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1.

Introduccin
Antes de descubrirse el transistor (1950), los circuitos electrnicos estaban
constituidos a base de vlvulas de vaco. Estas eran voluminosas, provocaban
un gran consumo de energa y su vida era corta.
El invento del primer transistor por Schockley dio paso a una nueva era.

2. Constitucin
El transistor bipolar est formado por tres cristales semiconductores alternando
los tipos N y P, dando lugar a dos tipos diferentes, los NPN y los PNP.

El emisor se fabrica muy dopado, mientras que la base se realiza poco dopada
y muy delgada.
Casi todos los portadores que salen del emisor atraviesan la base y llegan al
colector, siendo ste flujo de electrones regulado por la tensin aplicada a la
base.

Identificacin de terminales
Para identificar el tipo de transistor (NPN o PNP) y la disposicin de sus
terminales nos basamos en las propiedades de la unin PN de ofrecer poca
resistencia en polarizacin directa y alta en polarizacin inversa.
Es fcil identificar la base, pues deber presentar baja resistencia respecto de
los otros dos terminales.

Adems, la unin base-colector tiene menor resistencia que la unin baseemisor, lo que identifica los otros dos terminales.

Comprobacin del estado del transistor


Deber tener:
Alta resistencia entre emisor y colector en ambos sentidos.
Alta resistencia en un sentido y baja en el otro para las uniones base-emisor
y base-colector.
Algunos polmetros poseen comprobador de transistores siendo capaces de
medir su ganancia y de identificar sus terminales ya que, si no se conecta
adecuadamente, no mide ganancia alguna. Para ello disponen de dos filas de
tres conexiones, una para transistores PNP y otra para transistores NPN.

Distribucin de corrientes
En los esquemas siguientes se representa el reparto de corrientes para un
transistor PNP.

Se ha polarizado la unin base-emisor directamente y la unin base-colector


inversamente.

Al polarizar directamente el emisor y la base, se establece una corriente que


debera cerrarse por la malla emisor-base. Sin embargo, al ser la base muy
delgada y estar el colector muy "negativo", casi toda la carga atraviesa la base
hacia el colector, siendo la corriente de colector mucho mayor que la de base
(99%), cumpliendo la ecuacin:
IE = IB + IC
Aunque la corriente de base es muy pequea, es muy importante, regulando la
de colector. La corriente de colector disminuye y aumenta con la de base y si
sta se anula, la de colector tambin se anula.
Para el caso de un transistor NPN, el razonamiento es anlogo.

Sin embargo, en este caso, se comprende mejor el reparto de corrientes si se


considera el sentido de corriente "electrnico".

3. Parmetros del transistor.


Parmetro alfa ().
Indica la relacin entre las corrientes de colector y emisor

Su valor es algo inferior a la unidad.


Parmetro beta o ganancia de corriente ().
Es la relacin entre las corrientes de colector y de base.

Se puede deducir la relacin entre ambos parmetros.

La ganancia de corriente no es constante, sino que aumenta con la corriente de


colector y con la temperatura.
Al disear circuitos con transistores se incluyen sistemas que compensen o
minimicen estas variaciones.

4. Tensiones de ruptura.
En polarizacin inversa, las uniones no soportan cualquier tensin. Habr que
tener en cuenta:
La tensin inversa colector-base con el emisor abierto (U CBO).
Suele ser elevada (de 20 a 300 voltios) y provoca una pequea corriente de
fugas (ICBO).
La tensin inversa colector-emisor con la base abierta (V CEO).
Tambin provoca una corriente de fugas (ICEO).

5. Curvas caractersticas
Son curvas que relacionan entre s distintas magnitudes referentes al transistor,
como son:

IC en funcin de VCE para IB = Cte.

IB en funcin de VBE para VCE = Cte.

Potencia mxima.

Trataremos nicamente las curvas caractersticas en la polarizacin con emisor


comn por ser la ms ampliamente utilizada.

Caracterstica IC = f (VCE) para IB = Cte

Se suele representar una familia de curvas para varias intensidades de base


diferentes. Manteniendo constante la intensidad de base se representan los
valores de la corriente de colector para distintas tensiones colector-emisor.

Para intensidades de base no muy altas la tensin V CE afecta poco a la


intensidad de colector que se mantiene casi constante para cada intensidad de
base, siempre que la tensin VCE se mantenga por encima de unos 0.7 voltios y
por debajo de la de ruptura.
Para una misma VCE la intensidad de colector crece mucho (del orden de
miliamperios) para pequeos incrementos de la corriente de base (del orden de
microamperios).

Por ejemplo:
Para VCE = 20 V

IB = 150 - 50 = 100 A IB = 0,1 mA


IC = 39 - 12 = 27 mA
De lo cual se deduce la capacidad del transistor para amplificar corrientes.

Se puede obtener la ganancia del transistor a partir de las curvas.

Tambin permiten determinar la resistencia de salida que vendra dada por:

Por ejemplo:
VCE = 40 - 20 = 20 V
IC = 43 - 39 = 4 mA

Caracterstica IB = f (VBE) para VCE = Cte


Se trata de curvas muy similares a las de un diodo, donde se mantiene
constante la VCE y se representa la intensidad de base en funcin de la tensin
VBE.

Como ocurre con los diodos hay cierta diferencia entre los transistores de
germanio que empiezan a conducir a unos 0.2 voltios de tensin V BE y los de
silicio que lo hacen a unos 0.6 voltios. Aunque casi todos los transistores
utilizados son de silicio los de germanio an se usan en ciertas aplicaciones.

Estas curvas permiten el clculo de la resistencia de entrada:

La resistencia de entrada se hace muy pequea una vez se ha superado el


codo de la tensin de conduccin.

Por ejemplo, para el silicio:


IB = 100 - 50 = 50 A
VBE = 0,89 - 0,87 = 0,02 V

Caractersticas de potencia mxima


El transistor posee una resistencia entre el colector y el emisor que depende de
la intensidad aplicada a la base.
Por efecto Joule el transistor disipa una potencia en dicha resistencia en forma
de calor.

Si se supera la potencia mxima indicada por el fabricante el transistor podra


destruirse.
La potencia mxima a que puede trabajar un transistor viene dada por la
temperatura en la unin de colector y depende de la temperatura ambiente.
Para aumentar la potencia en un transistor sin que se destruya se puede
recurrir a colocarle un disipador de calor o aleta de refrigeracin que le ayude a
evacuar el calor al ambiente.

6. Polarizacin del transistor


Polarizar un transistor consiste en suministrar las tensiones adecuadas y
conectar las resistencias oportunas para que el transistor funcione dentro de
los limites indicados en el diseo, de forma que la seal aplicada a la entrada
no resulte deformada a la salida.
Existen tres configuraciones fundamentales, de las cuales la ms utilizada es la
de emisor de comn:

Polarizacin mediante dos fuentes de


alimentacin

Las tensiones VBE y VCE adecuadas se consiguen mediante dos bateras


independientes: VBB y VCC.

Necesita dos fuentes y es muy sensible a los cambios de beta y de


temperatura.

Polarizacin mediante una sola fuente de


alimentacin
Por realimentacin del emisor

Las tensiones adecuadas de VBE y VCE se consiguen eligiendo adecuadamente


las resistencias, siendo comn a la entrada y a la salida la cada de tensin en
RE
VBE = VCC - VRB - VRE
VCE = VCC - VRC - VRE
Un aumento de temperatura o de beta provoca un aumento de I C y por tanto de
IE y de la tensin en RE. La tensin en RB disminuir y tambin IB compensando
el incremento de la salida.

Por realimentacin del colector

La cada de tensin en RC es comn al circuito de entrada y al de salida


VBE = VCC - VRC - VRB
VCE = VCC - VRC
RC pertenece al circuito de entrada y de salida (realimentacin).

Es ms estable ante los cambios de temperatura y de beta ya que si aumenta


IC lo hace VRC lo que hace disminuir la tensin en RB y por tanto la corriente de
base. Aumentos de IC provocan una reduccin de IB que compensa dicho
incremento.

Por realimentacin del emisor con divisor de tensin.

Es una variante de la polarizacin por realimentacin del emisor donde la


tensin en la base se consigue mediante un divisor de tensin (R B1 y RB2).
VBE = VCC - VRB1 - VRE
VCE

7. Clculo de la recta de carga


Una vez establecida una cierta polarizacin para un transistor, podemos
establecer la ecuacin que rige la intensidad de colector respecto de la tensin
VCE. Esta ecuacin define una recta que puede superponerse a las grficas I C =
f (VCE) determinando los puntos de funcionamiento del transistor.
Por ejemplo, en el circuito siguiente polarizados con dos fuentes de
alimentacin, se establece la siguiente ecuacin para la malla de colector:

La forma ms fcil de trazar la recta correspondiente sobre las curvas del


transistor es encontrar los puntos de interseccin con los ejes (para I C = 0 y
para VCE =0).

Uniendo estos dos puntos sobre las curvas del transistor obtenemos la recta de
carga del transistor.

Punto de saturacin:
Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector
es mxima.
Punto de trabajo:
Corresponde a la intensidad de base determinada por la malla de base del
transistor y es el punto de trabajo normal con la polarizacin utilizada.
Punto de corte:
Corresponde a una intensidad de base igual a cero (I B = 0). La corriente de
colector es casi nula (slo la de fugas).

8. El transistor bipolar como


amplificador
El punto de trabajo debe situarse aproximadamente en el centro de la recta de
carga.
Si se desplaza a la zona de saturacin la intensidad de colector se hace
mxima y deja de responder a los incrementos de intensidad de base.
Si se desplaza a la zona de corte la intensidad de colector se hace cero y el
transistor no conduce.
Entre el corte y la saturacin, el transistor funciona como amplificador, ya que,
a cada intensidad de base (del orden de microamperios) corresponde una
intensidad de colector amplificada (del orden de miliamperios).

Si en la entrada del circuito provocamos mediante una seal exterior un


aumento de intensidad de base, se produce un aumento de intensidad de
colector y lo mismo si disminuye.
Las seales aplicadas a la base se ven as reflejadas en el colector, pero
amplificadas desde el orden de microamperios al orden de miliamperios.

Si la intensidad de base rebasa el punto de saturacin la intensidad de colector


no puede seguirla y la seal de salida se ve recortada.
Si la intensidad de base se anula tambin lo hace la de colector, recortando la
seal de salida por el otro extremo.

Es importante pues, que la polarizacin determine el punto de trabajo en la


zona media de la recta de carga para evitar as recortes en la seal de salida.
An as, la amplitud mxima de la seal de entrada quedar limitada por los
puntos de corte y saturacin, si no queremos recortes en las salida.

9. Ganancia en tensin y corriente


sobre curvas caractersticas
El circuito de polarizacin establece el punto de trabajo en la zona central de la
recta de carga.

Mediante unos condensadores de entrada y de salida se asla el circuito de


polarizacin, ya que, los condensadores no permiten el paso de la corriente
continua.
Al aplicar una seal alterna (variable) a la entrada, se refleja en la otra placa del
condensador superponindose a la intensidad de base de polarizacin.
Aumentos de la seal de entrada producen aumentos de la intensidad de base
desplazando el punto de trabajo hacia arriba en la recta de carga.

Disminuciones de la seal de entrada producen reducciones de la intensidad


de base, desplazando el punto de trabajo hacia abajo en la recta de carga.
El desplazamiento del punto de trabajo se refleja en cambios en el valor de la
intensidad de colector que reproduce las variaciones de la intensidad de base,
pero en el orden de miliamperios en vez del orden de microamperios de la
base.

La tensin VCE tambin refleja las modificaciones, reproduciendo en tensin la


seal de entrada. La amplitud de esta seal viene determinada por el valor de
la fuente de alimentacin de colector VCC, ya que nunca podra superar este
valor.

Recordemos que se defina como ganancia en corriente al parmetro beta del


transistor, en la forma: