INFORME PREVIO: EXPERIENCIA N°5

EL TRANSITOR BIPOLAR NPN, CARACTERISTICAS BÁSICAS

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de

un transistor bipolar.

EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es un operador electrónico con tres patillas o
terminales de conexión, cuyos nombres son. Colector, base y emisor. En
resumen, su funcionamiento normal es el siguiente: La corriente principal
va de colector a emisor o al revés, según se trate de un transistor NPN o
PNP respectivamente. La carga o receptor a controlar se conecta
directamente a colector. A medida que se aumenta el valor de la
intensidad a la base (también VBE) el transistor permite la circulación de
corriente de colector a emisor y por tanto el funcionamiento de la carga
conectada a él.

Cuando la tensión entre base y emisor y por tanto la corriente de base, es

lo suficientemente alta, mayor de VOFF, el transistor está dispuesto a dejar
pasar corriente entre colector y emisor, con lo que un receptor conectado
directamente a colector podrá funcionar al permitirle que la corriente que
lo atraviesa llegue hasta negativo.

Por
tanto, en los circuitos de transistores hay que distinguir dos subcircuitos:
el circuito de polarización o de la base y el circuito de colector o de la
carga.

 El circuito de polarización va a determinar cómo va a funcionar el

transistor, es decir si se encuentra en corte, activa o saturación (si
conduce ente C y E o no). Es el circuito que alimenta la base y por
tanto el que controla Ib y Vbe.
 El circuito de carga es donde está conectado el receptor que
queramos que funcione y que será gobernado por el transistor. El
receptor debe conectarse siempre directamente al Colector del
transistor.

REGÍMENES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

Estudiaremos los regímenes de funcionamiento del transistor en función

de la tensión base-emisor. Antes de esto definiremos dos parámetros
fundamentales del transistor. VBE-OFF O simplemente VOFF es la tensión VBE
por debajo de la cual se considera que el transistor no permite el paso de
corriente de colector a emisor. Se dice que el transistor NO CONDUCE.
Habitualmente VOFF= 0.2 o 0.6V, VBEON o simplemente VON es la tensión por
encima de la cual el transistor conduce plenamente, es decir permite muy
bien el paso entre colector y emisor. Habitualmente suele ser 0.7V.

 FUNCIONAMIENTO EN CORTE (VBEVBE-OFF)

El transistor se encontrará en corte siempre que V BEVBE-OFF. En esta región

el transistor no conduce y por tanto el receptor conectado a colector no
funcionará.

 FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA

La tensión base-emisor se encuentra entre VOFF<VBE<VON. En esta región el

transistor conduce, aunque no lo hace plenamente y por tanto el receptor
conectado a colector no funcionará a plena potencia.

 FUNCIONAMIENTO EN SATURACIÓN

Cuando la tensión VBEVON, el transistor conducirá plenamente, y ya,

aunque sigamos aumentando la tensión base-emisor, no conducirá mejor,
la base se encuentra saturada. El receptor conectado a la base funcionará
a plena potencia.
FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN
Cuando hacemos funcionar en transistor solamente en las regiones de
corte y de saturación se dice que le hacemos funcionar en
CONMUTACIÓN. En este estado funciona igual que lo haría un
interruptor, es decir o no conduce o conduce plenamente, y por tanto la
carga conectada al colector no funciona o funciona plenamente
respectivamente.
Nosotros estudiaremos el funcionamiento del transistor en conmutación.

CORRIENTES Y GANANCIA DEL TRANSISTOR

Las corrientes de un transistor son:
o Ib = corriente de la base
o Ic = corriente de colector
o Ie = corriente de emisor
Según la ley de
Kirchhoff de los nudos, la corriente que sale de un nudo es la suma de las
que entran a él, por tanto:
I e = Ib + Ic
Cuando el transistor está trabajando en la región activa, la corriente de
colector depende la corriente de la base según la ecuación
Ib = Ic /
Donde  es la ganancia del transistor que suele ser de valor 100. Se puede
intuir que Ib es una intensidad muy pequeña respecto de Ic, del orden de
100 veces más pequeño. Por tanto, se puede afirmar que
Ie = Ic + Ic /  Ic

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

A. Circuito básico de polarización:
La
corriente que controla la base, y por tanto el funcionamiento del
transistor es proporcionado por una fuente de alimentación VBB,
mientras que la corriente que alimenta al receptor principal (la bombilla)
es proporcionada por una fuente diferente Vcc.
No suele emplearse en la práctica pues disponer de dos fuentes de
alimentación distintas es caro y no es práctico.

B.
Circuito de

Autopolarización
Es el circuito más utilizado ya que solamente hay que utilizar una fuente
de alimentación.
Para su estudio debemos diferenciar los dos subcircuitos: el de
polarización o de la base y el de carga o colector.

El
circuito de polarización es el formado por R 1, R2 y Rb. El papel que
desempeñan en el circuito es:
 La resistencia Rb, del orden de 1 o 2 K, su función es proteger la
base de sobretensiones. No es imprescindible por lo que podría
quitarse del circuito.
 R1 y R2 forman un divisor de tensión y sirven para proporcionar la
tensión que necesita la base para hacer funcionar el transistor en la
región de funcionamiento deseada. Nosotros asumiremos que, dado
que la intensidad de base es muy pequeña, la caída de tensión en R 2
es la misma que tendrá la base del transistor y por tanto la que
gobierna su funcionamiento. Las ecuaciones que rigen este circuito,
en este caso, son las de un circuito con dos resistencias en serie.
 IT = Vcc / (R1+R2)
VR2 = IT x R2

Es decir, con a través de las ecuaciones anteriores determinamos la

región de funcionamiento del transistor.

C.
Circuito
de

Autopolarización modificado

Funciona exactamente igual que el de autopolarización estudiado

anteriormente. En este caso la ventaja es que R 2 es variable y podemos
gobernar el funcionamiento del transistor a nuestro antojo según
variemos el valor de R2. Además, podríamos hacer que R2 fuese una LDR o
una termorresistencia de forma que se conseguiría que el funcionamiento
del transistor se rigiera por la luz o la temperatura ambiente
respectivamente.
 Nota: podrían intercambiarse R 1 por R2 y el funcionamiento del circuito
sería igual que en el caso anterior solo que las variaciones en R 2
provocarían el efecto contrario en el funcionamiento de la carga
conectada al colector.

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares:

2N3904, AC127, 25C784T, TR59 y 2N2222

El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores

NPN generalmente usado para amplificación. Este tipo de transistor fue
patentado por Motorola Semiconductor en los años 60, junto con
el Transistor PNP 2N3906, y representó un gran incremento de eficiencia,
con un encapsulado TO-92 en vez del antiguo encapsulado metálico. Está
diseñado para funcionar a bajas intensidades,
bajas potencias, tensiones medias, y puede operar a velocidades
razonablemente altas. Se trata de un transistor de bajo costo, muy
común, y suficientemente robusto como para ser usado en experimentos
electrónicos.

Es un transistor de 200 miliamperios, 40 voltios, 625 milivatios, con

una Frecuencia de transición de 300 MHz, con una beta de 100. Es usado
primordialmente para la amplificación analógica.

El Transistor PNP complementario del 2N3904 es el 2N3906. El Transistor

NPN 2N2222 es otro transistor muy popular, con características similares
al 2N3904, pero que permite intensidades mucho más elevadas. No
obstante, en todas las aplicaciones que requieren baja intensidad, es
preferible el uso del 2N3904.

El Transistor 2N3904 es un transistor muy popular para aficionados

debido a su bajo costo.
 Para el transistor AC127 es un npn

3. Realizar el análisis teórico de los circuitos mostrados determinar el

punto de operación del circuito del experimento

Re=220 Ω

Rc=1K Ω

R1=56K Ω

R2=22K Ω

P1=1MΩ
 Donde:
V CC∗R 2 R 1∗R2
V BB= ; RB=
R1 + R 2 R1 + R 2

Hallamos los valores máximos de I C y V CE :

V CC 12V
I Cmax = = ≅ 9.84 mA ; V CEmax =V CC=12 V
R C + R E 1 K Ω+ 220Ω

 Haciendo R1=56 K Ω ( P1=0 K Ω):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 3.38 V ;
R1 + R2 56 K Ω+22 K Ω

R∗R2 ( 56 K Ω )∗ ( 22 K Ω )
R B= = ≅ 15.79 K Ω
R 1+ R 2 56 K Ω+22 K Ω

RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ; V BE ≅ 0.7 V (Silicio) ; I C =β I B ; I C ≅ I E ; β=200

 En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
V BB−V BE 3.38 V −0.7 V
I C= = ≅ 8.96 mA
RB 15.79 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200
En la malla 2:
V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE
V CE =V CC −I Q∗( R C + R E )=12 V −( 8.96 mA )∗(1.22 K Ω) ≅1.07 V

Hallamos I B y V E:

V BB−V BE 3.38 V −0.7 V

I B= = ≅ 44.66 µ A
R B + β+ 1 R E 15.79 K Ω+ ( 201 )∗( 220Ω )
( )
V E=I C∗R E =( 8.96 mA )∗( 220Ω ) ≅ 1.97 V

DATOS OBTENIDOS PARA: R1=56 K Ω

I C (mA ) I B (µ A ) β V CE (V ) V BE (V ) V E (V )

8 . 96 mA 44.66 µ A 200 1.07 V 0.7V 1.97 V

 Haciendo R1=68 K Ω ( P1=12 K Ω ):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 2.93 V ;
R+ R 2 68 K Ω+22 K Ω

R1∗R 2 ( 68 K Ω )∗ (22 K Ω )
R B= = ≅16.62 K Ω
R 1+ R 2 68 K Ω +22 K Ω
 RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ; V BE ≅ 0.7 V (Silicio) ; I C =β I B ; I C ≅ I E ; β=200

En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
V BB−V BE 2.93 V −0.7V
I C= = ≅ 7.36 mA
RB 16.62 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200

En la malla 2:

V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE

V CEQ =V CC −I C ∗( RC + R E ) =12V −( 7.36 mA )∗(1.22 K Ω)≅ 3.02V

Hallamos I B y V E:

V BB−V BE 2.93V −0.7 V

I B= = ≅ 36.65 µ A
R B + ( β+ 1 ) R E 16.62 K Ω+ ( 201 )∗(220 Ω )

V E=I C∗R E =( 7.36 mA )∗( 220 Ω ) ≅ 1.62 V

DATOS OBTENIDOS PARA: R1=68 K Ω

I C (mA ) I B (µ A ) β V CE (V ) V BE (V ) V E (V )

7 . 36 mA 36.65 µ A 200 1.62 V 0.7V 1.62 V

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo
Q1 y Q2:
 Haciendo RT =156 K Ω ( R1=56 K Ω y P 1=100 K Ω):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 1.48 V ;
R+ R 2 156 K Ω+22 K Ω
 R∗R 2 ( 156 K Ω )∗( 22 K Ω )
R B= = ≅ 19.28 K Ω
R+ R2 156 K Ω+22 K Ω

RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ; V BE ≅ 0.7 V (Silicio) ; I C =β I B ; I C ≅ I E ; β=200

En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
V BB−V BE 1.48 V −0.7 V
I C= = ≅ 2.47 mA
RB 19.28 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200
En la malla 2:
V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE
V CE =V CC −I C∗( RC + R E ) =12V −( 2.47 mA )∗(1.22 K Ω)≅ 8.99 V

Hallamos I B:
V BB−V BE 1.48 V −0.7 V
I B= = ≅ 12.28 µ A
R B + ( β+ 1 ) R E 19.28 K Ω+ ( 201 )∗( 220Ω )

 Haciendo RT =306 K Ω ( R1=56 K Ω y P 1=250 K Ω):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 0.80 V ;
R+ R 2 306 K Ω+22 K Ω
R∗R 2 ( 306 K Ω )∗( 22 K Ω )
R B= = ≅ 20.52 K Ω
R+ R2 306 K Ω+22 K Ω
RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ; V BE ≅ 0.7 V (Silicio) ; I C =β I B ; I C ≅ I E ;
β=20 0

En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
 V BB−V BE 0.80 V −0.7 V
I C= = ≅ 0.31 mA
RB 20.52 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200
En la malla 2:
V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE
V CE =V CC −I C∗( RC + R E ) =12V −( 0.31 mA )∗(1.22 K Ω) ≅ 11.62V

Hallamos I B:
V BB−V BE 0.80 V −0.7 V
I B= = ≅ 1.54 µ A
R B + β+ 1 R E 20.52 K Ω+ ( 201 )∗( 220Ω )
( )

 Haciendo RT =556 K Ω ( R1=56 K Ω y P 1=500 K Ω):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 0.46 V ;
R+ R 2 556 K Ω+22 K Ω
R∗R 2 ( 556 K Ω )∗( 22 K Ω )
R B= = ≅ 21.16 K Ω
R+ R2 556 K Ω+22 K Ω
RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ;V BE ≅ 0.4 V (Suposición) ; I C =β I B ; I C ≅ I E ; β=200

En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
V BB−V BE 0.46 V −0.4 V
I C= = ≅ 0.18 mA
RB 21.16 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200
En la malla 2:
V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE
V CE =V CC −I C∗( RC + R E ) =12V −( 0.18 mA )∗(1.22 K Ω)≅ 11.78 V

Hallamos I B:
V BB−V BE 0.46 V −0.4 V
I B= = ≅ 0.92 µ A
R B + ( β+ 1 ) R E 21.16 K Ω+ (201 )∗( 220 Ω )
  Haciendo RT =1056 K Ω ( R1=56 K Ω y P 1=1 M Ω):

V CC∗R 2 ( 12V )∗( 22 K Ω )

V BB= = ≅ 0.24 V ;
R+ R 2 1056 K Ω+22 K Ω
R∗R 2 ( 1056 K Ω )∗( 22 K Ω )
R B= = ≅ 21.55 K Ω
R+ R2 1056 K Ω+22 K Ω

RC =1 K Ω ; RE =220 Ω ;V BE V BB ( I B ≈ 0); I C =β I B ; I C ≅ I E ; β=200

→

En la malla 1:
IC
V BB=R E∗I C +V BE + R B∗I B ; I B =
β

(
V BB−V BE =I C R E +
RB
β )
V BB−V BE 0.24 V −0.24 V
I C= = ≈ 0 mA
RB 21.55 K Ω
RE+ 220Ω+
β 200
En la malla 2:
V CC =I C ∗( RC + R E ) +V CE
V CE =V CC −I C∗( RC + R E ) =12V −( 0 mA )∗(1.22 K Ω)≅ 12 V

Hallamos I B:
V BB−V BE 0.24 V −0.24 V
I B= = ≅0µ A
R B + β+ 1 R E 16.62 K Ω+ ( 201 )∗(220 Ω )
( )

DATOS OBTENIDOS:

R 156 K Ω 306 K Ω 556 K Ω 1056 K Ω

I C (mA ) 2.47 mA 0.31 mA 0.18 mA 0 mA

I b (µ A) 12.28 µA 1.54 µA 0.92 µA 0 µA

V ce (V ) 8.99 V 11.62V 11.78 V 12 V

Notamos que, a medida que el valor de R aumenta (P1 aumenta), el transistor
pasa a la zona de corte, donde la corriente de colector (Ic) es mínima y el
voltaje colector-emisor (Vce) es máximo.