Apunte Sistemas de Control

Sistemas de control
Apunte general
Wels, Ariel M.
arielmw87@gmail.com
Sistemas de control Capitulo 0
Pf. Ariel M. Wels

Índice general
3
Pf. Ariel M. Wels

Capı́tulo 1
Control Automático
Los controladores o reguladores automáticos forman parte de todo tipo de dispositivos

que nos rodean, muchas veces sin ser conscientes de ello. Ejemplos de controladores los podemos
encontrar en el termostato de la calefacción o del aire acondicionado, en el control de tempe-
ratura de un horno o la heladera, en el regulador de nivel de luz, en la dirección asistida de los
automóviles, el sistema de parada en un piso de los ascensores de alta velocidad o, incluso, en
el sistema de llenado de agua de una cisterna.
Allı́ donde una velocidad, un movimiento, temperatura, presión, nivel, etc. se mantie-
nen regulados, hay un controlador que realiza este trabajo.
Para referirse a este tipo de sistemas se utiliza la denominación de controladores o

reguladores automáticos.
Revisaremos entonces los diferentes componentes de un sistema de control automático

y los diferentes tipos de control que existen, de lazo abierto y de lazo cerrado.
1.1 Definiciones Básicas

Variable controlada: y(t) : La variable controlada es la cantidad o condición que se mide y
controla.
Variable manipulada: u(t) : La variable manipulada es la cantidad o condición que el contro-

lador modifica para afectar el valor de la variable controlada.
El objetivo del control es medir el valor de la variable controlada del sistema para
aplicar correcciones a través de la variable manipulada para obtener un valor deseado.
Planta: La planta es el conjunto de partes que trabajan juntas con el objetivo de realizar
5
una operación en particular. Se le llama planta a cualquier sistema fı́sico que se desea
controlar.
Proceso: El proceso es cualquier operación que va a ser controlada.
Los conceptos de planta y proceso se suelen utilizar de manera intercambiable en las

distintas literaturas, muchas veces omitiendo uno de ellos, sin embargo, una regla sencilla para
distinguirlos es pensar que el proceso ocurre en la planta. El proceso es lo que sucede, y la planta
es donde sucede. Si se omite uno de estos conceptos, se toma por cierto que al mencionar uno
se hace referencia a ambos, debido a su estrecha relación.
Sistema: Un sistema es un conjunto de componentes que se inter relacionan y trabajan juntos

para realizar un objetivo determinado.
Accionador o Actuador: es el encargado de convertir la señal de control c(t) , que entrega

el controlador y suele tener poca potencia, en una acción sobre el sistema, es decir, la
variable manipulada u(t) . en sistemas con control electrónico esto se traduce en la etapa
de potencia y el actuador.
Controlador: este bloque recibe una señal a su entrada y la convierte en una señal que consiga
que el sistema alcance la referencia deseada, determinando el comportamiento del sistema.
Muchas Bibliografı́as omiten el Accionador, incluyendo su funcionalidad dentro del

controlador, esto es particularmente cierto en sistemas mecánicos, donde el controlador y el ac-
tuador suelen ser parte de un mismo juego de elementos y donde no es fácilmente distinguible
un elemento del otro.
Perturbación: Una perturbación es una señal que normalmente afecta a la variable controlada
del sistema. Las perturbaciones pueden ser internas o externas al sistema y actúan como
otra entrada.
Control realimentado: El control realimentado es un sistema que mantiene una comparación

entre la entrada de referencia y la salida deseada, el resultado de la comparación es
utilizado para controlar.
Sistema de control en lazo cerrado: Los sistemas de control en lazo cerrado alimentan al
controlador la señal de error e(t) que es la diferencia entre la señal de entrada r(t) y la
señal de realimentación h(t) , a fin de reducir el error y llevar la salida del sistema a un
valor deseado. El término control de lazo cerrado siempre implica el uso de una acción de
control realimentado para reducir el error del sistema; es por eso que los términos “control
realimentado” y “lazo cerrado” se usan indistintamente.
Sistemas de control en lazo abierto: En estos sistemas la salida no afecta la acción de

control. Es decir que en este tipo de control no se mide la salida ni se realimenta para
compararla con la entrada. Por lo tanto, a cada entrada de referencia le corresponde una
condición operativa fija; lo que obliga a que la precisión del sistema sea dependiente de
la calibración del mismo.
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Capitulo 1 Sistemas de control
1.2 Sistemas de control en lazo abierto
1.2.1 Elementos de un sistema de control en lazo abierto
Figura 1.1: Diagrama de un sistema de control a lazo abierto.
En ocasiones el controlador, el accionador y el proceso que ocurre en la planta no

tienen lı́mites bien definidos o no existen en algún sistema. En cualquier caso es interesante
conocer los tres elementos a la hora de identificar las diferentes partes de un sistema de control.
1.2.2 Ejemplos de sistemas de control en lazo abierto
A continuación se describen sistemas a lazo abierto que se pueden encontrar comúnmen-

te en el dı́a a dı́a:
Control de potencia de un horno microondas
El controlador está formado por un dispositivo que enciende y apaga el horno a

intervalos regulares para conseguir mayor o menor potencia dependiendo del tiempo que dure
el encendido del microondas acorde a lo programado. Este sistema es llamado PWM (Pulse
Width Modulation o modulación de ancho de pulso). El accionador es el magnetrón y relé
que lo activa produciendo las microondas que en última instancia calientan, la planta es el
lugar donde estará la taza de café u otro elemento que se quiera calentar mientras que el
proceso es calentar.
Control de potencia de una estufa eléctrica
El controlador es el interruptor que selecciona entre una o dos resistencias calefac-

toras. El accionador está formado por las resistencias calefactoras y el ventilador, la planta
es el aire caliente que sale y la habitación calentada, por ultimo el proceso es calentar.
Control de intensidad de luz (dimmer)
El controlador es el potenciómetro que se gira para conseguir mayor o menor lumi-

nosidad. El accionador es el circuito electrónico de potencia y la lámpara que produce luz.
La planta es la habitación iluminada y el proceso es iluminar.
Pf. Ariel M. Wels página 7 de ??

Control de volumen en un equipo de audio
Si bien un amplificador internamente es un sistema realimentado, si tomamos en cuenta

solo el control de volumen este no tiene censado alguno de la salida, si se considera el amplifi-
cador como una caja cerrada el control de volumen es un S.C.L.A. donde: El controlador es
el potenciómetro que se mueve para conseguir mayor o menor nivel de sonido. El accionador
es el amplificador y los altavoces del equipo de música. La planta es la habitación y el sonido
serı́a el proceso.
Temporizador
Uno de los controladores en lazo abierto más habituales es el temporizador. Este se

puede encontrar en múltiples dispositivos como una puerta de garaje, apagado automático de
escaleras automáticas, temporizador de un horno, etc. En todos estos lugares el temporizador
activa o desactiva determinado dispositivo en función del tiempo (variable independiente), sin
ninguna realimentación de la variable controlada.
1.2.3 Conclusión
En los sistemas en lazo abierto se puede controlar que el sistema reciba más o menos
accionamiento (se varı́a la variable manipulada), pero no se puede controlar con exactitud
el punto en el que se encontrará la variable controlada. Por ejemplo en el caso del horno
microondas, no se puede estar seguro de que la leche no hervirá. Tampoco con el caloventor
se puede conocer con exactitud la temperatura que alcanzará la habitación. En ambos casos el
resultado final dependerá del tamaño del vaso o de la habitación, de la temperatura ambiente,
el aislamiento, la potencia total del calentador, etc. Esta gran desventaja de los sistemas en
lazo abierto no impide que se utilicen con mucha frecuencia por su bajo costo, gran sencillez y
robustez.
1.3 Sistemas de control en lazo cerrado
1.3.1 Elementos de un sistema de control en lazo cerrado
Figura 1.2: Diagrama de un sistema de control a lazo cerrado.
Este tipo de sistema de control soluciona el problema de los sistemas en lazo abierto,
que dependen de las condiciones ambientales. El nombre de lazo cerrado proviene de la señal
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del sensor que vuelve al controlador, cerrando el lazo de control. Los elementos del sistema de
control en lazo cerrado son los mismos que los del sistema en lazo abierto con dos añadidos:
• El Acondicionador de señal: toma la señal de salida y la adapta de modo de poder ser uti-
lizada como realimentación. Este elemento consta del sensor que mide el estado o variable
a controlar en el sistema (posición, temperatura, humedad, etc.) y en caso de ser necesa-
rio, el circuito que adecua el nivel de este al nivel requerido por el restador/comparador.
Por ejemplo, en un control de temperatura, el sensor y el amplificador que adecua los
niveles de tensión, en una cisterna, el sensor es la boya y el acondicionado es la conversión
del nivel a la rotación del eje que acciona la válvula de agua.
• El restador o comparador: Este elemento está representado por un cı́rculo en el esquema.
Su función es comparar la señal de referencia r(t) y la señal de realimentación h(t) y
calcular el error e(t) que existe entre la respuesta deseada y el estado real del sistema,
este error será la señal que se evalúe para determinar si es necesario un cambio sobre la
variable manipulada u(t) .
Muchas bibliografı́as no mencionan el elemento acondicionador de señal y lo incluyen

dentro del sensor, esto puede ser particularmente cierto en muchos sistemas electrónicos, pero
es difı́cilmente aplicable a sistemas mecánicos.
Este tipo de control busca conseguir que la salida del sistema se encuentre en el estado
deseado, independientemente de las condiciones ambientales.
Señal Nombre Función

r(t) Setpoint (SP) Es el estado que se desea alcanzar en el sistema.
Es la diferencia entre el estado deseado y el estado real
e(t) Error
de la variable a controlar.
c(t) señal de control Es la señal que genera el controlador.
Es la acción que se ejerce sobre la planta/proceso para
u(t) variable manipulada
controlarlo.
Es el estado real que ha alcanzado el sistema a controlar.
y(t) Variable Controlada
Se suele llamar también “Process Variable” (PV)
Es la medida del estado del sistema, adecuada al com-
h(t) Realimentación
parador.
En lo que va de este apunte se le ha llamado de diversas formas a los mismos elementos,

tratando de introducir de los términos más comunes utilizados por las diferentes bibliografı́as
al respecto.
A su vez se realizó un análisis donde se toma en cuenta el accionador o actuador.

Tomando como entrada la señal de control c(t) , y generando una acción de control u(t) , que
pueden ser de distinta ı́ndole, es decir, la señal de control puede ser eléctrica y la acción de
control mecánica, o cualquier combinación en función del sistema. Como se mencionó muchas
bibliografı́as no incluyen este bloque, por lo que en distintas fuentes se puede observar un uso
alternativo de las señales c(t) y/o u(t) , a su vez no todos los sistemas poseen todos los bloques,
o pueden incluir varios de ellos en un solo elemento que realice varias funciones dificultando ası́
su representación.

1.4 Acciones de control
La forma en la cual el controlador automático produce la señal de control se llama

acción de control . Los controladores automáticos comparan el valor real de la salida de la
planta con la entrada de referencia, lo cual determina la desviación con la que el controlador
debe producir una señal de control que reduzca la desviación.
1.4.1 Encendido-Apagado (on/off )
La acción de control Encendido-Apagado es también muy conocida por su nombre en

inglés On-Off. Para esta acción de control el elemento de actuación sólo tiene dos posiciones
fijas que en la mayorı́a de los casos son apagado y encendido. Este control es relativamente
simple y barato, por lo cual su uso es muy extendido en sistemas de control tanto industriales
como domésticos.
Si tenemos una señal de salida del controlador u(t) y una señal de error e(t), en el control de
dos posiciones, la señal u(t) permanece en un valor ya sea máximo o mı́nimo, dependiendo de
si la señal de error es positiva o negativa. De este modo:
e(t) > 0 ⇒ u(t) = U1 (on)
e(t) < 0 ⇒ u(t) = U2 (of f )
Donde U1 y U2 son constantes. Por lo general, el valor de U1 = Vcc y U2 = 0 o bien U2 = −U1 =
−Vcc siendo este caso concreto encendido / apagado, pero no tienen por que serlo, en casos
particulares puede darse que la salida tenga 2 valores, uno de “reposo” donde se aplica poca
energı́a para mantener el sistema y un valor “de acción” donde se aplica suficiente energı́a para
corregir el error.
Figura 1.3: Controlador On/Off.
Este tipo de accionamiento provoca un control muy impreciso de la variable de proceso,

un ejemplo muy común es el control de temperatura con termostatos en aires acondicionados.
El termostato activa el aire frı́o (ON) si la temperatura es mayor a la de referencia o setpoint
y lo desactivan (OFF) cuando la temperatura es menor (o igual) al setpoint.
En aplicaciones prácticas, el control ON/OFF puede aplicarse fácilmente en sistemas

de respuesta lenta y/o que posean inercia, o con accionadores con muy bajo o nulo desgaste,
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ya que de caso contrario u(t) oscilaria rápidamente provocando un desgaste prematuro y una
muy corta vida útil de los actuadores.
Figura 1.4: Respuesta de un sistema de control on/off tipico.
Como se puede apreciar, partiendo del reposo se aplica un escalón en el setpoint, a los
fines prácticos es una situación equivalente a prender el equipo, el sistema actúa inmediatamente
encendiendo el actuador. La variable controlada comienza a acercarse al valor deseado, hasta
que lo alcanza, donde se apaga la salida, la inercia del sistema hace que y(t) se pase del valor
deseado, aun cuando la salida ya se apagó, al regresar el valor de y(t) al valor del setpoint o por
debajo, el sistema actúa nuevamente, manteniéndose oscilando entre la posición de prendido y
apagado.
1.4.2 Encendido-Apagado con Banda Muerta
La brecha diferencial o banda muerta es el rango en el que debe moverse la señal de

error antes de que ocurra la conmutación. La banda provoca que la salida del controlador u(t)
conserve su valor presente hasta que la señal de error se haya desplazado ligeramente más allá
de cero.
La banda muerta en el control Encendido-Apagado es usada con frecuencia para evitar

una operación demasiado frecuente del mecanismo de encendido y apagado, la relación entre la
salida del controlador u(t) y la señal de error e(t) es:
B
e(t) >⇒ u(t) = U1 (on)
2
B B
− < e(t) < ⇒ u(t) La Salida no cambia
2 2
B
e(t) < − ⇒ u(t) = U2 (of f )
2

donde B es la brecha diferencial.
La magnitud de la banda muerta debe determinarse a partir de consideraciones tales

como la precisión requerida y la vida del componente, ya que la reducción de la banda dife-
rencial aumenta la cantidad de conmutaciones de encendido y apagado por minuto y reduce la
vida útil del componente.
Figura 1.5: Controlador On/Off con banda brecha diferencial.
El error debe llegar a un cierto valor para conmutar la salida, es decir, u(t) no cambia
mientras el error esté dentro de la zona muerta, dicho comportamiento se muestra en el siguiente
gráfico:
Figura 1.6: grafico U(t) en funcion de et() para un controlador con banda muerta.
Como se mencionó anteriormente a mayor brecha, será menor la oscilación del actua-
dor, pero por consiguiente menor precisión en el control de y(t) .
Otro método de generar este retraso entre en on y off que se utiliza comúnmente,
en vez de utilizar una brecha diferencial, obliga al controlador a mantener u(t) en cada estado
por un mı́nimo de tiempo establecido, de esta forma independizamos la frecuencia máxima de
conmutación del comportamiento del sistema, pero generamos variaciones en y(t) difı́ciles de
predecir.
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Conclusiones
• La brecha diferencial se define como la diferencia entre el momento de apagado y encendido

del actuador.
• Este algoritmo de control no es el más adecuado cuando se desea una variable controlada
constante y uniforme.
• Este tipo de control se adecua a plantas donde, o bien no se requiera un control exacto o
las variaciones no sean un problema.
1.4.3 proporcional
Como su nombre indica, esta acción de control es proporcional a la señal de error

e(t) . Internamente la acción proporcional multiplica la señal de error por una constante Kp .
En sistemas de control electricos/electronicos el controlador Proporcional es en realidad un
amplificador con ganancia ajustable (Kp ). Para una acción de control Proporcional la relación
entre la salida del controlador u(t) y la señal de error e(t) es:
u(t) = Kp × e(t)
donde Kp es la ganancia proporcional.
Esta acción de control intenta minimizar el error del sistema pero evitando las oscila-
ciones causadas por un control on/off. Cuando el error es grande, la acción de control es grande
y tiende a minimizar este error.
Aumentar la constante proporcional Kp tiene los siguientes efectos:
• Aumenta la velocidad de respuesta del sistema.
• Disminuye el error del sistema en régimen permanente.
• Aumenta la inestabilidad del sistema.
Los dos primeros efectos son positivos y deseables. El último efecto es negativo y hay
que intentar minimizarlo. Por lo tanto al aumentar la acción proporcional existe un punto de
equilibrio en el que se consigue suficiente rapidez de respuesta del sistema y reducción del error,
sin que el sistema sea demasiado inestable. Aumentar la acción proporcional más allá de este
punto producirá una inestabilidad indeseable. Reducir la acción proporcional, reducirá la velo-
cidad de respuesta del sistema y aumentará su error permanente.
Tomemos como ejemplo las siguientes gráficas de y(t) en función del tiempo en un
controlador de posición con control proporcional, aumentando progresivamente Kp :

Figura 1.7: Respuesta de un control proporcional con diferentes Kp
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Con una acción proporcional pequeña Kp = 2, el sistema es lento, tardando 20 segun-

dos en alcanzar la posición deseada y el error de posición es grande, de 50 milı́metros.
Con una ganancia proporcional Kp = 20 el sistema es más rápido, tardando 12 se-

gundos en establecerse la posición permanente. Asimismo el error se ha reducido hasta una
décima parte, solo 5 milı́metros. También se puede observar un sobreimpulso en la respuesta,
y el comienzo de cierta inestabilidad.
Con ganancias mayores se consigue disminuir todavı́a más el error permanente, pero
la velocidad de respuesta no aumenta porque el sistema se vuelve tan inestable que la posición
tarda mucho en establecerse en su estado final.
Llegado a este punto, puede verse que la acción proporcional no puede mejorar más
la respuesta del sistema. La mejor opción con Kp = 20 presenta un sobreimpulso de unos 30
milı́metros y un error permanente de 5 milı́metros. Si se desea mejorar esta respuesta hay que
incorporar otro tipo de control.
1.4.4 derivativa
Como su nombre indica, esta acción de control genera una salida proporcional a la de-
rivada de la señal de error e(t) . La derivada del error es otra forma de llamar a la ”velocidad”del
error, recordemos que la derivada nos da como resultado de la operación la tasa de cambio de
la señal de entrada, la pendiente de la función, es decir, cuán rápido, y en qué sentido cambia
una señal o función.
La expresión que representa el comportamiento de este tipo de acción de control es:
∂e(t)
u(t) = Kd ×
∂t
Sin embargo no se implementan acciones de control puramente derivativas, ya que si

hubiese un error constante, la señal de control serı́a nula y este error nunca se corregirı́a, en vez
de eso, la implementación mı́nima se realiza como un control de acción proporcional-derivativo,
cuya expresión ideal es:
∂e(t)
u(t) = Kp × e(t) + Kd ×
∂t
En las gráficas del control proporcional, cuando la posición se encuentra por debajo
de 150mm, la acción de control proporcional siempre intenta aumentar la posición. El problema
viene al tener en cuenta las inercias. Cuando el sistema se mueve a una velocidad alta hacia
el punto de referencia, el sistema se pasará de largo debido a su inercia. Esto produce un
sobreimpulso y oscilaciones en torno a la referencia. Para evitar este problema, el controlador
debe reconocer la velocidad a la que el sistema se acerca a la referencia para poder frenar
con antelación a medida que se acerque a la referencia deseada y evitar que la sobrepase,

es por este comportamiento que se dice que esta acción de control reacciona prediciendo el
comportamiento futuro de la planta. Recordemos que la velocidad es la derivada de la posición
respecto del tiempo, es decir que, si nuestro sistema realimenta posición, estamos convirtiendo
esta señal es una que nos represente la velocidad, si la velocidad al llegar al valor deseado es
alta, lo más probable es que la inercia haga que el sistema se pase (sobreimpulso).
Aumentar la constante de control derivativa Kd tiene los siguientes efectos:
• Aumenta la estabilidad del sistema controlado.
• Disminuye un poco la velocidad del sistema.
• El error en régimen permanente permanecerá igual.
Esta acción de control servirá por lo tanto para estabilizar una respuesta que oscile
demasiado.
A continuación retomaremos el ejemplo del control de posición, ya con un control

proporcional/derivativo. Veremos entonces cómo afecta esto a la respuesta del sistema:
En este ejemplo la acción derivativa se ha escalado de forma que sus valores se en-
cuentren entre 0 y 100.
En los gráficos anteriores puede verse cómo, al aumentar la acción derivativa Kd , se

consigue disminuir las oscilaciones hasta el punto de que desaparecen para Kd = 50. También
puede apreciarse cómo la respuesta se hace un poco más lenta al aumentar la constante de-
rivativa. Con Kd=0 el sistema tarda 1.8 segundos en subir hasta el valor de referencia. Con
Kd = 20 el sistema tarda 2 segundos en subir hasta el valor de referencia.
Un problema que presenta el control derivativo consiste en que amplifica las señales
que varı́an rápidamente, como ser el ruido de alta frecuencia. Debido a este efecto, el ruido de
la señal de error aparece amplificado en el accionamiento de la planta, lo cual es problemático.
Para poder reducir este efecto es necesario reducir el ruido de la señal de error, ya sea median-
te un filtro paso bajos en la señal de error, o mediante otras técnicas que reduzcan el ruido.
Al utilizar un filtro la acción derivativa se encuentra limitada, ya que estamos modificando el
comportamiento de la señal, por lo que es deseable reducir el ruido de la señal de error por
otros medios antes de tener que recurrir a un filtro paso bajos.
Llegado a este punto, el sistema es rápido y estable, pero mantiene todavı́a un pequeño
error en régimen permanente. Esto significa que la posición real del sistema no es exactamente
la posición deseada.
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Figura 1.8: Respuesta de un control proporcional/diferencial con diferentes Kd

1.4.5 integral
Esta acción de control calcula la integral de la señal de error e(t) . La integral se puede
ver como la suma o acumulación de la señal de error. A medida que pasa el tiempo pequeños
errores se van sumando para hacer que la acción integral sea cada vez mayor, es por ello que se
dice que esta acción de control mira lo que pasó, el pasado. Con esto se consigue reducir el error
del sistema en régimen permanente. ya que si un pequeño error se mantiene durante mucho
tiempo, el valor de la integral irá creciendo hasta lograr una acción que elimine totalmente el
error. La desventaja de utilizar la acción integral consiste en que esta añade una cierta inercia
al sistema y por lo tanto le hace tendiente a la oscilación, y por consiguiente más inestable.
La expresión que representa el comportamiento de este tipo de acción de control es:
Z t
u(t) = Ki e(t) dt
0
Sin embargo, esta acción de control no se implementa por sı́ sola, ya que serı́a inhe-
rentemente inestable, comportándose, en caso de Ki muy elevadas prácticamente como un
controlador on/off. La aplicación práctica mı́nima de esta acción de control es en un control
proporcional/derivador, cuya expresión es:
Z t
u(t) = Kp × e(t) + Ki e(t) dt
0
Aumentar la acción integral Ki tiene los siguientes efectos:
• Disminuye el error del sistema en régimen permanente.
• Aumenta la inestabilidad del sistema.
• Aumenta un poco la velocidad del sistema.
Esta acción de control servirá para disminuir el error en régimen permanente.
En las gráficas anteriores se ha añadido una señal de error ampliada, de color verde,
para apreciar mejor cómo se reduce el error a medida que aumenta la acción integral. Otro
efecto visible es el aumento de la inestabilidad del sistema a medida que aumenta Ki . Por esta
razón el control integral se suele combinar con el control derivativo para evitar las oscilaciones
del sistema.
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Figura 1.9: Respuesta de un control proporcional/integral con diferentes Ki

1.5 PID
La combinación de una acción de control Proporcional, una acción de control Inte-

gral y una acción de control Derivativo se denomina acción de control Proporcional Integral
Derivativo. Esta acción genera acciones de control en función del error pasado, presente y una
predicción del error futuro.
Figura 1.10: diagrama de un sistema de control de lazo cerrado con acción de control PID
La relación entre la salida del controlador u(t) y la señal de error e(t) de la acción de
control Proporcional Integral Derivativo está dada por:
t
∂e(t)
Z
u(t) = Kp × e(t) + Ki e(t) dt + Kd ×
0 ∂t
La parte proporcional actúa en el valor presente del error, la integral representa el

promedio de los errores pasados y la derivativa puede interpretarse como una predicción de los
errores futuros basada en una Extrapolación lineal 1 .
El controlador también puede ser parametrizado con la expresión:
Z t
1 ∂e(t)
u(t) = Kp e(t) + × e(t) dt + Td ×
Ti 0 ∂t
Donde Ti es la constante de tiempo integral y Td es la constante de tiempo derivativa.
Notese que la señal ut se forma exclusivamente partiendo del error, no hay ningún
termino que aplique feedforward 2 .
1
Extrapolación significa crear una lı́nea tangente al final de los datos conocidos y extendiéndola más allá de
ese lı́mite. La Extrapolación lineal proveerá buenos resultados solo cuando se use para extender la gráfica de
una función aproximadamente lineal o no muy lejana de los datos conocidos.
2
El Feedforward, también llamado prealimentación, es un control que mide las perturbaciones que llegan al
sistema y actúa controlando al sistema para compensar las perturbaciones y que no modifiquen su salida.
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1.5.1 Saturación y lı́mites del controlador PID
En los sistemas reales existen limitaciones que reducen la capacidad del controlador
para conseguir la respuesta deseada. Por mucho que se aumente la acción proporcional, llegará
un momento en el que el accionador se saturara. Por ejemplo en un sistema de control de
temperatura cuya resistencia calefactora tiene una potencia de 2000 vatios. Si el controlador
intenta entregar más potencia para conseguir más velocidad de calentamiento, no se podrá y
el sistema no conseguirá mayor rapidez. Aunque se aumente la acción de control el lı́mite del
accionador de 2000 vatios limita la velocidad máxima de calentamiento.
Por lo tanto hay que tener en cuenta que la velocidad de respuesta de los sistemas
reales tiene ciertos lı́mites que el control no podrá superar.
1.5.2 Efecto Windup en controladores con acción integral
Los controladores de parámetros optimizados, tales como los PID, son lineales y su di-
seño se basa en técnicas para sistemas lineales. Este es un dispositivo simple y funciona bien en
la practica cuando todas las partes del sistema son lineales. Cuando el rango de funcionamiento
es relativamente amplio, puede ocurrir que el actuador sature, produciendo una no linealidad
en el sistema y un funcionamiento diferente al esperado.
Cuando el actuador se satura, la acción aplicada al proceso no se corresponde con la

salida del controlador y es como si se abriera el lazo de control. Este problema es particularmente
importante en los controladores que tienen acción integral del error, como es el caso de los PI y
los PID. Este efecto de denomina ”windup.en la jerga de control y se manifiesta porque el sistema
”tarda mucho tiempo en reaccionar ante una perturbación o cambio de referencia después de
que se ha producido la saturación del actuador. Para evitar o atenuar este inconveniente se han
desarrollado diferentes estrategias llamadas .Antiwindup”.
Presentación del problema
Utilizaremos como ejemplo el sistema de la Fig. ?? para explicar el efecto windup.

Allı́ presentamos un sistema de control de nivel de un tanque donde se llama q1 a la variable
manipulada, q2 a la perturbación, la variable controlada es h, el actuador v es una electrovalvula
lineal y el controlador es del tipo Proporcional Integral.
En la Fig. ?? se observa un diagrama temporal de algunas variables del sistema. En

t = 0, ek error es positivo y grande, debido a la acción proporcional el actuador satura en
su máximo valor. En t = 10, la salida iguala a la referencia pero la acción integral acumulo
error positivo relativamente grande, provocando que el actuador siga saturado a pesar de que
el error cambia de signo. Aproximadamente en t = 18 el actuador empieza a ser lineal, pero
rápidamente se satura en su valor máximo negativo debido a la acción integral. El ciclo se repite
provocando oscilaciones en la salida del proceso hasta llegar al estado estable (??), donde el
actuador funciona en su zona lineal y q1 = q2.

Figura 1.11: Sistema de control de nivel de liquido PI
Figura 1.12: Diagrama temporal de un sistema de control con efecto windup
Pf. Ariel M. Wels

Estas oscilaciones deterioran notablemente la respuesta del sistema (??) por lo que es
conveniente evitarlas cuando sea posible
Métodos Anti-windup
A continuación se mencionan los 3 principales métodos anti windup:
Limitacion del termino integral En este método se limita la acción integral entre dos limi-
tes preestablecidos, limitando de esta forma el máximo de corrección que se puede aplicar
debido a la acción integral. podemos observar un diagrama en la Fig. ??
Integracion condicional En este método se integra siempre y cuando el valor absoluto del
error este dentro de un cierto rango como se observa en la Fig. ??
Seguimiento integral Esta suele ser la solución mas elegante, en vez de limitar el valor de la
acción integral, se fuerza a llevar la salida del controlador a valores en que el actuador es
lineal. Cuando el actuador no satura el sistema se comporta normalmente, pero al llegar
a su limite, se fuerza la entrada del integrador a 0 impidiendo que este acumule (integre)
mas error, limitando ası́ los sobre picos y oscilaciones y forzando al sistema a actuar en
sus zonas lineales.
Figura 1.13: Método anti-windup por limitación del termino integral
Figura 1.14: Metodo anti-windup por integración condicional

1.5.3 Desborde derivativo en controladores con acción integral
La implementación de un controlador PID paralelo 3 tiene un problema practico. Es

muy común que los cambios en el setpoint se realicen en saltos. Esto es particularmente cierto
cuando el controlador se comanda de manera manual, en cascada con otro controlador, o desde
un sistema digital. Un salto brusco en el setpoint, causa un salto complementario en el error.
La parte derivativa del controlador, respondiendo a la tasa de cambio del error 4 , satura. Esto
genera saturación en la salida (al pasar por el sumador).Este salto en el setpoint causa que el
controlador se bloquee, el actuador se satura, y el proceso actúa fuertemente. Esto probable-
mente cause severos sobrepicos, incluso tal vez generando varias oscilaciones antes de que se
restablezca el estado estable.
La solución a este problema de bloqueo (derivative overrun) es permitir al derivador

operar en la variable de proceso, no el error, como e(t) = r(t) − h(t) 5 los cambios bruscos no
alcanzaran al derivador y el bloqueo sera evitado.
Implementar este cambio en un controlador PID paralelo es razonablemente sencillo,

moviendo la entrada del derivador directamente hacia la variable de proceso (realimentación).
Sin embargo, esto cambia la fase de la parte derivativa, ya que la señal no pasa por la entrada
inversora del comparador. Para solucionar este problema con la fase, se puede agregar una etapa
inversora, o bien asegurarse que el sumador resuelva esta inversión (utilizando un sumador con
entradas inversoras y no inversoras).
estos cambios resultan en una ecuación de transferencia del controlador en el dominio

del tiempo:
t
∂h(t)
Z
u(t) = Kp × e(t) + Ki e(t) dt + Kd ×
0 ∂t
1.6 Implementación Analógica de un control PID
1.7 Respuesta Transitoria y Estabilidad
La señal de entrada para un sistema de control no se conoce con anticipación, es

de naturaleza aleatoria por lo tanto la entrada instantánea r(t) no puede expresarse en forma
analı́tica. Sólo en algunos pocos casos especiales se conoce con anticipación la señal de entrada
y se puede expresar en forma analı́tica o mediante curvas; tal es el caso del control automático
de herramientas de corte o impresión 3d, donde las trayectorias se planifican utilizando curvas
de velocidad determinadas. En el análisis y diseño de sistemas de control, debemos tener un
3
controlador en el cual se calculan por separado las partes proporcional, integral y derivativo y luego se
suman.
4
la derivada de una función escalón es un delta de Dirac
5
h(t) es la variable de proceso o realimentación
Pf. Ariel M. Wels

punto de comparación del desempeño de diversos sistemas de control. Para lograrlo se utilizan
señales de entrada de prueba particulares para luego comparar las respuestas de varios sistemas
a estas señales de entrada.
Muchos criterios de diseño se basan en tales señales o en la respuesta del sistema a los
cambios en las condiciones iniciales. El uso de estas señales de prueba se justifica porque existe
una correlación entre las caracterı́sticas de respuesta de un sistema para una señal de entrada
de prueba y la capacidad del sistema de manejar las señales de entrada reales.
1.7.1 Señales de prueba tı́picas
Las señales de prueba que se usan regularmente son funciones escalón, rampa, parábo-
la, impulso, senoidales, etc. Con estas señales de prueba, es posible realizar con facilidad análisis
matemáticos y experimentales de sistemas de control, dado que las señales son funciones del
tiempo muy simples. La forma de la entrada a la que el sistema estará sujeto con mayor fre-
cuencia bajo una operación normal determina cuál de las señales de entrada tı́picas se debe
usar para analizar las caracterı́sticas del sistema. Si las entradas para un sistema de control
son funciones del tiempo que cambian en forma gradual, una función rampa serı́a una buena
señal de prueba. Asimismo, si un sistema está sujeto a perturbaciones repentinas una función
escalón serı́a una buena señal de prueba. Una vez diseñado un sistema de control con base en
las señales de prueba, por lo general el desempeño del sistema en respuesta a las entradas reales
es satisfactorio. El uso de tales señales de prueba permite comparar el desempeño de todos los
sistemas sobre la misma base.
Nota: no todas las funciones utilizadas son continuas y/o pueden definirse de la tan
conocida forma:
∀x ∈ R y(x) = x2
La función escalón debe definirse por partes, por ej:

0 si x < 0
∀x ∈ R y(x) =
1 si x ≥ 0
A su vez también se puede definir por partes la función rampa, aunque esta es posible
de definir de diversas maneras:

0 si x < 0
∀x ∈ R y(x) =
x si x ≥ 0

1.7.2 Respuesta transitoria y respuesta en estado estable
La respuesta en el tiempo de un sistema de control consta de dos partes: la respuesta

transitoria y la respuesta en estado estable. Por respuesta transitoria nos referimos a la que
va del estado inicial t = 0 al estado final, o reposo del sistema. Por respuesta en estado
estable, nos referimos a la manera en la cual se comporta la salida del sistema conforme el
tiempo tiende a infinito t → ∞.
1.7.3 Estabilidad y error en estado estable
Al diseñar un sistema de control, debemos ser capaces de predecir su comportamiento

dinámico a partir del conocimiento de los componentes. La caracterı́stica más importante del
comportamiento dinámico de un sistema de control es la estabilidad, es decir, si el sistema
es estable o inestable. Un sistema de control está en equilibrio si, en ausencia de cualquier
perturbación o entrada, la salida permanece en el mismo estado. Un sistema de control lineal
e invariante con el tiempo es estable si la salida termina por regresar a su estado de equilibrio
cuando el sistema está sujeto a una condición inicial. Un sistema de control lineal e invariante
con el tiempo es crı́ticamente estable si las oscilaciones de la salida continúan para siempre. Es
inestable si la salida diverge sin lı́mite a partir de su estado de equilibrio cuando el sistema está
sujeto a una condición inicial. En realidad, la salida de un sistema fı́sico puede aumentar hasta
un cierto grado, pero puede estar limitada por “detenciones” mecánicas o el sistema puede
colapsar o volverse no lineal después de que la salida excede cierta magnitud, por lo cual ya no
aplican las ecuaciones diferenciales lineales.
Dado que un sistema de control fı́sico implica un almacenamiento de energı́a, la salida

del sistema, cuando éste está sujeto a una entrada, no sucede a la entrada de inmediato,
sino que exhibe una respuesta transitoria antes de alcanzar un estado estable. La respuesta
transitoria de un sistema de control práctico con frecuencia exhibe oscilaciones amortiguadas
antes de alcanzar un estado estable. Si la salida de un sistema en estado estable no coincide
exactamente con la entrada, se dice que el sistema tiene un error en estado estable. Este
error indica la precisión del sistema. Al analizar un sistema de control, debemos examinar el
comportamiento de la respuesta transitoria y el comportamiento en estado estable.
1.7.4 Respuesta tı́pica de un sistema al escalón unitario
En la figura ?? se ilustra el escalón unitario donde el sobrepaso máximo se da en el

primer sobrepaso. Para algunos sistemas el sobrepaso máximo puede ocurrir en un pico poste-
rior.
Frecuentemente el sobrepaso máximo se usa para medir la estabilidad relativa de un

sistema de control. Un sistema con gran sobrepaso es indeseable.
td : El tiempo de retardo td se define como el tiempo requerido para que la respuesta al escalón
alcance el 50 % de su valor final.
Pf. Ariel M. Wels

Figura 1.15: Respuesta tı́pica al escalón unitario de un sistema de control.

tr : El tiempo de levantamiento tr se define como el tiempo requerido para que la respuesta

al escalón se eleve del 10 % al 90 % de su valor final.
ts : El tiempo de asentamiento ts se define como el requerido para que la respuesta al escalón

disminuya y permanezca dentro de un porcentaje especifico del valor final. Usualmente
es del 5 %.
1.7.5 Factor de amortiguamiento
El factor de amortiguamiento es representado por las letra griega zeta (ζ), y es un

parámetro que nos permite evaluar la respuesta transitoria de nuestro sistema.
La siguiente tabla indica el tipo de amortiguamiento del sistema en función de los

distintos valores de ζ
ζ < 0 ⇒ Amortiguamiento negativo, oscilatorio

ζ = 0 ⇒ no amortiguado
0 >ζ > 1 ⇒ sub amortiguado
ζ = 1 ⇒ amortiguamiento critico
ζ > 1 ⇒ sobre amortiguado
Pf. Ariel M. Wels

Figura 1.16: Respuesta al escalón unitario en sistemas con distintos valores de ζ.

Figura 1.17: Comparación de respuesta al escalón unitario en sistemas con ζ.
Pf. Ariel M. Wels

1.8 Sintonización practica de un Controlador PID
Se pueden aplicar unas reglas sencillas para sintonizar un controlador PID de forma
manual.
Partiendo de un sistema en marcha con Kp = 0, Kd = 0, y Ki = 0:
1. Acción Proporcional: Se aumenta poco a poco Kp de manera de disminuir el error y para

aumentar la velocidad de respuesta. Si se logra la respuesta deseada tanto en velocidad
como en error en estado estable, el PID ya está sintonizado. Si el sistema se vuelve
inestable antes de conseguir la respuesta deseada o un error lo suficientemente bajo, se
debe aumentar la acción derivativa.
2. Acción Derivativa: Si el sistema es demasiado inestable, se aumentará lentamente Kd para

conseguir de nuevo estabilidad en la respuesta.
3. Acción Integral: En el caso de que el error en estado estable del sistema sea mayor que el
deseado, se aumentará Ki Ki hasta que el error disminuya con la rapidez deseada. Si el
sistema se vuelve inestable antes de conseguir la respuesta deseada, se debe aumentar la
acción derivativa.
Con estas sencillas reglas es sencillo afinar poco a poco el controlador PID hasta con-
seguir la respuesta deseada, sin embargo este es un método empı́rico de ajuste que requiere
tener el sistema en régimen, por lo que no siempre eso es viable. El procedimiento llega a un
ajuste por aproximación que depende en gran medida de la pericia de quien realice el ajuste,
por lo tanto no es el procedimiento mas fiable.
Existen múltiples procedimientos para el ajuste de un control PID, desde los mera-
mente analı́ticos a los meramente prácticos, los mas extendidos son variantes del procedimiento
Zieglers-Nichols.
1.9 Sintonización por método de Ziegler Nichols
El método de Ziegler-Nichols permite ajustar o ”sintonizarün controlador PID de

forma empı́rica, sin necesidad de conocer las ecuaciones de la planta o del sistema controlado.
Estas reglas de ajuste propuestas por Ziegler y Nichols fueron publicadas en 1942 y desde
entonces es uno de los métodos de sintonización más ampliamente difundido y utilizado. Los
valores propuestos por este método intentan conseguir en el sistema realimentado una respuesta
al escalón con un sobreimpulso máximo del 25
El método de sintonización de reguladores PID de Ziegler-Nichols permite definir las

ganancias proporcional, integral y derivativa a partir de la respuesta del sistema en lazo abierto
o a partir de la respuesta del sistema en lazo cerrado. Cada uno de los dos ensayos se ajusta
mejor a un tipo de sistema.

1.9.1 Sintonización por la respuesta al escalón
Este método de sintonización se adapta bien a los sistemas que son estables en lazo
abierto y que presentan un tiempo de retardo desde que reciben la señal de control hasta que
comienzan a actuar.
Para poder determinar la respuesta al escalón de la planta o sistema controlado, se

debe retirar el controlador PID y sustituirlo por una señal escalón aplicada al accionador.
Figura 1.18: Diagrama de sistema de control con lazo abierto y escalón unitario aplicado.
En la Fig. ?? se muestra la modificación que hay que realizar al sistema de control

en lazo cerrado para convertirlo en un sistema en lazo abierto, aplicando una señal de prueba
escalón para realizar la medición de respuesta.
Figura 1.19: respuesta al escalón de un sistema térmico a lazo abierto, con indicación de tiempo
muerto T1
En la Fig. ?? se puede ver representado en rojo la entrada escalón al accionador o
Pf. Ariel M. Wels

señal c(t) . En azul se representa la salida del sistema medida por el sensor o señal h(t) . El
escalón de entrada c(t) debe estar entre el 10 % y el 20 % del valor nominal de entrada. Como
puede apreciarse, la respuesta del sistema presenta un retardo, también llamado tiempo muerto,
representado por T1 .
Para calcular los parámetros se comienza por trazar una lı́nea recta tangente a la
señal de salida del sistema (curva azul). Esta tangente está dibujada en la imagen con una
recta punteada.
El tiempo T1 corresponde al tiempo muerto. Este es el tiempo que tarda el sistema

en comenzar a responder. Este intervalo se mide desde que la señal escalón sube, hasta el pun-
to de corte de la recta tangente con el valor inicial del sistema, que en este caso es el valor 25◦ C.
El tiempo T2 es el tiempo de subida. El tiempo 2 comenzará donde la lı́nea tangente

corta al valor inicial de salida (25◦ C a los 2 segundos) y terminará donde la lı́nea tangente corta
al valor final de salida (225◦ C a los 14 segundos).
Figura 1.20: respuesta al escalón de un sistema térmico a lazo abierto, con T1 y T2 indicados
Además de estos dos tiempos caracterı́sticos también hay que calcular la variación de
la señal escalón dX y la variación de la respuesta del sistema dY . En el caso de ejemplo que
aparece en las imágenes, la variación de la señal escalón corresponde a dX = 5V olts de señal
de control c(t) y la variación del sistema corresponde a dY = 200◦ C medidos por el sensor h(t) .
A partir de estos valores se puede calcular la constante del sistema Ko :
dX × T2
Ko =
dY × T1
A partir de la constante Ko se pueden calcular los parámetros del controlador PID

con acción solo proporcional (P), proporcional e integral (PI), proporcional y derivativa (PD)
o proporcional, integral y derivativa (PID):
Control Kp Ki Kd
P Ko
Ko
PI 0,9 × Ko 0,27 × T1
PD 1,6 × Ko 0,60 × Ko × T1
Ko
PID 1,2 × Ko 0,60 × T1
0,60 × Ko × T1
1.9.2 Sintonización por la ganancia crı́tica en lazo cerrado
Este método no requiere retirar el controlador PID del lazo cerrado. En este caso
solo hay que reducir al mı́nimo la acción derivativa y la acción integral del regulador PID
(Ki = 0 y Kd = 0). El ensayo en lazo cerrado consiste en aumentar paulatinamente la ganan-
cia proporcional hasta que el sistema oscile de forma mantenida ante cualquier perturbación.
Esta oscilación debe ser lineal, sin saturación. En este momento hay que medir la ganancia
proporcional, llamada ganancia crı́tica o Kc , y el periodo de oscilación Tc en segundos.
Figura 1.21: Sistema térmico con control proporcional oscilando, con Tc indicado
Pf. Ariel M. Wels

Una vez medidos estos dos valores, se pueden calcular los parámetros del controlador
PID con acción solo proporcional (P), proporcional e integral (PI), proporcional y derivativa
(PD) o proporcional integral y derivativa (PID):
Control Kp Ki Kd
P 0,50 × Kc
Kc
PI 0,45 × Kc 0,54 × Tc
PD 0,80 × Kc 0,075 × Kc × Tc
Kc
PID 0,59 × Kc 1,18 × Tc
0,075 × Kc × Tc

Pf. Ariel M. Wels

Capı́tulo 2
Control de potencia / electrónica de

potencia
2.1 Dispositivos de control de potencia
2.1.1 Tiristores
Los tiristores constituyen una familia de dispositivos de tres terminales, entre los que
se encuentran: el rectificador controlado de silicio (SCR), el TRIAC, el tiristor de bloqueo por
puerta (GTO) y el tiristor MCT o tiristor controlado por MOS (metal-óxido-semiconductor).
Muchas veces, se utilizan los términos tiristor y SCR como sinónimos. Los tiristores
pueden soportar altas corrientes y altas tensiones de bloqueo en aplicaciones de alta potencia,
pero las frecuencias de conmutación están limitadas a valores de entre 10 y 20 kHz, aproxima-
damente.
Figura 2.1: Diagramas fı́sico, equivalente y esquemático del SCR
Para que el SCR entre en conducción, hay que aplicar una corriente de gate (puerta)
cuando la tensión ánodo-cátodo sea positiva. Una vez que el dispositivo haya entrado en con-
ducción, la señal de gate deja de ser necesaria para mantener la corriente de ánodo, el SCR
continuará conduciendo mientras la corriente de ánodo siga siendo positiva y esté por encima
37
de un valor mı́nimo, denominado nivel de mantenimiento.
En el modelo equivalente que podemos observar en la Fig. ?? se evidencia este com-

portamiento, al aplicar una tensión positiva entre Gate y Cátodo se polariza directamente la
juntura base-emisor del transistor NPN, haciéndolo entrar en conducción y permitiendo el paso
de corriente por su colector. Esta corriente forzosamente proviene de la juntura emisor-base
del transistor PNP (en tanto y en cuanto el tiristor se encuentre polarizado con una tensión
positiva en el ánodo respecto del cátodo) haciendo entrar en conduccion también al transistor
PNP, cuya corriente de colector circulara a través de la juntura base-emisor del NPN, man-
teniendolo encendido (cebado) aun cuando se retire la corriente de gate. El tiristor dejara de
conducir cuando la corriente Ánodo cátodo baje por debajo de un determinado umbral (IH )
Los tiristores han sido históricamente los interruptores electrónicos de potencia pre-
feridos, debido a los altos valores nominales de tensión y corriente disponibles. Los tiristores
todavı́a se utilizan, especialmente en aplicaciones de alta potencia pero, dado que las carac-
terı́sticas nominales de los transistores de potencia han aumentado notablemente, el transistor
resulta ahora más conveniente para muchas aplicaciones.
Las caracterı́sticas principales que encontraremos en sus hojas de datos son:
VF OM : Máxima tensión directo sin cebado (VG = 0)
IF : Máxima corriente directa permitida.
PG : Máxima disipación de potencia entre gate y cátodo.
VGT ,IGT : Máxima tensión o corriente requerida en el gate para el cebado
IH : Mı́nima corriente de ánodo requerida para mantener cebado el SCR

∂v
∂t
: Máxima variación de voltaje sin producir cebado.
∂i
∂t
: Máxima variación de corriente aceptada antes de destruir el SCR
2.1.2 TRIAC
El TRIAC es un tiristor capaz de conducir corriente en ambos sentidos. El TRIAC es

funcionalmente equivalente a dos SCR conectados en antiparalelo (en paralelo pero en sentidos
opuestos). Los circuitos atenuadores de luz comunes utilizan un TRIAC para modificar los
semiciclos positivos y negativos de la onda sinusoidal de entrada.
Posee tres electrodos: MT1, MT2 (en este caso pierden la denominación de ánodo y
cátodo) y gate (G). El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al gate.
M T2 M T1
Pf. Ariel M. Wels

El TRIAC siempre tiene una pequeña corriente que fluye directamente desde el gate a
MT1 a través del silicio. Esta corriente es la razón por la cual un TRIAC necesita más corriente
de gate para encenderse que un SCR comparable en caracterı́sticas.
Para explicar el funcionamiento de un TRIAC se suele dividir su régimen en cuadrantes

según la polaridad del gate y el terminal secundario (MT2), ambas con respecto al terminal
primario (MT1). Cabe destacar que puede ser disparado y conducir en cualquier cuadrante.
M T 2[V ]
Q2 Q1
G[V ]
Q3 Q4
En los cuadrantes Q1 y Q2, MT2 es positivo, y la corriente fluye de MT2 a MT1.

En los cuadrantes Q3 y Q4, MT2 es negativo, y la corriente fluye de MT1 a MT2.
La sensibilidad relativa depende del TRIAC en particular, pero por regla general, el
cuadrante Q1 es el más sensible (menor corriente de puerta requerida), y el cuadrante Q4 es el
menos sensible (más corriente de puerta requerida).
Cuadrante 1
La operación del Cuadrante 1 ocurre cuando la puerta y MT2 son positivas con res-
pecto a MT1.
M T2
+V
G +V
0V
M T1

Cuadrante 2
La operación del Cuadrante 2 ocurre cuando la puerta es negativa y MT2 es positiva

con respecto a MT1.
M T2
+V
G −V
0V
M T1
Cuadrante 3
La operación del Cuadrante 3 ocurre cuando la puerta y MT2 son negativas con
respecto a MT1.
M T2
−V
G −V
0V
M T1
Cuadrante 4
La operación del Cuadrante 4 ocurre cuando la puerta es positiva y MT2 es negativa

con respecto a MT1.
M T2
−V
G +V
0V
M T1
Pf. Ariel M. Wels

Aplicación
En la mayorı́a de las aplicaciones, la corriente de gate se extrae de la misma conexión

de MT2, por lo que el TRIAC se dispara solamente en los cuadrantes 1 y 3 (G y MT2 positivos o
negativos con respecto a MT1). Otras aplicaciones con un disparador de polaridad única desde
un circuito de excitación pueden operar en los cuadrantes 2 y 3.
Figura 2.2: Circuito de disparo tı́pico de un TRIAC para conmutar corriente alterna
En la Fig. ?? observamos un circuito de aplicación capaz de controlar el encendido

de una carga alimentada con corriente alterna. El TRIAC se dispara al cerrar SW1 en el cua-
drante 1 o 3 en función del semiciclo que se encuentre presente en ese momento. La R limita
la corriente de gate. Al disparar el TRIAC, este permite el paso de corriente entre los termi-
nales M T1 y M T2 haciendo que la tensión Vs caiga sobre la lampara. El TRIAC se mantendrá
encendido hasta que la corriente que circula por los terminales M T1 y M T 2 sea menor que
la corriente de mantenimiento, esto se da normalmente en los cruces por cero de la corriente
alterna (cabe destacar que para cargas reactivas este punto no suele estar en fase con la tensión).
En la Fig. ?? observamos un circuito de aplicación similar al de la Fig. ?? pero que

en este caso incorpora un optotriac en vez de un switch para generar el disparo. La ventaja de
este circuito es que el uso de un optotriac nos controlar el encendido de una carga conectada
a la red eléctrica mediante una señal que puede estar aislada galvánicamente1 de la red, lo
que permite una mayor seguridad para el usuario y una separación entre la tensión de red y
el circuito lógico. Se puede apreciar también la existencia de una red snubber, utilizada para
minimizar los efectos potencialmente peligrosos de las cargas inductivas.
El circuito de la Fig. ?? es un circuito que permite controlar la potencia aplicada a

una carga por medio del control de fase de la señal aplicada. El circuito RC formado por V R1
y C1 logra que la tensión en el punto A crezca mas lentamente que la tensión de entrada del
circuito, logrando ası́ un retardo entre la tensión de entrada y el disparo del TRIAC. Al variar el
valor de V R1 se cambia la base de tiempo del circuito RC logrando un retardo mayor o menor,
1
La aislación galvánica consiste en la separación de partes funcionales de un circuito eléctrico para prevenir
el paso de corriente entre ellos.

Figura 2.3: Circuito de disparo tı́pico de un TRIAC para conmutar corriente alterna utilizando
un optotriac
Figura 2.4: Circuito de disparo tı́pico de un TRIAC para controlar la potencia por medio de
un control de fase
Pf. Ariel M. Wels

cambiando de esta manera el angulo de conducción del TRIAC.
La función del diac2 en este circuito es bajar la sensibilidad del gate para lograr un
mejor control de fase. Es importante notar que este circuito trabaja en alterna, por lo que el
capacitor debe ser bipolar.
Figura 2.5: Circuito de disparo tı́pico de un TRIAC para controlar la potencia por medio de
un control de fase
En el gráfico de la Fig. ?? se aprecia la señal aplicada a la carga VL , el angulo α varia

en función de la contante de tiempo del circuito RC.
La siguiente ecuación permite obtener la tensión rms aplicada a la carga en función

del angulo de conducción:
s
1 sen2α
VL(rms) = Vs(rms) × (π − α) +
π 2
Donde:
VL : Tensión aplicada a la carga.
α: Angulo de disparo del TRIAC en radianes.
Vs(rms) : Tensión de entrada rms.
2.1.3 DIAC
El DIAC es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente sólo tras

haberse superado su tensión de disparo, y se mantiene conduciendo mientras la corriente cir-
culante no sea inferior al valor caracterı́stico para ese dispositivo.
Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, ánodo 1 y ánodo 2 (intercambia-

bles). Actúa como una llave interruptora bidireccional la cual se activa cuando el voltaje entre
sus terminales alcanza el voltaje de cebado o accionado, dicho voltaje puede estar entre 20 y
36 volts según la potencia del proceso de fabricación, siendo lo mas habitual tener una tensión
de disparo de alrededor de 30V .
2
Ver seccion de Diac.

Los DIAC pertenecen a la familia de los tiristores y se utilizan normalmente para

estabilizar el ritmo de disparo de un TRIAC.
Un dipositivo de funcionamiento muy similar al DIAC pero con una tension de disparo
mas alta y diseñados para manejar mayor potencia, tambien de la familia de los tiristores, se
denomina SIDAC
Su comportamiento es similar a una lámpara de neón la cual permanece apagada y sin

conducir corriente hasta que la tensión aplicada alcanza el nivel suficiente como para ionizar
el gas en su interior, comenzando en ese momento a conducir corriente, iluminándose en el
proceso. Mientras la corriente se mantenga por encima de cierto limite, la tensión aplicada a la
lampara puede disminuirse sin que el gas pierda su estado de ionización. Cuando la tensión y/o
corriente disminuyen por debajo de el umbral de mantenimiento, el gas pierde naturalmente
su estado de ionización, retornando a su estado normal aislante, interrumpiendo el flujo de
corriente. Las tensión de disparo y corriente de mantenimiento son variables en función de la
temperatura, disminuyendo ambas a medida que aumenta la temperatura.
A1 A2
2.1.4 MOSFET
El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET es un tran-

sistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor
de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los
microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados Source, Drain, Gate y

Bulk (sustrato). Sin embargo, el sustrato suele estar conectado internamente al terminal de
Source y por este motivo mayormente se encuentran dispositivos MOSFET de tres terminales.
El término ’metal’ en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto, el aluminio fue el

material del gate hasta mediados de 1970 cuando se fue sustituyendo por el silicio policristalino
debido a su capacidad de formar gates auto-alineados. Los gates metálicos están volviendo a ga-
nar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores
sin utilizar componentes metálicos en la puerta. De manera similar, el ’óxido’ utilizado como
aislante en la puerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de ob-
tener canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas. En resumen, las tecnologı́as
de fabricación han evolucionado, sin embargo el nombre se mantuvo ya que los dispositivos
mantienen los mismos principios de funcionamiento.
Pf. Ariel M. Wels

D S
G
MOS N MOS P
G
S D
Funcionamiento
Existen dos tipos de transistores MOSFET. Los primeros son los MOSFET de enri-
quecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drain y el source, al aplicar
una tensión en el gate. La tensión de gate atrae portadores minoritarios hacia el canal, de
manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado opuesto al que
tenı́a el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de
la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de carga en la
región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración
de electrones (en un NMOS), o huecos (en un PMOS). De este modo un transistor NMOS se
construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n, mientras que un transistor PMOS
se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.
Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado

de reposo, que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la
puerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminu-
ción respectiva de la conductividad. Este tipo de MOS no se suelen encontrar en dispositivos
discretos.
Figura 2.6: Corriente de drain vs. tensión drain-source para distintos valores de VGS − Vth ;
el lı́mite entre la región lineal (óhhmica) y la región de saturación (activa) se indica por la
parábola en rojo.
El funcionamiento de un transistor MOSFET, al igual que el de un transistor bipolar,

se puede dividir en tres diferentes regiones de operación, dependiendo de las tensiones en sus
terminales. Utilizaremos un modelo algebraico simple que es válido para las tecnologı́as básicas

antiguas, sin embargo en los MOSFET modernos se requieren modelos computacionales ya que
exhiben un comportamiento mucho más complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Región de corte
Se da cuando VGS < Vth , donde VGS es la tensión Gate-Source y Vth es la tensión de
umbral de encendido del transistor
De acuerdo con el modelo básico del transistor, en esta región el dispositivo se en-
cuentra apagado. No hay conducción entre el source y el drain, de modo que el MOSFET se
comporta como un interruptor abierto. Sin embargo un modelo más exacto considera el efecto
de la energı́a térmica descrita por la distribución de Boltzmann3 para las energı́as de los elec-
trones, en donde se permite que los electrones con alta energı́a presentes en el source ingresen
al canal y fluyan hacia el drain. Esto ocasiona una corriente subumbral, que es una función
exponencial de la tensión entre gate-source, como puede verse en la siguiente expresión que la
modela aproximadamente:
VGS −Vth
Id ≈ ID0 e nVT
4
donde: ID0 es la corriente que existe cuando VGS = Vth , VT es el voltaje térmico
n = 1 + CD /COX donde CD es la capacidad de la región de agotamiento, y COX es la

capacidad de la capa de óxido.
Región de lineal u ohmica
Se da cuando VGS > Vth y VDS > (VGS –Vth )
Al polarizarse el gate con una tensión mayor que la tensión de umbral, se crea una
región de agotamiento en la región que separa source y drain. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (huecos en PMOS, electrones en NMOS) en la región de
agotamiento, que darán lugar a un canal de conducción. El transistor pasa entonces a estado
de conducción, de modo que una diferencia de potencial entre drain y source dará lugar a una
corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de gate.
La corriente que entra por el drain y sale por source es modelada por medio de la
ecuación:
3
La distribución de Maxwell-Boltzmann es la función de distribución clásica, para la distribución de una
cantidad de energı́a entre partı́culas idénticas pero distinguibles.
4
En los semiconductores, la ecuación del diodo de Shockley, la relación entre el flujo de corriente eléctrica y
el potencial electrostático a través de una juntura P–N, depende de un voltaje caracterı́stico llamado voltaje
térmico, denominado VT . El voltaje térmico a temperatura normal (25.00 °C) es de aproximadamente 25.69
mV. pero puede obtenerse con la expresión: VT = kT /q, donde Q es la magnitud de carga eléctrica del electrón.
Pf. Ariel M. Wels

2

W VDS
ID = µn Cox (VGS − Vth ) VDS −
L 2
donde µn es la movilidad efectiva de los portadores de carga, Cox es la capacidad del

óxido por unidad de área, W es el ancho de la puerta, L es la longitud de la puerta.
Región de saturación o activa
Se da cuando VGS > Vth y VDS > (VGS –Vth )
Cuando la tensión entre drain y source supera cierto lı́mite, el canal de conducción
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanı́as del drain y desaparece. La corriente
que entra por el drenador y sale por la fuente no se interrumpe, ya que es debida al campo
eléctrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos
terminales.
Ventajas con respecto a transistores bipolares
La principales aplicaciones de los MOSFET están en los circuitos integrados (PMOS,

NMOS y CMOS) y en las etapas de potencia de fuentes conmutadas, debido a las siguientes
ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares:
• Tamaño muy inferior al transistor bipolar, lo que permite una mayor integración.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia
de entrada muy alta. La Ig se expresa en nanoamperios. Permite lograr circuitos integrados
con consumo en modo estático muy bajo.
• Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que conlleva
a un ahorro de superficie, por tanto una mayor integración.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
• Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y

baja potencia.
La popularidad y proliferación de la tecnologı́a MOSFET para aplicaciones digitales

y de energı́a está impulsada por dos de sus principales ventajas sobre los transistores de unión
bipolar. Uno de estos beneficios es la facilidad de uso de los dispositivos MOSFET en aplicacio-
nes de conmutación de alta frecuencia. Los transistores MOSFET son más simples de manejar
porque su electrodo de control está aislado del silicio conductor de corriente, por lo tanto,
no se requiere una corriente continua de encendido. Una vez que se encienden los transistores
MOSFET, su corriente de excitación es prácticamente cero.
Como resultado, la tecnologı́a MOSFET permite utilizar circuitos de accionamiento

mucho más simples y eficientes con importantes beneficios económicos en comparación con los

dispositivos bipolares.
Además, es especialmente importante destacar para las aplicaciones de energı́a (fuen-

tes, inverters, variadores, etc.), que los MOSFET tienen una naturaleza resistiva. La caı́da de
voltaje a través de los terminales source y drain de un MOSFET es una función lineal de
la corriente que fluye en el semiconductor. Esta relación lineal se caracteriza con el parame-
tro RDS(on) del MOSFET y se conoce como resistencia activa. La resistencia drain source de
encendido (RDS(on) ) es constante para un VGS y temperatura de dados del dispositivo.
A diferencia del coeficiente de temperatura de −2, 2mV /◦ C de una unión P-N, los
MOSFET exhiben un coeficiente de temperatura positivo de aproximadamente 0,7 %/◦ C a
1 %/◦ C. Este coeficiente de temperatura positivo del MOSFET lo convierte en un candidato
ideal para el funcionamiento en paralelo en aplicaciones de mayor potencia donde el uso de un
solo dispositivo no serı́a práctico o posible. Debido al coeficiente de temperatura positivo de la
resistencia del canal, los MOSFET conectados en paralelo tienden a compartir la corriente de
manera uniforme entre ellos. Esta manera de compartir corriente funciona automáticamente en
los MOSFET, ya que el coeficiente positivo actúa como un sistema lento de retroalimentación
negativa.
El dispositivo que lleva una corriente más alta se calentará más, los voltajes de drenaje
a fuente son iguales, por estar en paralelo, y la temperatura más alta aumentará su valor de
RDS(on) . El aumento de la resistencia hará que la corriente disminuya y, por lo tanto, la tem-
peratura disminuya. Eventualmente se alcanza un equilibrio donde los dispositivos conectados
en paralelo llevan niveles de corriente similares. La tolerancia inicial en los valores de RDS(on)
y resistencia termica de juntura a ambiente pueden causar un error significativo (de hasta un
30 %) en la distribución de corriente.
Modelos
Hay numerosos modelos disponibles para ilustrar cómo funciona el MOSFET, sin em-
bargo, encontrar la representación correcta puede ser difı́cil. La mayorı́a de los fabricantes de
MOSFET proporcionan modelos Spice y/o Sabre para sus dispositivos, pero estos modelos dicen
muy poco sobre los problemas de aplicación que los diseñadores deben enfrentar en la práctica.
Proporcionan incluso menos pistas sobre cómo resolver los desafı́os de diseño más comunes.
Un modelo MOSFET realmente útil que describa todas las propiedades importantes
del dispositivo desde el punto de vista de la aplicación serı́a muy complicado. Por otro lado,
se pueden derivar modelos muy simples y significativos del transistor MOSFET si limitamos la
aplicabilidad del modelo a ciertas áreas problemáticas.
El modelo (a) de la Fig. ?? se basa en la estructura real del dispositivo MOSFET y

se puede utilizar principalmente para análisis de CC. El sı́mbolo MOSFET en la Fig. ?? (a)
representa la resistencia del canal y el JFET corresponde a la resistencia de la capa epitaxial.
Por lo tanto, la resistencia de la capa epitaxial esta en función del voltaje del dispositivo, ya
que los MOSFET de alto voltaje requieren una capa epitaxial más gruesa.
Pf. Ariel M. Wels

Figura 2.7: Principales modelos de análisis de un MOSFET

La Figura ??(b) se puede utilizar de manera muy eficaz para modelar la caracterı́stica
de ruptura inducida por ∂V
∂t
de un MOSFET.
Muestra los dos mecanismos de ruptura principales, a saber, el encendido inducido

∂V
∂t
del transistor bipolar parásito presente en todos los MOSFET de potencia y el encendido
inducido por ∂V∂t
del canal, en función de la impedancia de terminación dela gate. Los MOSFET
de potencia modernos son prácticamente inmunes a la activación ∂V ∂t
del transistor npn parásito
debido a las mejoras de fabricación para reducir la resistencia entre las regiones de base y emisor.
Cabe mencionar también que el transistor bipolar parásito juega otro papel impor-
tante. Su unión base-colector forma el famoso body diode del MOSFET.
La Figura ??(c) es el modelo para conmutación del MOSFET donde se pueden observar
los principales componentes parásitos que afectan las prestaciones del transistor en conmuta-
ción.
Parámetros Importantes
Cuando se considera la utilización del MOSFET para conmutación (switch mode), el

objetivo es conmutar entre el estado de mayor resistencia (corte) y el de menor resistencia (sa-
turación) en el menor tiempo posible. Los tiempos de conmutación prácticos de un MOSFETs
(aproximadamente 10ns a 60ns) son al menos dos o tres ordenes de magnitud mayores que los
tiempos teoricos, es importante entender el por que de esta discrepancia.
Referimos nuevamente a los modelos del MOSFET de la Fig. ??, podemos ver que
todos los modelos incluyen capacitores conectados entre los 3 terminales del MOS, en ultima
instancia, la performance de conmutación obtenida depende directamente de cuan rápido se
logre cambiar la tensión sobre esos capacitores. Por lo tanto, en aplicaciones de conmutación
de alta velocidad, los parámetros mas importantes son las capacidades parásitas del MOSFET.
Dos de esos capacitores, CGS y CGD , corresponden con la geometrı́a interna del transistor,
mientras que CDS es la capacidad del diodo base-colector del transistor bipolar parásito (body
diode).
El capacitor CGS se forma por la superposición del electrodo del gate con el source y
el canal. Su valor esta definido por la geometrı́a de estas regiones y se mantiene constante bajo
las diferentes condiciones de operación.
CGD es el resultado de dos efectos, en parte es la superposición de la región del JFET

y el electrodo del GATE sumado a la capacidad de la región de agotamiento, que es no lineal.
Como resultado la capacidad equivalente de CGD varia en función de la tensión drain source
del dispositivo.
CDS tambien es no lineal, debido a que es la capacidad de juntura del body diode.
Desafortunadamente, ninguna de estas capacidades antes mencionadas están definidas

directamente en la hoja de datos. los valores son dados indirectamente como CISS (Input
Capacitance), COSS (Output Capacitance), and CRSS (Reverse Transfer Capacitance), Por lo
Pf. Ariel M. Wels

que sus valores deben obtenerse mediante la siguiente ecuación:
CGD = CRSS
CGS = CISS − CRSS
CDS = COSS − CRSS
El capacitor CGD causa mas complicaciones, porque esta colocado entre la entrada
y la salida del dispositivo (generando un tipo de realimentación), coincidentemente, el valor
efectivo puede ser mucho mas grande dependiendo de la tension Drain Source del MOSFET.
Este fenómeno se llama efecto Miller. 5 .
Como las capacidades CGS y CDS son dependientes de la tensión, los valores dados
en la hoja de datos solo son validos en las condiciones de prueba en las que fueron obtenidos.
Las capacidades promedio para determinada aplicación deben ser calculadas basándose en la
carga requerida para obtener el voltaje deseado sobre dichas capacidades. Para la mayorı́a de
los MOSFET de potencia se pueden utilizar las siguientes aproximaciones:
s
VDSspec
CGDaverage = 2 × CRSSspec ×
VDSof f
s
VDSspec
COSSaverage = 2 × COSSspec ×
VDSof f
El siguiente parámetro importante es la resistencia de entrada del gate, RG,I . Esta

resistencia parásita describe la resistencia asociada a la distribución de señal sobre el silicio del
gate. Es muy significativa en aplicación de muy alta velocidad, porque esta ubicada entre el
driver y la capacidad de entrada del MOS, limitando directamente la velocidad de conmutación
y la inmunidad ∂V ∂t
del MOSFET. Los MOS para aplicaciones de RF utilizan electrodos de gate
metálicos en vez de redes de silicio para mitigar este efecto. Este parámetro no se especifica en
las hojas de datos, por lo que en aplicaciones particular de muy alta velocidad, se debe medir
sobre el dispositivo ya que constituye una caracterı́stica muy importante.
Lógicamente la tensión umbral de gate es una caracterı́stica critica (Vth :gate threshold
voltage). Es importante identificar que el valor de Vth en las hojas de datos están definidos a
25°C y con una corriente muy baja, tı́picamente del orden de los 250µA. Por lo tanto, no es
igual a la región de la meseta de miller (Miller plateau región) que se puede observar en las
formas de onda del gate. Otro hecho raramente mencionado es que Vth posee un coeficiente de
temperatura de aproximadamente -7 mV/°C. Este tiene particular significado en circuitos de
manejo de gate para MOSFETs para niveles lógicos donde Vth ya esta bastante por debajo de
las condiciones de prueba usuales.
La transconductancia del MOSFET es la ganancia para pequeñas señales en la región

lineal de operación. Cada vez que un MOSFET es encendido o apagado, tiene que pasar por
5
El efecto Miller se nombra por John Milton Miller.Cuando Miller publico su trabajo en 1920, el trabajaba con
válvulas termoionicas (triodos); Sin embargo, la misma teorı́a aplica a dispositivos modernos como transistores
bipolares y de efecto de campo.

la zona lineal donde la corriente depende de VGS . La transconductancia gf s es la relación para

pequeñas señales entre la corriente de drain y la tension gate-source, como vemos en la siguiente
expresion:
∂ID
gf s =
∂VGS
en consecuencia, la corriente de drain en la zona lineal se puede obtener como:
ID = (VGS − Vth ) × gf s
Al reordenar esta ecuación para VGS se obtiene el valor aproximado de la meseta de

Miller en función de la corriente de drain:
ID
VGS,miller = Vth +
gf s
Otros parámetros importantes que generan importantes restricciones en las presta-

ciones de conmutación son las inductancias de source (LS ) y drain (LD ). Los valores tı́picos
de (LS ) y (LD ) aparecen en las hojas de datos y son principalmente dependientes del tipo de
encapsulado del transistor. Sus efectos deben ser investigados en conjunto con los demas com-
ponentes parásitos asociados a la distribución en la plaqueta y demás componentes en el circuito.
Para completar, la resistencia externa en serie con el gate y la impedancia de salida

del driver deben mencionarse como factores determinantes en los diseños de drivers de gate de
alto rendimiento, ya que tienen un efecto profundo en las velocidades de conmutación y, en
consecuencia, en las pérdidas de conmutación.
Pf. Ariel M. Wels

Procedimiento de encendido
Figura 2.8: intervalos de tiempo de encendido de un MOSFET
El evento de encendido del MOSFET puede dividirse en 4 intervalos como vemos en

la Fig. ??
1 La capacidad de entrada se carga de 0V hasta Vth . Durante este intervalo la mayor parte
de la corriente de gate esta cargando el capacitor CGS . Una pequeña corriente circula a
través del capacitor CGD también a medida que la tensión aumenta en el terminal de
gate y la tensión sobre CGD se reduce ligeramente. Este periodo es llamado retraso de
encendido (turn-on delay), ya que la tensión y corriente de drain permanecen sin cambios.
Una vez alcanzado Vth , el MOSFET esta listo para conducir corriente.
2 La tensión de gate aumenta de Vth hasta el nivel de la meseta de Miller (Miller plateau),
VGS,miller . En este momento el MOSFET esta en la región lineal, y la corriente es propor-
cional a la tensión de gate. La corriente circula por CGS y CGD , y al igual que en el primer
intervalo, VGS esta aumentando. La corriente de drain comienza a aumentar, mientras la
tensión drain-source se mantiene. Esto se explica por que estas gráficas corresponden a
la conmutación de una fuente buck, donde el inductor actúa, para este pequeño tiempo,
como una fuente de corriente.
3 El gate ya esta cargado a la tensión suficiente para transportar toda la corriente de la

carga. de esta forma la tensión de drain comienza a bajar, Mientras eso sucede la tensión
gate-source se mantiene constante. Esta región es la llamada meseta de Miller. Toda
la corriente disponible en el driver se utiliza para descargar el capacitor CGD . En este
momento la corriente de drain es limitada por el circuito externo.

4 En el ultimo tramo, se termina de construir el canal de conducción.La amplitud final de

Vgs determina la resistencia de encendido (RDSON ) durante el tiempo de encendido. Por
lo tanto en este tiempo VGS aumenta de VGS,M iller a su valor final, VDRV . Esto se logra
cargando CGS y CGD , la corriente de gate se separa en estos dos componentes. Mientras
se cargan dichas capacidades la tensión Drain-source se reduce ligeramente a medida que
RDS también se reduce.
Procedimiento de apagado
Figura 2.9: intervalos de tiempo de apagado de un MOSFET
El evento de apagado del MOSFET puede dividirse en 4 intervalos como vemos en la

Fig. ??
La descripcion del procedimiento de apagado del MOSFET es basicamente seguir los

pasos de encendido en reversa. Empezando con VGS = VDRV y VDS definida por ID y RDSON .
Esto se muestra en la Figura ?? para completar.
1 Es el retraso de apagado (turn-off delay), tiempo requerido para descargar las capacidades
de entrada desde el valor inicial hasta la meseta de Miller. Durante este periodo la corriente
fluye desde CGS y CGD hacia el driver. La tensión de drain aumenta ligeramente junto
con la RDS a medida que la tensión de drive va disminuyendo.
2 VDS comienza a disminuir desde su valor (ID × RDSON ) hasta su valor normal apagado
(VDS ). Durante este periodo, correspondiente a la meseta de Miller, la corriente de gate
corresponde estrictamente a la corriente sobre CGD mientras la VGS,M iller se mantiene
constante.
Pf. Ariel M. Wels

3 La corriente de gate vuelve a bajar desde VGS,M iller hasta Vth . La mayorı́a de la corriente
proviene de GGS . El MOSFET esta en su zona lineal de operación y la ID disminuye
proporcionalmente a la disminución de la tensión de gate llegando casi a 0.
4 en el ultimo paso, se termina de descargar totalmente los capacitores de entrada. VGS

alcanza los 0V o incluso tensiones negativas. la corriente de drain se mantiene en 0.
en resumen, se puede concluir que un MOSFET puede conmutarse entre sus estados de
mayor y menor impedancia pasando por 4 intervalos de tiempo. la duración de estos intervalos
depende directamente de las capacidades parásitas, el cambio de tensión de gate requerido y la
capacidad de corriente del driver que maneja el gate. De ahi la gran importancia de la correcta
selección de los componentes y un diseño del driver del gate correcto para aplicaciones de alta
frecuencia o velocidad.
Desafortunadamente, los datos dados en las hojas de datos, corresponden a determi-

nadas condiciones de prueba, lo que suele hacer difı́cil el comparar caracterı́sticas de distintos
modelos de MOSFET, ademas, las prestaciones de conmutación en aplicaciones practicas con
cargas inductivas cambian drásticamente de los números dados en la hoja de datos.
circuitos de excitación y protección
Figura 2.10: circuito simple de excitación. Se muestran las inductancias parásitas.
En la Fig. ?? se puede apreciar el circuito mas simple de excitación de gate, el chip

de control en este caso se encarga de la carga y descarga del gate, por lo que es importante
que pueda proveer y tomar la intensidad de corriente suficiente como para cargar y descargar
el gate a la velocidad requerida. Los inductores representan la inductancia de las pistas que
unen el controlador con el MOSFET, estas inductancias limitan la velocidad de carga de gate,
y constituyen un circuito RLC compuesto por RGAT E , las inductancias y las capacidades de
gate, principalmente CGS . Para evitar oscilaciones y mejorar la velocidad de carga de gate es
importante mantener las pistas de gate y retorno lo mas cortas y gruesas posibles a fin de
minimizar la inductancia parásita.
Cabe destacar la existencia de un capacitor entre VCC y GND del controlador, este
se encarga de asegurar la estabilidad en la tensión de alimentación y la capacidad de proveer
picos de corriente al gate sin generar transitorios en la fuente.
En la Fig. ?? se observa una variación del circuito presentado en ??, el agregado

del diodo en paralelo a RGAT E permite que la velocidad de descarga del gate sea mayor a la

Figura 2.11: circuito simple de excitación con diodo para apagado
velocidad de carga. El driver debe ser capaz de manejar los picos de corriente en los momentos
de descarga.
Figura 2.12: Circuito de protección del driver totem pole
Cuando el controlador o el driver utilizado posee una salida totem pole BJT, es im-
portante incluir una protección contra las oscilaciones que se pueden dar por el circuito RLC
del gate, ya que los transistores BJT solo pueden conducir en un sentido y pueden destruirse
por las oscilaciones. En la Fig. ?? podemos ver como implementar una protección para el driver
con la utilización de 2 diodos schottky, que destacan por su muy alta velocidad.
Figura 2.13: Circuito de excitación con apagado mejorado con PNP
Debido a la limitación en corriente que ofrecen ciertos controladores, en la Fig. ?? se

implementa un circuito para lograr una rápida descarga de gate sin sobre exigir la capacidad de
tomar corriente del driver. Cuando el controlador entrega nivel alto de tensión, el gate se carga
Pf. Ariel M. Wels

a través de RGAT E y DON , en cambio cuando el controlador pone su salida a GND, y el gate
del MOSFET se encuentra cargado, la descarga comienza a través del diodo E-B del transistor
PNP y RGAT E , esta corriente enciende el transistor haciendo que el Gate también se descargue
a source a través del transistor.
Figura 2.14: Circuito de excitación Totem Pole BJT
En los casos en que el controlador no pueda manejar las corrientes requeridas para
manejar el gate, o la distancia entre el controlador y el MOSFET no puedan reducirse, se suele
implementar un driver Totem-Pole discreto, lo mas cercano posible al MOSFET, este debe
tener su propio capacitor de bypass o desacople. Una posible implementación se muestra en la
Fig. ??.
Figura 2.15: Driver discreto de MOSFET canal P referenciado a la alimentación
En los casos donde se quiere utilizar un MOSFET referenciado a la fuente para con-
trolar el lado superior de la rama de carga, es necesario utilizar un circuito de drive particular,
en la Fig. ?? podemos observar un circuito manejando un MOSFET de canal P. Este tipo de
circuito no suele utilizarse en etapas de mucha potencia ya que por una caracterı́stica construc-
tiva, un MOSFET de canal N posee una menor RDSON y un menor costo que un dispositivo
comparable de canal P.
En la Fig. ?? nos encontramos con una fuente buck en su mı́nima expresión haciendo
énfasis en el manejo del gate. El principal problema se da cuando el MOSFET esta saturado,
Las tensiones en Drain y Source son prácticamente iguales, sin embargo para mantener el MOS-
FET conduciendo la VGS debe ser mayor a Vth lo que implica una tensión sobre el gate superior
a VIN , y cobra aun mayor dificultad cuando VIN > VDRV . Para subsanar este impedimento
técnico, se emplea un capacitor de bootstrap para alimentar el driver Totem-Pole del gate. En
la condición inicial, con el MOSFET apagado, el source esta a un nivel de tensión cercano a
GND, CBST se carga a través de DBST a la tensión VDRV , proveyendo la tensión de alimentación

Figura 2.16: Drive de MOSFET N en el lado superior de una fuente Buck
necesaria al Totem-Pole. Cuando se requiere encender el MOSFET, se enciende el transistor

NPN, cargando al gate (VGS ) con la tensión almacenada en CBST . En este instante el Source
se levanta hasta casi llegar a la tensión de drain, pero como CBST esta referenciado al source,
la tensión en el gate se mantiene, manteniendo la conducción.
En este caso el manejo de la entrada del Totem-Pole se realiza con un mosfet, sin
embargo, existen múltiples variantes, todas ellas poseen a la entrada del totem pole, una re-
sistencia de pull up hacia el terminal positivo de CBST que proveerá tensión para encender el
transistor NPN y un transistor que permita tirar a GND la entrada o bien dejarla flotando para
que la comande el pull up.
Figura 2.17:
En la Fig. ?? vemos la utilización de un Driver integrado dedicado para un MOSFET

”flotante”, Notese la necesidad de agregar externamente el capacitor y el diodo de bootstrap,
ya que los valores de estos componentes deben ser adecuados al MOSFET y su capacidad de
entrada. También se indica la presencia de un transitorio de tensión negativa en la referencia
del driver, debido a la inductancia y la presencia de el diodo entre este punto y GND.
En caso de requerir controlar el gate de manera aislada, una posible implementación

es utilizar un transformador de aislación, tal como se ve en la Fig. ??. En este caso el gate se
cargara con una VG S > Vth , y en el momento de apagado esta tensión se volverá negativa. Esta
implementación permite el encendido y apagado del MOSFET independientemente de a donde
este referenciado, pero no es posible utilizarla de manera segura cuando se requieran periodos
de encendido o apagado muy prolongados. Ası́ mismo es importante tomar en cuenta el ancho
de los pulsos y el capacitor serie para evitar posible saturación del núcleo del transformador de
Pf. Ariel M. Wels

Figura 2.18:
aislación.
Figura 2.19:
Por extension, podemos utilizar el mismo transformador de aislacion para controlar

dos MOSFET de manera de implementar un Totem-Pole de potencia, como se muestra en la
Fig. ??.
Figura 2.20:
En la Fig. ?? se ven dos protecciones utilizadas con transistores MOSFET, por un

lado, la mas comun de encontrar, entre gate y source se coloca uno o dos diosos zener, para
limitar la tension Gate-Source y enclavar los transitorios o descargas electrostaticas (ESD), ya
que si se exede el valor maximo de tension especificado para ese transistor este se destruye.
Se puede utizar un solo zener o dos en antiserie, dependiendo de las tensiones de gate que se
quieren obtener, En general los MOSFET poseen la tension de gate maxima especificada como,
por ej: VGS = ±10V en la seccion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

Los diodos entre Drain y Gate, hacen las veces de protección por sobretension, y en
general no se incluyen de manera discreta, sino que vienen integrados en ciertos MOSFET
para aplicaciones automotrices o aeroespaciales. en este caso, cuando la tensión de drain supera
cierto umbral, los zener conducen hacia el gate, encendiendo el transistor y enclavando las sobre
tensiones en el drain.
Fallas caracterı́sticas en MOSFET
Falla por avalancha: Si la máxima tensión de operación del mosfet es excedida, se produce
lo que se llama ruptura por avalancha (Avalanche breakdown). Este fenómeno no es ne-
cesariamente destructivo. Las especificaciones del MOSFET describen la energı́a máxima
que el MOSFET puede resistir en modo avalancha. La energı́a de avalancha se se puede
aproximar como:
1
EAS = LI 2
2
Esta formula es una aproximacion, y deberá ajustarse en función del circuito concreto,
sin embargo nos ayuda al análisis.
Afortunadamente, en muchos casos prácticos las cargas no son inductivas, la energı́a que
el MOSFET debe enclavar es la contenida en las pequeñas inductancias parásitas de la
fuente y el ruteado y/o cableado de la rama de carga. En estos casos las energı́as de
avalancha suelen ser mucho menores que las máximas especificadas por lo que este tipo
de falla por exceso de energı́a de avalancha son muy difı́ciles de encontrar con cargas
resistivas.
En el caso que la energı́a contenida en un sobrevoltaje transitorio (en general causado

por inductancias) sea mayor a el máximo permitido por el MOSFET, este fallara y se
cortocircuitara, inicialmente sin indicios visibles externamente. El problema con este tipo
de fallas es que, una vez ocurrido, hay muchas posibilidades de una reacción en cadena
que probablemente desintegren el MOSFET, desapareciendo las evidencias que permitan
diagnosticar la falla y muy posiblemente destruyendo también otros dispositivos en el
camino.
Falla por ∂V∂t

: Esta es probablemente la falla menos comprendida y mas misteriosa de todas
las fallas de los MOSFET, también es probablemente una de las mayores causas de todas
las fallas inexplicables. Es una de las fallas mas difı́ciles de estudiar, ya que es una falla
de alta velocidad, por lo que requiere equipamiento capaz de capturar transitorios. Las
buenas noticias son que a medida que la tecnologı́a de fabricación de los MOSFET avanza,
cada vez raro encontrarse con este problema.
Es mas común encontrar este tipo de fallo en sistemas de control industrial, donde se
tiende a cablear los tableros tomando en cuenta la apariencia, las normativas y la man-
tenibilidad, lo que induce a utilizar cableados mas largos y donde la distribución tiende
a ser mala. Ademas suelen existir fuentes de ruido, como relés y contactores.
La causa de estas fallas es un pulso transitorio de muy alta tensión y muy alta velocidad
(positivo o negativo). Si dicho pulso existe en el drain, se acopla a través de CDG . Si su-
ficiente energı́a es transferida, la tensión en el gate puede sobrepasar los niveles máximos
Pf. Ariel M. Wels

permitidos destruyendo instantáneamente al MOSFET. Todo el proceso toma menos de

1 nano segundo, el pico inicial destruye la aislación del gate, con lo que el gate de conecta
al canal. Una vez que esto sucede el MOSFET suele explotar en una nube de humo negro
y/o llamas.
Pero, de donde provienen dichos picos? Ruido eléctrico o interferencias de radio frecuencia
(RFI). Las chispas que se ven en torno a los carbones de un motor eléctrico son excelentes
generadores de ruido eléctrico de banda ancha. No es casualidad que Marconi utilizara
un arco eléctrico y un circuito sintonizado para transmitir señales cruzando el océano
atlántico. El ruido causado por un arco eléctrico tiene, estadisticamente, probabilidades de
contener un pico de energı́a con las cara—cterı́sticas necesarias para destruir determinado
MOSFET. Las probabilidades siempre estarán ahı́, pero se pueden reducir a un bajo nivel.
Falla por exeso de disipacion: Lo que pasa cuando existe un exceso de potencia, depende
de cuan excedida este. Puede ser una cocción sostenida, en cuyo caso el MOSFET puede
calentarse lo suficiente como para literalmente desoldarse del PCB. Gran parte del calor
al controlar grandes corrientes se genera en las patas, lo que puede fácilmente desoldar el
componente aun sin que el MOSFET falle. Si el calor es generado en el chip, el componente
se calentara, pero la temperatura máxima usualmente no esta determinada por el silicio,
sino por el proceso de fabricación y encapsulado. el chip de silicio esta pegado al sustrato
con soldadura blanda y puede derretirse y fluir entre el encapsulado epoxy y el cuerpo
metálico. El MOSFET puede funcionar luego de esto, pero las caracterı́sticas térmicas se
ven degradadas.
Falla por exeso de corriente: Si se hace circular demasiada corriente a través del MOSFET,
este fallara. El como falle dependerá de cuan alta sea dicha corriente, por cuanto tiempo
se mantenga y las circunstancias en ese momento.
La potencia esta dada por I 2 R, pero el calor disipado ademas tiene que ver con el tiempo.
una pequeña sobrecarga puede llevar a una falla por exceso de disipación. Con corrientes
realmente elevadas, los alambres internos que unen las patas al silicio se funden en una
explosión tipo flash, lo que suele causar la ruptura del epoxi del encapsulado. Perforaciones
tipo crater en el encapsulado también son comunes, pero es difı́cil discernir si son causados
por la explosión de los cables o del chip.
2.1.5 IGBT
C E
G IGBT N G IGBT P
E C
Un IGBT, insulated-gate bipolar transistor, o transistor bipolar de puerta aislada, es

un dispositivo semiconductor de potencia de 3 terminales, cuyo uso principal es la conmutación.
Al igual que un tiristor, esta construido por 4 capas alternadas (P-N-P-N) que son
controladas por un gate de estructura Metal-Oxido-Semiconductor (MOS). Aunque la estruc-
tura del IGBT es topológicamente la misma que la de un tiristor con una puerta ”MOS”, la

acción del tiristor se suprime por completo y solo se permite la acción del transistor en todo el
rango de funcionamiento del dispositivo.
Figura 2.21: Caracterı́sticas de entrada del IGBT
Se utiliza para conmutación en fuentes de alimentación de alta potencia, como ser:

variadores de frecuencia (VFD), autos eléctricos, trenes, heladeras con compresor de velocidad
variable, balastos de lámparas, máquinas de soldadura por arco y acondicionadores de aire,
entre otras.
Figura 2.22: Caracterı́sticas de salida del IGBT
Dado que está diseñado para encender y apagar rápidamente, el IGBT puede sintetizar
formas de onda complejas con modulación de ancho de pulso y filtros de paso bajo, por lo que
también se usa en amplificadores clase D y sistemas de control industrial. En las aplicaciones
de conmutación, los dispositivos modernos cuentan con tasas de repetición de pulsos que se
encuentran en el rango de frecuencias ultrasónicas, que son al menos diez veces más altas
que las frecuencias de audio que maneja el dispositivo cuando se usa como un amplificador
de audio analógico. Por su tipo de construcción y desarrollo orientado a la conmutación, posee
caracterı́sticas que lo convierten en un dispositivo no muy aptos para trabajar de manera lineal.
Pf. Ariel M. Wels

Tabla comparativa de caracterı́sticas de dispositivos de potencia:
Caracterı́stica Bipolar de potencia MOSFET de potencia IGBT
Tensión Alta < 1KV Alta < 1KV Muy alta > 1KV
Corriente Alta < 500A Alta > 500A Alta > 500A
Corriente: Tensión: Tensión:

Manejo de entrada
hF E ' 20–200 VGS ' 3–10V VGE ' 4–8V
Impedancia de entrada Baja Alta Alta
Impedancia de Salida Baja Media Baja
Velocidad
Lento (µs) Rápido (ns) Medio
de conmutación
Costo relativo Bajo Medio Alto
Modelos
Figura 2.23: Circuito equivalente de un IGBT
En la Fig. ?? se observa el circuito equivalente de un IGBT, donde se puede observar

que se parte del circuito de un tiristor, donde se agrega una resistencia de muy bajo valor
(Marcada como Body region por su construcción) entre base y emisor del transistor parásito
para asegurar que no se produzca el encendido de este y por tanto no se comporte como un

transistor. También aparece un mosfet que permite encender el transistor bipolar, y una resis-
tencia (Drift Region) que es resultado de la construcción del IGBT.
Figura 2.24: Circuito equivalente simplificado de un IGBT
Dado que el IGBT se construye de modo que nunca se active el transistor parásito,
se puede dibujar un circuito equivalente simplificado, como se ve en la Fig. ??, alli se ve que
se puede interpretar al IGBT como un transistor Darlington construido con un transistor PNP
de potencia y un MOSFET.
No se suelen utilizar modelos equivalentes simplificados como los utilizados con tran-
sistores MOSFET debido a que las caracterı́sticas que presenta suelen ser mas complejas. Sin
embargo, por tener un MOSFET a la entrada, posee caracterı́sticas de manejo del Gate muy
similares y las hojas de datos presentan de igual forma los valores de capacidades de entradas
y salidas. Diversos fabricantes proveen diferentes modelos para la simulación, en general para
SPICE, que aproximan bastante bien las caracterı́sticas y el comportamiento del dispositivo.
IGBT vs MOSFET
El IGBT combina las caracterı́sticas de manejo de Gate del MOSFET con la capaci-
dad de manejar altas corrientes con una baja tensión de saturación de los transistores bipolares.
Los Módulos IGBT mas grandes tienen grandes capacidades de manejo te tensión y corriente
en el orden de los cientos de amperes y con tensiones máximas de bloqueo que pueden alcanzar
los 6500V, lo que permite que puedan manejar cargas del orden de los cientos de kiloWatts.
Los IGBT exhiben caı́das de tensión en conducción significativamente menores que en

los MOSFET en dispositivos de alta tensión de bloqueo y con grandes corrientes, sin embargo
los MOSFET tienen mucho menor caı́da de tensión en corrientes bajas debido a la ausencia en
ellos de la juntura que produce un diodo en directa.
La juntura PN adicional en los IGBT bloquea la corriente en inversa, lo que significa

que, a diferencia de el MOSFET, los IGBT no pueden conducir en la dirección opuesta. En
circuitos donde esta conducción es necesaria, un diodo adicional (llamado Freewheeling diode)
de coloca en antiparalelo al IGBT para permitir la conducción entre colector y emisor en la
dirección opuesta. Este diodo se suele integrar dentro del los encapsulados del IGBT y al no
Pf. Ariel M. Wels

ser un diodo parásito, suele tener mucho mejores caracterı́sticas que el diodo del cuerpo de los
MOSFET.
La capacidad de soportar tensiones en inversa de los IGBT es del orden de las decenas
de Volts, por lo que en caso de necesitar aplicar tensiones de esta forma, debe utilizarse un
diodo en serie adicional.
El IGBT enciende y apaga mas lentamente que los MOSFET, lo que produce mayores
perdidas por conmutación.
La caı́da de tensión en directa con el transistor encendido se comporta de manera muy

distinta en los IGBT y los MOSFET. En los MOSFET puede modelarse como una resistencia, en
cambio en los IGBT la caida se asemeja a un diodo (con caı́das tı́picas de unos 2V) aumentando
solamente con el logaritmo de la corriente. La RDSON suele ser proporcional a la tensión máxima
VDS . Por lo que la selección del dispositivo adecuado debe tomar en cuenta muchos parámetros
de la aplicación en particular. En general, alta tensión y corriente con frecuencias bajas favorece
la utilización de IGBT mientras que corrientes moderadas y altas frecuencias suelen estar en el
dominio de los MOSFET.
2.1.6 Optoacopladores
Un optoacoplador o optoaislador es un componente que transfiere señales eléctricas

entre dos circuitos aislados utilizando luz. Permite aislar circuitos eléctricamente para lograr
inmunidad a la alta tensión (muchas veces llamada aislación galvánica). Los dispositivos comer-
ciales disponibles pueden soportar tensiones entre entrada y salida de hasta 10KV y transitorios
KV
con velocidades de hasta µSeg
Comúnmente un optoacoplador consiste de un led y un dispositivo fotosensible separa-

dos por una barrera aislante pero que permite el paso de luz y encapsulados en un empaquetado
opaco. El sensor puede ser una fotoresistencia (LDR), un fotodiodo, un fototransistor, un SCR
o un triac.
Un sensor de paso óptico es un tipo de optoacoplador pero con el canal lumı́nico abier-
to, permitiendo modular el haz de luz con elementos externos para ser utilizado como sensor.
La funcion principal de un optoacoplador es bloquear altas tensiones y transitorios,

de modo que una sobretension en una parte del circuito no interfiera o destruya las otras
partes. Históricamente esta función la realizaban los transformadores de aislación, que usan
acoplamiento inductivo entre dos circuitos galvánicamente aislados. Ambos dispositivos son los
únicos dispositivos que ofrecen protección reforzada, protegiendo tanto al equipamiento como
al usuario humano que lo opera.
El optoacoplador contiene una sola barrera fı́sica que provee la aislación, pero provee

protección equivalente a la doble aislación 6 . Múltiples agencias internacionales regulan, prue-

ban y certifican las especificaciones de seguridad de estos dispositivos.
A diferencia de los transformadores, que pueden transmitir energı́a, Los optoacopla-

dores solo pueden modular la energı́a ya presente en su salida.
Optoacoplador resistivo
Figura 2.25: Esquemas estilo europeo de optoacopladores resistivos con lampara incandescente,
neón y led respectivamente
El optoacoplador mas sencillo, aparecion en los años 1960s, y utilizaban una pequeña
luz incandecente o de neon acoplado con un LDR. Para aplicaciones donde no era necesaria la
linealidad o no existia corriente suficiente para iluminar una luz incandecente, se utilizaba una
lampara de neon como fuente de luz. Sin embargo estos dispositivos eran bastante voluminosos
y lentos, lo que limitaba las aplicaciones practicas a unos pocos hertz. Con el surgimiento de los
leds en los años 1970s, se lograron dispositivos con tiempos de respuesta de cerca de 5 mSeg.
Las fotoresistencias se basan en el cambio de la conductividad de un sustrato de

sulfuro de cadmio o seleniuro de cadmio, no en una juntura PN, lo que hace posible su uso
para corriente continua o alterna. Su resistencia desciende en proporcion al aumento de luz
que reciben, desde los MegaOhms hasta los cientos de Ohms. Estas propiedades los hacen
convenientes y economicos para implementar controles automaticos de ganancia y compresores
de audio para redes telefonicas.
Desde los años 1990s, este tipo de dispositivos solo se fabrican en pequeñas canti-
dades, por lo que es muy comun encontrarlos fabricados con un led y un LDR envueltos por
termocontraible. en especial en equipos de audio de poca fabricacion o que pretenden emular
el sonido de equipos de los años 1960s y 1970s.
Optoacoplador con fotodiodo
Este tipo de Optoacopladores utilizan LEDs como fuentes de luz y fotodiodos como
sensores. Cuando el fotodiodo es polarizado inversamente con una fuente externa, la luz inci-
dente provoca un incremento en la corriente que circula por el diodo. Este modo de operacion
6
Doble aislación refiere a equipos eléctricos clase II, diseñados de manera de no requerir conexión de tierra.
Pf. Ariel M. Wels

se llama modo fotoconductivo. Alternativamente, en ausencia de una corriente de bias externa,

el diodo convierte la energı́a lumı́nica en electricidad logrando tensiones de 0.7V por efecto
fotoeléctrico (tal como lo hacen los paneles solares), sin embargo la transferencia en este modo
solo alcanza el 0.2 %.
Los dispositivos mas rapidos de este tipo, utilizan diodos PIN en modo fotoconduc-
tivo, logrando respuestas en el diodo por debajo del nanosegundo, limitando la velocidad del
dispositivo por los retardos de emisión del led y el circuito de bias. Para minimizar estos retar-
dos, los optoacopladores digitales utilizan suelen integrar la circuiteria necesaria para manejar
el led ası́ como el amplificador de la señal producida por el fotodiodo. La familia de optoacopla-
dores digitales de Hewlett-Packard 6N137/HPCL2601 introducida a finales de los años 1970s
lograban velocidades de hasta 10Mbit/seg, y fueron el standard de facto de la industria hasta
la introducción en 2002 por parte de Agilent Technologies de una familia capaz de manejar
transferencias de hasta 50Mbit/Seg.
Este tipo de optoaisladores pueden utilizarse para transmitir señales analógicas, aun-
que debido a su nolinealidad, inevitablemente distorsiona dichas señales. Múltiples técnicas se
han aplicado a lo largo de los años para limitar dicha distorsión.
Figura 2.26: Optoacopladores con fotodiodo y fototransistor respectivamente
Optoacoplador con fototransistor
Los fototransistores son inherentemente mas lentos que los fotodiodos. Esto se eviden-
cia en los primeros, pero aun comunes, optoacopladores 4N35, que poseen tiempos de subida
y bajada del orden de los 5µSeg con cargas de 100ω y cuyo ancho de banda se limita a unos
10KHz. Esto puede ser suficiente para aplicaciones como la electroencefalografia, o el control
PMW de motores.
Los Optoacopladores con fototransistor deben ser correctamente polarizados y carga-

dos para alcanzar sus máximas velocidades, Por ejemplo, el 4N28 puede alcanzar frecuencias
de hasta 50KHz correctamente polarizado, pero unos magros 4KHz sin un bias correcto.
Para lograr un bias correcto, los mencionados optoacopladores poseen conexión a la

base, de modo de poder ajustar la corriente de reposo en valores óptimos.

El diseño con estos dispositivos requiere generosas tolerancias debido a las amplias
fluctuaciones en sus parámetros que se observan en los dispositivos comerciales. Dichas fluctua-
ciones pueden ser destructivas, por ejemplo, cuando se utiliza en la red de realimentación de
una fuente DC-DC, puede provocar cambios en su transferencia y causar oscilaciones espureas,
O provocar cortocircuitos cuando aparecen retrasos inesperados al utilizarlos para el manejo
de puentes H. Las Hojas de datos tı́picamente solo listan los valores para el peor caso en los
parámetros crı́ticos, los dispositivos reales pueden sobrepasar dichos estimados de maneras im-
predecibles.
Pruebas experimentales han demostrado que una partida de 4N28 puede variar su
relación de transferencia entre un 15 % y un 100 % cuando la hoja de datos especifica una
variación del 10 % y los transistores en la misma partida obtuvieron ganancias de entre 300 y
3000, lo que resulto en variaciones de 10 a 1 en el ancho de banda.
Existen también, aunque es muy raro encontrarlos, optoacopladores que utilizan tran-
sistores de efecto de campo (FET), y tal como los optoacopladores resistivos se pueden utilizar
en controles de ganancia, algo ası́ como ”potenciometros.en aplicaciones que no exceden las
centenas de milivolts. Ademas son particularmente útiles para la implementación de circuitos
”Sample and Hold”
Optoacoplador con fototriac
Este tipo de optoacopladores posee a su salida un TRIAS disparable por medio de

luz, lo que lo convierte en un dispositivo util para conducir corriente en ambos sentidos, sin
embargo, la no linealidad de sus caracteristicas prácticamente limitan sus aplicaciones a la
conmutación de pequeñas cargas de corriente alterna o al disparo de TRIACs de potencia para
conmutar cargas mas elevadas.
Pf. Ariel M. Wels

2.1.7 TL431
El TL431 es un un regulador shunt de tres terminales, con gran estabilidad térmica

en todo su rango de temperaturas de trabajo. La tensión de salida puede ajustarse con dos
resistencias a cualquier valor en el rango de 2.5V a 36V y poseen una impedancia tı́pica de
salida en el orden de los 0,2Ω.
Figura 2.27: Circuito interno equivalente del TL431
Sus caracterı́sticas lo convierten en un excelente reemplazo para los diodos Zener en

muchas aplicaciones como ser, regulación interna, fuentes de alimentación regulables y fuentes
conmutadas.
Circuito de aplicacion de un regulador shunt con TL431 a 2.5V:
Entrada Salida
R
D-1
+ A
Vref
−
Para poder ajustar la tensión de cátodo del TL431, un divisor resistivo debe colocarse
entre los pines de Ánodo y Cátodo con el pinto medio al pin de referencia, Tal como observamos
en el siguiente circuito:
Regulador shunt con TL431 con salida ajustable:

Rsupply
Entrada Salida
R1
K
R
D-1 C1
A
R2
La tensión de salida puede aproximarse con la siguiente ecuación:

R1
VO = 1 + × VRef − IRef × R1
R2
Donde VRef son los 2.5V de la tensión interna de referencia e IRef es la corriente de
entrada del pin de referencia. Para que dicha ecuación sea valida, el TL431 debe estar com-
pletamente polarizado (asegurando que la IM in sea mayor a la especificada en la hoja de datos ).
En aquellos casos donde la corriente a través del divisor resistivo supere por al menos
un factor de 15 a IRef , la expresión puede simplificarse de la siguiente manera obteniendo
resultados con diferencias mı́nimas:

R1
VO = 1+ × 2,5V
R2
Si bien el TL431 es estable sin la necesidad de una capacidad entre Ánodo y cátodo,
el agregado de C1 mejora la respuesta a los transitorios y sirve como desacople de la fuente.
Notese que dicha capacidad genera en el circuito un retardo en la estabilización de la tensión
de salida dado por el circuito RC formado por Rsupply y C1
2.1.8 Acople capacitivo e inductivo
2.2 técnicas de control de potencia
2.2.1 Rectificadores controlados
2.2.2 control de fase
Pf. Ariel M. Wels

Capı́tulo 3
Control de industrial
3.1 Evalución
3.1.1 Consignas
Consignas
71
Pf. Ariel M. Wels

Capı́tulo 4
Robótica
4.1 Evalución
4.1.1 Consignas
Consignas
c
c
b
hi e Ib × hf e 1/ho e hi e Ib × hf e 1/ho e
e e
73

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Sistemas de control

Pf. Ariel M. Wels

Pf. Ariel M. Wels

Los controladores o reguladores automáticos forman parte de todo tipo de dispositivos

Para referirse a este tipo de sistemas se utiliza la denominación de controladores o

Revisaremos entonces los diferentes componentes de un sistema de control automático

1.1 Definiciones Básicas

Variable manipulada: u(t) : La variable manipulada es la cantidad o condición que el contro-

Proceso: El proceso es cualquier operación que va a ser controlada.

Los conceptos de planta y proceso se suelen utilizar de manera intercambiable en las

Sistema: Un sistema es un conjunto de componentes que se inter relacionan y trabajan juntos

Accionador o Actuador: es el encargado de convertir la señal de control c(t) , que entrega

Muchas Bibliografı́as omiten el Accionador, incluyendo su funcionalidad dentro del

Control realimentado: El control realimentado es un sistema que mantiene una comparación

Sistemas de control en lazo abierto: En estos sistemas la salida no afecta la acción de

Pf. Ariel M. Wels

1.2 Sistemas de control en lazo abierto

1.2.1 Elementos de un sistema de control en lazo abierto

Figura 1.1: Diagrama de un sistema de control a lazo abierto.

En ocasiones el controlador, el accionador y el proceso que ocurre en la planta no

1.2.2 Ejemplos de sistemas de control en lazo abierto

A continuación se describen sistemas a lazo abierto que se pueden encontrar comúnmen-

Control de potencia de un horno microondas

El controlador está formado por un dispositivo que enciende y apaga el horno a

Control de potencia de una estufa eléctrica

El controlador es el interruptor que selecciona entre una o dos resistencias calefac-

Control de intensidad de luz (dimmer)

El controlador es el potenciómetro que se gira para conseguir mayor o menor lumi-

Pf. Ariel M. Wels página 7 de ??

Control de volumen en un equipo de audio

Si bien un amplificador internamente es un sistema realimentado, si tomamos en cuenta

Uno de los controladores en lazo abierto más habituales es el temporizador. Este se

1.3 Sistemas de control en lazo cerrado

1.3.1 Elementos de un sistema de control en lazo cerrado

Figura 1.2: Diagrama de un sistema de control a lazo cerrado.

Pf. Ariel M. Wels

Muchas bibliografı́as no mencionan el elemento acondicionador de señal y lo incluyen

Señal Nombre Función

En lo que va de este apunte se le ha llamado de diversas formas a los mismos elementos,

A su vez se realizó un análisis donde se toma en cuenta el accionador o actuador.

Pf. Ariel M. Wels página 9 de ??

1.4 Acciones de control

La forma en la cual el controlador automático produce la señal de control se llama

1.4.1 Encendido-Apagado (on/off )

La acción de control Encendido-Apagado es también muy conocida por su nombre en

Figura 1.3: Controlador On/Off.

Este tipo de accionamiento provoca un control muy impreciso de la variable de proceso,

En aplicaciones prácticas, el control ON/OFF puede aplicarse fácilmente en sistemas

Pf. Ariel M. Wels

Figura 1.4: Respuesta de un sistema de control on/off tipico.

1.4.2 Encendido-Apagado con Banda Muerta

La brecha diferencial o banda muerta es el rango en el que debe moverse la señal de

La banda muerta en el control Encendido-Apagado es usada con frecuencia para evitar

Pf. Ariel M. Wels página 11 de ??

donde B es la brecha diferencial.

La magnitud de la banda muerta debe determinarse a partir de consideraciones tales

Figura 1.5: Controlador On/Off con banda brecha diferencial.

Pf. Ariel M. Wels

• La brecha diferencial se define como la diferencia entre el momento de apagado y encendido

Como su nombre indica, esta acción de control es proporcional a la señal de error

donde Kp es la ganancia proporcional.

Aumentar la constante proporcional Kp tiene los siguientes efectos:

• Aumenta la velocidad de respuesta del sistema.