MOSFET

El transistor de efecto de campo de silicio de óxido metálico se abrevia como

MOSFET, es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S), drenador
(D), puerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está
conectado internamente al terminal de fuente y por este motivo físicamente estos
dispositivos quedan reducidos a tres terminales.

ESTRUCTURA BÁSICA DE UN MOSFET

El diseño y arquitectura del MOSFET utiliza un campo eléctrico generado por el
voltaje de la puerta. Para cambiar el flujo de los portadores de carga, electrones
para el canal n o huecos para el canal p, a través del canal semiconductor de
drenaje (Drain)-fuente (Source). El electrodo de puerta (Gate) se coloca en la
parte superior con una capa aislante muy delgada de dióxido de silicio (SiO2)
del semiconductor, y hay un par de áreas pequeñas de tipo n justo debajo del
drenaje (Drain) y la fuente (Source) de los electrodos.
Con un componente de puerta aislada para el MOSFET, no se aplica ninguna
limitación. Por lo tanto, es posible conectar una fuente de señal en cualquier
polaridad (positiva o negativa) a la puerta del MOSFET. Esto hace que los
MOSFET sean especialmente útiles como interruptores electrónicos o
dispositivos lógicos porque generalmente no conducen corriente sin una entrada
externa. Y la razón de esto es la alta impedancia de entrada de la puerta. Por lo
tanto, se necesita muy poco o ningún control para los MOSFET. Después de
todo, son dispositivos controlados desde el exterior por voltaje.

ESTRUCTURA FISICA

FUNCIONAMIENTO
Según el modo de funcionamiento de los MOSFET se pueden dividir en dos tipos
o categorías también se le dice
  Modo de saturación (Mode Enhancement)
 Modo de agotamiento (Mode Deplextion)

En el modo de saturación (región lineal) el transistor se polariza de tal manera

que el voltaje de la compuerta sea máximo. Lo que resulta en una resistencia del
canal Rds lo más pequeña posible. Lo que ocasiona una corriente de drenaje
máxima, por lo tanto el MOSFET está en modo conducción y el dispositivo se
considera «encendido». Para un MOSFET canal P, el potencial de la compuerta
tiene que ser negativo respecto a la fuente.

Los MOSFET de agotamiento o deplexión tienen un canal conductor en su

estado de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la
tensión eléctrica en la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de
portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.

ZONAS DE TRABAJO
Zona de corte o de no conducción
En esta región el dispositivo se encuentra apagado. No hay conducción entre la
fuente y el drenador, de modo que el MOSFET se comporta como un interruptor
abierto

Zona óhmica o de no saturación.

Al polarizarse la puerta con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea
una región de agotamiento en la región que separa la fuente y el drenador. Si
esta tensión crece lo suficiente, aparecerán portadores minoritarios (huecos en
PMOS, electrones en NMOS) en la región de agotamiento, que darán lugar a un
canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado de conducción, de
modo que una diferencia de potencial entre drenador y fuente dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la
tensión de puerta o resistencia variable.

Zona de Saturación o activa

Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite, el canal de
conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanías del
drenador y desaparece. La corriente que entra por el drenador y sale por la
fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero
se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales. En
esta zona el Mosfet se comporta como un interruptor
VENTAJAS DEL MOSFET

La principal aplicación del transistor MOSFET está en los circuitos integrados

PMOS, NMOS y CMOS, algunas de sus ventajas son:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que
tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula
por la puerta es del orden de los nanoamperios.
 Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan
resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los
nanosegundos.

APLICACIONES DEL MOSFET

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo

CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios.

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

EN RESUMEN

Es un interruptor controlado por tensión.

Al aplicar tensión conduce y cuando no hay tensión en la puerta no conduce.

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado

por tensión, donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no
corriente entre drenador y fuente.

El movimiento de carga se produce exclusivamente por la existencia de

campos eléctricos en el interior del dispositivo.