1.

Transistores:

Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión sobre

un circuito actuando como un interruptor y/o amplificador.

Configuración En El Emisor Común:

Se denomina
configuración de emisor
común porque el emisor
es común tanto a las
terminales de entrada
como a las de salida (en
este caso, es también
común a las terminales de
la base y del colector).

Configuración Base:

La terminología relativa a
base común se desprende del
hecho de que la base es común a
los lados de entrada y salida de la
configuración. Además, la base es
usualmente la terminal más
cercana o en un potencial de tierra
con transistores pnp y npn...

Configuración Colector Común:

La configuración de colector
común se emplea
fundamentalmente para
propósitos de acoplamiento de
impedancia ya que tiene una
elevada impedancia de entrada
y una baja impedancia de
salida, que es lo opuesto a las
configuraciones de base
común y de emisor común.
Zona Activa:

Esta es una región intermedia

entre las regiones de corte y saturación.
En esta región la corriente de colector (Ic)
depende principalmente de la corriente de
base (Ib), de la ganancia de corriente ß
(dato del fabricante) y de las resistencias
que estén conectadas al colector y
emisor. Esta región es la más importante
si lo que se desea es utilizar el transistor
como un amplificador.

Zona De Conmutación:

El transistor trabaja en conmutación

cuando puede pasar de corte a saturación
según la cantidad de corriente que reciba por
su base. En la imagen, el ventilador
(representado por una M) sólo funcionará
cuando la temperatura sea alta. La ventaja de
utilizar el transistor y no un interruptor
convencional es que el transistor corta o
reanuda la corriente de forma mucho más
rápida.

2. Transistores De Alta Frecuencia:

Los transistores de alta frecuencia son transistores que se utilizan para señales
pequeñas que funcionan a altas frecuencias para aplicaciones de conmutación de alta
velocidad. Estos son transistores que se utilizan para las señales de alta frecuencia y debe
ser capaz de encender y apagar a muy altas velocidades
Recta De Cargas:

La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la

corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para los
transistores

Si de la ecuación de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuación de una

recta, que en forma de gráfica sería:

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa.

 El punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solución, el punto Q,
también llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto Q se controla
variando VS y RS.

Al punto de corte con el eje X se le llama "Corte" y al punto de corte con el eje Y se le
llama "Saturación".

Curva De Máxima:

La curva de máxima potencia divide el

gráfico en dos zonas: una, en la que puede
trabajar el transistor, porque todos sus puntos
tienen una potencia inferior a 30 mW, y otra,
llamada zona prohibida, en la que si funciona el
transistor en cualquiera de sus puntos se
destruye por disipar más del máximo de
potencia admitido.

Teniendo en cuenta, en el ejemplo que

se resuelve, que la alimentación del transistor
es de 9 V, se conoce el punto común a todas
las rectas de carga (el punto A) con I C = 0 y VCE
= 9 V. De este punto partirán todas las rectas
de carga correspondientes a las resistencias
que se coloquen en el colector del transistor, y
como interesa conocer la de menor valor, la
recta de carga que determina esa resistencia será la de máxima pendiente permitida, o sea,
la tangente a la curva de máxima potencia que parte del punto común A.

Disipación De Potencia

Puesto que circula corriente desde la fuente de alimentación hacia tierra, pasando por
las resistencias internas de las puertas (ya sean de tipo resistivo o capacitivo), se consume
energía eléctrica que se transforma en energía calorífica. En consecuencia, las puertas
lógicas disipan calor y puede hablarse de potencia consumida que depende del voltaje de
alimentación y de la cantidad de corriente consumida. La expresión genérica para la potencia
es

P=VxI

Donde V es voltaje e I es intensidad. La potencia se mide en watios (W)

Punto De Reposo:

Se llama punto de reposo de un transistor o punto de trabajo a aquél de la recta de

carga en el que se encuentra el transistor para unos determinados valores de Vce e Ic,
determinados por los elementos del circuito de polarización.
 Al punto de reposo viene unido el concepto de potencia disipada por el transistor. Si
bien sabemos que en una resistencia es el producto de la tensión en sus bornes por la
corriente que la recorre,

Pues dado que la corriente de emisor es aproximadamente igual a la de colector, se

puede despreciar la de base y calcular la potencia como el producto de la tensión colector
emisor por la corriente de colector: W = Vce · Ic Donde: W Potencia en Vatios Vce Tensión
colector-emisor en voltios Ic Corriente de colector en amperios

Zona De Funcionamiento De Transistores:

El transistor
está compuesto por
tres zonas Zona de
saturación Zona de
corte o bloqueo Zona
de trabajo o activa

Zona de saturación En esta

región las tensiones de
colector-emisor son muy
pequeñas, prácticamente
cero. Sin embargo, las
corrientes de base y colector
son las máximas permitidas
para el correcto
funcionamiento. En estas
condiciones tenemos el
transistor comportándose
como un circuito o
interruptor cerrado.

Zona De Bloqueo O Corte La zona

correspondiente a este estado implica que
el transistor trabaja por debajo de la curva
de Vcc para Ib = 0. En estas condiciones,
sin intensidad de base, la tensión de
 colector alcanza su valor máximo, es decir, el de Vcc, comportándose como un
interruptor abierto.

Zona Activa La zona activa es la más grande de las tres, y en ella coloca el transistor
su punto de reposo para cualquier combinación de corriente de colector y tensión de
colector-emisor.

Los dos estados extremos de funcionamiento de un transistor son el de corte y

saturación.

Polarización Fija:

Los transistores tienen como función principal la amplificación de señales, para lograr
este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicación de voltajes DC
en sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a través de circuitos de polarización, los cuales
garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta de carga" y en
su zona activa.

Circuito De Polarización Fija:

Este circuito es el más sencillo

de todos los circuitos de polarización.
El circuito estará formado por un
transistor NPN, dos resistencias fijas:
una en la base RB (podría ser
variable) y otra en el colector RC, y
una batería o fuente de alimentación
Vcc. Este circuito recibe el nombre de
circuito de polarización fija y determina
el punto Q de reposo del transistor
para unos valores dados de Vcc, RB y
RC. Es el circuito más sencillo, pero
también el más inestable con las
variaciones de la temperatura.

Polarización De Colector:

Esta polarización tiene una mayor

estabilidad que la polarización de base. Si la
ganancia de corriente del transistor tiende a
aumentar, debido a un cambio de
temperatura o sustitución del transistor por
otro de β mayor, la corriente de colector
tenderá a aumentar también. Esto generará
un aumento de la caída de tensión en colector R C, o bien, una disminución de la tensión VCE,
provocando una tendencia a disminuir del valor de I B. De esta forma se limita el aumento
iterativo de IC. Debido a este hecho se dice que esta polarización posee, de forma intrínseca,
realimentación negativa. De la malla del circuito de colector nos ofrece el valor de la
resistencia de colector

Ventajas Inconvenientes

Buena impedancia de entrada - No destaca

- Realimentación negativa

Auto Polarización

3. Transistores FET: Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres
terminales: D = Drenado: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los
portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el
decanal p) S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los
portadores. G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la
corriente de portadores a través del canal.

Características Y Símbolos

Características:

es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.

presenta alta impedancia de entrada. La corriente de entrada es prácticamente nula
(IG).
tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda.
es de fácil fabricación e integración.

En principio son dispositivos simétricos, o sea bidireccionales, no hay distinción entre

los terminales de drenaje y fuente, salvo por el sentido de circulación de corriente.

Símbolos

Polarización:
 Para el funcionamiento más habitual, los transistores de canal n se polarizan aplicando
una tensión positiva entre drenado y fuente (VDS) y una tensión negativa entre puerta y
fuente (VGS).

De esta forma, la corriente circulará en el sentido de drenado a fuente.

En el caso del JFET de canal p la tensión VDS a aplicar debe ser negativa y la tensión
VGS positiva, de esta forma la corriente fluirá en el sentido de la fuente hacia el drenado.

Configuración De FET

Como en los transistores bipolares existen tres configuraciones típicas:

1) Surtidor Común (SC) equivale al EC en los transistores bipolares. Ejemplo en el

circuito se grafica un amplificador que utiliza dos baterías. La batería VGG se utiliza
para polarizar la compuerta del transistor. La tensión en la compuerta será negativa (-
VGG), pues no hay caída de tensión, en corriente continua, en la resistencia RG.
(Acordarse de que no hay paso de corriente entre la compuerta G y el surtidor S y la
corriente que suministra la fuente Vin es de corriente alterna). De esta manera la
tensión en la compuerta será más negativa que la tensión en el surtidor.
 2) Drenado Común (DC) equivale al
CC en los transistores bipolares.
transistor jfet con auto polarización
en configuración drenaje común. El
circuito es el siguiente:

En un transistor jfet en configuración

drenaje común la ganancia en voltajes es
menor a uno. La impedancia de entrada zi
tiene un valor igual a RG y la impedancia
de salida zo tiene un valor menor a 1/gm.
La ganancia en corrientes es muy alta. No
se presenta inversión en voltajes.

3) Puerta común
(PC).equivale al BC en los
transistores bipolares. La
más utilizada es la de
surtidor común que es la
equivalente a la de emisor
común en los transistores
bipolares. Transistor jeft
con auto polarización en
configuración compuerta
común. El circuito es el
siguiente:

En un transistor jfet en configuración puerta común la ganancia en voltajes es mayor a

uno (por el orden de 1 a 10). La impedancia de entrada es menor al valor de la resistencia de
fuente RS y la impedancia de salida es menor al valor de la resistencia de drenaje RD. La
ganancia en corrientes es menor a la unidad. No se presenta inversión en voltajes.

Punto De Funcionamiento:

Zonas De Funcionamiento Del Transistor De Efecto De Campo (FET):

 Zona Óhmica O Lineal: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de
VGS.
Zona De Saturación: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS
Zona De Corte: La intensidad de drenado es nula (ID=0).

4 Transistores MOSFET: El Mosfet controla el paso de la corriente entre una entrada o

terminal llamado fuente sumidero (source) y una salida o terminal llamado drenador
(drain), mediante la aplicación de una tensión (con un valor mínimo llamada tensión
umbral) en el terminal llamado puerta (gate). Es un interruptor controlado por tensión.

Tipos:

Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS.

1) MOSFET de enriquecimiento
2) MOSFET de empobrecimiento o deplexión

Funcionamientos Físicos:

1) MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el

drenador y la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae
portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región de
inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato
originalmente.
2) MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de
reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica
en la puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y
una disminución respectiva de la conductividad.

Características:

Las características fundamentales de los MOSFETS son las siguientes:

 Máxima Tensión Drenador-Fuente

Corresponde a la tensión de ruptura de la unión que forman el substrato (unido a la

fuente) y el drenador. Se mide con la puerta cortocircuitada a la fuente. Se especifica a qué
pequeña circulación de corriente corresponde (por ejemplo, 0,25 mA). Ayuda a clasificar los
MOSFETS en:

Baja tensión: 15 V, 30 V, 45 V, 55 V, 60 V, 80 V
Media tensión: 100 V, 150 V, 200 V, 400 V
Alta tensión: 500 V, 600 V, 800 V, 1000 V

La máxima tensión drenador-fuente de representa como V DSS o como V(BR)DSS

2. Máxima Corriente De Drenador

El fabricante suministra dos valores (al menos):

Corriente continua máxima ID

Corriente máxima pulsada IDM

La corriente continua máxima ID depende de la temperatura de la cápsula Por ejemplo:

a 100ºC, ID=23·0,7=16,1A

Resistencia De Conducción

Es uno de los parámetros más importantes en un MOSFET. Cuanto menor sea, mejor
es el dispositivo.

Se representa por las letras RDS(on).

Polarización De Los Mosfet:

Del Tipo Empobrecimiento: se establece un punto Q en Vgs =0, por lo tanto, una
señal de CA que entra por el graduador produce variaciones arriba y abajo del punto
Q. Es una ventaja cuando V gs =0 porque asi se puede polarizar y se puede utilizar este
circuito en donde el graduador y el surtidor no necesitan voltaje.
Del Tipo enriquecimiento: VGS tiene que ser mayor que VGS (th) para obtener
corriente. Esto elimina la auto polarización, la polarización por corriente de surtidor y,
la polarización cero, ya que todas ellas operan en el modo de empobrecimiento.

Los circuitos de polarización típicos para MOSFET enriquecido, son similares

al circuito de polarización utilizados para JFET.
La principal diferencia entre ambos es el hecho de que el MOSFET de
enriquecimiento típico sólo permite puntos de funcionamiento con valor
positivo de VGS para canal n y valor negativo de V GS para el canal p. Para
tener un valor positivo de VGS de canal n y el valor negativo de VGS de canal p,
es adecuado un circuito de auto polarización. Por lo tanto hablamos de
recorte de realimentación y circuito divisor de tensión para mejorar el tipo
MOSFET.
Polarización Y Renado De Fuerza

Polarización De Base

Auto Polarización