Universidad Autónoma de

Nuevo León
Facultad de ingeniería Mecánica y Eléctrica
Materia:
Electrónica 1 Laboratorio
Docente:
Ing. Eduardo Izquierdo Salazar
Alumno:
Juan Rolado Mendoza de la Fuente
Matricula: 1969191
Carrera: IMTC

Horario: N1-N2 Miercoles Grupo: 327

Fecha: 08/04/2022
Lugar: Ciudad Universitaria, San Nicolas de los Garza

Foto del estudiante:

Índice
Practica #9 “Curvas características del FET”...................................................................................... 3
Introducción .................................................................................................................................... 3
Objetivos. ........................................................................................................................................ 3
Lista de Material ............................................................................................................................. 3
Equipo ............................................................................................................................................. 3
Marco teórico .................................................................................................................................. 4
Las curvas características del JFET .............................................................................................. 5
Las ventajas del FET ................................................................................................................... 6
Desventajas del FET.................................................................................................................... 6
Teoría Preliminar. ........................................................................................................................... 7
Procedimiento. ................................................................................................................................ 8
Circuito Simulado ........................................................................................................................... 8
Reporte. ......................................................................................................................................... 11
Conclusión..................................................................................................................................... 12
Bibliografía ................................................................................................................................... 13
Practica #9 “Curvas características del FET”
Introducción
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
• Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Transistor de efecto de campo de
unión)
• Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET
(Transistor de efecto de campo semiconductor de óxido de metal).
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de
conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensión). De forma análoga a como en los transistores
bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de
transistores FETs de canal n
y de canal p.

Objetivos.
• Obtener las curvas características del transistor de efecto de campo, usando el
osciloscopio como un trazador de curvas.
• Determinar la transconductancia del FET.
Lista de Material
• 1 Puente rectificador de 1 Amp.
• 1 Transistor 2N5951 o equivalente. (Descargar hoja de especificaciones de Internet)
• 1 Resistencia 100, ½W
• 1 Resistencia 10K, ½W
• 2 Resistencias 3.3K, ½W
• Transformador 120/12 VCA
Equipo
• 1 Osciloscopio.
• 1 Multímetro digital.
• 1 Fuente de alimentación.
Marco teórico
Si juntamos ahora en una misma gráfica el efecto que sobre el funcionamiento del dispositivo
tienen ambas tensiones (VDS y VGS). Al representar la corriente de drenador en función de
ambas tensiones, aparecen las denominadas curvas características del transistor JFET. En la
Figura 7.9. se representan las curvas características de salida para un JFET de canal n.
En ella se representa la corriente de drenador ID frente a la tensión drenador - fuente VDS
para distintos valores de la tensión puerta - fuente VGS. En la misma podemos ver como el
valor de la tensión VDS para el que se produce la saturación de la corriente de drenador
cuando VGS = 0, en algún libro aparece representado como VP haciendo referencia al
“estrangulamiento” o “pinch-off” que se ha producido en el canal.
Indicar que esta tensión VP se puede considerar de igual valor, pero de signo contrario, a la
tensión VGSoff característica del dispositivo. Por otro lado, para otros valores de VGS el
valor de la tensión VDS para el que se producirá la saturación de la corriente de drenador
vendrá dado por la expresión VDSsat = VGS - VGSoff , donde todas las tensiones deben de
ponerse con su signo correspondiente.
Es decir, cuanto más negativa sea la tensión VGS antes se alcanzará la condición de
saturación, o de otra forma, el canal se “estrangulará” para valores menores de la tensión
VDS, lo cual parece lógico ya que cuanto más negativa sea VGS menor es el canal de partida
que tenemos.
En las curvas características de la Figura 7.9. podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:
• Zona de corte o de no conducción.
• Zona óhmica o de no saturación.
• Zona de saturación o de corriente constante.
• Zona de ruptura.
Las curvas características del JFET
Se muestran a la izquierda. Se puede ver que para un determinado valor de voltaje de la
puerta, la corriente es casi constante en un amplio rango de voltajes Fuente-Drenador. El
elemento de control del JFET, viene del drenaje de los portadores de carga del canal n.
Cuando la puerta se hace más negativa, drena los portadores mayoritarios de la gran área de
drenaje alrededor de la puerta. Esto reduce el flujo de corriente para un determinado valor de
voltaje Fuente-Drenador. Modulando el voltaje de la puerta, se modula el flujo de corriente
a través del dispositivo.

La curva de transferencia del JTET es útil para visualizar la ganancia del dispositivo e
identificar la región de linealidad. La ganancia es proporcional a la pendiente de la curva de
transferencia. El valor de corriente IDSS representa el valor cuando la puerta se pone a tierra,
la máxima corriente del dispositivo. Este valor formará parte de los datos suministrados por
el fabricante. El voltaje de la puerta al que la corriente alcanza cero, se llama "pincha de
voltaje", VP. Nótese que la línea discontinua representando la ganancia en la región de
funcionamiento lineal toca la línea de corriente cero alrededores de la mitad del "voltaje
pinch"
Las ventajas del FET

1. Son dispositivos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada (del orden de 107
W ). Como esta impedancia de entrada es con dificultad mayor que la de los BJT, se prefieren
los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT porque suelen requerir menos
pasos de enmascaramiento y difusiones. Es posible fabricar un mayor número de dispositivos
en un circuito integrado (es decir, puede obtener una densidad de empaque mayor).
5. Los FET se comportan como resistencias variables controladas por tensión para valores
pequeños de tensión de drenaje a fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga el tiempo suficiente
para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.
Desventajas del FET

1. Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de
entrada. 2. Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre. 3. Los FET se pueden
dañar al manejarlos debido a la electricidad estática.
Teoría Preliminar.
Las curvas características del FET, son un conjunto de curvas que describen el comportamiento de la
corriente de salida Id, con respecto al voltaje de salida VDS, para distintos valores de voltaje de
entrada VGS. Ilustración 1 Diagrama del circuito para obtener las curvas del FET utilizando al
osciloscopio como trazador de curvas.
El circuito de la Figura 18, permite por el lado de la (G) compuerta-(S) surtidor, ajustar el valor del
voltaje VGS. Por ejemplo, VGS=0 si la fuente esta desconectada, o bien VGS puede tomar un valor
negativo de: –0.5V si el valor de la fuente se ajusta. Por el otro lado del circuito (D)drenador (S)
surtidor, se aplica una señal rectificada de onda completa. La caída de voltaje en la resistencia del
drenador RD, es proporcional a la corriente en el drenador ID, por lo que se usará para el eje vertical
(Y) en el osciloscopio.
El voltaje entre (D) drenador y (S) surtidor VDS con signo negativo se aplicará a la entrada horizontal
(X) del osciloscopio, operando en el modo X-Y. De la forma anterior es posible obtener una sola
curva característica del FET y solo es cuestión de ejecutar de nuevo el voltaje VGS, para observar un
nuevo trazo.
Procedimiento.

1.- Implementar el circuito de la Figura 18

Circuito Simulado
2.- Con el multímetro digital medir el voltaje entre compuerta-surtidor VGS.
Iniciar con VGS = 0 volts desconectando o apagando la fuente de alimentación.
3. Ajustar los controles del osciloscopio de la siguiente forma:
Acoplamiento de CD
200 mV/div, inicialmente (Este debe ajustarse para visualizar mejor la curva) Modo XY
4.- Observar lo siguiente : Se forma una curva característica del FET. La deflexión vertical
(Y) es provocada por la caída en RD por lo que la escala queda 2mA/div. La deflexión
horizontal es provocada por el voltaje entre el (D) drenador y (S) surtidor y es negativa.
5.- Ajustar la perilla de escala horizontal (X) hasta tener un desplazamiento horizontal (X)
igual a 2 V/div.
En este paso utiliza los controles de posición vertical (Y) y horizontal (X), para hacer que el
origen de la curva este cerca de la esquina inferior derecha de la pantalla de osciloscopio.
6.- Dibujar la familia de curvas características para los siguientes valores de VGS.(En la
tabla). Dibujar la curva que sé que observa en el osciloscopio en la cuadricula. (Si utilizas un
transistor equivalente, verificar los voltajes para VGS en las curvas proporcionadas por el
fabricante en la hoja de especificaciones).
VGS 0V -5 V -1 V -1.5 V -2 V -2.5 V -3 V
ID 0 50 -10 -15 -20 -25 -30

NOTA: Los valores del VGS son negativos, por lo que la fuente debe conectarse con la polaridad adecuada.
(Invirtiendo las terminales) Para cambiar el voltaje VGS, ajusta el valor de la fuente de alimentación y mide el
voltaje VGS con el multímetro digital.
7.- Registrar la siguiente información

Equipo Utilizado Fabricante-Modelo No. De Serie

Multímetro Digital Multisim S/N
Osciloscopio Multisim S/N
Generador de funciones Multisim S/N
Fuente de Voltaje Multisim S/N
Otro (Especifique)
Reporte.

1.- Determinar el valor de la transconductancia gm del FET para el punto de operación dado
por: VGSq =-1.5
VDSq =10V
Emplear la familia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. Para lograr lo anterior
utilizar VDS=10V.
Id2=___182____________ para VGS = -1V
Id1=____132____________ para VGS = -2V
𝒈 𝒎 = ∆𝑽𝒊 /∆𝑽𝑮𝑺 =60
2.- Graficar la curva de transferencia del FET. La curva de transferencia de la gráfica de ID
contra VGS:

3.- De la curva de transferencia determinar los siguientes valores característicos:

IDss = _88NA_______________ Corriente de saturación del drenador.
Vp = ____10V_____________ Voltaje de estrangulamiento de la compuerta.
Conclusión

Se presenta el informe de practica sobre los transistores unipolares JFET y MOSFET,

logrando diferenciar sus características y clasificación, diferenciando en el JFET canal N, sus
tres regiones de polarización, triodo, saturación y corte, sobre sus curvas características,
diferenciamos el transistor MOSFET de agotamiento como el de enriquecimiento y de la
misma forma sus tres regiones de polarización para un transistor canal N.
Los transistores FET realizan la función de control de la corriente, común a todos los
transistores por ser características básicas, mediante una tensión aplicada en uno de sus
terminales. Están construidos con una zona semiconductora tipo P o N que une dos de sus
tres terminales.
El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus curvas
características en las que se representa la corriente que entra o sale por el Drenador en función
de la tensión aplicada entre éste y la Fuente. Estos transistores pueden ser empleados en los
circuitos en una disposición similar a la de los bipolares, es decir, en fuente común, aunque
la primera y la última son las más utilizadas en la práctica.
En época reciente ha aparecido en el mercado una nueva tecnología de fabricación de
transistores MOS que recibe el nombre de VMOS a causa de la estructura geométrica de sus
diferentes regiones semiconductoras. Se utiliza en amplificadores de potencia, así como en
conmutación, haciendo la función de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que
posee.
Bibliografía

• De, T. y De Campo, E. (s. f.). Tema 7. Transistores de Efecto de Campo.

https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf
• Transistores de efecto de campo. (2022). Gsu.edu. http://hyperphysics.phy-
astr.gsu.edu/hbasees/Electronic/fet.html#:~:text=Curvas%20Caracter%C3%ADstica
s%20del%20JFET&text=Se%20puede%20ver%20que%20para,de%20carga%20del
%20canal%20n.
• Transistor de efecto campo - EcuRed. (2022). Ecured.cu.
https://www.ecured.cu/Transistor_de_efecto_campo
• 3. Transistor de efecto de campo de unión (JFET) - TINA y TINACloud. (2020).
TINA y TINACloud. https://www.tina.com/es/resources/home/field-effect-
transistor-amplifiers-2/3-large-signal-equivalent-circuit/
• https://www.areatecnologia.com. (2022). jfet. Areatecnologia.com.
https://www.areatecnologia.com/electronica/jfet.html
• Administrador. (2020, 25 de junio). JFET - FET de juntura - Transistor de efecto de
campo - Electrónica Unicrom. ElectrónicaUnicrom. https://unicrom.com/jfet-fet-de-
juntura/
• Diferencia entre JFET y MOSFET (con tabla) - Mira la Diferencia entre... (21 de
diciembre de 2020). Mira La Diferencia Entre...
https://miraladiferencia.com/uncategorized/diferencia-entre-jfet-y-mosfet-con-tabla/