MOSFET DE ACUMULACION

1.- Introducción:

Otra gran familia de los transistores de efecto de campo está constituida por los MOSFETs.
Como los JFETs son dispositivos unipolares y la corriente principal está controlada por una tensión.
A su vez, los MOSFETs pueden ser de acumulaciòn o de deplexión. La aplicaciónes de los
MOSFETs de deplexión han ido cayendo y en la actualidad su uso es poco frecuente por lo que
nos concentraremos en los MOSFETs de acumulación.

La importancia del MOSFET es mayor a la del JFET ya que en él se basan la mayoría de

los circuitos integrados digitales y es creciente su empleo en la electrónica de potencia en donde
ha prácticamente desplazado al transistor bipolar debido a su mayor velocidad de conmutación y
simplificación de los circuitos de excitación. Su bajo consumo y su facilidad de integración en
pequeñas areas ha hecho posible la explosion de la electrónica digital; por ejemplo: un
microprocesador Pentium está consitituido por más de seis millones de MOSFETs integrados en un
solo chip y el número sigue creciendo en los nuevos desarrollos.

Como en los JFETs tendremos MOSFETs de canal

n y de canal p dependiendo del dopado de sus
regiones.

2.- Estructura

Consideremos la estructura de un MOSFET de acumulación de canal N lateral. Sobre un

sustrato tipo p se difunden dos regiones tipo n (pozos) fuertemente dopados. Estas seràn las
regiones de fuente S y drenador D. La región de puerta G consiste en la metalización sobre una
fina capa de aislante (SiO2) no existiendo conexión eléctrica entre la puerta y el material
semiconductor. Bajo esta metalización se formará el canal conductor. No hay diferencias en la
geometría ni en en dopaje de las regiones de fuente o drenador y podrían invertirse. El sustrato B
puede emplearse como cuarto electrodo aunque en la mayoría de las aplicaciones prácticas se
encuentra cortocircuitado a la fuente.
 EL MOSFET, como el JFET, emplea un campo eléctrico para hacer que los portadores
(huecos o electrones) cambien la resistividad del canal conductor. En el caso del MOSFET,
el campo eléctrico es provisto por el capacitor que se forma entre el electrodo de la puerta G y el
canal semiconductor. El aislante actúa como el dieléctrico del capacitor entre la metalización de la
puerta y el semiconductor.

La geometría del MOSFET juega un papel importante en sus propiedades eléctricas.

El canal posee una longitud L y un

ancho W.

De la misma forma se puede obtener un MOSFET de acumulación de canal P solo que en

este caso el sustrato será de tipo n y las regiones de puerta y drenaje serán de tipo p.

3.- Funcionamiento:

Al igual que en el JFET, la corriente principal estará controlada por la tensión VGS, solo que
en este caso no hay conexión eléctrica entre el material semiconductor y la puerta actuando como
un capacitor de placas planas. Esto hará que la impedancia de entrada del MOSFET sea mucho
mayor que la del JFET, del orden de los G.

A pesar de que los huecos son los portadores

mayoritarios en el sustrato, también existirán
electrones libres. Al aplicarse una tensión VGS positiva
lo suficientemente grande, en la zona del canal los
huecos serán repelidos hacia el sustrato y los
electrones serán atraidos hacia la puerta formandose
una capa de inversión en donde estos electrones libres
serán capaces de conducir la corriente ID. Esta es
entonces la formación del canal conductor entre D y S.

Se pueden distinguir tres regiones de funcionamiento normal:

3.1.- Región de corte: VGS < VT

La tensión necesaria para crear la capa de inversión es la tensión umbral VT. Por debajo de
VT, la corriente ID será solo una pequeña corriente de fuga y el MOSFET se hallará en estado de
corte.

VT va desde 1 V a 3 V para MOSFET de baja potencia y es de alrededor de 4V para MOSFETs

verticales de potencia.
3.2.- Región ohmica: VGS < VT y VDS < VGS - VT

Para tensiones VDS pequeñas el

ancho del canal es prácticamente
uniforme en toda su extensión. Esto hará
que la corriente ID aumente en forma
proporcional con la tensión VDS, es decir,
el MOSFET se comportará como una
resistencia. La inversa de la pendiente
de la caracterìstica será la resistencia rD.

El ancho de la capa de inversión depende de

la tensión VGS aplicada. A medida que VGS
aumenta, aumenta el espesor de la capa de
inversión y por lo tanto será menor la
resistencia ofrecida, lo cual puede verse en la
característica en donde las corrientes ID serán
mayores a igual VDS y mayor VGS.
Podemos entonces considerar que en la región
ohmica el MOSFET se comporta como una
resistencia controlada por tensión.

Un parámetro de gran importancia es el llamado parámetro de transconductacia K. Este

depende de la geometría del MOSFET, de la temperatura y del material empleado:

W
K = n Cox -----
2L

n : movilidad de los electrones

Cox: capacidad gate – sustrato por unidad de area
W: ancho del canal
L : longitud del canal

En la región lineal la corriente ID viene dada por :

ID = K [ 2 (VGS – VT) VDS – VDS2]

De esta expresión podemos determinar el valor de la resistencia:

VDS
rD = --------- ≈ [ 2 K (VGS – VT)] -1
ID

A igual temperatura, la movilidad de los electrones n es 2,6 veces la movilida de los

huecos p. Por ello, un MOSFET de canal P de iguales dimensiones que uno de canal N
presentará una resistencia mayor.

Si VDS continúa aumentando, la disminución de la diferencia de potencial entre la puerta y

el canal cencano al drenador disminuye, con lo que resulta un afilamiento de la anchura del canal
hacia la zona del drenador. El afilamiento del canal hace que su resistencia aumente al aumentar
VDS, dando como resultado una menor tasa de crecimiento de ID con VDS y entonces el MOSFET
habrá salido de la zona ohmica y se encontrará en el codo de la característica.

3.3.- Región de saturación: VGS > VT y VDS > VGS - VT

El aumento de VDS hace que

la tensión puerta drenaje disminusca y
el ancho del canal se afile hacia la
zona dle drenador. Cuando VGD iguala
al valor umbral VT, la anchura del canal
en el extremo del drenaje se hace
cero. Este es el llamado punto de
pinch-off: VGS > VT y VDS = VGS – VT

Este es el punto que marca el inicio de

la zona de saturación.
 Posteriores aumentos de VDS
harán crecer la zona de pinch off
caracterizada por L.

El exceso de VDS por encima de

VGS – VT caerá sobre L y la
corriente ID se mantendrá
prácticamente constante en un
valos IDS.

Esta es la región de saturación,

en la que tenemos VGS > VT y
VDS > VGS - VT y la corriente
viene dada por:

IDS = K (VGS - VT)2

La caracterìstica estática de salida de un MOSFET de canal N será:

En linea punteada
se muestra la curva
de pinch off que
marca el comienzo
de la zona de
saturación.

Para este transistor

VT es de alrededor
de 1 V. Se ve que a
bajos valores de VGS
el MOSFET
alcanzará el punto
de pinch off a
menores valores de
VDS

Para valores elevados de VDS se tiene en cuenta que la característica no es horizontal sino
que tiene una cierta pendiente agragándose el término:

ID = K (VGS - VT)2 (1 +  VDS)

 : coeficiente de modulación del canal

Esto se debe al efecto de modulación de la longitud del canal en saturación. Al aumentar VDS la
disminución de la longitud efectiva del canal (aumenta L) hará que IDS aumente ligeramente.  es
un parámetro experimental.
 Si extendiésemos las características hacia la zona de VDS negativo, estas se cortarían en
un punto sobre el eje VDS llamado tensión de Early VA.

El parámetro  será:  = 1/ VA

Un valor típico puede ser: VA = 200 V ;  = 0,05 1 / V

4.- Característica de transferencia:

Para el MOSFET en la zona de saturación podemos levantar la curva que relaciona IDS en
función de VGS, es decir su característica de transferencia. La característica ideal será una parábola
que se verifica bastante bien en la práctica. La curva se levanta para un valor de VDS constante, por
ejemplo VDS = 10 V.

La característica de transferencia está muy influida por la temperatura. En la figura se

observa una característica de transferencia típica de un MOSFET de acumulación de canal N.
Este presenta una tensión umbral VT = 1 V.
 El valor de VT
depende
fundamentalmente
del dopado del
sustrato y de la
temperatura. A
mayor dopado del
sustrato, mayor
VT. Al aumentar la
temperatura
disminuye VT
como vemos en la
figura.

Todas las características de transferencia pasan por un punto de indiferencia térmica.

Cualquiera sea la temperatura de MOSFET la corriente será la misma para la misma VGS. Por
debajo de ese punto prevalece el efecto de la disminución de la V GS necesaria para obtener una
determinada IDS. Por encima de ese punto prevalece el efecto del aumento de la resistencia del
MOSFET con la temperatura por lo que a igual VGS tendremos una menor IDS a mayor temperatura.

5.- Modelo incremental de pequeña señal:

Consideremos que el MOSFET se halla trabajando en la zona de saturación. Haciendo un

análisis similar al que hicimos en el caso del JFET llegamos a que el modelo incremental de
pequeña señal del MOSFET es el mismo. Para el dispositivo trabajando en la zona de saturación y
en baja frecuencia tendremos:

id = gm vgs + vds / rd

Podemos hallar la transconductancia gm

derivando la expresión de ID:

dId
gm = -------- = 2K (VGS – VT)
dVgs VDS

El parámetro rd tiene en cuenta que las características de salida no son horizontales sino
que poseen una pequeña pendiente debido al efecto de modulación del canal al variar VDS
resultando una variación en ID.

rd será la inversa de la pendiente de la característica que corresponde a la tensión VGS de

reposo. Debido a la pequeña pendiente de las curvas, la extensión de la característica cortá al eje
ID prácticamente en el valor de reposo IDS y tendremos que :
 1
rd = ---------
 IDS

rd suele ser muy elevada, desde 10 k hasta 1 M por lo que en muchos casos prácticos
la corriente que por ella se deriva suele ser muy pequeña y se desprecia simplificando los cálculos.

En alta frecuencia se debe considerar el efecto de las capacidades asociadas por lo que el
modelo de pequeña señal será:

Cuando al MOSFET se lo emplea como amplificador, las capacidades determinarán el

ancho de banda, es decir, su limitación en la operación en alta frecuencia. Su valor será de unos
pocos pF por lo que la corriente por ellos será significativa cuando la frecuencia sea elevada (del
orden de 1 MHz)

También estas capacidades juegan un papel muy importante cuando el MOSFET actúa
como llave pues deberemos cargarlas y descargarlas para que la llave abra o cierre y determinarán
la velocidad de conmutación del dispositivo.

6.- Polarización:

Considermos el caso en que usaremos al MOSFET como amplificador de señal. Entonces,

para que opere en forma lineal debemos ubicar al punto de operación estático en la zona de
saturación y la restricción será:

VDS > VGS – VT

Además otra restricción será la potencia máxima de disipación admisible por el dispositivo PDMAX
dada por el fabricante que representada sobre la característica de salida nos da una hipérbola y
también no deberá ser sobrepasada la tensión VDSMAX para evitar que el dispositivo entre en
multiplicación por avalancha. esto hace que en nuestro caso el punto de funcionamiento estático
debe ubicarse dentro del area:
 Veamos ahora algunos circuitos empleados en la polarización para el caso discreto.

6.1.- Polarización a tensión VGS constante

Para la etapa en fuente común de la figura podemos establecer el punto de operación

estático fijando la tensión VGS mediante un divisor de tensión:

Para la IDS deseada tendremos que:

IDS = K ( VGS – VT)2

R2
VGS = [IDS/K] 1/2 + VT = VDD ------------------
R1 + R 2

Con lo que dada VDD fijando la relación del divisor de

tensión obtenemos la VGS necesaria.

En la malla de salida: VDS = VDD – IDS RD

y debe verificarse que: VDS > VGS - VT

para que el dispositivo esté operando en la zona de saturación. La relación del divisor debe
elegirse de manera que no degrade excesivamente la impedancia de entrada del circuito pues esta
será R1//R2.

6.2.- Con Rs

El circuito anterior es muy vulnerable a las variaciones de los parámetros del MOSFET que
pueden darse al variar la temperatura o si empleamos diferentes dispositivos. Estas variaciones
harán que el punto de polarización se mueva respecto de la ubicación elegida sin que nada atenue
su efecto pues la tensión VGS permanecerá constante cualquiera sean los parámetros del
MOSFET. Esto puede reducirse mediante el agregado de una resistencia Rs en serie con la fuente.

En este caso tendremos:

R2
VGS = VDD ------------------ - IDS Rs = VG – IDS Rs
R 1 + R2

VDS = VDD - (RD + Rs) IDS

IDS = K (VGS – VT)2

Consideremos la variación de la característica de transferencia con la temperatura. Con la

ecuación de la malla de entrada podemos trazar sobre la característica de transferencia la recta de
carga cuya pendiente será –1/Rs.
 Para Rs = 0 la pendiente será infinita.

Si a la temperatura T1 polarizamos al
MOSFET con RS = 0 a la corriente IDS,
cuando la temperatura sea T2 la
corriente habrá aumentado a IDS’.

Agreguemos una Rs y hagamos que la tensión del divisor sea VGG’’ ; a T1 obtendremos la
misma IDS. Si la temperatura se eleva a T2 la corriente de drenador será IDS’’ siendo el incremento
mucho menor que en el caso anterior, es decir, obtenemos una polarización más estable frente a
las variaciones de temperatura.

Con una Rs un incremento en IDS generará sobre la resistencia una tensión opuesta a VG
y por eso el incremento en IDS resulta menor. El circuito posee entonces realimentación negativa
que tiende a mantener la corriente de polarización constante por lo que resultará una polarización
más estable que la que se obtiene con el circuito anterior.

A mayor Rs mayor estabilidad pero el límite estará dado por la necesidad de incrementar la
tensión de alimentación VDD pués para una dada IDS la caída en Rs aumentará y VDS disminuirá
debiendo cumplirse la condición de pinch off para operación lineal.

7.- Ejemplos

7.1.- Amplificador en fuente común:

a) Determinar el punto de reposo del MOSFET de canal N de la figura y trazar la recta de carga
sobre su característica de salida.

b) Determinar la ganancia de tensión del amplificador, su impedancia de entrada y su impedancia

de salida.

Los parámetros del transistor son:

VT = 1 V ; K = 0,5 mA/ V2

 = 0,01 V-1

a) Primero determinemos el punto de polarización de MOSFET:

R2
VGS = VDD -------------------- = 2,91 V > VT por lo que el MOSFET estará en conducción
R1 + R 2
Al emplearlo como amplificador se desea que se encuentre en la zona de saturación. Vamos a
verificarlo:

ID = K (VGS – VT)2 = 1 mA

VDS = VDD – ID RD = 5 V

VGS – VT = 1,41 V y entonces VDS > VGS – VT

Por lo cual se verifica el funcionamiento en la zona de saturación.

Para trazar la recta de carga determinamos su intersección con los ejes:

Si VDS = 0

ID = VDD / RD = 2 mA

Si ID = 0

VDS = VDD = 10 V

En la intersección con la
curva correspondiente a
VGS tendremos el punto de
operación estático Q.

c) El circuito incremental de pequeña señal será:

Siendo sus parámetros:

gm = 2K (VGS – VT) = 1,41 mA / V

rd = 1 / IDS  = 100 k

Como rd >> RD entonces rd // RD ≈ RD y la ganancia de tensión será:

vo
Avm = --------- = - gm RD = - 6,71
vi

La impedancia de entrada será : Zi = R1 // R2

Y la impedancia de salida: Zo ≈ RD
7.2.- Amplificador en fuente común con Rs

Agreguemos en serie con la fuente S una resistencia de 1 k de manera de lograr mayor

estabilidad de la polarización. Supongmos que queremos trabajar con el mismo valor de I DS por lo
que VGS = 2,91 V

Como IDS Rs = 1 mA 1k = 1 V

R2
vamos a necesitar que: VG = VDD ------------- = 3,91 V
R1 + R 2

Eligiendo R2 nos hará falta una R1:

VDD
R1 = R2 ( --------- - 1 )
VG

Si R2 = 29,1 k -------------> R1 = 45, 3 k

Como ahora cae 1 V sobre Rs -----------> VDS = 4 V > VGS – VT

El MOSFET trabaja en saturación.

Determinemos la ganancia de tensión. Nos conviene emplear el modelo equivalente de pequeña

señal Thevenin.

 = gm rd = 141

RG = R1 // R2

El caso es el mismo que el

amplificador a JFET en
fuente común con
resistencia RS.

 RD
Avm = - ------------------------------ = - 2,85
RD + rd + (1 + ) Rs

La ganancia de tensión cae a menos de la mitad respecto del caso anterior. esto se debe a que la
tensión sobre Rs se opone a la del generador; es decir, Rs introduce realimentación negativa.
Para evitar esta disminuición de Avm se agrega en paralelo con Rs un capacitor que actuará como
un cortocircuito a frecuencias medias y la ganancia de tensión será igual a la del caso anterior.
7.3.- Espejo de corriente:

Este es un circuito muy usado, generalmente en circuitos integrados, bien para establecer
la corriente de polarización de una etapa amplificadora o bien para servir de carga activa de la
etapa.

VGS es la misma para Q1 y Q2. Al ser VGS = VDS en

Q1 se asegura que el MOSFET trabaja en la zona
de saturación siempre que VGS > VT.

Determinemos la relación entre Io e IREF. El caso

más general es aquel en que las geometrías de
ambos transistores son distintas.

IDS = K (VGS – VT)2

1 W
pero: K = ------- n Cox -------
2 L

Si ambos transistores están integrados muy próximos tanto VT como n y Cox serán
idénticos y tendremos:

(W 2/L2)
Io = IREF ------------
(W 1/L1)

Entonces, fijando la corriente en la primer rama y jugando con las dimensiones de los
transistores fijamos la corriente en la segunda. Si ambos MOSFET fuesen idénticos: Io = I REF.
La impedancia de salida del espejo será la rd de Q2.
Este espejo con MOSFETs de canal n drena la corriente Io y con MOSFETs de canal p
podremos hacer espejos que entreguen Io. El análisis es el mismo.