UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

FACULTAD DE INGENIERÍA

GUÍA DE PRÁCTICAS VERSIÓN: 1

PERÍODO ACADÉMICO: Mayo 2020 –Octubre 2020 Página 1 de 7

CARRERA: DOCENTE: SEMESTRE: Tercero

Ingeniería en Telecomunicaciones Mgs. Marco A. Nolivos Vimos PARALELO: A
NOMBRE DE LA ASIGNATURA: CÓDIGO DE LA ASIGNATURA: LABORATORIO A UTILIZAR:
Electrónica Básica TEB220332 Laboratorio de Electrónica A
Tema:
Diseñar e Implementar un circuito
No. Estudiantes (por Grupo)
Práctica No.: utilizando transistores JFETs o Duración (horas) No. Grupos
MOSFETs en canal N y canal P, 02:00 5
09 polarizandos mediante el método de 10
auto polarización.

Grupo 8

Integrantes:

 Quishpi Johana
 Rochina Miriam
 Reyes Alex
 Rodríguez Brithany

Objetivos de la Práctica:

 Determinar el punto de operación para los transistores JFETs o MOSFETs utilizando un circuito en
auto-polarización en DC.
 Determinar los valores de voltajes y corrientes medidos en el circuito y comparar con los valores
calculados, encontrar el porcentaje de error y el comportamiento de los transistores en el circuito.

Equipos, Materiales e Insumos:

 Guía de práctica.
 Fuente de voltaje en DC.
 Multímetro digital.
 Osciloscopio de dos canales.
 Protoboard.
 Transistores JFET o MOSFET.
 Elementos resistivos.
 Cables de potencia.
 Cables telefónicos de diferente tamaño.
Procedimiento:

 Implementar el circuito en Auto polarización en el Protoboard para transistores de canal N y canal P.

 Calcular matemáticamente los valores de voltajes y corrientes de polarización.
 Medir los voltajes y corrientes de polarización en cada uno de los elementos del circuito.
 Comparar los valores de voltajes y corrientes de polarización calculados con los valores medidos.
 Realizar el informe correspondiente.

Introducción:
Mediante la presentación de este informe, se muestra el desarrollo de circuitos en configuración de auto-
polarización por medio de la utilización de transistores. También conocida como auto-polarizado por
resistencia de fuente: en este circuito solo se usa una fuente, que es la del drenador suprimiendo la fuente de
puerta. Y se acopla una resistencia de surtidor. Se realizan los cálculos y medidas necesarias para lograr los
objetivos propuestos en la práctica.

Fundamento teórico:
Transistor JFET
El JFET es un dispositivo de tres terminales, estas son: la compuerta (G), drenaje (D) y fuente (S). Un transistor
JFET está formado por el semiconductor que se conecta a las terminales de fuente y drenaje. El material
restante está conectado entre sí para directamente a la compuerta. Cabe señalar que en la unión tenemos una
región de empobrecimiento. La polarización del JFET está en función a la diferencia de potencial entre los
materiales semiconductores. Esto aumenta la región de agotamiento y regula la cantidad de corriente que
circula en el canal drenaje-fuente. Una vez que el voltaje genere una región de agotamiento suficientemente
grande, se tiene la condición de estrangulamiento.

Ilustración 1 Transistor JFET

Transistor MOSFET
En un transistor Canal N, el sustrato es de semiconductor tipo p, este se conecta de manera interna a la
terminal de la fuente. La fuente y drenaje, están conectadas a un material tipo n a través de un contacto
metálico, sin embargo en este caso no tenemos un canal que conecte estas terminales. La compuerta, sigue
conectada a una placa metálica, separada al material del sustrato por un oxido de silicio, con propiedades
dieléctricas. A continuación, se observan los transistores MOSFET de enriquecimiento canal N y canal P.
 Ilustración 2 Transistor MOSFET

Ilustración 3 Funcionamiento de transistores

Circuito de Auto-polarización de Fuente

Esta configuración es válida para polarizar tanto un MOSFET de deplexión como un JFET.
La configuración de auto-polarización elimina la necesidad de dos fuentes de dc. El voltaje de control de la
compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través del resistor RS, que se conecta en la terminal de la
fuente de la configuración.
 Ilustración 4 Configuración de auto-polarización
En efecto, para verlo vamos a trazar la recta de carga estática en la curva de transferencia del dispositivo.
Puesto que IG = 0 , de la malla puerta-fuente obtenemos que:

Es la ecuación de la recta de carga estática que pasa por el origen de coordenadas y presenta una pendiente
−1
igual a . Su intersección con la característica de transferencia del dispositivo nos dará el punto de reposo
Rs
Q. Este circuito sólo es válido para V T < 0 y hay que tener en cuenta que NO garantiza el funcionamiento en la
REGIÓN DE SATURACIÓN. Para que así fuera:

Ilustración 5 Curva característica y punto Q

Al conectar un transistor de mayor ganancia, la corriente de colector tiende a aumentar. Este aumento hace
que la caída de tensión sobre R sea mayor o, es decir, la tensión de colector disminuye.

Al bajar la tensión de alimentación de RB (tensión de colector), disminuye lógicamente la corriente IB y tiende

a hacer disminuir la corriente de colector IC, se compensa así el incremento originado por el transistor. Si bien
esta auto-compensación no es perfecta, permite que la corriente Ic se mantenga dentro de límites razonables,
aun cuando se emplean transistores de ganancias dispares.

Resultados:
Ilustración 6 Configuración en Canal n
Cálculo en Canal n
 I D =0
 V GS=−I D ( RS )
V GS= ( 0 ) (680 Ω )
V GS=0V

 I DS =4 mA
I D =I DS=4 mA
 V GS=−I D RS
V GS=−( 4 mA )( 680 Ω )
V GS=−2.92V

 I D =2.25 mA
 V GS=−1.5V

Ilustración 7 Valores medidos en Configuración en Canal n

Conclusiones:
Por medio de la realización de esta práctica de laboratorio se logró diseñar y analizar el
funcionamiento de un circuito en auto-polarización en DC.
 Mediante el cálculo necesario y las herramientas del simulador utilizado, se pudo determinar los
valores de corriente y voltaje del circuito, a su vez se comparó la similitud de ambos.
Con la puesta en práctica de la materia compartida en clases, y las investigaciones extras hechas por el
grupo, se lograron los objetivos propuestos, al determinar el punto de operación en los transistores
utilizados.
Recomendaciones:
Se recomienda realizar la práctica con un tiempo prudente, de este modo es posible revisar y corregir
errores, que con poco tiempo, pueden ser pasados por alto.
Distribuir el trabajo de forma equitativa, para agilizarlo y lograr un mejor resultado.
Investigar el tema antes de empezar a desarrollar la práctica y consultar en la materia de clase para
comprobar que lo realizado esta correcto.

Anexos:

Ilustración 8 Anexo 1 Cálculos para el canal n

Referencias bibliográficas:
 https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2666/mod_resource/content/1/electro_dis/ensenanzas-
tecnicas/electronica-de-dispositivos/tema-17.pdf
https://www.ecured.cu/Circuitos_de_polarizaci%C3%B3n#Auto_polarizaci.C3.B3n
https://sites.google.com/a/goumh.umh.es/circuitos-electronicos-analogicos/transparencias/tema-3#TOC-
Introducci-n:-Tipos-s-mbolos-y-convenio-de-signos
http://www.electronicasi.com/wp-content/uploads/2013/05/Electronica-digital-y-microprogramable-
Transistores1.pdf
https://hetpro-store.com/TUTORIALES/jfet-vs-mosfet/

Fecha de Revisión y Aprobación:

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Firma Director de Carrera Firma Docente