EXPERIENCIA N° 5

EXPERIENVIA Nº5: ELTRANSITOR BIPOLAR NPN.CARACTERISTICAS BASICAS

I. OBJETIVOS

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

 Comprobar las características de Funcionamiento de un transistor bipolar NPN

II. EQUIPOS Y MATERIALES

 Osciloscopio
 Fuente de poder DC
 Multímetro
 Microamperímetro
 Miliamperímetro
 Cables de conexión diversos
 01 transistor 2N4646 o 2N3904
 Resistores: R e=220 Ω , R c=1 K Ω , R1=56 K Ω , R 2=22 K Ω
 Condensadores: C i=0.1 µF , C o=0.1 µ ,C e=3.3 µF .
 Potenciómetro de 1 MΩ( p 1)
 01 computadora con Multisim

III. INTRODUCCION

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión

base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del
emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. Todos
los portadores que llegan son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la
base y el colector.
REGÍMENES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR
Estudiaremos los regímenes de funcionamiento del transistor en función de la tensión
base-emisor. Antes de esto definiremos dos parámetros fundamentales del transistor.
VBEOFF O simplemente VOFF es la tensión VBE por debajo de la cual se considera
que el transistor no permite el paso de corriente de colector a emisor. Se dice que el
transistor NO CONDUCE. Habitualmente VOFF= 0.2 o 0.6 V VBEON o simplemente
VON es la tensión por encima de la cual el transistor conduce plenamente, es decir
permite muy bien el paso entre colector y emisor. Habitualmente suele ser 0.7V.
FUNCIONAMIENTO EN CORTE (VBEVBEOFF)
El transistor se encontrará en corte siempre que VBEVBEOFF. En esta región el
transistor no conduce y por tanto el receptor conectado a colector no funcionará.
FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
La tensión base-emisor se encuentra entre VOFF<VBE<VON. En esta región el
transistor conduce, aunque no lo hace plenamente y por tanto el receptor conectado a
colector no funcionará a plena potencia.
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIÓN
Cuando la tensión VBEVON, el transistor conducirá plenamente, y ya, aunque sigamos
aumentando la tensión base-emisor, no conducirá mejor, la base se encuentra saturada.
El receptor conectado a la base funcionará a plena potencia.

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR EN CONMUTACIÓN

Cuando hacemos funcionar en transistor solamente en las regiones de corte y de
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saturación se dice que le hacemos funcionar en CONMUTACIÓN. En este estado
funciona igual que lo haría un interruptor, es decir o no conduce o conduce plenamente,
y por tanto la carga conectada al colector no funciona o funciona plenamente
respectivamente.
Nosotros estudiaremos el funcionamiento del transistor en conmutación.

CORRIENTES Y GANANCIA DEL TRANSISTOR

Las corrientes de un transistor son:
o Ib = corriente de la base
o Ic = corriente de colector
o Ie = corriente de emisor

Según la ley de Kirchhoff de los nudos, la corriente que sale de un nudo es la suma de
las que entran a él, por tanto:
IE= IB+IC
Cuando el transistor está trabajando en la región activa, la corriente de colector
depende la corriente de la base según la ecuación
Ib = Ic/
Donde  es la ganancia del transistor que suele ser de valor 100. Se puede intuir que Ib
es una intensidad muy pequeña respecto de Ic, del orden de 100 veces más pequeño.
Por tanto, se puede afirmar que
Por tanto, IE = Ic + Ic/  Ic

IV. PROCEDIMIENTO

1. Considerando los valores nominales de los componentes utilizados, realizar la

simulación del circuito mostrado en la figura 5.1. Considere todos los casos
indicados en el paso 3. Llenar los valores correspondientes en las tablas 5.2, 5.3, 5.4
y 5.5
2. Implementar el circuito de la figura 5.1

Figura 5.1

a. Medir las corrientes que circulan por el colector (I c), el emisor (Ie) y la base (Ib) cuando el
potenciómetro P1 está ajustado para tener una resistencia de 0Ω.
b. Medir las tensiones entre el colector–emisor (Vce), entre base–emisor (Vbe) y entre emisor–
tierra (Ve).
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 5.2
d. Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b), y anotar los datos en la tabla 5.3
e. Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ, 1MΩ. Observar lo que sucede
con las corrientes Ib y con la tensión Vc (usar Re=0) llenar la tabla 5.4.
f. Ajustar el generador de señales a 50mVpp, 1KHz, onda sinusoidal. Observar la salida Vo con
el osciloscopio. Anotar en la tabla 5.5.

R1=56k Ic(mA) Ie(mA) Ib(µA) Vce Vbe Ve

Sumulado
s
Medidos 9.6 9.7 34.1 0.231 0.704 2.121
Tabla 5.2

R1=68k Ic(mA) Ie(mA) Ib(µA) Vce Vbe Ve

Simulados
Medidos 1.7 1.71 5.2 9.89 0.643 0.381
Tabla 5.3
 Tabla 5.4
Valores Ic(mA) Ie(mA) Ib(µA) Vce Vbe Ve
P1=100 Simulado
k Medido 11.63 11.77 40.4 0.285 0.74 0.006
P1=250 Simulado
k Medido 2.37 2.39 6.8 9.53 0.648 0
P1=500 Simulado
k Medido 0.7µA 0.7 µA 0.2 µA 12 0.448 0
P1=1M Simulado
Medido 0 0 0 12.01 0.277 0

V. CUESTIONARIO

1. Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa

con el multímetro en función ohmímetro.
Al iniciar el análisis de un transistor BJT es común que no se cuente con la hoja de
especificaciones de dicho componente, entonces se hace una verificación operativa
con la ayuda del ohmímetro.
En la experiencia verificamos los terminales del transistor bipolar NPN. Primeramente,
determinamos cuál de los terminales del transistor corresponde a la base. Esto se
consigue midiendo la resistencia en el óhmetro entre los diferentes terminales. En un
transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor es siempre muy
alta, cualquiera que sea la polaridad aplicada por el óhmetro (que no olvidemos que en
las puntas del polímetro actúa como una fuente de tensión); cuando hagamos esta
verificación, el otro terminal corresponderá a la base.
En la tabla se observa que las resistencias base-emisor, base-colector y colector-
emisor en polarización directa son bajas, ya que en polarización inversa dichas
resistencias son muy altas lo cual es correcto.
2. Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del
experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 5.2, 5.3 y 5.4.
Vce Ic
0.231 9.6
9.89 1.7
0.285 11.63
9.56 2.37
12 0.007
12.01 0
3. ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de la tabla 5.2 y 5.3?
4. ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambiamos R1 a 150KΩ?
Explicar los valores e indicar el valor teórico.
5. Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este experimento
(transistor NPN) con respecto al anterior (transistor PNP).