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Instituto Tecnológico de Tepic

Ingeniería Mecatrónica
Electrónica De Potencia
Reporte de Practica 3 U1
Mosfet

Maestro:
Doc. Navarrete Guzmán Antonio
Alumnos:
Altamirano Aguillares Roberto Jafet
Barrón Plata Álvaro Darinel
Gómez Ruiz Luis Ángel
Jiménez Garnica Juan David

6to Semestre Grupo-11A 1-3 pm

26-2019
Introducción
Los Mosfet de potencia son dispositivos controlados por voltaje que requiere solo de
una pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los
tiempos de conmutación del orden en los nanosegundos.
El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo de Metal-Óxido-Semiconductor
(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) se debe a la constitución
del propio transistor.
Los MOSFET poseen 3 terminales: Gate, Drain y Source (compuerta, drenaje y fuente).
A su vez, se subdividen en 2 tipos, los MOSFET canal N y canal P.

Los Mosfet es un transistor, similar a un BJT en cuanto a funciones, pero diferente en


cuanto a estructura interna y modo de funcionamiento. Los BJT funcionan con señales
de corriente, mientras que los MOSFET funcionan con señales de voltaje, lo cual hace
de los últimos la herramienta por excelencia para el control digital.
Estos dispositivos se utilizan en la conmutación de cargas de alta velocidad, dado su
tiempo de respuesta mínimo. Se utilizan para el control digital de cargas de mayor
corriente y mayor voltaje que los valores nominales que puede soportar un
microcontrolador. Son muy buenos en la amplificación de señales analógicas,
especialmente en aplicaciones de audio. Al igual que los BJT, poseen múltiples
funciones en diferentes tipos de aplicaciones en el mundo de la electrónica, de las
cuales solo hemos estudiado la conmutación y apenas mencionado la amplificación de
señales.

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Contenido

Material:
-Fuente de Voltaje 24v
-Variedad de Resistencias
- Mosfet tipo P
-Foco 12v
-Mosfet tipo N
-Arduino
-Leds

Desarrollo:
Para la realización de esta práctica con Mosfet utilizamos de los dos tipos que
existen los cuales son tipo P y tipo N.
Se realizaron las diferentes compuertas lógicas que existen así también como el
control de iluminación y la actividad complementaria.
Para las compuertas lógicas se realizaron diferentes circuitos dependiendo la
compuerta a realizar, pero todas con la finalidad de generar su tabla de verdad
utilizando los Mosfet logrando inyectar voltaje suficiente en Gate (Base) para
poder utilizar los Mosfet como apagadores así mismo se utilizaron resistencias
de potencia para proteger los circuitos ya que, aunque los Mosfet son muy
complicados de quemar siempre se requiere de protecciones para que los
circuitos funcionen de manera correcta.

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Para realizar el control de iluminación fue muy sencillo ya que en esta ocasión no se
utilizaban capacitores como en los transistores, sino que solamente se utilizaban
variedades de resistencias y un potenciómetro para poder manipular la intensidad de la
luz del foco de 12V.
Y por último en la actividad complementaria al igual que con los transistores consistía
en utilizar un Arduino y que los diferentes pulsos que se dieran encendieran leds de
manera diferente, esta practica fue muy sencilla ya que para hacerla funcionar con los
Mosfet solo se requería poner otro valor en las resistencias.

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Conclusión
(Roberto Jafet Altamirano Aguillares)
Los Mosfet al igual que los transistores tienen la misma función básica la cual es
el activamiento del mismo en base a drain con respecto a source y a gate la única
diferencia es su configuración de conexión la cual depende del tipo de
configuración ya sea canal N o canal P que en algunas de las practicas se
necesitó de ambos para poder realizar la operación de dichas compuertas
lógicas y otra característica diferenciadora es que este funcione con valores más
altos en cuanto a potencia debido a los elementos por los cuales está construido
y la forma denominada metal oxido semiconductor.
(Luis Ángel Gómez Ruiz)
Experimentalmente se vio el funcionamiento del transistor MOSFET en las
regiones de corte y saturación. Esto nos sirvió para confirmar lo visto con
anterioridad en clases teóricas, así mismo en las practicas de laboratorio
pudimos observar como el mosfet es activado al aplicar un voltaje en la
compuerta G. haciendo así el uso del mosfet ya sea de canal P o canal N ya que
en algunas practicas se utilizaron ambos canales para así operar las compuertas
logicas de manera adecuada.
(Juan David Jiménez Garnica)
Gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una buena versatilidad de
trabajo.
Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se
debe aplicar en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source)
y el drenaje (Drain) son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P
entre ellos.
gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el
semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre
drenaje y fuente es controlada por la tensión aplicada a la compuerta.
(Álvaro Darinel Barrón Plata)
La realización de esta practica nos ayudo para confirmar lo visto en clase acerca
de los Mosfet de potencia, de igual manera al realizar esta practica aprendí
acerca de como funcionan estos ya que cuando se le inyecta voltaje en la
compuerta se activan estos, en este caso para que realicen la función de
apagadores y se pudieran así realizar las compuertas lógicas.
También aprendí acerca de que los Mosfet soportan una gran cantidad de voltaje
y de corriente y tiene una gran variedad de aplicaciones que nos pueden servir
mas adelante en la carrera.

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