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GRUPO : 02
AREQUIPA-PERÚ
2018
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ÍNDICE:
1.- OBJETIVOS-------------------------------------------------------------------------------3
2.- INTRODUCCIÓN------------------------------------------------------------------------3
3.- MARCO TEÓRICO----------------------------------------------------------------------3
4.- MATERIALES----------------------------------------------------------------------------7
5.- PROCEDIMIENTO EXPERIMENTAL-RESULTADOS-------------------------------8
6.- CUESTIONARIO FINAL--------------------------------------------------------------12
7.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES---------------------------------------------13
8.- BIBLIOGRAFÍA-------------------------------------------------------------------------13
ANEXO--------------------------------------------------------------------------------------14
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I.- INTRODUCCIÓN:
II.- OBJETIVOS:
Figura Nª1:
Transistor
bipolar o BJT.
3
El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo
p, de acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos
de transistor bipolares, los que se conocen como transistor NPN y transistor PNP, se
puede apreciar en la Figura Nº2, el funcionamiento del transistor se basa en
movimientos de electrones (negativos) y de huecos (positivos), de allí el nombre de
transistor bipolar o BJT (transistor de unión bipolar).
Figura Nª2:
Tipos de
transistores
bipolares
NPN y PNP.
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Entonces:
• Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
• Ic = β * Ib
• Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc.
Gráfico Nª1:
Vce vs Ic.
Gráfico Nª2:
5
Figura Nª 3 y 4:
Configuración electrónica
de los transistores.
Figura Nª 5:
Medidas de un transistor
grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (recordar
que Ic = β * Ib
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Región activa:
Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte
entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente
de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia
de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que
hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas importante si lo
que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.
IV.- MATERIALES:
Protoboard
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Miliamperímetro DC
Voltímetro DC
Fuente DC
PARTE 1:
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Seleccione la escala de prueba de Diodos en el DMM Conectar los terminales del DMM con el
transistor de acuerdo a la tabla 1. Registrar la lectura del DMM
Tabla N°01
Tabla N°02
Terminal Base 2
Terminal Colector 3
Terminal Emisor 1
Tipo de Transistor NPN
Material del Transistor Silicón
PARTE 2:
1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del
tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y (hFE).
2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir en el
caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son BJTs.
3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima, (hFE) y
frecuencia de corte.
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4. En el circuito, se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación
se varía Rc2 de forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la
corriente IC.
6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB
igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.
Tabla N°03
PARTE 3:
2. Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10A
como se indica en la Tabla 4.
5. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen
en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10A en los diferentes niveles de VCE.
6. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.
7. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB
establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.
8. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE
= Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.
9. Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La
curva es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e
indique cada valor de IB.
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Tabla N°04
Vrb (V) Ib (μA) Vce (V) Vrc (V) Ic (μA) Vbe(mV) Ie (μA) α Β
(medido) (calculado (medido (medido (calculado) (medido) (calculado)
) ) )
3.3 10 2 1.41 0.00141 0.674295 0.00142 0.99295 141
3.3 10 4 1.44 0.00144 0.674295 0.00145 0.99310 144
3.3 10 6 1.47 0.00147 0.674295 0.00148 0.99324 147
3.3 10 8 1.51 0.00151 0.674295 0.00152 0.99342 151
3.3 10 10 1.54 0.00154 0.674295 0.00155 0.99354 154
3.3 10 12 1.59 0.00159 0.674295 0.0016 0.99375 159
3.3 10 14 1.63 0.00163 0.674295 0.00164 0.99390 163
3.3 10 16 1.66 0.00166 0.674295 0.00167 0.99401 166
Variación de y
Para cada línea de la Tabla 4 Calcule los niveles correspondientes de y usando las
siguientes ecuaciones:
= Ic / IE
= Ic / IB
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VII.- CUESTIONARIO FINAL:
1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’
qué representan?
Ic vs Vce
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Ib (corriente
10 de base)
8
Ic (mA)
125 uA
6
75 uA
4
50 uA
2
25 uA
0
0 0.5 1 1.5
Vce (V)
La diferencia entre las gráficas para 25, 50, 75, 125 uA es la ganancia o factor de
𝐼
amplificación β que es la relación entre: 𝐶 .
𝐼𝐵
3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da este caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros
terminales; se dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de
un interruptor abierto.
La corriente que pasa por la base no llega a cero en ningún momento. En otras
palabras, el transistor nunca llega a cero.
4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?
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VIII.- OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES:
Tener cuidado con la intensidad que se le otorga al circuito ya que puede generar
un sobrecalentamiento.
Aprendimos a identificar las partes de un transistor.
Reconocimos el funcionamiento de un potenciómetro en un circuito, además
tenemos la ventaja que nos ofrece una resistencia variable.
Aprendimos a identificar las características físicas y eléctricas de un transistor BJT.
BJT.
IX.- BIBLIOGRAFÍA:
http://mrelbernitutoriales.com/transistor-bjt/transistor-bipolar-
conociendolo/
ftp://ece.buap.mx/pub/profesor/JCC/Dispositivos%20Electr%F3ni
cos/EL%20TRANSISTOR%20BJT.pdf
http://lcr.uns.edu.ar/electronica/Introducc_electr/2011/clases/BJ
T.pdf
http://rodin.uca.es/xmlui/bitstream/handle/10498/14760/practic
a%204%20bjt%20prot.pdf
https://ocw.ehu.eus/pluginfile.php/2728/mod_resource/content/
1/electro_gen/teoria/tema-4-teoria.pdf
http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf
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ANEXO:
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