Experimento N11

Transistores BJT
Chambergo Thaysuly, Camavilca Brad, Torres Alejandro

Curso CF3E1 A
Escuela Profesional de Fı́sica
Facultad de Ciencias
Universidad Nacional de Ingenierı́a
Dirección Postal: 15333
thaysuly.chambergo.p@uni.pe, alejandro.torres.m@uni.pe, brad.camavilca.r@uni.pe

1. Resumen 3. Fundamento teórico

En el experimento de transistores BJT (npn) se Un transistor es un dispositivo semiconductor de

halló la curva caracterı́stica del transistor 2N2222A,
observando ası́ la zona de corte, activa y de satura-
ción. Se confirma el hecho que la zona activa funciona
como un amplificador de señal; y la zona de corte y
saturación como un circuito cerrado y abierto res-
pectivamente.
tres capas. Se puede producir de manera que dos ca-
pas sean del tipo n y la otra de tipo p, o dos capas
sean del tipo p y la otra del tipo n. El primero es un
transistor tipo npn y el segundo es del tipo pnp.

2. Introducción

El transistor bipolar de uniones, conocido tam-

bién por BJT (siglas de su denominación inglesa
Bipo-lar Junction Transistor), es un dispositivo de
tres terminales denominados emisor, base y colec-
tor.Entre alguna de las funciones podemos incluir la
amplificación, oscilación, conmutación y la conver-
sión de frecuencias. pnp.png
 dir e inv.png

Combinando las figuras anteriores, obtenemos:

npn.png

Como se puede notar en las imágenes anteriores,

el material que se encuentra en el medio posee un
grosor mucho menor que el de los materiales extre-
mos. El dopado de la capa emparedada también es
en pnp.png
considerablemente menor que el de las capas exter-
nas (por lo común de 10:1 o menor). Este menor ni-
vel de dopado reduce la conductividad (incrementa
la resistencia) de este material al limitar el número Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al

de portadores “libres”. transistor de la figura anterior como si fuera un nodo

único obtenemos:

Las terminales se identifican por medio de letras

mayúsculas. E para el emisor, B para la base y C para
IE = IC + IB
el colector. La abreviatura BJT (de bipolar junction
transistor) se suele aplicar a este dispositivo de tres
terminales. El término bipolar refleja el hecho de que
Además la corriente del colector consta de dos
huecos y electrones participan en el proceso de inyec-
componentes, los portadores mayoritarios y los mi-
ción hacia el material opuestamente polarizado.
noritarios.

Un transistor pnp opera de la manera siguiente: Configuración del transistor con base común:
 npn.png

o carac del colector.png

4. Objetivos generales

Estudiar las caracterı́sticas básicas del transis-

tor de unión bipolar (BJT), y su operación en
saturación y corte.

pnp.png

Recordar que en la región activa la unión base- 4.1. Objetivos secundarios

emisor se polariza en directa, en tanto que la unión
colector-base se polariza en inversa. Calcular el β(hF E ) del transistor.

Graficar las curvas IC vs VCE .

Analizar las regiones de corte y saturación.

Observar el voltaje de salida usando como en-

trada una señal TTL.

de entrada.png Calcular el βDC

5. Datos, cálculos y resultados Figura 3: I = 30,001µA

5.1. Paso 1

IB (µA) RB (kΩ) Vc (V ) Ic (mA) B

10 1260.0 0.53 0.570 57.0
20 628.5 1.05 1.160 58.0
30 418.2 1.50 1.690 56.3
40 313.2 1.87 2.152 53.8
50 250.2 2.18 2.550 51.0
55.2

Figura 1: I = 10,001µA Figura 4: I = 40,004µA

Figura 2: I = 20,000µA Figura 5: I = 50,015µA

5.2. Paso 2
Figura 7:

Rc (Ω) ICsatmax (mA) IBmax (µA)

500 10 181

IB = 1,2IBmax (µA) RB (kΩ)

217.2 19.7

5.4. Paso 4
RB (kΩ) IB (µA) ICsat (mA) VCE (V )
19.7 218.4 9.769 0.115
IB (µA) β
10 57.0
20 58.0
30 56.3
V(V) VCE (V )
40 53.8
0 5
50 51.0

5.3. Paso 3 6. Discusión de resultados

El β (ganancia) hallado en cada configuración

Figura 6: del primer circuito es diferente aún usando el
mismo transistor, debido a esto se usó el pro-
medio de las 5 β medidas, el cual es 55.2.

El transistor en ese circuito si está en satura-

ción.

El circuito funciona como inversor de la señal

generada por el generador de funciones, es por
eso que al ver VC respecto de la señal cuadrada,
ésta ve su gráfica invertida.
7. Conclusiones
β Es la ganancia del transistor y cumple la re-
lación IC = βIB .
Se logró graficar la curva caracterı́stica del
transistor, haciéndose varias medidas (variando
la corriente que pasa por B, base del transis-
tor).
Las curvas encontradas varı́an cuando se tiene
una variación en la resistencia conectada a la
9.
base del transistor.
Se implementó el circuito inversor correcta-
mente como muestra la Figura 6 del paso 3.
8. Observaciones
El valor de β obtenido es pequeño en compa-
ración a los valores de amplificación comunes,
cuyo rango de amplificación es entre 100-500.
Observamos en el paso 3 una pequeña diferen-
cia entre el voltaje de entrada y el voltaje de
salida.
Para hallar las gráficas en el paso 1, primero se
midió VC vs VCE y luego según la ley de Ohm
se halló IC vs VCE .
Bibliografı́a
Cap. 18 Fuentes de alimentación (regula-
dores de voltaje) ELECTRÓNICA, TEO-
RIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRÓNICOS. Boylestad & Nashelvsky,
8a edición. Prentice Hall.
Cap. 24 Fuente de alimentación regulada
PRINCIPIOS DE ELECTRÓNICA. A. Mal-
vino, 6a edición, McGraw Hill.