Universidad Francisco Gavidia.

Electrnica de Potencia I
Ciclo 01-2014



Control de velocidad de Motor DC



Catedrtico:
Ing. Hctor Carrillo


Integrantes:
Marx Ernesto Arvalo Cortes AC103710
Daniel Elas Caldern Viana CV101709
Ernesto Edgardo Jimnez Iraheta JI100110




San salvador 2 de Junio de 2014


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INDICE

INTRODUCCION ............................................................................................................................................ 1
OBJETIVOS...................................................................................................................................................... 2
GENERAL: ...................................................................................................................................................................... 2
ESPECFICOS: ................................................................................................................................................................. 2
MARCO TEORICO.......................................................................................................................................... 3
TRANSISTORES DE EFEC XIDO SEMICONDUCTOR. (MOSFET) ....... 3
CARACTERISTICAS PRINCIPALES .................................................................................................................... 3
ESTRUCTURA DEL MOSFET ................................................................................................................................ 4
MOSFET DE ACUMULACION O ENRIQUECIMIENTO ................................................................................. 5
MOSFET DE DEPLEXION O EMPOBRECIMIENTO ....................................................................................... 7
MOTOR DC LIMPIA PARABRISAS ........................................................................................................... 8
COMPONENTES PRINCIPALES: ......................................................................................................................... 8
TRANSISTOR BIPOLAR 2N222 ............................................................................................................. 12
DIAGRAMA ESQUEMATICO DEL SISTEMA ........................................................................................ 13
DIAGRAMA DEL CIRCUITO ..................................................................................................................... 14
CODIGO UTILIZADO PARA GENERACION DE PWM ....................................................................... 15
FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO ..................................................................................................... 16
CALCULOS REALIZADOS ......................................................................................................................... 17
MATERIALES UTILIZADOS ..................................................................................................................... 19
CONCLUSIONES .......................................................................................................................................... 20
ANEXOS ........................................................................................................................................................ 21





1

INTRODUCCION

El descubrimiento y desarrollo de dispositivos electrnicos capaces de
modificar las caractersticas de la energa elctrica, tensin y frecuencia ha
crecido tanto que hoy todos estos dispositivos forman parte necesaria para el
control maquinas elctricas principalmente en la industria debido a su
versatilidad, bajos costos y a la eficiencia de los mismos. Tambin en nuestra
vida diaria nos encontramos con varias aplicaciones en maquinas simples como
de calefaccin, ventilacin, aire acondicionado, Iluminacin,
equipos informticos, etc. que utilizan estos componentes que controlan sus
caractersticas elctricas para poder ser mas eficientes y de fcil utilizacin que
hacen que nuestras tareas diarias sean mas fciles de completar.

En el presente proyecto pretendemos aplicar los conocimientos adquiridos
para disear y desarrollar un modelo de aplicacin de estos dispositivos de
potencia utilizando un transistor con tecnologa MOSFET para controlar la
velocidad de giro un motor DC de 12 voltios.

La aplicacin esta diseada de tal manera que este se pueda aplicar a la vida
diaria por ello construiremos una circuito de potencia capaz de controlar por
medio de una interfaz la velocidad de giro de un modelo de puerta automtica a
escala. Donde la velocidad de giro de esta estar directamente ligada al flujo de
personas que pasaran a travs de ella.
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OBJETIVOS



General:


Desarrollar una aplicacin con circuito de potencia capaz de controlar la
velocidad de giro de un motor de corriente directa DC.



Especficos:


- Utilizar PWM (modulacin por ancho de pulso) para la conmutacin
del circuito de potencia y el control de la puerta giratoria.

- Desarrollar una aplicacin practica donde se utilice en control de
velocidad de giro de un motor DC.

- Utilizar un dispositivo de potencia para desarrollar el circuito de
control del motor.

- Controlar por medio de diferentes teclas del teclado de una
computadora la velocidad del motor.

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MARCO TEORICO




SEMICONDUCTOR. (MOSFET)
- -semicondcutor constituye la base de toda una familia de
dispositivos tan importante, por lo menos, como el grupo de dispositivos
fundamentados en la unin pn.
Constituye, adems, un elemento de gran utilidad para el estudio de las superficies del
semiconductor. Es decir, a travs - - semiconductor se
pueden estudiar la fiabilidad y la estabilidad de los dispositivos electrnicos de estado
slido.
CARACTERISTICAS PRINCIPALES

- La corriente de drenador se controla mediante el voltaje VGS
- En los MOSFET de acumulacin a partir de un cierto valor umbral de VGS se forma el
canal y puede circular la corriente de drenador
- En los MOSFET de deplexin una difusin adicional permite la circulacin de la
corriente de drenador incluso para un voltaje VGS nulo
- Aplicaciones tpicas: convertidores y accionadores electrnicos de potencia, etapas
amplificadoras, circuitos digitales









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ESTRUCTURA DEL MOSFET



- Un semiconductor cuyas propiedades en superficie y volumen son idnticas E
-semiconductor.

- xido que es homogneo, constituyendo un aislante perfecto que no contiene
ninguna carga elctrica.


portadores mayoritarios del sustrato.
Existen dos tipos de transistores MOSFET.
1. FE
2. FE



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MOSFET DE ACUMULACION O ENRIQUECIMIENTO

ESTRUCTURA BASICA






Como podemos ver en la Figura en la que aparece representada la estructura bsica
para un MOSFET de canal n, partimos de una zona de material semiconductor tipo p
en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metlicos a los terminales de
drenador y fuente. La zona roja representada corresponde a una capa de material
aislante, en este caso oxido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta,
vemos como tenemos una zona metlica (correspondiente al contacto hmico) una
zona de oxido y una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura
de donde le viene el nombre al dispositivo de Metal Oxido Semiconductor (MOS).
Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS),
aunque habitualmente este se encuentra conectado a la fuente.
E

entre la puerta y el sustrato.

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Funcionamiento:
Para analizar el funcionamiento de este tipo de transistores conectamos a tierra el
sustrato y la fuente, es decir, hacemos que la tensin entre fuente y drenaje sea cero, y
aplicamos una tensin negativa a la puerta. Se crear un campo elctrico
perpendicular al xido, el cual inducir cargas positivas junto a la superficie del
semiconductor. Como el sustrato tipo N contiene muy pocos huecos, las cargas
positivas superficiales son principalmente huecos procedentes de la fuente y el
drenaje tipo P. Estas cargas mviles, que son portadores minoritarios en el sustrato,
forman una capa de inversin slo si la tensin fuente - puerta supera el nivel umbral.
A medida que la tensin negativa de puerta sube por encima del umbral, las cargas
positivas inducidas en el conductor tambin crecen. La regin debajo del xido es
ahora un canal P, la conductividad aumenta y circula corriente desde la fuente al
drenaje a travs del canal inducido al aplicar un potencial negativo de drenaje y
fuente. Por tanto, la corriente de drenaje se intensifica con la tensin negativa de
puerta, por lo que el dispositivo recibe el nombre de MOSFET de acumulacin.



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MOSFET DE DEPLEXION O EMPOBRECIMIENTO

Si en la estructura bsica de un transistor MOSFET se difunde un canal entre fuente y
drenaje, con el mismo tipo de impurezas empleadas en la difusin de las propias
fuente y drenaje, se obtiene el MOSFET de deplexin.
Consideremos la estructura de canal N mostrada en la ilustracin correspondiente. Si
la tensin fuente-drenaje es positiva, circular una apreciable corriente de drenaje
para un tensin de puerta-fuente de cero voltios.


MOSFET de deplexin con canal tipo N

Si la tensin de puerta se hace negativa, se inducen cargas positivas en el canal a
travs del xido del condensador de puerta. Puesto que la corriente en un transistor
de efecto de campo es debida a los portadores mayoritarios (electrones en un material
tipo N), las cargas inducidas positivas hacen el canal menos conductor y la corriente
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de drenaje cae cuando la tensin puerta - fuente se va haciendo ms negativo. La
redistribucin de las cargas en el canal provoca una deplexin o debilitamiento
efectivo de portadores mayoritarios, de ah su nombre: "MOSFET de deplexin".

MOTOR DC LIMPIA PARABRISAS

En la actualidad todos los motores limpiaparabrisas disponen de dos velocidades,
lenta y rpida, esta ltima, se obtiene alimentando el colector mediante una tercera
escobilla desfasada de las otras dos.
El sistema de reduccin de velocidad incorporado al motor elctrico, transforma la
velocidad del rotor o inducido (2.500 a 3.000 r.p.m.), en otra adecuada a los ejes-
brazos raquetas de 50 a 70 oscilaciones por minuto.
El motor elctrico es de induccin por imanes permanentes y debe tener la potencia
necesaria para vencer el rozamiento que existe entre las escobillas de goma y el
parabrisas del vehculo, en cualquiera de las condiciones de funcionamiento.

COMPONENTES PRINCIPALES:

Carcasa o inductor

A travs de este componente se cierra el campo magntico del motor. Est formado
por la carcasa propiamente dicha, en la que se han incorporado las siguientes piezas:

- Un conjunto inductor, formado por dos imanes permanentes de tipo cermico,
adheridos al interior de la carcasa.

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- Un tope de material termoplstico, que sirve de apoyo axial al eje del inducido.














Rotor o inducido
Est constituido por un eje de acero con los elementos siguientes:
- Un paquete de lminas ranuradas, en las que se alojan los arrollamientos inducidos.
- Un colector, al que se conectan los arrollamientos inducidos y sobre el que rozan las
escobillas.
- En el extremo del eje se encuentra tallado el husillo sinfn, para el accionamiento de
la rueda reductora de velocidad.












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Soporte motor
Es una pieza de aluminio obtenida mediante fundicin inyectada (ver figura), se
acopla a la carcasa por medio de un rebaje circular exterior y dispone de tres apoyos
con taladros roscados, para su fijacin al vehculo o a la placa soporte del mecanismo
de transmisin. El soporte motor difiere principalmente de un limpiaparabrisas a otro
en su forma, segn sea el sistema de transmisin de movimiento empleado.
Incorpora los siguientes elementos:
- Un portaescobillas moldeado en material termoestable, sujeto por rebordeados al
soporte motor, en el se alojan tres escobillas y los muelles que las presionan sobre el
colector.
- Tres o cuatro casquillos sinterizados; dos de ellos alojan al eje inducido y uno o dos
al eje de la rueda reductora de velocidad.
- Una gua de material termoplstico, por la que se desliza la cabeza del cable flexible,
en el sistema de transmisin del mismo nombre.











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Rueda reductora
Esta moldeada en material termoplstico de bajo coeficiente de friccin y constituye
junto con el husillo sinfn del inducido, el sistema reductor de velocidad.
Los tipos de ruedas reductoras (ver figuras), varan en la forma de accionar el
conmutador de parada automtica y por la disposicin del acoplamiento para la
manivela de accionamiento.
Las ruedas A y B corresponden al sistema de transmisin por biela-manivela, llevan
el eje insertado en la rueda reductora y por el otro extremo del eje, disponen de una
zona generalmente cnica estriada para el acoplamiento de la manivela de
accionamiento, con fijacin por tuerca.
En el sistema por cable flexible (rueda C) el eje es solidario a la rueda reductora
propiamente dicha, en la que se encuentra soldado excntricamente un perno
(manivela) que da movimiento a la biela de accionamiento y sta a su vez, a la cabeza
del cable flexible.




















12
TRANSISTOR BIPOLAR 2N222













El 2N2222, tambin identificado como PN2222, es un transistor bipolar NPN de baja
potencia de uso general.
Sirve tanto para aplicaciones de amplificacin como de conmutacin. Puede amplificar
pequeas corrientes a tensiones pequeas o medias; por lo tanto, slo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio Watts). Puede trabajar a frecuencias
medianamente altas.
Las hojas de especificaciones sealan como valores mximos garantizados 500
miliamperios, 50 voltios de tensin de colector, y hasta 500 milivatios de potencia. La
frecuencia de transicin es de 250 a 300 MHz, lo que permite utilizarlo en aplicaciones
de radio de alta frecuencia (hasta 300 MHz).















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DIAGRAMA ESQUEMATICO DEL SISTEMA








































INTERFAZ DE
COMUNICACIONN CON
EL USUARIO
GENERADOR DE
SEAL PWM
CIRCUITO DE POTENCIA
CONTROLADOR DEL MOTOR
MOTOR DC ACOPLADO A
PUERTA GIRATORIA
14
DIAGRAMA DEL CIRCUITO












































Q1
PN2222
R1
1k
R2
100k
R3
330
Q2
IRFP244
1
2
+12V
ALIMENTACION
R4
1k
1 2 3 4
8 7 6 5
ARDUINO
CONN-DIL8
1
2
J3
MOTOR
D1
1N4007
IRFP240
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CODIGO UTILIZADO PARA GENERACION DE PWM

int motor = 3;

void setup ()
{
Serial.begin(9600);
}
void loop ()
{
if (Serial.available()){
char a = Serial.read();

if (a >= '1' && a <= '9'){

int velocidad = map(a,'1','9',0,255);
analogWrite(motor,velocidad);
Serial.print("motor girando");
Serial.println(a);}
else if (a=='0'){
digitalWrite (motor,HIGH);
Serial.print("motor girando");
Serial.println(a);
}
}
}
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FUNCIONAMIENTO DEL CIRCUITO



Utilizando un microcontrolador de Atmel se ha generado una seal de control PWM
con una frecuencia de 100KHz. Segn la tcnica de control de velocidad por PWM, la
seal vara entre valores de 0 y 5 voltios en tiempos que pueden ser modificados en
funcin del voltaje promedio que se le entregara a la carga, de acuerdo a la intensidad
o velocidad de la luminaria o motor.

Se ha utilizado un transistor bipolar BJT PN2222A el cual sirve para poder
proporcionar la conmutacin en el transistor MOSFET de potencia, cuando un valor
lgico 1 (5V) se encuentra presente en la entrada del circuito se proporciona una
corriente a la base del transistor, lo cual produce un estado de saturacin en el mismo,
por lo tanto la cada de voltaje entre colector y emisor, cae hasta cero voltios, lo que
hace que el MOSFET se abra, con lo cual se apaga la carga.

Cuando un valor lgico cero se encuentra en la entrada del circuito, la corriente en la
base se vuelve cero y el transistor se coloca en la zona de corte, el voltaje en la
compuerta del MOSFET es el equivalente a la cada que proporciona la resistencia de
colector, siendo este casi el valor de la fuente de alimentacin, con lo que s e logra casi
la mxima excursin de corriente entre drenador y fuente.

Cuando los procedimientos anteriores se repiten a frecuencias elevadas y modificando
el tiempo en estado 1 lgico o cero lgicos, se logra el control del voltaje promedio, en
el caso de la carga, significa reduccin o aumento



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CALCULOS REALIZADOS


Para el desarrollo de este proyecto se cuenta con un motor elctrico de corriente
Z=4 V=+12V DC
partiendo de estas caractersticas:

En base a la corriente que la carga demanda se decidi utilizar un transistor MOSFET
de potencia el cual, de acuerdo a hojas tcnicas tiene la capacidad de entregar una
corriente mxima de 20A, al aplicar un voltaje en compuerta de 10V.
Debido a que se utiliza una lgica de control con micro controladores de tecnologa
TTL es posible proporcionar un mximo de 5V por sus puertos, adems de la limitada
corriente que este puede entregar, se decidi hacer uso de un circuito que excite el
transistor de potencia MOSFET, en este caso un transistor de propsito general, un
PN2222a.
1K
entrada del transistor se tiene:

Con este valor de corriente de base es posible lograr la conduccin del transistor con
el objetivo de dar lugar a la activacin del transistor de potencia, el transistor
pn2222a es alimentado con 12 voltios en el colector, al conmutar su voltaje de
colector cae hasta 0 voltios con respecto a tierra logrando as el apagado del MOSFET.
Segn las caractersticas del transistor MOSFET IRFP240 utilizado se puede observar
que para un voltaje de compuerta de 10 V se logra una corriente entre drenador y
18
fuente de aproximadamente 20A, en el circuito se ha colocado una resistencia de
330
que:

Se proporciona por lo tanto un voltaje de polarizacin de compuerta en el transistor
de potencia, muy cercano al valor de la fuente, con lo cual se garantiza que la corriente
que el transistor permitir entre los terminales de drenador y fuente, podr satisfacer
la corriente que demandara la carga.

El mtodo de regulacin de la velocidad del motor es la modulacin por ancho de
pulso (PWM), el mtodo plantea la alimentacin de la carga, en este caso el motor, por
tramos de tiempo, la modificacin del tiempo en que se alimenta la carga es lo que
permite el cambio en la velocidad, debido al voltaje promedio que se aplica.


















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MATERIALES UTILIZADOS





1 Arduino UNO (Generador de seal PWM)
1 Transistor MOSFET IRFP240 de acumulacin canal P
1- Transistor bipolar 2N222 de uso general
1 Diodo 1n4004
2- Resistencia 1K
1- resistencia 330
1 resistencia 100K
Borneras para salida del motor y entrada Arduino y alimentacin
1 Fuente 1500W de computador
1 Motor DC para limpiaparabrisas de imanes permanentes x2 velocidades
1 Disipador de calor para transistor
1 acrlico 20x15 CM para puerta
1- tableta de cobre e implementos para soldar
1- madera para base de montaje
Pintura, tornillos, cables varios.





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CONCLUSIONES


A momento de realizar un proyecto con dispositivos de potencia se debe de tomar en
cuenta diferentes parmetros que son importantes para el perfecto funcionamiento
del sistema a ser implementado. Los voltajes de disparo son bien importantes para un
dispositivo MOSFET ya que si no se logra romper esa barrera especificada para que el
dispositivo comience a conducir no es posible lograr proporcionar la corriente
necesaria para que el motor o dispositivo a ser controlado funcione y como
consecuencia el MOSFET disipe mayor potencia en forma de calor, pudiendo daarlo y
desperdiciando la potencia de la fuente.

Es bien importante referirse a las hojas tcnicas de los dispositivos que utilizaremos a
la hora de realizar una operacin ya que en ellos se muestran las corrientes y voltajes
mximos a los que estos pueden trabajar y manejar. En ellas se muestran las curvas de
comportamiento de los diferentes parmetros controlados por el dispositivo. Por ello
es importante antes de disear un dispositivo de control saber que cantidad de
corriente demanda la carga a ser conectada que en nuestro caso fue de 3.0 Amperios.

La frecuencia de control es bsica para hacer conmutar a los dispositivos de potencia
en nuestro caso logrando modificar el tiempo de duracin del ancho de pulso
generado por el ARDUINO se logro modificar el voltaje promedio de salida y de
manera lograr modificar la velocidad del motor o dispositivo a ser controlado que en
nuestro caso fue el motor para limpiaparabrisas.

Con respecto a la aplicacin que logramos implementar es bastante utilizada en
hoteles alrededor del mundo, es importante modificar la velocidad de la puerta
automtica con respecto al flujo de personas que atravesara por ella ya que en las
horas pico los hoteles tienen un flujo mayor de personas que necesita atravesar por
ellas y de esa manera lograr controlar los clientes que entran al hotel y la velocidad
con que sern atendidos.
21

ANEXOS

PROCESO DE CONSTRUCCION







































22














































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