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1.- Introducción:
Otra gran familia de los transistores de efecto de campo está constituida por los MOSFETs.
Como los JFETs son dispositivos unipolares y la corriente principal está controlada por una tensión.
A su vez, los MOSFETs pueden ser de acumulaciòn o de deplexión. La aplicaciónes de los
MOSFETs de deplexión han ido cayendo y en la actualidad su uso es poco frecuente por lo que
nos concentraremos en los MOSFETs de acumulación.
2.- Estructura
3.- Funcionamiento:
Al igual que en el JFET, la corriente principal estará controlada por la tensión VGS, solo que
en este caso no hay conexión eléctrica entre el material semiconductor y la puerta actuando como
un capacitor de placas planas. Esto hará que la impedancia de entrada del MOSFET sea mucho
mayor que la del JFET, del orden de los G.
La tensión necesaria para crear la capa de inversión es la tensión umbral VT. Por debajo de
VT, la corriente ID será solo una pequeña corriente de fuga y el MOSFET se hallará en estado de
corte.
W
K = n Cox -----
2L
VDS
rD = --------- ≈ [ 2 K (VGS – VT)] -1
ID
En linea punteada
se muestra la curva
de pinch off que
marca el comienzo
de la zona de
saturación.
Para valores elevados de VDS se tiene en cuenta que la característica no es horizontal sino
que tiene una cierta pendiente agragándose el término:
Esto se debe al efecto de modulación de la longitud del canal en saturación. Al aumentar VDS la
disminución de la longitud efectiva del canal (aumenta L) hará que IDS aumente ligeramente. es
un parámetro experimental.
Si extendiésemos las características hacia la zona de VDS negativo, estas se cortarían en
un punto sobre el eje VDS llamado tensión de Early VA.
El parámetro será: = 1/ VA
Para el MOSFET en la zona de saturación podemos levantar la curva que relaciona IDS en
función de VGS, es decir su característica de transferencia. La característica ideal será una parábola
que se verifica bastante bien en la práctica. La curva se levanta para un valor de VDS constante, por
ejemplo VDS = 10 V.
id = gm vgs + vds / rd
dId
gm = -------- = 2K (VGS – VT)
dVgs VDS
El parámetro rd tiene en cuenta que las características de salida no son horizontales sino
que poseen una pequeña pendiente debido al efecto de modulación del canal al variar VDS
resultando una variación en ID.
rd suele ser muy elevada, desde 10 k hasta 1 M por lo que en muchos casos prácticos
la corriente que por ella se deriva suele ser muy pequeña y se desprecia simplificando los cálculos.
En alta frecuencia se debe considerar el efecto de las capacidades asociadas por lo que el
modelo de pequeña señal será:
También estas capacidades juegan un papel muy importante cuando el MOSFET actúa
como llave pues deberemos cargarlas y descargarlas para que la llave abra o cierre y determinarán
la velocidad de conmutación del dispositivo.
6.- Polarización:
Además otra restricción será la potencia máxima de disipación admisible por el dispositivo PDMAX
dada por el fabricante que representada sobre la característica de salida nos da una hipérbola y
también no deberá ser sobrepasada la tensión VDSMAX para evitar que el dispositivo entre en
multiplicación por avalancha. esto hace que en nuestro caso el punto de funcionamiento estático
debe ubicarse dentro del area:
Veamos ahora algunos circuitos empleados en la polarización para el caso discreto.
para que el dispositivo esté operando en la zona de saturación. La relación del divisor debe
elegirse de manera que no degrade excesivamente la impedancia de entrada del circuito pues esta
será R1//R2.
6.2.- Con Rs
El circuito anterior es muy vulnerable a las variaciones de los parámetros del MOSFET que
pueden darse al variar la temperatura o si empleamos diferentes dispositivos. Estas variaciones
harán que el punto de polarización se mueva respecto de la ubicación elegida sin que nada atenue
su efecto pues la tensión VGS permanecerá constante cualquiera sean los parámetros del
MOSFET. Esto puede reducirse mediante el agregado de una resistencia Rs en serie con la fuente.
R2
VGS = VDD ------------------ - IDS Rs = VG – IDS Rs
R 1 + R2
Si a la temperatura T1 polarizamos al
MOSFET con RS = 0 a la corriente IDS,
cuando la temperatura sea T2 la
corriente habrá aumentado a IDS’.
Agreguemos una Rs y hagamos que la tensión del divisor sea VGG’’ ; a T1 obtendremos la
misma IDS. Si la temperatura se eleva a T2 la corriente de drenador será IDS’’ siendo el incremento
mucho menor que en el caso anterior, es decir, obtenemos una polarización más estable frente a
las variaciones de temperatura.
Con una Rs un incremento en IDS generará sobre la resistencia una tensión opuesta a VG
y por eso el incremento en IDS resulta menor. El circuito posee entonces realimentación negativa
que tiende a mantener la corriente de polarización constante por lo que resultará una polarización
más estable que la que se obtiene con el circuito anterior.
A mayor Rs mayor estabilidad pero el límite estará dado por la necesidad de incrementar la
tensión de alimentación VDD pués para una dada IDS la caída en Rs aumentará y VDS disminuirá
debiendo cumplirse la condición de pinch off para operación lineal.
7.- Ejemplos
a) Determinar el punto de reposo del MOSFET de canal N de la figura y trazar la recta de carga
sobre su característica de salida.
VT = 1 V ; K = 0,5 mA/ V2
= 0,01 V-1
R2
VGS = VDD -------------------- = 2,91 V > VT por lo que el MOSFET estará en conducción
R1 + R 2
Al emplearlo como amplificador se desea que se encuentre en la zona de saturación. Vamos a
verificarlo:
ID = K (VGS – VT)2 = 1 mA
VDS = VDD – ID RD = 5 V
Si VDS = 0
ID = VDD / RD = 2 mA
Si ID = 0
VDS = VDD = 10 V
En la intersección con la
curva correspondiente a
VGS tendremos el punto de
operación estático Q.
rd = 1 / IDS = 100 k
vo
Avm = --------- = - gm RD = - 6,71
vi
Y la impedancia de salida: Zo ≈ RD
7.2.- Amplificador en fuente común con Rs
R2
vamos a necesitar que: VG = VDD ------------- = 3,91 V
R1 + R 2
VDD
R1 = R2 ( --------- - 1 )
VG
= gm rd = 141
RG = R1 // R2
RD
Avm = - ------------------------------ = - 2,85
RD + rd + (1 + ) Rs
La ganancia de tensión cae a menos de la mitad respecto del caso anterior. esto se debe a que la
tensión sobre Rs se opone a la del generador; es decir, Rs introduce realimentación negativa.
Para evitar esta disminuición de Avm se agrega en paralelo con Rs un capacitor que actuará como
un cortocircuito a frecuencias medias y la ganancia de tensión será igual a la del caso anterior.
7.3.- Espejo de corriente:
Este es un circuito muy usado, generalmente en circuitos integrados, bien para establecer
la corriente de polarización de una etapa amplificadora o bien para servir de carga activa de la
etapa.
1 W
pero: K = ------- n Cox -------
2 L
Si ambos transistores están integrados muy próximos tanto VT como n y Cox serán
idénticos y tendremos:
(W 2/L2)
Io = IREF ------------
(W 1/L1)
Entonces, fijando la corriente en la primer rama y jugando con las dimensiones de los
transistores fijamos la corriente en la segunda. Si ambos MOSFET fuesen idénticos: Io = I REF.
La impedancia de salida del espejo será la rd de Q2.
Este espejo con MOSFETs de canal n drena la corriente Io y con MOSFETs de canal p
podremos hacer espejos que entreguen Io. El análisis es el mismo.