INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

UNIDAD PROFESIONAL INTERDISCIPLINARIA

EN INGENIERÍA Y TECNOLOGÍAS
AVANZADAS

PRACTICA 2

Unidad de Aprendizaje: Fundamentos de

Electrónica

Profesor: Sergio Garduza Gonzáles

Alumno:
 Díaz Zárate Raúl

Grupo: 1MV8

Fecha: 09/10/2021
 CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN Y REGIONES DE OPERACIÓN
DEL BJT.

TRABAJO PREVIO.

Investigue como funciona el transistor de unión bipolar (BJT) y cuáles son sus
regiones de trabajo.

El BJT (transistor de unión bipolar) se construye

con tres regiones semiconductoras separadas por
dos uniones pn. Un tipo se compone de dos
regiones n separadas por una región p (npn) y el
otro tipo consta de dos regiones p separadas por
una región n (pnp). Las tres regiones se llaman
emisor, base y colector. El término bipolar se refiere al uso tanto de huecos como
de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.

Para que un BJT opere adecuadamente como amplificador, las dos uniones pn
deben estar correctamente polarizadas con voltajes de cd externos. La unión
base-emisor (BE) está polarizada en directa y la unión base-colector (BC)
polarizada en inversa. Esta condición se llama polarización en directa-inversa. Las
regiones de trabajo de un transistor son 4:

1. Región activa directa: Esta región es la que corresponde a una polarización

directa de la juntura emisor-base. Es la región de operación normal del
transistor para amplificación. Aquí la corriente de colector es proporcional a la
corriente de base. Se cumple que IC = β IB    β es conocido como la
ganancia del transistor.
2. Región activa inversa: Corresponde a una polarización inversa de la unión
emisor-base y a una polarización directa de la unión colector-base. Esta
región es de uso muy poco frecuente.
3. Región de corte: Se trata de polarización inversa de ambas junturas. La
operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el
modo de apagado. El transistor actúa como un interruptor abierto (IC=0) En
 este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, las uniones BE y
BC. De esta forma no hay portadores de carga móviles, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores minoritarios
si pueden atravesar las uniones polarizadas en inversa, pero dan lugar a
corrientes muy bajas. Entonces, un transistor en corte equivale
prácticamente, a un circuito abierto.
4. Región de saturación: Implica polarización directa de ambas uniones. La
operación en esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el
modo encendido. El transistor actúa como un interruptor cerrado. (VCE=0).

La región del emisor de tipo n

excesivamente dopada tiene una
densidad muy alta de los electrones de
banda de conducción (libres), Estos
electrones libres se
difunden con facilidad a través de la unión
BE polarizada en directa hacia la región
de la base de tipo p muy delgada y
levemente dopada La base tiene una baja
densidad de huecos, los cuales son los
portadores mayoritarios. Un pequeño
porcentaje del número total de electrones
libres se va hacia la base, donde se recombinan con huecos y se desplazan como
electrones de valencia a través de la base hacia el emisor como corriente de
huecos.

En una curva IC vs VCE indique las tres regiones de operación del BJT e indique
cómo deben estar polarizadas las uniones pn internas.
 Unión Base-Emisor Unión Base-Colector Estado del transistor
Inverso Inverso Corte
VC >VB <VE
Directo Directo Saturación
VC <VB >VE
Directo Inversor Activo
VC <VB <VE
Inverso Directo Activo inverso
VC >VB >VE

Para una configuración emisor común indique la región de trabajo para cada una
de las condiciones de la siguiente tabla.

Tabla 1
Región de
IC VCE IB VBE
operación
Región de
0 ~Vcc ≤0 <0.7
corte
Región activa >0 0<VCE<VCC >0 ~0.7
Región de
<0 ~0 >0 ~0.7
saturación

Nombre los tres tipos de circuitos de polarización del transistor BJT comúnmente
utilizados

1. Polarización de emisor: Proporciona una mayor estabilidad

del punto de operación fija. El efecto de la retroalimentación
radica en el hecho de que si por alguna razón (incremento en
 Beta, por ejemplo), Ic incrementa, entonces el voltaje de Re aumenta, lo
que a su vez produce decremento en la tensión Rb. Si el voltaje en RB
disminuye, entonces IB disminuye lo cual obliga a que Ic se decremente.
2. Polarización por retroalimentación del colector: Si Beta
aumenta, entonces Ic aumenta, provocando que VCE
disminuya, esto a su vez produce un decremento en la
tensión de RB. Como el voltaje en RB disminuye, la corriente
de base se hace mas pequeña, esto compensa el incremento
en la corriente de colector.
3. Polarización por divisor de voltaje: Es la
mas ampliamente utilizada en circuitos lineales, por
este motivo alunas veces se le conoce como
polarización universal. Las resistencias R1 y R2
forman un divisor del voltaje VCC. La función de
esta red es facilitar la polarización necesaria
para que la unión base-emisor este en la región
apropiada. Este tipo de polarización es mejor que las
anteriores, pues proporciona mayor estabilidad
del punto de operación con respecto de cambios en
Beta.
EXPERIMENTO 1. POLARIZACIÓN ESTABILIZADA DE EMISOR DE
BJT.

Circuito con BC547A

Análisis de resultados.
Los resultados obtenidos en este ejercicio refuerzan muy bien los conocimientos
vistos en clase, aplicados de forma simulada nos dan una idea clara de lo que un
simulador obtiene y de lo que nosotros calculamos. Como se puede observar en la
tabla 2, los resultados tanto teóricos como simulados son algo diferentes, una de
las razones principales es que β en nuestros cálculos adquiría un valor de 280
(como lo marca la practica), pero si calculamos β utilizada en el simulador nos da
201, a pesar de esto, fue gracias a la estructura del circuito que se logró casi una
estabilidad en las corrientes y voltajes.
Circuito con TIP41A

Análisis de los resultados.

A partir de la simulación se logró obtener todos los datos pedidos. Podemos decir
que, a difredencia del BC547A, el TIP41A tiene una baja ganancia de corriente,
siendo β=74, esto quiere decir que este transistor es de potencia debido a la poca
ganancia que posee.

Otro aspecto importante que se nos pide es saber si en que región se encuentra
operando el transistor. Para ello utilizaremos el programa Orcad y graficaremos la
grafica de Ic vs VCE.
 Si nos aproximamos al punto Q, en este caso tiene coordenadas (10.653V,
2.955mA), nos daremos cuenta que el transistor se encuentra operando en la
región activa directa.

Una de las causas por las que el transistor opera en esta zona es debido a la
fuente VBB y de la resistencia RB, estas se encargan de establecer una corriente
IB en el circuito, la cual se encarga de polarizar el transistor de acuerdo al valor
que adquiera, para este caso el valor de IB es lo suficientemente grande para
pasar de la región de corte y lo suficientemente pequeña, para no estar en la
región de saturación.

Tabla 2
IC IB IE VBE VCE VE
Cálculos 6.3946m 22.8379 5.58922
6.4174mA 0.7V 3.0162V
teóricos A µA V
Mediciones
de simulador 5.540mA 26.75 µA 5.567mA 709.045mV 6.8435V 2.616V
con BC547A
Mediciones
579.424m
de simulador 2.955mA 40.18µA 2.984mA 10.653 V 1.403V
V
con TIP41A
 EXPERIMENTO 2. POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE TENSIÓN
DEL BJT.

Circuito con BC547A

Análisis de los resultados

Del primer circuito observé que mis resultados fueron bastante similares a los de
la simulación, esto se debe a que esta polarización por divisor de tensión es
bastante estable y ahora se comprueba porque es ampliamente utilizada. Ofrece
un valor mas equilibrado de β, lo cual es bastante útil para el manejo de estos
dispositivos.

Circuito con TIP41A

Análisis de los resultados

Nuevamente pude observar que este circuito presenta una gran eficiencia al
tratarse de valores, pues logramos obtener casi de forma similar todos los valores,
en el caso de TIP41A, se observa que se requiere más corriente I B para que Ic sea
casi igual que los simulado con el transistor BC547A, esto se debe, a su baja
ganancia de corriente, pero gran estabilidad.

Para hallar la región de operación lo que podemos hacer es encontrar la corriente

de colector de saturación y el voltaje colector-emisor de corte, con estos datos
podemos hacer la grafica de Ic vs Vce. Lo que nos lleva a concluir que el transistor
se encuentra operando en la región activa directa.

Algo que me llamó mucho la atención fue que este circuito tiene una gran
estabilidad ante las variaciones de Beta, se podría decir incluso que el circuito es
 independiente de Beta, entonces solo dependería de dos factores muy
importantes: El valor de la fuente de tensión y de los valores de la resistencia de
emisor y la de base. De estas ultimas se debe de cumplir que RB<< β RE, para
lograr esa estabilidad en el circuito. Estos serían los parámetros que hacen que el
transistor operara en esta región.

Tabla 3
IC IB IE VBE VCE VE
Cálculos 14.4121 4.0498m
4.0353mA 0.7V 6.9149V 4.0498V
teóricos µA A
Mediciones
de simulador 4.014mA 19.39 µA 4.034mA 700.195mV 6.9520V 4.034V
con BC547A
Mediciones
588.847m
de simulador 3.977mA 54.72µA 4.032mA 6.9905 V 4.032 V
V
con TIP41A

EXPERIMENTO 3. REGIONES DE OPERACIÓN DEL BJT.

Tabla 4
Región de
VCE VBE VCB IC IB
operación
-1.629nV 15.14pA
Región 124.039mV- 0.700V- 31.905pA-
- -
activa 15V 0.724V 7.0420mA
-666.80mV 1.426mA
Región de 724.257m
91.024m V -666.80mV 6.6211m A 1.426mA
saturación V
Región de
15.000V 15V -1.6291nV 31.905pA 15.14pA
corte

BIBLIOGRAFÍA

 Regiones de operación del transistor de juntura bipolar (BJT). (n.d.).

Aula20.Com. Retrieved October 8, 2021, from

http://www.aula20.com/profiles/blogs/regiones-de-operaci-n-del-transistor-

de-juntura-bipolar-bjt-3

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Polarizacion transistores bjt. Fdocuments.Ec; Unknow.

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transistores-bjt.html

 Floyd, T. L. (1995). Electronic Devices (4th ed.). Pearson Education.

 Malvino, A. P. (1998). Electronic Principles. McGraw-Hill Education (ISE

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