticamente Rsalida y Rentrada.

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Rentrada, sin tomar en consideración Rg, es igual a = R1 // R2 = 5 kilo ohms. Esta Rentrada está en serie
al Rg de la fuente.
Rsalida sin tomar en consideración RL, es igual a R3 = 120 ohms. Si se toma en consideración RL, la
Rsalida sería igual a = R3 // RL. Asumimos que RL no tiene valor, no existe, se desprecia.

5. Conclusión
Podemos concluir que los amplificadores de fuente común (la fuente es común a la entrada y a la salida) es
una de las configuraciones más usuales de amplificación con transistores MOSFET comprendimos que esto
se debe a que permite una ganancia significativa siempre y cuando se consideren cuidadosamente los
parámetros de diseño, decimos que los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de
un canal entre el drenador y la fuente, agregamos que A pesar que los valores calculados a partir del método
analítico se asemejan notoriamente a los valores obtenidos mediante la simulación, durante la
experimentación los valores medidos directamente del circuito a partir del uso de los equipos de medición
pertinentes muestran una diferencia considerable. Esto puede ser de esta manera debido a la tolerancia de
las resistencias y también Debido a que empezamos nuestro análisis en la malla de salida, es viable que
utilicemos una expresión que relacione el valor de k con el valor 𝐼𝐷 , por suerte esta expresión la obtuvimos
mediante la utilización de las técnicas de regresión polinomial en los procesos anteriores.

6. Referencias bibliográficas

 Guía de laboratorio n°2 dada por el instructor.

 Libro de microcontroladores Sedra
 SADIKU M. 2013, “Fundamentos de circuitos eléctricos”, ed. 5a, McGraw Hill.