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TRANSISTORES BJT Y FET - AMPLIFICADORES

Juan Camilo Quiceno Bravo
u1801512@unimilitar.edu.co

Ecuaciones Exactas:
RESUMEN: En el siguiente escrito se RTH = R1//R2 (1)
especificaran, conceptos básicos y claves para el VTH = R2.VCC/( R1 + R2) (2)
comportamiento de los transistores, cuando están en su IB = VTH – VBE/ RTH + (β + 1)RE (3)
punto máximo de trabajo, en este caso analizando los IC = βIB (4)
parámetros que se necesitan para amplificar señales.
IE = (β+ 1)IB (5)
PALABRAS CLAVE: Polarización inversa, VCE = VCC – IC(RC + RE) (6)
polarización directa, punto de trabajo, zona saturación,
zona de corte, parámetros, amplificación de señal, Ecuaciones Aproximada: Si cumple βRE ≥ 10R2
ganancia de voltaje, ganancia de corriente, impedancias VB = R2VCC/ R1 + R2 (7)
de entrada y salida, desfasaje, desacoples, resistencia VE = VB – VBE (8)
de carga, amplificadores multi-etapa. IE =VE/RE (9)
IB = IE / β +1 (10)
VCE = VCC – IC (Rc +RE) (11)
1 INTRODUCCIÓN QDC = VCEQ / VCC

El contenido está dirigido en el entendimiento de la 2.2 POLARIZACIÓN BASE COMUN

funcionalidad de los transistores, su aplicación en al
amplificación, sus parámetros respectivos para deducir
analíticamente, como resolver un problema con
transistores.

2 TRANSISTORES BJT
Es un conjunto de pastillas tipo p y tipo n, que
tienes unas propiedades eléctricas cuando a través
de ellos se hace fluir corriente, ya sea npn o pnp,
hay que tener en cuenta que el transistor requiere
una cierta polarización, entre base y emisor una
polarización inversa, y entre base y colector un
polarización directa, además posee un valor
denominado Beta, que relaciona la corriente de
Base y la corriente de emisor.
Dibujo 2. Polarización Base común
2.1 POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE
VOLTAJES EMISOR COMUN
Se tiene en cuenta que en este modo de
polarización, se trata de eliminar que las corrientes
del transistor no dependan directamente de beta, Se tiene en cuenta que la entrada de la señal es
sino de la resistencias de RB, tiene una por el emisor y la salida por el colector, se debe
configuración como la siguiente: tener en cuenta la configuración de la figura
anterior, y así deducir las ecuaciones:

VCB = VCC – VBB – IC [Rc- RB/β] (12)

VBB = VCCR2/ R1 + R2 (13)
RB = R2//R1 (14)
IC = IE = VCC – VCE / (RC – RB/ β) (15)

Dibujo 1. BJT
Polarizado

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2.3 POLARIZACION COLECTOR COMUN 2.4.1 AMPLIFICADOR EMISOR COMUN

Dibujo 4. Amplificador E-C BY-PASS

Esta configuración, se denomina Emisor común,
Dibujo 3. Polarizacion Colector Comun
con By-Pass, esta interpretación deduce unas
Se debe tener en cuenta que esta configuración
ecuaciones que son las siguientes:
omite la resistencia RC, y la señal entra por la
base y sale por el colector, deduciendo así las
Zi = RB//βRC (21)
siguientes ecuaciones:
Zo= Rc (22)
VCE = VCC – ICRE sin divisor de voltaje (16) ó
Av = - Rc/ re (23)
VCE = VBB - VBE / RB/β + RE (17)
Ai = Av.Zi /Rc (24)
VBB = VCCR2/ R1 + R2
RB = R2//R1

2.4 PARAMETROS re
Es uno de los métodos que se requieren para
entender y analizar el funcionamiento real del
transistor BJT, frente a una señal AC.

En esta señal se determinan, nueva variables que

identifican el funcionamiento del transistor ante una
señal AC, esta son el voltaje de entrada(Vi), el
voltaje de salida(Vo), además cuenta con una
impedancia de entrada (Zi), y una impedancia de
salida (Zo).

Dibujo 5. Amplificador E-C Sin BY-PASS

Esta configuración tiene algo particular y es que

esta sin el condensador, a lo que se le denomina
Av = Vo/Vi (18)
sin By-Pass, y esta tiene otros puntos de vista, con
Ai = Io / Ii (19)
las que tenemos las siguientes ecuaciones:
Hay que definir q nuestro parámetro, se define el
transistor como una resistencia a la que se le
Zi = RB // βre + RE (22)
denomina Re dinámica simbolizada asi (re).
Zo = Rc
Av =- Rc / (re + RE ) (23)
re = 26mV / IB (20)
Ai = Av.Zi /Rc (24)

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.

A continuación tenemos otra posibilidad, de Zi = R1//R2

configuración de emisor común, con una Zo= re
resistencia de carga (RL), a la salida del circuito. Av = RE / re + RE ≈ 1 (32)
Ai = Av Zi / RE//RL (33)

2.4.3 AMPLIFICADOR BASE COMUN

En este tipo de configuración, la entrada es por el
emisor y la salida es por el colector, tiene
características parecidas cuando se trabaja con
By-Pass, sin By-Pass, y con la resistencia de carga
RL. Y la configuración es la siguiente:

Dibujo 6. Amplificador E-C con RL

A continuación se pondrán las ecuaciones
correspondientes a esta configuración.

*Con By-Pass
Zi = βre // (R1//R2) (25) Dibujo 8. Amplificador Base-Comun
Zo = Rc//RL //βre (26)
Av = - Rc//RL / re (27) Ahí que tener una relación acerca del β y el α, que
Ai = Av Zi / RL (28) relacionan las corrientes del transistor de la
siguiente manera:
*Sin By-Pass β = Ic/IB (34)
Zi = β(re + RE) // (R1//R2) (29) α = Ic/IE (35)
Zo = Rc//RL //βre + RE (30) Haciendo, operaciones algebraicas deducimos una
Av = - Rc//RL / re + RE (31) relación adicional:
Ai = Av Zi / RL β= α / 1 – α (36)
α= β/ β +1 (37)
2.4.2 AMPLICICADOR COLECTOR COMUN
Esta configuración es muy usada, cuando se Ahora si analizando la ganancia de voltaje y la
quiere amplificar corriente, el voltaje tiende a ser 1. ganancia de corriente, con sus impedancias
definidas asi:
*Con By-Pass sin RL
Zi= RE // re (38)
Zo= Rc
Av = Rc / re (39)
Ai = Av Zi / Rc

*Con By-Pass con RL

Zi=RE//re
Zo= Rc//RL
Av =- Rc//RL / RE (40)
Ai= Av Zi / RL (41)

Dibujo 7. Amplificador C-C con RL

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.

2.5 PARAMETROS HIBRIDOS 2.6.1 EN CASCADA

(Parámetros h)
Los parámetros híbridos se caracterizas por
relacionar cuatro variables, la tensión y corriente
de entrada y las de salida, deducidas del siguiente
diagrama.

Dibujo 10. Circuito Multi-etapa E-E

Dibujo 9. Circuito Equivalente para parámetros h En este tipo de configuración, solo se tiene en
cuenta:
Se definen las siguientes ecuaciones: Av = Av1 * Av2 (47)
Vi = h11 .Ii + h12 Vo (42)
Io = h21 + h22.Vo (43) 2.6.2 EN CASCODE
hi= h11 => Resistencia de entrada del transistor

hr = h12 => Ganancia de tensión inversa del

transistor

hf = h21 => Ganancia directa de corriente del

transistor

ho= h22 => Conductancia de salida del transistor

*Hago corto circuito a la salida para hallar h11

Vo=0.
H11 = Vi/Ii => Vo=0 Da en OHMIOS

*Hago la corriente Io=0 eso es un circuito abierto,

para hallar h12
H12 = Vi/Vo => Ii=0

*Hago corto circuito a la salida para halla h21 Vo=0

H21 = Io/Ii Dibujo 11. Circuito Cascode E-E
*Hago la corriente Ii=0, para hallar h22 En el anterior circuito ahí que, la resistencia de
H22 = -Io/ Vo => Da en Siemens emisor que conecta con el colector del transistor
de entrada, ya que se define el siguiente
Hay que definir, parámetro:
hie = (1 + β)hib (44)
βhib = hic (45) Av1 = ZL/re => re/ re ≈ 1 (48)
hfe = β (46)
Av2 = ZL / re => Rc//RL (49)

2.6 AMPLIFICADORES MULTI-ETAPA AvT = Av1 * Av2

Es la misma analogía, de los transistores solos,
pero en este caso, se van a multiplicar o tener en
cuenta la configuración.

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.

3 TRANSISTORES FET Con esta configuración se denotan, la siguientes

Este transistor, la relación de entrada y salida, no ecuaciones para encontrar el VGS y poder trazar la
es lineal con respecto al BJT, ya que por medio de línea solución con la curva característica del FET,
la ecuación de Shockley, teniendo un término al de esta manera:
cuadrado.
3.1 ECUACION DE SHOCKLEY VG = R2 VDD / R1 + R2 (52)
Es la forma matematica, de relacionar la función de
transferencia, esta nunca puede dar negativa, y VGS = VG – IDRs (53)
tener en cuenta que el IDSS no puede superar al ID

ID = IDSS [1 – (VGSQ/VGSOFF)]2 (50)

Dibujo 14. Recta Solución para hallar VGSQ

Para poder hallar el punto de trabajo necesitamos,

hallar primero VDS, sea:

VDS = VDD – ID( RD + Rs) (54)

Nuestro punto de trabajo se halla, con la siguiente

Dibujo 12. Grafica característica del FET relación:
Teniendo en cuenta la función de transferencia
podemos encontrar la transconductancia (gm), QDC = VDS / VDD (55)
definida así:
3.3 PARAMETROS FET A BAJAS
gm = ∂ ID / ∂VGS FRECUENCIAS
gm = - 2IDSS [1 – ((VGSQ/VGSOFF)]/ VGSOFF (51)
3.3.1 AMPLIFICADOR SOURCE COMUN
3.2 POLARIZACION POR DIVISOR DE
VOLTAJE SOURCE COMUN

Dibujo 14. Amplificador Source Comun

Dibujo 13. Polarización FET Divisor de Voltaje

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.
Para este tipo de configuración, pero con
transistores FET, tiene similitud a los BJT, de esta
manera podemos encontrar, las ganancias de
voltaje, y corriente, además de esto las
impedancias tanto de entradas como de salida, a
continuación la definición de las ecuaciones:
Zi = R1 // R2 (56)
Zo = rd // RD (57), si rd ≥ 10RD , se cumple que
Zo= RD (58)
Av = -gm (rd // RD) (59), ), si rd ≥ 10RD, entonces,
Av= -gm RD (60)
3.3.2 AMPLIFICADOR GATE COMUN
Dibujo 15. Amplificador Compuerta Común
Para esta configuración se tienen, las mismas
condiciones que en el anterior, deduciendo las
siguiente ecuaciones:
Zi = RS /gm / (1/gm + RS) (61) si rd ≥ 10RD,
Zi = Rs/(1/gm) (62)
Zo = rd // RD ,si rd ≥ 10RD , se cumple que
Zo= RD
Av= gm RD (63)
3.3.3 AMPLIFICADOR DRAIN COMUN
Dibujo 16. Amplificador Drenaje Común
A continuación, las ecuaciones que describen el
comportamiento del transistor:
Zi= R1//R2
Zo= Rs//(1/gm)
Av =gmRs/ (1 + gmRs) (64)
Ai = Av RG /RL (65)
4 TRANSISTORES MOSFET
Estos transistores, tienen la mismo funcionamiento
del FET, solo que este tiene la característica, de
que el material P, esta separado por un
Oxido(SiO), en el cual se genera un transmisión de
huecos ó electrones dependiendo de la
polarización, a este tipo de transistores se le puede
polarizar con voltajes positivos.
Dibujo 17. Polarización MOSFET – Solo
Estrechamiento
Se tienen las mismas ecuaciones, como si se
tratara de un mismo JFET.
4.1 MOSFET DE SOLO ENSANCHAMIENTO
Dibujo 18. MOSFET, de Ensanchamiento
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.

El tratamiento que tiene este transistor varia, en su Zif = Zi ( 1 + AB) (71)

ecuación de ID, de esta manera: Zof = Vi / Io (72)
Sabiendo que VGS(TH), es el voltaje de umbral Vi/Io = Zo/ (1 + AB) (73)

ID = k [VGSQ – VGS(TH) ]2 (66)

6 REFERENCIAS

[1] Ejercicios tomados del desarrollo de la clase,

escogidos y desarrollados por el Ingeniero Jorge Forero.

[2] Electronica –Teoria de Circuitos y Dispositivos

Electronicos / R.L Boylestad - L.Nashelsky /Pearson
Education / 8va Edicion.

[3]Diseño Electronico /C.J. Savant – Martin S.

Roden/ Prentice Hall / 3ra Edicion.

Dibujo 19. Curva Caracteristica de MOSFET-

Ensanchamiento.

Sabiendo que la constante k;

K = (Iencendido/ [VGS – VGS(TH)]2) (67)

Y que la transconductancia, queda de esta

manera;

Gm = 2k [VGS – VGS(TH)]2 (68)

5 RETROALIMENTACION EN
TRANSISTORES
Para este tema, se trata como unas celdas el
amplificador solo, ya que en este caso
colocaremos una realimentación, que van a ser un
conjunto de resistencias, que permitirán el
mejoramiento del transistor aunque, su
amplificación y ganancia de voltajes, disminuyan
proporcionalmente, al objeto de realimentación.

Dibujo 20. Esquema de la Realimentación

Af = Vo / Vs (69)
Av = Vo/Vi Vo/Vs = A/ 1 + AB (70)