TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA

TBJ
TRANSISTORES BIPOLARES DE POTENCIA
-Tienen una creciente popularidad en aplicaciones de media potencia, compiten con
éxito frente a las tiristores y GTO.
-En el rango de baja potencia están siendo desplazado por los MOSFET y los IGBT.
-En las aplicaciones de potencia trabajan como en CORTE y SATURACION,
funcionando como llaves de 2 (dos) estados ON – OFF. Este control se realiza
mediante una señal de corriente en su Base.

A continuación se observa la característica de Corriente de Colector Ic vs la Tensión

de Colector-Emisor Vce en configuración Emisor Común para distintas corrientes de
Base.
-En las aplicaciones para equipos industriales desde 5 a 200 [kW] se disponen en el
mercado TBJ de hasta 500 [A] de corriente de colector y tensiones de trabajo de
hasta 2500 [V].
-Su ventaja frente a otros componentes es su pequeña caída de tensión en
saturación, aproximadamente 3 [V].
-Los TBJ presentan como principal inconveniente el fenómeno de “Segunda Ruptura”
o “Avalancha Secundaria”, debido a una distribución de corriente no uniforme por el
dispositivo, lo cual ocasiona puntos de elevada temperatura que pueden provocar su
destrucción.

La tendencia actual de los TBJ es la de suministrarse agrupados en pares Darlington

en forma de un único módulo que incluye además elementos de protección.

De esta forma se requiere menor corriente de base para lograr su excitación.

CARACTERISITICAS DE ESTADO PERMANENTE

Aunque hay tres configuraciones posibles: colector común, base común y emisor
común, la configuración emisor común, para un transistor NPN, es la que
generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutación.
Curvas Características

Para un transistor PNP, se invierten las polaridades de todas las corrientes y voltajes.
Hay tres regiones de operación de un transistor: de corte, activa y de
saturación.

En la región de corte, el transistor está abierto o apagado, la corriente de

base no es suficiente para saturarlo, y las dos uniones están polarizadas
inversamente.

En la región activa, el transistor actúa como un amplificador, en el que la

corriente de base se amplifica una ganancia determinada, y el voltaje
colector-emisor disminuye al aumentar la corriente de base. La unión colector-
base (CBJ) está polarizada inversamente, y la unión colector-emisor (BEJ)
tiene polarización directa.

En la región de saturación, la corriente de base es suficientemente alta como

para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor actúa como un
interruptor. Las dos uniones (CBJ y BEJ) tienen polarización directa.
La característica de transferencia, que es una gráfica de VCE en función de lB, se
muestra a continuación,
El modelo de un transistor NPN se ve en la figura, en operación a cd a gran señal. La ecuación
que relaciona las corrientes es:

La corriente de base es de hecho la de entrada, y la corriente del colector es la de salida. La

relación entre la corriente de colector lC y la corriente de base lB se llama ganancia de
corriente en sentido directo, βF
La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y el otro
es la corriente de fuga de la unión CBJ.

donde lCEO es la corriente de fuga de colector a emisor, con la base con circuito abierto, y se
puede considerar despreciable.

Combinando las ecuaciones anteriores:

Como βF » 1, la corriente de colector se puede expresar como

 donde

es decir,

Examinando el circuito de la figura, donde se ve que el transistor se opera como interruptor.

Esta ecuación indica que siempre que VCE >= VBE, la unión CBJ tiene una polarización inversa,
y el transistor está en la región activa.

La corriente máxima de colector en la región activa se puede obtener igualando VCB = O y VBE
= VCE,
Si la corriente de base aumenta arriba de lBM, entonces VBE y la corriente de colector
aumentan. VCE baja a menos de VBE.

Esto continúa hasta que la unión colector-base tiene polarización directa, con VBC
aproximadamente de 0.4 a 0.5 V. Entonces el transistor pasa a la saturación.

La saturación de un transistor se puede definir como el punto arriba del cual todo aumento en
la corriente de base no aumenta en forma apreciable la corriente de colector.

En la saturación, la corriente de colector permanece casi constante. Si el voltaje de saturación

de colector a emisor es VCE(sat), la corriente de colector es
En el caso normal, el circuito se diseña para que lB sea mayor que lBS. La relación de lB a lBS se
llama factor de sobresaturación (ODF, de overdrive factor):

y la relación de lCS a lB se llama βforzada:

La disipación total de potencia en las dos uniones es

Un valor alto de ODF no puede reducir en forma apreciable el voltaje de colector a emisor. Sin
embargo, VBE aumenta debido al incremento de la corriente de base, y el resultado es mayor
disipación de potencia en la unión BEJ.
EJERCICIO

El transistor bipolar de la figura tiene un valor nominal de βF en el intervalo de 8 a 40. La

resistencia de la carga es RC = 11 Ω. El voltaje de suministro de cd es VCC = 200 V, y el voltaje
de entrada al circuito de la base es VB = 10 V.
Si VCE(sat) = 1.0 V y VBE(sat) = 1.5 V, determinar:

a)el valor de RB que produzca saturación con un ODP de 5.

b)la βforzada
c)la disipación de potencia PT en el transistor.
CARACTERISITICAS DE CONMUTACION

Una unión pn con polarización directa contiene dos capacitancias en paralelo: una
capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusión.
Por otra parte, una unión pn con polarización inversa sólo tiene la capacitancia de
agotamiento. Bajo condiciones de estado permanente, esas capacitancias no juegan
papel alguno. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, influyen sobre el
comportamiento del transistor en su encendido y apagado.

El modelo de un transistor bajo condiciones transitorias se observa en la siguiente

figura:
Donde

Ccb y Cbe son las capacitancias efectivas de las uniones CBJ y BEJ, respectivamente.

La transconductancia gm de un BJT se define como la relación de ∆IC a ∆VBE Esas

capacitancias dependen de los voltajes en las uniones y de la construcción física del
transistor.

La capacitancia Ccb afecta en forma apreciable a la capacitancia de entrada, debido al

efecto de multiplicación de Miller.

Las resistencias de colector a emisor y de base a emisor son rce y rbe,

respectivamente.

A causa de las capacitancias internas, el transistor no se enciende al instante. La

siguiente Figura ilustra las formas de onda y los tiempos de conmutación.
Cuando el voltaje de entrada VB aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta
a IB1 la corriente de colector no responde de inmediato. Hay un retardo, llamado
tiempo de retardo td para que haya un flujo de corriente por el colector.

Este retardo se requiere para cargar la capacitancia de la unión BEJ hasta el voltaje
de polarización directa VBE (unos 0.7 V). Después de ese retardo, la corriente de
colector sube hasta el valor lCS de estado permanente.

El tiempo de subida tr depende de la constante de tiempo determinada por la

capacitancia de la unión BEJ.

En el caso normal, la corriente de base es mayor que la necesaria para saturar al

transistor. El resultado es que el exceso de carga debido a los portadores minoritarios
se almacena en la región de la base.

Mientras mayor sea el ODF, más alta será la cantidad de carga adicional almacenada
en la base. Esa carga adicional, llamada carga de saturación, es proporcional al
exceso de excitación de la corriente de base y la corriente le correspondiente es
y la carga de saturación se determina por

donde τs se llama constante de tiempo de almacenamiento del transistor.

Cuando el voltaje de entrada se invierte de V1 a -V2 y la corriente de base también

cambia a –IB2, la corriente de colector no cambia durante un tiempo ts llamado tiempo
de almacenamiento.

Se requiere el ts para remover la carga de saturación de la base. Como VBE todavía es

positivo, aproximadamente sólo de 0.7 V, la corriente de base invierte su dirección
debido al cambio de polaridad de VB, desde V1 hasta -V2.

La corriente –IB2 en sentido inverso ayuda a descargar la base y a remover la carga

extra de la base. Si no hay –IB2 , la carga de saturación debe removerse por completo
por recombinación, y el tiempo de almacenamiento sería mayor.

Una vez removida la carga adicional, la capacitancia de la unión BEJ se carga hasta
el voltaje de entrada -V2, y la corriente de base cae a cero. El tiempo de caída tf
depende de la constante de tiempo, que está determinada por la capacitancia de la
unión BEJ con polarización inversa.
El tiempo de encendido o tiempo de activación, tenc es la suma del tiempo de retardo
td y el tiempo de subida tr:

y el tiempo de apagado o tiempo de desactivación, toff, es la suma del tiempo de

almacenamiento ts y el tiempo de caída tf
MOSFET DE POTENCIA
-Hasta hace pocos años atrás sólo existían transistores de efecto de campo para
potencias muy pequeñas.
-Gracias a los avances tecnológicos en los últimos años, hoy existen dispositivos
capaces de manejar potencias superiores a los 1000 [W] con tensiones de hasta 1000
[V] y corrientes de hasta 100 [A]
-Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, y sólo requiere una
pequeña corriente de entrada.
-La velocidad de conmutación es muy alta, y los tiempos de conmutación son del
orden de nanosegundos (entre 10 y 100 ns).
-Los MOSFET de potencia están encontrando aplicaciones cada vez más numerosas
en convertidores de baja potencia y alta frecuencia.
-Los MOSFET no tienen los problemas de fenómenos de segunda avalancha, como
los BJT.
-Admite conexión en paralelo sin necesidad de circuitos de ecualización.
-Sin embargo, los MOSFET tienen los problemas de descarga electrostática y
requieren cuidados especiales en su manejo.
-También cabe destacar sus importantes pérdidas en conducción debido a una
resistencia, en este estado, relativamente alta (entre 0,3 y 2 [Ω].
-Además, es relativamente difícil protegerlos en condiciones de falla por cortocircuito.
-Poseen una tensión de bloqueo baja.
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta toma una corriente de fuga muy pequeña, del orden
de los nA.

La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje ID y la

corriente de compuerta IG suele ser del orden de 109. Sin embargo, la ganancia de
corriente no es un parámetro importante.

La transconductancia, que es la relación de la corriente de drenaje al voltaje de

compuerta, define a las características de transferencia, y es un parámetro muy
importante.

En la figura siguiente se muestran las características de transferencia de MOSFET de

canal n y de canal p.
CARACTERISITICAS DE ESTADO PERMANENTE

A continuación se muestra las características de salida de un MOSFET de canal n

incremental.

Hay tres regiones de operación:

1)CORTE, donde VGS <= VT;

2)ESTRECHAMIENTO o SATURACION, donde VDS = VGS - VT,
3)Lineal, donde VDS <= VGS - VT·

En la región lineal, la corriente de drenaje ID varía en proporción con el voltaje de

drenaje a fuente, VDS. Debido a la gran corriente de drenaje y al bajo voltaje de
drenaje, los MOSFET se operan en la región lineal, para las acciones de conmutación.

En la región de saturación la corriente de drenaje permanece casi constante para

cualquier aumento en el valor de VDS, en esta región se usan los transistores para
amplificar voltaje.

Se debe notar que la saturación tiene el significado opuesto al de los transistores

bipolares.
El modelo de estado permanente, igual para los MOSFET tipo decremental y tipo
incremental, se muestra seguidamente.

La transconductancia gm se define como

La resistencia de salida r0 = RDS, se define como:

y en el caso normal es muy alta en la región de estrechamiento, del orden de los

[MΩ], y en la región lineal es muy pequeña, normalmente del orden de los [mΩ].
CARACTERISITICAS DE CONMUTACION

Si no tiene señal de compuerta, un MOSFET de tipo incremental se puede considerar

como dos diodos conectados espalda con espalda, o como un transistor NPN.

La estructura de la compuerta tiene las capacitancias parásitas Cgs respecto a la

fuente y Cgd respecto al drenaje.

El transistor npn tiene una unión con polarización inversa, del drenaje a la fuente, y
forma una capacitancia Cds.

La figura muestra el circuito equivalente de un transistor bipolar parásito en paralelo

con un MOSFET. La región de base a emisor de un transistor NPN se pone en corto
en el dado del microcircuito, al metalizar la terminal de la fuente y la resistencia de la
base al emisor, debido a que la resistencia Rbc del material de las regiones n y p es
pequeña. Por consiguiente, se puede considerar que un MOSFET tiene un diodo
interno, y el circuito equivalente se ve en la figura. Las capacitancias parásitas
dependen de sus voltajes respectivos.
El modelo de conmutación de los MOSFET se ve en la siguiente figura.
Las formas de onda y los tiempos típicos de conmutación se ven en la próxima figura.

El retardo de encendido td(enc) es el tiempo necesario para cargar la capacitancia de

entrada hasta el valor del voltaje umbral.

El tiempo de subida tr es el tiempo de carga de la compuerta, desde el nivel de umbral

hasta el voltaje total de compuerta VGSP, que se requiere para activar al transistor
hasta la región lineal.

El tiempo de retardo de apagado td(apag) es el necesario para que la capacitancia de

entrada se descargue desde el voltaje de sobre saturación V1 hasta la región de
estrechamiento.

El voltaje VGS debe disminuir en forma apreciable antes de que VDS comience a subir.
El tiempo de caída tf es el necesario para que la capacitancia de entrada se
descargue desde la región de estrechamiento hasta el voltaje de umbral. Si VGS <=
VT, el transistor se desactiva.
BIBLIOGRAFIA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Circuitos, Dispositivos y Aplicaciones
MUHAMMAD H. RASHID - Tercera Edición

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL MODERNA

TIMOTHY MALONEY – Quinta Edición.