PRACTICA CALIFICADA N° 4.

LABORATORIO

AMPLIFICADORES DE PEQUEÑA SEÑAL CON TRANSISTORES

FACULTAD CURSO AMBIENTE

INGENIERÍA DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS LABORATORIO C305
ELECTRÓNICOS

1. LOGRO GENERAL DE LA UNIDAD DE APRENDIZAJE

 Al finalizar la unidad el estudiante conoce el funcionamiento de los

transistores y la operación en un circuito práctico.

2. OBJETIVOS ESPECÍFICOS DE LA PRÁCTICA DE LABORATORIO

1.
2.
 Comprobar el funcionamiento de los transistores BJT como amplificadores de
señal.

3. MATERIALES Y EQUIPOS

 1 Transistor 2N2222
 1 Transistor 2N3904
 03 Capacitores electrolíticos de 10uF/50v
 01 Capacitores electrolíticos de 100uF/50v
 02 Capacitor electrolíticos de 33uF/50V
 02 Resistores de 10K, 5.6K – 1/2w
 01 Resistor de 220 Ohmios – 1/2w
 01 Resistor de 1k – 1/2w
 01 Resistor 8.2K – 1/2w
 01 Resistor 18K – 1/2w
 01 Resistor de 100 Ohmios– 1/2w
 01 Resistor 560 Ohmios – 1/2w
 01 Multímetro digital
 01 Protoboard
 Cables de conexión para el circuito

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  Generador de funciones
 Osciloscopio digital
 01 Fuentes de tensión continua +12v

4. FUNDAMENTO TEÓRICO

3.
4.

4.1. Transistor BJT

El Transistor de Unión Bipolar (BJT, por sus siglas en inglés) es un dispositivo
semiconductor utilizado para amplificar o conmutar señales eléctricas. Se compone
de tres regiones de material semiconductor: una región de tipo P (positivo), una
región de tipo N (negativo) y otra región de tipo P. Estas regiones se denominan
emisor, base y colector, respectivamente.

Existen dos tipos de transistores BJT: el NPN y el PNP. A continuación, te

presentaré la teoría básica del BJT NPN, que es el más comúnmente utilizado.

Cuando una corriente de base (IB) fluye a través de la unión base-emisor, se

establece una corriente de colector (IC) en la unión base-colector, amplificando así
la señal. El BJT opera en tres modos principales: activo, corte y saturación.

Modo activo: En este modo, el transistor BJT se encuentra en una región de

funcionamiento normal. Se aplica una tensión positiva entre la base y el emisor, lo
que causa una corriente de base y una amplificación de corriente significativa entre
el colector y el emisor.

Modo de corte: En este modo, no fluye corriente de colector, ya que no hay corriente
de base. El transistor BJT se comporta como un interruptor abierto, donde no hay
conexión entre el colector y el emisor.

Modo de saturación: En este modo, se aplica una corriente de base suficientemente

alta para que el transistor BJT se sature. Esto significa que la tensión entre el
colector y el emisor es baja, y la corriente de colector es máxima. El transistor BJT
se comporta como un interruptor cerrado.

La amplificación de corriente en el transistor BJT se rige por la relación de corrientes

entre el colector y la base. Esta relación se conoce como la corriente de ganancia
del transistor, denominada β (beta). Para un transistor BJT dado, el valor de β es
constante dentro de un rango de operación específico.

La teoría del transistor BJT también incluye modelos matemáticos que describen su
comportamiento. Uno de los modelos más utilizados es el modelo Ebers-Moll, que

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se basa en las ecuaciones de corriente y voltaje en cada una de las uniones del
transistor.

Es importante destacar que la teoría del BJT es un tema amplio y complejo, y los
detalles completos de su funcionamiento, características y aplicaciones están más
allá del alcance de esta respuesta. Sin embargo, espero haber brindado una visión
general de la teoría básica del transistor BJT

4.2. Amplificadores de pequeña señal

Los amplificadores de pequeña señal son dispositivos electrónicos diseñados para
aumentar la amplitud de señales débiles sin distorsionar su forma de onda. Estos
amplificadores se utilizan comúnmente en aplicaciones de procesamiento de
señales, como en sistemas de audio, comunicaciones, instrumentación y electrónica
de radiofrecuencia.

La característica principal de los amplificadores de pequeña señal es su capacidad

para amplificar señales de baja amplitud, como las generadas por micrófonos,
sensores u otras fuentes de entrada débiles. Estos amplificadores están diseñados
para trabajar en el modo lineal, lo que significa que la salida amplificada es una
reproducción precisa y proporcional de la señal de entrada, pero con una amplitud
mayor.

Los amplificadores de pequeña señal están compuestos por componentes activos,

como transistores bipolares (BJT) o transistores de efecto de campo (FET), y
componentes pasivos, como resistencias y capacitores. El transistor, que puede ser
un BJT NPN o PNP, o un FET de canal N o P, es el elemento central del
amplificador y proporciona la amplificación de la señal.

Los amplificadores de pequeña señal suelen tener una ganancia de voltaje (también
conocida como ganancia de tensión) alta, lo que significa que la señal de salida es
varias veces mayor que la señal de entrada. Esta ganancia se expresa en decibelios
(dB) y se calcula como la relación entre la amplitud de la señal de salida y la
amplitud de la señal de entrada.
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 Además de la ganancia, los amplificadores de pequeña señal también tienen otros
parámetros importantes, como la impedancia de entrada, la impedancia de salida, la
respuesta en frecuencia y el rango dinámico. Estos parámetros determinan cómo el
amplificador interactúa con las fuentes de señal y las cargas conectadas a él, y
afectan la calidad y fidelidad de la amplificación.

Es importante tener en cuenta que los amplificadores de pequeña señal son

distintos de los amplificadores de potencia, que están diseñados para manejar
señales de mayor amplitud y entregar potencia a cargas como altavoces. Los
amplificadores de pequeña señal se utilizan como etapas de preamplificación en
sistemas más grandes, proporcionando la ganancia necesaria antes de que la señal
sea enviada a un amplificador de potencia.

5. PROCEDIMIENTO (DESARROLLO DE LA PRÁCTICA)

5.

5.1. Análisis en DC

a) Implementar el Circuito de la Figura 1.

b) Utilizar el transistor 2N2222 o 2N3904. Ver Data Sheet del fabricante para
la ganancia en DC.

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 Figure 1. Circuito amplificador Emisor Común

c) Realizar la medición de IB, IE, ICQ, VTH, VE, VC y VCEQ. Anorar los
valores en la Tabla N°1.
d) Con los valores calculados y medidos. Determinar la zona de operación
del transistor.
e) Graficar la recta de carga considerando la ICQ y VCEQ
f) Realizar los cálculos teóricos

Datos VTH(V) RTH(kΩ) IB(uA) ICQ(mA) VB(V) VC(V) VE(V) VCEQ(V)

IE(mA)
2.74V ---- 18.5uA 2.74 3.715 2.1V 8.98V
Medidos 3.72mA 3.72mA V V
3.32V ---- 18.5uA 3.32 3.665 2.03 3.665V
Simulados 3.72mA 3.72mA V V V
Calculado 2.82V 5.63 kΩ 34.08u 2.82 3.68V 2.12 3.68V
s A 3.78mA 3.78mA V V

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 Tabla N° 1
Pruebas:

Simulación:

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Teórico:

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La zona de operación del transistor en los calculados y medidos están en la zona
activa.

1.1. Análisis en AC

a) A partir del circuito de la Figura 1.

b) Utilizar el generador de funciones para Ingresar una señal senoidal de 10mVpp.
Con una frecuencia de 1000Hz.
c) Utilizar el Osciloscopio para observar la señal de salida respecto a la señal de
entrada.
d) Medir la señal de salida (Vpp)
e) Calcular la impedancia de entrada (Zi), impedancia de salida (Zo) y la ganancia
de la tensión del amplificador (Voltaje de salida respecto al voltaje de entrada)
(Av)
f) Anotar los valores de la medición del voltaje de salida en la Tabla N° 2

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 g) Retirar el capacitor CE. ¿Qué cambios observa en la salida del amplificador?.
Anotar lo observado en la Tabla N° 3
h) Retirar el capacitor CE y cortocircuitar RE. ¿Qué cambios observa en la salida
del amplificador? Anotar lo observado en la Tabla N° 3
i) Realizar la simulación del circuito. Contrastar los valores calculados y medidos
con el simulador online https://www.circuit-calculator.online/, el simulador
multisim online https://www.multisim.com/ , Proteus o LTSpice.

Figure 9. Circuito de amplificación de pequeña señal con BJT

Datos re Zi Zo Vi Vo Vo/Vi=Av GdB=20 log ( Av)

Medido --- ---- ---- 10mv 624mV 62.4 35.90
Simulado ---- --- ---- 10mV 600mV 60 35.56
Calculado 6.88Ω 0.61k Ω 0.5k Ω 0.023V 1.7v 73.91 37.37
Tabla N° 2

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Simulación:

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Calculo:

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Cambios en el circuito Observaciones Formas de señal en la salida del
amplificador
Sin capacitor en CE Observamos que el
valor medio del voltaje
de salida sin el
capacitor se reduce a
6.33mV en el circuite
implementado sin el
capacitor.
Sin capacitor en CE y A diferencia del primer
cortocircuitado RE caso si circuitamos la
resistencia el voltaje
medio se reduce aun
más llegando a la
nivel de 5.33mV.
Asimismo, deducimos
que la resistencia
ayuda a mantener un
valor de Voltaje medio
más alto.
Voltaje de entrada En este caso cuando
1Vpp ponemos de voltaje
de entrada 1vpp
observamos que las
ondas en el sentido
del y(+) son mas
anchas que las ondas
del y(-). Por otro lado,
observamos que el
valor de la salida a
aumentado con
respecto a la entrada
dando como resultado
un vpico-picoc de
5.12V siendo 5veces
más el valor de la
entrada.

Tabla N° 3

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 6. ENTREGABLES

1. Realizar los cálculos teóricos del circuito en DC y AC.

2. Responder el cuestionario
3. Anexar las evidencias de la práctica y la simulación

7. FUENTES DE INFORMACIÓN COMPLEMENTARIA

1. ROBERT L. BOYLESTAD (2012). Teoría de circuitos.

2. Floyd T. (2008). Dispositivos Electrónicos.

INTEGRANTES:
-Franz Iván Huatuco Gabriel
-Jhoan Aymar Sánchez Espinoza

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