Actividad en Clase 11: Electrónica Analógica

Tema: Análisis del Punto de Trabajo del Transistor BJT

(simulación).

Andrea Jacqueline Flores Maldonado 1

1 Universidad de Cuenca -Facultad ingeniería, Cuenca- Ecuador.

Resumen. A continuación, se presenta el trabajo realizada, la cual ha tenido

como objetivo principal diseñar y calcular circuitos de polarización para un
transistor BJT operando en la mitad de la recta de carga. Aprender a calcular los
valores de las resistencias necesarias para poder elaborar los diferentes tipos de
polarización con la finalidad de que el punto de trabajo se mantenga, poder vi-
sualizar con ayuda del software LTspice como varia el punto de trabajo al in-
crementar la temperatura en el transistor, es decir la dependencia del factor be-
ta. Además, se pretende conocer con qué tipo de polarización varia menos mi
punto de trabajo.

Keywords: polarización, transistor, punto de trabajo, beta.

1 Introducción

El transistor es uno de los grandes inventos de esos grandes inventos que han marcado
un punto de inflexión en la historia de la Humanidad, como en su día lo fueron el
descubrimiento del fuego, la invención de la rueda o la máquina de vapor entre otros.
El descubrimiento del transistor a principios del siglo XX (1947) marcó el comienzo
de la era de la electrónica. En apenas 60 años el desarrollo experimentado y el grado
de penetración en la vida cotidiana ha sido tal que hoy en día es difícil pensar en có-
mo sería la vida sin los ordenadores, la telefonía, la radio, la televisión y ha sido, pre-
cisamente, el descubrimiento del transistor el “culpable” de esta revolución tecnológi-
ca.

El transistor es un dispositivo semiconductor que consta de tres zonas distintas, con

dos uniones pn y con un terminal en cada una de las zonas, o lo que es lo mismo,
estamos ante un dispositivo de tres terminales. Los transistores del tipo BJT, de canal
N o canal P, son herramientas muy útiles en la electrónica por su sin número de apli-
caciones. La polarización de un transistor consiste en la aplicación de un voltaje dc
para forzar la operación del transistor en un punto de trabajo Q (V, I).
2

Este concepto tiene mucha aplicación en amplificadores, en los cuales se es-pera que
el punto de trabajo Q se encuentre en la mitad (región de trabajo), esto para evitar
distorsiones en la señal amplificada. En la práctica se analizarán diferentes configura-
ciones para los mismos, que darán nos ofrecerán comportamientos similares sin em-
bargo con estabilidades al cambio de temperatura diferentes.

Este documento está organizado de la siguiente manera, a continuación, el marco

teórico, en el cual se puede encontrar conceptos básicos e información necesaria para
comprender el funcionamiento de los transistores BJT y como realizar los cálculos
para obtener los valores de los elementos para cada uno de los tipos de polarización
que son: polarización fija, polarización estable en emisor, polarización por división de
voltaje y polarización por retroalimentación de voltaje, luego de este punto está el
desarrollo el cual consta de una tabla que resume las ecuaciones para cada tipo de
polarización ,a partir de esto se presenta los cálculos realizados y el valor de beta
medido para encontrar los valores de las resistencias imponiéndonos el punto de tra-
bajo que para nuestro caso es de 5V y 10Ma y finalmente se encuentran las conclu-
siones que se obtuvieron a partir de los objetivos planteados.

2 Marco Teórico

Transistor BJT
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT)
es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipo-
lar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en
gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impe-
dancia de entrada bastante baja.

Fig. 1. Transistores BJT.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica, aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digi-
tal, como la tecnología TTL o BICMOS.
 3

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan for-
madas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportán-
dose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.[1]

Fig. 2. Esquema de un Transistor Bipolar de Unión

El transistor bipolar está formado por capas de material semiconductor tipo n y tipo p,
de acuerdo a la distribución de los materiales semiconductores se tienen 2 tipos de
transistor bipolares, los que se conocen como transistor npn y transistor pnp, el fun-
cionamiento del transistor se basa en movimientos de electrones (negativos) y de
huecos (positivos), de allí el nombre de transistor bipolar o bjt (transistor de unión
bipolar).

Fig. 3. Transistores npn y pnp.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector
en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector.
El transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y
estado de actividad.
4

Punto de Trabajo u Operación

El término polarización es utilizado en este ámbito para establecer un nivel de co-

rriente y voltaje. Para amplificadores con transistores, la corriente y voltaje de cd
resultantes establecen un punto de operación en las características que definen la re-
gión que se empleará para amplificar la señal aplicada. Como el punto de operación es
un punto fijo en las características, también se llama punto quiescente (abreviado
punto Q).

El dispositivo BJT podría ser polarizado para que opere afuera de estos límites máxi-
mos, pero el resultado de tal operación acortaría considerablemente la duración del
dispositivo o lo destruiría. Si nos limitamos a la región activa, podemos seleccionar
muchas áreas o puntos de operación diferentes. A menudo, el punto Q seleccionado
depende del uso pretendido del circuito.

En la polarización de un transistor BJT, un factor importante que se tomar en cuenta

el efecto de la temperatura. La temperatura cambia los parámetros del dispositivo al
igual que la ganancia β de corriente del transistor y su corriente de fuga (I CEO). Las
altas temperaturas incrementan las corrientes de fuga en el dispositivo, y cambian por
lo tanto las condiciones de operación establecidas por la red de polarización. El resul-
tado es que el diseño de la red también debe proporcionar un grado de estabilidad de
temperatura, de modo que los cambios ambientales produzcan cambios mínimos en el
punto de operación.

Por el efecto del cambio de temperatura es deseable un circuito altamente estable,

existen variedad de circuitos que se utilizan con la finalidad de evitar estas distorsio-
nes los cuales se diferencian por su estabilidad en el punto de trabajo.

2.1 Polarización Fija.

El circuito correspondiente a polarización fija es el que se aprecia en la figura 4.

Fig. 4. Circuito de polarización fija.

Polarización en directa de la unión base-emisor:

 5

Al analizar la malla del circuito de entrada se obtiene la siguiente ecuación.

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (1)
𝑅𝐵

Malla colector – emisor:

Para el circuito de salida se tiene la siguiente relación.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (2)

Análisis por medio de la recta de carga:

Para polarización fija, en la figura 5 se muestra la correspondiente recta de carga.

Fig. 5. Recta de carga - Polarización fija.

Si se cambia el nivel de IB variando el valor de RB, el punto Q se mueve hacia arriba

o hacia abajo de la recta de carga para incrementar los valores de IB. Si VCC se man-
tiene fija y RC se incrementa, la recta de carga variará como se muestra en la figura 6.
Si IB se mantiene fija, el punto Q se moverá como se muestra en la misma ilustración.
Si RC se mantiene fija y VCC se reduce, la línea de carga se desplaza como se mues-
tra en la figura 7.
6

Fig. 6. Efecto de un nivel creciente de Rc en la recta de carga y el punto Q.

Fig. 7. Efecto de los valores bajos de Vcc en la recta de carga y el punto Q.

2.2 Polarización estabilizada en emisor.

El circuito correspondiente a polarización estabilizada en emisor es el que se aprecia
en la figura 8.
 7

Fig. 8. Circuito de polarización estabilizada en emisor.

Malla base-emisor:

Al analizar la malla del circuito de entrada se obtiene la siguiente ecuación.

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅 (3)
𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸

Malla colector – emisor:

Para el circuito de salida se tiene la siguiente relación.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐵 ) (4)

Análisis por medio de la recta de carga:

Para polarización estabilizada en emisor, en la figura 9 se muestra la correspondiente

recta de carga.
8

Fig. 9. Recta de carga - Polarización estabilizada en emisor.

Los diferentes niveles de IBQ desde luego, mueven el punto Q hacia arriba o hacia
abajo de la línea de carga.[2]

2.3 Polarización Por Divisor de Voltaje.

El circuito correspondiente a polarización por divisor de voltaje es el que se aprecia

en la figura 10:

Fig. 10. Circuito de polarización por divisor de voltaje.

Malla base-emisor:

Al analizar la malla del circuito de entrada se obtiene la siguiente ecuación.

𝐸𝑇𝐻 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅 (5)
𝑇𝐻 +(𝛽+1)𝑅𝐸
 9

Donde ETH y RTH corresponden a los análisis de equivalente Thevenin. Y se calculan

de la siguiente manera:

R TH = R1 ∥ R 2 (6)

𝑅 𝑉
𝐸𝑇𝐻 = 𝑉𝑅2 = 𝑅2+𝑅𝐶𝐶 (7)
1 2

Malla colector – emisor:

Para el circuito de salida se tiene la misma relación definida en la ecuación 4.

2.4 Polarización Por Retroalimentación de Voltaje.

El circuito correspondiente a polarización por retroalimentación de voltaje es el que
se aprecia en la figura 11:

Fig. 11. Circuito de polarización por retroalimentación de voltaje.

Malla base-emisor:

Al analizar la malla del circuito de entrada se obtiene la siguiente ecuación.

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 𝑅 (8)
𝐵 +𝛽(𝑅𝐶 +𝑅𝐸 )

Malla colector – emisor:

Para el circuito de salida se tiene la misma relación definida en la ecuación 4.[3]

10

3 Desarrollo de la Actividad.

3.1 Diseñar, calcular y simular un circuito de polarización fija para

que opere en la mitad de la recta de carga como se especifica en la
Figura 12.

Fig. 12. Recta de Carga y Punto de trabajo para el Transistor.

Para calcular los valores de las resistencias necesarias para que el punto de trabajo se
ubique en la mitad de la recta de carga Q(15mA,5V) aplicamos las ecuaciones obteni-
das al analizar el circuito de ingreso y salida para el topo de polarización a realizar,
para esto primero obtenemos los datos a partir de la figura 12. Debemos tener en
cuenta que el valor de β depende del transistor que empleemos, para esta simulación
es el 2N3904, como podemos observar en la figura 13 se presenta las características
de este transistor. Cabe recalcar que para todas las polarizaciones se empleara el mis-
mo transistor cuyo factor de beta es de 300 y el mismo punto de trabajo.

Fig. 13. Características del transistor 2N3904.

En la figura 14, se presenta la configuración de polarización fija, este es el más senci-

llo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima
que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que la
resistencia de base RB regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del transis-
 11

tor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o
corte).

Fig. 14. Circuito Polarización fija.

Calculamos los valores de las resistencias para el punto de trabajo Q(15mA,5V) .

Datos
Ic=15mA
VCE=5V
VCC=10V
VBE=0.7V
Β=300

Procedemos a calcular la corriente de base I B para ello aplicamos la ecuación 9:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (9)

Despejamos IB

𝐼𝐶
= 𝐼𝐵
𝛽
Remplazamos los valores

15mA
= 𝐼𝐵
300

50uA = 𝐼𝐵

Aplicamos la ecuación 10 obtenida al analizar el circuito de ingreso, con la finalidad

de obtener el valor de la resistencia de base:
12

𝑉𝐶𝐶−𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = (10)
𝑅𝐵

Despejamos RB

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 =
𝐼𝐵
Remplazamos los valores

10V − 0.7V
𝑅𝐵 =
50uA

𝑅𝐵 = 186 𝐾𝛺

A partir de la ecuación 11 obtenida al analizar el circuito de salida, obtenemos el va-

lor de la resistencia de colector.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 (11)

Despejamos RC

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 =
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

10V − 5V
𝑅𝐶 =
15mA

𝑅𝐶 = 333.33 𝛺 ≅ 333

En la figura 15 se presenta el circuito de polarización fija, en este circuito de observa

la resistencia de colector y la resistencia de base cuyos valores según los cálculos
realizados es de 333.33Ω y 186K, respectivamente. También está la fuente de voltaje
continua V1 cuyo valor es de 10V y finalmente se puede apreciar el transistor BJT
2N3904 cuyo valor de β es de 300.
 13

Fig. 15. Circuito polarización fija-simulación.

En la figura 16 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización fija, los dos resultados resaltados por un rectángulo rojo, son
los valores del punto de trabajo de este circuito. Es decir, la corriente de colector y el
voltaje colector emisor, en este caso es Qs(15.04mA,4.98V) se puede ver que este
punto de trabajo obtenido en la simulación varia casi nada del punto Q(15mA,5V) , la
variación que existe se debe a que la resistencia Rc no es un valor exacto y por ende
va a variar.

Fig. 16. Resultados de la simulación.

En la figura 17, se puede observar de forma gráfica el valor de la corriente de colector

el mismo que es de 15.04mA.
14

Fig. 17. Corriente de colector-gráficamente.

En la figura 18, se puede observar de forma gráfica el valor de voltaje de colector-

emisor el mismo que es de 4.98V

Fig. 18. Voltaje colector-emisor-gráficamente

 15

Es importante observar que efecto tiene la temperatura en el transistor es por ello que
procedemos a variar la temperatura a 125 oC en el circuito de polarización fija, con la
finalidad de que el factor beta varié y por ende se mueva el punto de trabajo. Para esto
agregamos la sentencia .TEMP 125 como se indica en la figura 19.

Fig. 19. Variación de la temperatura.

En la figura 20 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización fija a una temperatura de 125 oC, los dos resultados resaltados
por un rectángulo rojo, son los valores del punto de trabajo de este circuito a esa tem-
peratura. Es decir, la corriente de colector y el voltaje colector emisor, en este caso es
Qt(22.4mA,2.53V) se puede ver que este punto de trabajo obtenido en la simulación
varia notablemente del punto Q(15mA,5V), la variación que existe se debe a que el
cambio de la temperatura afecta al factor de beta y por ende el valor del voltaje y la
corriente.

Fig. 20. Resultados de la simulación-Temperatura.

A partir de los tres puntos obtenidos se procede a realizar la recta de carga y ver como
varia estos puntos.

En la figura 21 se presenta la recta de carga para el circuito de polarización fija, se

puede ver que el punto calculado y el punto de simulación es el mismo ya que estos
dos no varían casi nada, lo poco que varía se debe a que los valores de las resistencias
16

no son exactos. La resistencia de colector limita la corriente máxima que circula por
el transistor cuando este se encuentra en en saturación, mientras que la resistencia de
base regula la cantidad de corriente que ingresa a la base del transistor, la cual deter-
mina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).También po-
demos ver que el punto Qt varia notablemente con relación a los otros dos puntos esto
se debe al aumento de temperatura en el transistor haciendo que el factor beta varié y
el punto de trabajo sale de la región activa y se traslada al punto de saturación, ade-
más el voltaje colector –emisor disminuye y la corriente de colector aumenta.

Fig. 21. Recta de carga-polarización fija.

3.2 Repetir el procedimiento solicitado en el punto 1, para un circuito

de polarización estabilizado en emisor.
En la figura 22, se presenta la configuración de polarización estabilizado en emisor,
presenta una mejor estabilidad que la polarización fija, pero no mejor que la polariza-
ción por divisor de voltaje y que la polarización por realimentación de colector. Ade-
más, se puede usar en todas las configuraciones del transistor BJT, emisor común,
base común y colector común.
 17

Fig. 22. Circuito Polarización estable en emisor.

Basándonos en la figura 12, procedemos a cálculos los valores de las tres resistencias
que existe en este circuito de polarización estabilizado en emisor para que su punto de
trabajo este en Q(15mA,5V), utilizamos el transistor BJT 2N3904 cuyo valor de β es
de 300, también en la figura 12 se puede ver que el punto de corte es de 10V y el pun-
to de saturación de 30mA, con estos datos realizamos los cálculos necesarios a conti-
nuación.

Datos
Ic=15mA
VCE=5V
VCC=10V
VBE=0.7V
Β=300

Procedemos a calcular la corriente de base I B para ello aplicamos la ecuación 12:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (12)

Despejamos IB

𝐼𝐶
= 𝐼𝐵
𝛽
Remplazamos los valores

15mA
= 𝐼𝐵
300

50uA = 𝐼𝐵
18

Aplicamos la ecuación 13, que es una condición que se estableció a partir de la practi-
ca con la finalidad de obtener un valor de voltaje sobre la resistencia de emisor, este
voltaje es el mimo que el voltaje de emisor, esto se emplea cuando se realiza el diseño
del circuito para que trabaje en un determinado punto:

1𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = (13)
10

Remplazamos los valores

10
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 =
10

𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = 1V

A partir de este resultado, aplicamos la ley de ohm, ecuación 14 para encontrar el

valor de la resistencia de emisor RE

𝑉𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 (14)

Sabiendo que 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , despejamos RE

𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

1V
𝑅𝐸 =
15mA

𝑅𝐸 = 66.67𝛺 ≅ 67𝛺

Aplicamos la ecuación 15 obtenida al analizar el circuito de ingreso, con la finalidad

de obtener el valor de la resistencia de base:

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅 (15)
𝐵 +(𝛽+1)𝑅𝐸

Despejamos RB

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 = − (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐼𝐵
 19

Remplazamos los valores

10V − 0.7V
𝑅𝐵 = − (300 + 1)66.67Ω
50uA

𝑅𝐵 = 165.999 𝐾𝛺 ≅ 166𝐾𝛺

A partir de la ecuación 16 obtenida al analizar el circuito de salida, obtenemos el va-

lor de la resistencia de colector.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (16)

Despejamos RC

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

10V − 5V
𝑅𝐶 = − 66.67𝛺
15mA

𝑅𝐶 = 266.66𝛺 ≅ 267𝛺

En la figura 23 se presenta el circuito de polarización estable en emisor, en este cir-

cuito de observa la resistencia de colector, la resistencia de base y la resistencia de
emisor cuyos valores según los cálculos realizados es 67Ω, 168KΩ y 267Ω, respecti-
vamente estos valores son aproximaciones, ya que los calculados poseen decimales.
También está la fuente de voltaje continua V1 cuyo valor es de 10V y finalmente se
puede apreciar el transistor BJT 2N3904 cuyo valor de β es de 300.
20

Fig. 23. Circuito polarización estable en emisor-simulación.

En la figura 24 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización estable en emisor, los dos resultados resaltados por un rectán-
gulo rojo, son los valores del punto de trabajo de este circuito. Es decir, la corriente de
colector y el voltaje colector emisor, en este caso es Qs(14.8mA,5.02V) se puede ver
que este punto de trabajo obtenido en la simulación varia casi nada del punto
Q(15mA,5V), la variación que existe se debe a que el valor de las resistencias calcu-
ladas no son un valor exacto y para la simulación se aproximó a un valor exacto. Se
debe tener en cuenta que al hacer la simulación en LTspice con .op no me da directa-
mente el voltaje colector-emisor, pero si se puede obtener ya que me da el voltaje en
el colector y el voltaje en el emisor.
 21

Fig. 24. Resultados de la simulación.

En la figura 25, se puede observar de forma gráfica el valor de la corriente de colector

el mismo que es de 14.88mA.

Fig. 25. Corriente de colector-gráficamente.

En la figura 26, se puede observar de forma gráfica el valor de voltaje de colector-

emisor el mismo que es de 5.02V
22

Fig. 26. Voltaje colector-emisor-gráficamente

Es importante observar que efecto tiene la temperatura en el transistor es por ello que
procedemos a variar la temperatura a 125 oC en el circuito de polarización estabiliza-
do en emisor, con la finalidad de que el factor beta varié y por ende se mueva el punto
de trabajo. Para esto agregamos la sentencia .TEMP 125 como se indica en la figura
27.

Fig. 27. Variación de la temperatura.

En la figura 28 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización estabilizada en emisor a una temperatura de 125 oC, los dos
resultados resaltados por un rectángulo rojo, son los valores del punto de trabajo de
este circuito a esa temperatura. Es decir, la corriente de colector y el voltaje colector
emisor, en este caso es Qt(21.2mA,2.91V) se puede ver que este punto de trabajo
obtenido en la simulación varia notablemente del punto Q(15mA,5V), la variación
 23

que existe se debe a que el cambio de la temperatura afecta al factor de beta y por
ende el valor del voltaje y la corriente.

Fig. 28. Resultados de la simulación-Temperatura.

A partir de los tres puntos obtenidos se procede a realizar la recta de carga y ver como
varia estos puntos, para ello se empleó Excel.

En la figura 29 se presenta la recta de carga para el circuito de polarización estabiliza-

do en emisor, se puede ver que el punto calculado y el punto de simulación es el mis-
mo ya que estos dos no varían casi nada, lo poco que varía se debe a que los valores
de las resistencias empleada en la simulación son exactos, y los calculados tienen
decimales. También podemos ver que el punto Qt varia notablemente con relación a
los otros dos puntos esto se debe al aumento de temperatura en el transistor haciendo
que el factor beta varié y el punto de trabajo sale de la región activa y se traslada al
punto de saturación, además el voltaje colector –emisor disminuye y la corriente de
colector aumenta. Esta polarización es más estable que la polarización fija, la varia-
ción del punto de trabajo es menor que en la polarización anterior gracias a la resis-
tencia colocada y calculada en el emisor, pues compensa los cambios de voltaje y
corriente con respecto a ese aumento de temperatura.
24

Fig. 29. Recta de carga-polarización estabilizado en emisor.

3.3 Repetir el procedimiento solicitado en el punto 1, para un circuito

de polarización por divisor de voltaje.
En la figura 30, se presenta la configuración de polarización por división de voltaje,
con este tipo de polarización la estabilidad del punto Q es mucho mejor, es decir a
medida que el transistor este trabajando, los valores de ICQ, VCEQ se mantendrán
casi inalterables. Es por esta razón que este tipo de polarización es la más utilizada
cuando se trata de diseñar un amplificador.

Fig. 30. Circuito Polarización por división de voltaje.

 25

Basándonos en la figura 12 y 13, procedemos a cálculos los valores de las cuatro re-
sistencias que existe en este circuito de polarización por división de voltaje para que
su punto de trabajo este en Q(15mA,5V), utilizamos el transistor BJT 2N3904 cuyo
valor de β es de 300, también en la figura 12 se puede ver que el punto de corte es de
10V y el punto de saturación de 30mA, con estos datos realizamos los cálculos nece-
sarios a continuación.
Datos
Ic=15mA
VCE=5V
VCC=10V
VBE=0.7V
Β=300

Procedemos a calcular la corriente de base I B para ello aplicamos la ecuación 17:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (17)

Despejamos IB

𝐼𝐶
= 𝐼𝐵
𝛽
Remplazamos los valores

15mA
= 𝐼𝐵
300

50uA = 𝐼𝐵

Aplicamos la ecuación 18, que es una condición que se estableció a partir de la practi-
ca con la finalidad de obtener un valor de voltaje sobre la resistencia de emisor, este
voltaje es el mismo que el voltaje de emisor, esto se emplea cuando se realiza el dise-
ño del circuito para que trabaje en un determinado punto:

1𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = (18)
10

Remplazamos los valores

10V
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 =
10

𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = 1V
26

A partir de este resultado, aplicamos la ley de ohm, ecuación 19 para encontrar el

valor de la resistencia de emisor RE

𝑉𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 (19)

Sabiendo que 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , despejamos RE

𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

1V
𝑅𝐸 =
15mA

𝑅𝐸 = 66.67𝛺 ≅ 68𝛺

Aplicamos la ecuación 20 obtenida al analizar el circuito de salida, con la finalidad de

obtener el valor de la resistencia de colector RC.
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (20)

Despejamos RC

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

10V − 5𝑉
𝑅𝐶 = − 66.67𝛺
15mA

𝑅𝐶 = 266.66𝛺 ≅ 270𝛺

Calculamos el voltaje Thevenin, para ello aplicamos la ecuación 21 que se obtiene al

analizar el circuito de ingreso.
𝐸𝑇𝐻 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝑅𝐸 (21)

Remplazamos los valores

𝐸𝑇𝐻 = 0.7V + 1V

𝐸𝑇𝐻 = 1.7V
 27

Aplicamos la ecuación 22, que es una condición que se estableció a partir de la practi-
ca con la finalidad de obtener el valor de la resistencia 2, esto se emplea cuando se
realiza el diseño del circuito para que trabaje en un determinado punto:

𝛽
𝑅2 ≥ 10 𝑅𝐸 (22)

Remplazamos los valores

300
𝑅2 ≥ ∗ 67Ω
10

𝑅2 = 2𝐾𝛺 ≅ 2.2𝐾𝛺

Finalmente, para obtener el valor de la resistencia 1 R1, procedemos a aplicar la ecua-

ción 23 del voltaje thevenin que se encuentra al analizar el circuito de ingreso de la
polarización por división de voltaje.

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝐸𝑇𝐻 = (23)
𝑅1 +𝑅2

Despejamos R1

𝑉𝐶𝐶 𝑅2
𝑅1 = − 𝑅2
𝐸𝑇𝐻

Remplazamos los valores

10V ∗ 2KΩ
𝑅1 = − 2𝐾𝛺
1.7V

𝑅1 = 9.76𝐾𝛺 ≅ 10𝐾𝛺

En la figura 31 se presenta el circuito de polarización por división de voltaje, en este

circuito de observa la resistencia de colector, la resistencia de emisor, la resistencia 1
y la resistencia 2 cuyos valores según los cálculos realizados es 270Ω, 68Ω y 10KΩ y
2.2KΩ, respectivamente estos valores son aproximaciones a valores comerciales, ya
que los calculados poseen más decimales. También está la fuente de voltaje continua
V1 cuyo valor es de 10V y finalmente se puede apreciar el transistor BJT 2N3904
cuyo valor de β es de 300.
28

Fig. 31. Circuito polarización por división de voltaje-simulación.

En la figura 32 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización por división de voltaje, los dos resultados resaltados por un
rectángulo rojo, son los valores del punto de trabajo de este circuito. Es decir, la co-
rriente de colector y el voltaje colector emisor, en este caso es Qs(14.51mA,5.09V) se
puede ver que este punto de trabajo obtenido en la simulación varia casi nada del
punto Q(15mA,5V), la variación que existe se debe a que el valor de las resistencias
calculadas no son un valor exacto y para la simulación se aproximó a un valor exacto.
Se debe tener en cuenta que al hacer la simulación en LTspice con .op no me da direc-
tamente el voltaje colector-emisor, pero si se puede obtener ya que me da el voltaje en
el colector y el voltaje en el emisor.
 29

Fig. 32. Resultados de la simulación.

En la figura 33, se puede observar de forma gráfica el valor de la corriente de colector

el mismo que es de 14.51mA.

Fig. 33. Corriente de colector-gráficamente.

En la figura 34, se puede observar de forma gráfica el valor de voltaje de colector-

emisor el mismo que es de 5.09V
30

Fig. 34. Voltaje colector-emisor-gráficamente

Es importante observar que efecto tiene la temperatura en el transistor es por ello que
procedemos a variar la temperatura a 125 oC en el circuito de polarización por divi-
sión de voltaje, con la finalidad de que el factor beta varié y por ende se mueva el
punto de trabajo. Para esto agregamos la sentencia .TEMP 125 como se indica en la
figura 35.

Fig. 35. Variación de la temperatura.

En la figura 36 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización por división de voltaje a una temperatura de 125 oC, los dos
resultados resaltados por un rectángulo rojo, son los valores del punto de trabajo de
este circuito a esa temperatura. Es decir, la corriente de colector y el voltaje colector
emisor, en este caso es Qt(4.69V,15.9mA) se puede ver que este punto de trabajo
 31

obtenido en la simulación varia poco, casi nada del punto Q(15mA,5V), esto se debe a
que eta configuración es la más estable y logra una independencia del factor beta.

Fig. 36. Resultados de la simulación-Temperatura.

A partir de los tres puntos obtenidos se procede a realizar la recta de carga y ver como
varia estos puntos, para ello se empleó Excel.

En la figura 37 se presenta la recta de carga para el circuito de polarización por divi-

sión de voltaje, se puede ver que el punto calculado y el punto de simulación varían
casi nada, esto se debe a que esta configuración es la más estable de todas, además lo
poco que varía se debe a que las resistencias empleadas son valores comerciales, es
decir, difieren de los calculados en decimales. También podemos ver que el punto Qt
varia poco con respecto al punto de trabajo ya que al momento de aumentar la tempe-
ratura el voltaje colector –emisor disminuye un valor mínimo, pero la corriente au-
menta. Esto se debe a que esta configuración presenta una independencia del factor
beta, el mismo que varía al aumentar la temperatura. Esta polarización presenta me-
nos errores que las anteriores. Los tres puntos se encuentran en la zona activa por lo
que podemos concluir que esta configuración es estable y nos asegura que el punto de
trabajo este en la zona a pesar de que exista variación de temperatura.
32

Fig. 37. Recta de carga-polarización por división de voltaje.

3.4 Repetir el procedimiento solicitado en el 1, para un circuito de

polarización por retroalimentación de voltaje.
En la figura 38, se presenta la configuración de polarización por retroalimentación de
voltaje, es un circuito sencillo y rápido, y presenta mejor estabilidad que la polariza-
ción fija y que la polarización en emisor, pero menor que la polarización por divisor
de voltaje. Esta polarización solo se puede usar en la configuración emisor común, ya
que en la configuración base común cortocircuita la entrada, y en la configuración
colector común cortocircuita la salida.

Fig. 38. Circuito Polarización por retroalimentación de voltaje.

Basándonos en la figura 12 y 13, procedemos a cálculos los valores de las cuatro re-
sistencias que existe en este circuito de polarización por división de voltaje para que
 33

su punto de trabajo este en Q(15mA,5V), utilizamos el transistor BJT 2N3904 cuyo

valor de β es de 300, también en la figura 12 se puede ver que el punto de corte es de
10V y el punto de saturación de 30mA, con estos datos realizamos los cálculos nece-
sarios a continuación.

Datos
Ic=15mA= Ic’
VCE=5V
VCC=10V
VBE=0.7V
Β=300

Procedemos a calcular la corriente de base I B para ello aplicamos la ecuación 25:

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (24)

Despejamos IB

𝐼𝐶
= 𝐼𝐵
𝛽
Remplazamos los valores

15mA
= 𝐼𝐵
300

50uA = 𝐼𝐵

Aplicamos la ecuación 26, que es una condición que se estableció a partir de la practi-
ca con la finalidad de obtener un valor de voltaje sobre la resistencia de emisor, este
voltaje es el mismo que el voltaje de emisor, esto se emplea cuando se realiza el dise-
ño del circuito para que trabaje en un determinado punto:

1𝑉𝐶𝐶
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = (25)
10

Remplazamos los valores

10V
𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 =
10

𝑉𝑅𝐸 = 𝑉𝐸 = 1V

A partir de este resultado, aplicamos la ley de ohm, ecuación 27 para encontrar el

valor de la resistencia de emisor RE
34

𝑉𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 𝐼𝐸 (26)

Sabiendo que 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 , despejamos RE

𝑉𝑅𝐸
𝑅𝐸 =
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

1V
𝑅𝐸 =
15mA

𝑅𝐸 = 66.67𝛺 ≅ 67𝛺

A partir de la ecuación 28 obtenida al analizar el circuito de salida, obtenemos el va-

lor de la resistencia de colector.

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) (27)

Despejamos RC

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝑅𝐶 = − 𝑅𝐸
𝐼𝐶
Remplazamos los valores

10V − 5V
𝑅𝐶 = − 66.67𝛺
15mA

𝑅𝐶 = 266.66𝛺 ≅ 267𝛺

Aplicamos la ecuación 29 obtenida al analizar el circuito de ingreso, con la finalidad

de obtener el valor de la resistencia de base:

𝑉𝐶𝐶 −𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅 (28)
𝐵 +𝛽(𝑅𝐸+𝑅𝐶 )

Despejamos RB

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝑅𝐵 = − 𝛽(𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 )
𝐼𝐵

Remplazamos los valores

 35

10V − 0.7V
𝑅𝐵 = − 300(66.67Ω + 266.66Ω)
50uA

𝑅𝐵 = 86.001𝐾𝛺 ≅ 86𝐾𝛺

En la figura 39 se presenta el circuito de polarización por retroalimentación de volta-

je, en este circuito de observa la resistencia de colector, la resistencia de base y la
resistencia de emisor cuyos valores según los cálculos realizados es 267Ω, 86KΩ y
67Ω, respectivamente estos valores son aproximaciones, ya que los calculados poseen
decimales. También está la fuente de voltaje continua V1 cuyo valor es de 10V y
finalmente se puede apreciar el transistor BJT 2N3904 cuyo valor de β es de 300.

Fig. 39. Circuito polarización por retroalimentación de voltaje-simulación.

En la figura 40 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de por retroalimentación de voltaje, los dos resultados resaltados por un rec-
tángulo rojo, son los valores del punto de trabajo de este circuito. Es decir, la corrien-
te de colector y el voltaje colector emisor, en este caso es Qs(4.99V,14.9mA) se pue-
de ver que este punto de trabajo obtenido en la simulación varia casi nada del punto
Q(15mA,5V), la variación que existe se debe a que el valor de las resistencias calcu-
ladas no son un valor exacto y para la simulación se aproximó a un valor exacto. Se
36

debe tener en cuenta que al hacer la simulación en LTspice con .op no me da directa-
mente el voltaje colector-emisor, pero si se puede obtener ya que me da el voltaje en
el colector y el voltaje en el emisor.

Fig. 40. Resultados de la simulación.

En la figura 41, se puede observar de forma gráfica el valor de la corriente de colector

el mismo que es de 14.9mA.

Fig. 41. Corriente de colector-gráficamente.

En la figura 42, se puede observar de forma gráfica el valor de voltaje de colector-

emisor el mismo que es de 4.987V
 37

Fig. 42. Voltaje colector-emisor-gráficamente

Es importante observar que efecto tiene la temperatura en el transistor es por ello que
procedemos a variar la temperatura a 125 oC en el circuito de polarización por retro-
alimentación de voltaje, con la finalidad de que el factor beta varié y por ende se
mueva el punto de trabajo. Para esto agregamos la sentencia .TEMP 125 como se
indica en la figura 43.

Fig. 43. Variación de la temperatura.

En la figura 44 se muestra los datos obtenidos como resultado de la simulación del

circuito de polarización por retroalimentación de voltaje a una temperatura de 125 oC,
los dos resultados resaltados por un rectángulo rojo, son los valores del punto de tra-
bajo de este circuito a esa temperatura. Es decir, la corriente de colector y el voltaje
colector emisor, en este caso es Qt(3.99V,17.9mA) se puede ver que este punto de
trabajo obtenido en la simulación varia notablemente del punto Q(15mA,5V), la va-
38

riación que existe se debe a que el cambio de la temperatura afecta al factor de beta y
por ende el valor del voltaje y la corriente ya que esta configuración no es indepen-
diente de beta.

Fig. 44. Resultados de la simulación-Temperatura.

A partir de los tres puntos obtenidos se procede a realizar la recta de carga y ver como
varia estos puntos, para ello se empleó Excel.

En la figura 45 se presenta la recta de carga para el circuito de polarización por retro-

alimentación de voltaje, se puede ver que el punto calculado y el punto de simulación
es el mismo ya que estos dos no varían casi nada, lo poco que varía se debe a que los
valores de las resistencias empleada en la simulación son exactos, y los calculados
tienen decimales. También podemos ver que el punto Qt varia notablemente con rela-
ción a los otros dos puntos esto se debe al aumento de temperatura en el transistor
haciendo que el factor beta varié y el punto de trabajo sale de la región activa y se
traslada al punto de saturación, además el voltaje colector –emisor disminuye y la
corriente de colector aumenta. Esta polarización es más estable que la polarización
fija y la polarización estabilizada en emisor. La variación del punto de trabajo es me-
nor debido a que al aumentar la resistencia de RB, disminuye IB, si disminuye la co-
rriente de base la del colector también lo hace, por lo tanto, el punto de trabajo varía,
pero ya que la resistencia RC se encuentra en otra conexión, el voltaje en RE aumenta,
por lo tanto, el punto de trabajo es más estable, sin embargo, al aumentar la tempera-
tura no resulta ser una buena configuración.
 39

Fig. 45. Recta de carga-polarización por retroalimentación de voltaje.

4 Conclusiones

Se ha podido comprobar el comportamiento de los diferentes circuitos de polarización

para un transistor BJT, en este caso el transistor utilizado fue un 2N3904, este com-
portamiento fue analizado en base a la simulación realizada con el software LTspice,
a partir de esto se pudo observar que tanto varia el el punto obtenido por la simulación
con el punto de trabajo, se logró identificar que esta variación es muy pequeña debido
a que las resistencias utilizadas en la simulación fueron valores exactos y las calcula-
das son valores con decimales.

Cuatro distintas polarizaciones han sido analizadas, polarización fija, polarización

estabilizada en emisor, polarización por retroalimentación de voltaje y por divisor de
voltaje; que, si bien es cierto, todos estos circuitos tratan de cumplir la misma función,
algunos se desempeñan mejor que otros.

El punto de trabajo y otros valores como corrientes y resistencias, han sido calculados
para cada polarización, recorriendo inicialmente la malla de ingreso (malla base-
emisor) y luego la malla de salida (malla colector-emisor).

La principal conclusión de la experimentación realizada es que todas las polarizacio-

nes presentan dependencia del factor beta excepto la polarización por división de
voltaje, siendo esta la más estable, además adicionalmente se cambió la temperatura
del transistor en la simulación y se pudo verificar como varia el punto de trabajo ya
que al aumentar la temperatura también aumenta el factor beta, sin embargo, para la
40

Si se comparan los resultados obtenidos para cada una de las polarizaciones, se puede
verificar que, el mejor desempeño se obtiene del circuito de polarización por divisor
de voltaje y el más inestable es el de polarización fija. Si se observan las gráficas de
las rectas de carga, se puede comprobar que el punto de trabajo va variando cada vez
en menor medida con respecto a su posición estable. Ha sido indispensable la utiliza-
ción la utilización del manual de LTspice, puesto que es necesario conocer las carac-
terísticas que presenta el transistor y como realizar la simulación.

Referencias

[1] L. Gonz, “Libros de Cátedra.”

[2] E. Significativas, Electrónica : teoría de circuitos y dispositivos electrónicos. .
[3] “Electrónica Analógica Capítulo 3 : El Transistor BJT ( Bipolar Junction Transistor ):
Análisis en CC Capítulo 3 : El Transistor BJT ( Bipolar Junction Transistor ): Análisis
en CC ▪ Contenidos Sesión 10,” 2020.