Electrónica de Potencia

Diodos
Recta de Carga

Aplicando la 2ª Ley de Kirchhoff:

Vss = R*ID + VD

ID = Vss/R
Recta de Carga

• Conocido el valor de Vss, R y la curva

característica del diodo, se puede obtener el
punto de trabajo del circuito.

• El punto de trabajo es la intersección entre

la característica del diodo y la recta de carga.
Recta de Carga: Ejemplo

Para el circuito de la figura graficar la recta de carga.

Resistencia Estática o en CD

La aplicación de un voltaje de CD a un
circuito que contiene un diodo
semiconductor produce un punto de
operación en la curva de características que
no cambia con el tiempo.

La resistencia del diodo en el punto de

operación se halla determinando los niveles
correspondientes de VD e ID

Los niveles de resistencia CD en el

punto de inflexión y hacia abajo serán.
Resistencia Estática o en CD: Ejemplo

Determine los niveles de resistencia de cd del diodo de la figura con

a. ID = 2mA (bajo nivel)
b. ID = 20mA (alto nivel)
c. VD = -10 V (polarizado en inversa)
Resistencia Dinámica o en AC

Si se aplica una entrada senoidal (AC) en lugar de

una de CD, la situación cambiará por completo.

La entrada variable moverá el punto de operación

instantáneo hacia arriba y hacia abajo de una
región de las características, y por lo tanto define
un cambio específico de la corriente y voltaje
como se muestra en la figura.

Sin ninguna señal variable aplicada, el punto de

operación sería el punto Q que aparece en la
figura, determinado por los niveles de CD
aplicados. La designación de punto Q se deriva de
la palabra quiescente, que significa “fijo o
invariable”.
Resistencia Dinámica o en AC

Una línea recta trazada tangente a la curva por

el punto Q como se muestra en la figura
definirá un cambio particular del voltaje y
corriente que se puede utilizar para
determinar la resistencia de AC o dinámica en
esta región de las características del diodo.

Se deberá hacer un esfuerzo por mantener el

cambio de voltaje y corriente lo más pequeño
posible y equidistante a ambos lados del punto
Q.

En general, por consiguiente, cuanto más bajo

esté el punto de operación (menor corriente o
menor voltaje), más alta es la resistencia de
AC.
Resistencia Dinámica

La derivada de una función en un punto es igual a la pendiente de la línea tangente

trazada en dicho punto.

R=V/I

Para valores que superan el

voltaje umbral, n=1 para Si
Resistencia de CA Promedio

Si la señal de entrada es
suficientemente grande para
producir una amplia variación tal
como se indica en la figura, la
resistencia asociada con el
dispositivo en esta región se llama
resistencia de AC promedio.

La resistencia determinada por

una línea recta dibujada entre dos
intersecciones establecidas por
los valores máximos y mínimos
del voltaje de entrada.
Ejercicio

En el circuito de la figura determinar:

a) La resistencia estática en Q1, Q2, Q3
b) La resistencia dinámica en Q1, Q2, Q3
c) La resistencia promedio.
d) La corriente Id utilizando el modelo de la segunda
aproximación.
Ejercicio

En el circuito de la figura determinar:

a) La resistencia estática en Q1, Q2, Q3
b) La resistencia dinámica en Q1, Q2, Q3
c) La resistencia promedio.
d) La corriente Id utilizando el modelo de la segunda
aproximación.
Ejercicio

En el circuito de la figura determinar:

a) La resistencia estática en Q1, Q2, Q3
b) La resistencia dinámica en Q1, Q2, Q3
c) La resistencia promedio.
d) La corriente Id utilizando el modelo de la segunda
aproximación.
Resistencia Dinámica: ejemplo

a. Determine la resistencia de AC con ID 2 mA.

b. Determine la resistencia de AC con ID 25 mA.
c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en cada
nivel de corriente.
Resistencia Dinámica

a. Determine la resistencia de ca con ID 2 mA.

b. Determine la resistencia de ca con ID 25 mA.
c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en cada
nivel de corriente.
Resistencia Dinámica

a. Determine la resistencia de ca con ID 2 mA.

b. Determine la resistencia de ca con ID 25 mA.
c. Compare los resultados de las partes (a) y (b) con las resistencias de cd en cada
nivel de corriente.
Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos son los diodos, aunque
tienen entre otras, las siguientes limitaciones:

•Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido

contrario al de conducción.
•El Único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Tipos

Los diodos son de tres tipos:

•Uso general, Los diodos de uso general están disponibles hasta 6000 V, 4500 A,
con un tiempo de recuperación inversa de 25μ s
•Alta velocidad (o de recuperación rápida) puede llegar hasta 6000 V, 1100 A. El
tiempo de recuperación inversa varía entre 0.1 y 5μ s. Los diodos de recuperación
rápida son esenciales para la interrupción de los convertidores de potencia a altas
frecuencias.
•Schottky. - tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperación
muy pequeño, típicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con
el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A.

Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su cátodo;

siendo la caída de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, típicamente 0.5 y
1.2 V.

Si el voltaje de cátodo es más alto que el voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en
modo de bloqueo.
ÁNODO CÁTODO
Características Dinámicas

Estas características están referidas al proceso de conmutación del diodo, tanto

en el proceso de encendido como de apagado.

Parámetros de Encendido
•Tensión Directa, Von. Caída de tensión del diodo en
régimen permanente para la corriente nominal.
•Tensión de recuperación Directa, Vf, tensión Máxima
durante el encendido.
•Tiempo de recuperación Directa, ton. Tiempo para
alcanzar el 110% de Von.
•Tiempo de subida, Tr, tiempo en el q la corriente
pasa el 10% al 90% de su valor nominal. Suele estar
controlado por el circuito externo.

El último tiempo es mucho menor que el de recuperación inversa y no suele producir

Pérdidas despreciables.
Características Dinámicas
Dispositivos semiconductores de Potencia
 Dispositivos semiconductores de Potencia

id

IOmax

VR = 1000V Tensión inversa máxima

IOMAX (AV)= 1A Corriente directa máxima VR
VF = 1V Caída de Tensión directa
IR = 50 nA Corriente inversa iS Vd

VR = 100V Tensión inversa máxima NOTA:

IOMAX (AV)= 150mA Corriente directa máxima Se sugiere con un buscador obtener las
VF = 1V Caída de Tensión directa hojas de características de un diodo (p.e.
IR = 25 nA Corriente inversa 1N4007). Normalmente aparecerán varios
fabricantes para el mismo componente.
Conexión de Diodos

el coeficiente de disipación o
potencia máxima
Conexión de Diodos
Conexión de Diodos

Diodos conectados en serie

En muchas aplicaciones de alto voltaje, un diodo comercialmente disponible

no puede dar la especificación de voltaje requerida, por lo que los diodos se
conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.

Diodos conectados en Paralelo

En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para

aumentar la capacidad de conducción de corriente, a fin de llenar las
especificaciones de corriente deseadas.
Bibliografía

[1] FISHER, M. J.: “Power Electronics”, Ed. PWS - KENT Publishing

Company.

[2] RASHID, M. H.: “Electrónica de Potencia”, Ed. Prentice Hall

International Editions.

[3] DANIEL W. HART: “Electrónica de Potencia”, Ed. Prentice Hall.

[4] ALDANA y otros: “Electrónica de Potencia” Ed. Universidad

Politécnica de Madrid