UNIVERSIDAD DE CONCEPCIÓN, CHILE 1

Laboratorio N°2: ”Procesamiento de señales con

transistores BJT”
Matias Luengo, Daniela Rebolledo, Melanie Urra.
Profesor Francisco Pastene.
Ayudantes Felipe Monsalvez, Martı́n Westermeyer, Guisella Peña, Gustavo Retamal.

Resumen—En el presente informe se estudió el comportamien- un voltaje de entrada y de salida p, lo que permite analizar el
to de señales en circuitos con transistores BJT en modo activo comportamiento del circuito y la función de amplificación del
de tipo NPN. En la primera actividad el transistor cumplió el transistor.
objetivo de amplificar la señal, se diseñó una red de polarización
con las especificaciones pedidas y posteriormente se implementó En resumen, comprender el comportamiento de los com-
en Protoboard. Se calculó el valor de beta y se obtuvo el ponentes es esencial para diseñar y analizar circuitos con red
punto de operación real Q. Se midió la máxima excursión e de polarización y transistores BJT. Los condensadores y la
incursión simétrica y la impedancia de entrada del amplificador. polarización adecuada del transistor son elementos clave para
Se determinó la ganancia de voltaje y corriente, ası́ como el ancho lograr una amplificación efectiva de la señal de entrada.
de banda para una señal de entrada sinusoidal. Finalmente, se
retiró el condensador y se midió nuevamente los valores para
crear una tabla comparativa y se discutió el resultado. II. M ATERIALES Y M ÉTODOS
En la segunda actividad, se diseñó una red de polarización II-A. Materiales
para operar como una compuerta lógica NOT . Mediante
estas dos actividades se evidenció las principales funciones de Los materiales a utilizar para la realización del laboratorio
los transistores, como amplificador en la actividad 1 y como son:
interruptor en la actividad 2.
Generador de funciones Gw Instek modelo GFG-8216A
Osciloscopio Tektronix TDS 1002B
I. I NTRODUCCI ÓN Fuente de Poder DC: Instek GPS-3030D (Imax = 3[A];
Para comprender el correcto funcionamiento de los circuitos Vmax = 30[V])
con red de polarización, es fundamental tener un conocimiento Multı́metro Digital: Meterman modelo 37XR
profundo del comportamiento de los componentes involu- Resistencias 4x1[kΩ], 1x4.7[kΩ], 1x300[Ω], 1x39[kΩ],
crados. Uno de los componentes más importantes en estos 1x5.6[kΩ], 1x220[Ω]
circuitos es el transistor de unión bipolar o BJT, que es un Condensadores 2x10[µF]
dispositivo semiconductor que tiene la capacidad de amplificar 1x diodo led
o magnificar una señal. Los transistores BJT constan de dos 1x Transistor NPN 2N2222
uniones de tipo P o N, y están disponibles en dos tipos: NPN Protoboard y cables de conexión
y PNP. El tipo NPN consta de dos capas de N y una de P,
mientras que el tipo PNP tiene dos capas de P y una de N. II-B. Métodos
Los transistores BJT tienen tres terminales: el emisor (E), la
base (B) y el colector (C). El colector está fuertemente dopado, 1. Ley de Ohm: La intensidad de corriente que atraviesa
pero su nivel de dopaje se encuentra entre el nivel ligeramente un circuito es directamente proporcional al voltaje o
dopado de la base y el nivel fuertemente dopado del emisor. tensión del mismo e inversamente proporcional a la
Los transistores BJT se pueden configurar de varias formas, resistencia que presenta [4].
incluyendo la base común, el colector común y el emisor I =V ·R (1)
común, que se utilizan en diferentes aplicaciones [1].
Cuando se utiliza un circuito amplificador de tensión con un V : voltaje.
transistor BJT en emisor común, polarizado en la zona activa, I : corriente.
el objetivo es amplificar una señal de entrada para producir R : resistencia.
una carga o resistencia RL [2]. Para lograr esto, se utilizan 2. Ley de voltaje de Kirchhoff: La suma de los voltajes
condensadores que ofrecen una impedancia casi nula a las alrededor de una malla es equivalente a cero [6].
señales alternas, pero una impedancia infinita a la corriente X X
Vaumento = Vcaida (2)
continua[3]. Al implementar estos componentes en un circuito
junto con una fuente de tensión y de frecuencia, se pueden 3. Relación corriente de base, colector y emisor:
utilizar un osciloscopio para visualizar las formas de onda de
IC = βIB (3)
IC : Corriente de Colector, β: Factor de amplificación,
IB : Corriente de Base
UNIVERSIDAD DE CONCEPCIÓN, CHILE 2

IE = IC + IB (4)

IC : Corriente de Colector, IB : Corriente de Base, IE :

Corriente de Emisor
4. Ganancia de Voltaje:
Vout
Av = (5)
Vin
5. Ganancia de corriente:
Iout
Ai = (6)
Iin

III. D ESARROLLO Figura 1. Circuito polarización transistor BJT con resistencia emisor y divisor
de tensión de base
III-A. Actividad 1
Con ayuda del simulador online, previo al laboratorio se
diseñó una red de polarización para un amplificador BJT con
transistor NPN 2N2222 que a través de datasheet se observó
el factor de amplificación β = 50, cumpla con voltaje Vceq =
6[V] y Icq = 1[mA], el cual corresponde a la corriente del
colector Ic , considerando una fuente de tensión de alimenta-
ción Vcc =12[V]. Por medio del cálculo teórico utilizando (2)
y (3), se obtienen los valores R1 = 5820[Ω], R2 =5820[kΩ],
Rc =5[kΩ], Re =1[kΩ], con Vcc =12[V]. Corroborando con el
simulador, se calculó los valores de voltaje de VCE y de VBE Figura 2. Amplificador con BJT configuración Emisor Común
con la ecuación (2), y los valores de corriente IC , IE , IB , IR1
y IR2 con las ecuaciones (1), (3) y (4), lo cual se registran en
la Tabla I.
Se implementa el mismo circuito en la protoboard, donde
mediante el osciloscopio se calculó los valores de VCE y VBE .
Con los valores de IC y VCE se obtuvo el punto de operación.
Implementando la Fig. (2), acoplados con 2 capacitores C1
y C2 , un capacitor by pass CE y una resistencia de carga RL
de 4.7[kΩ], se conectó a una señal de entrada sinusoidal Vin
con frecuencias 1[KHz]. Se obtuvo variando la amplitud de
la señal, la máxima incursión y excursión simétrica, tabulada
Figura 3. Puerta lógica NOT con BJT configurado en Emisor Común
en la Tabla II, luego cambiando la amplitud de Vin a la mitad
de la máxima incursión simétrica antes medida, se midió el
ancho de banda, donde se calculó la ganancia del voltaje y IV. R ESULTADOS
corriente, e impedancia de entrada con la ecuación (5) y (6)
respectivamente. Se registró los valores en la Tabla III, luego IV-A. Resultados actividad 1
se retiró el capacitor by pass CE , y se vuelve a registrar el
Para el primer circuito (Fig. 1), se tabularon los datos regis-
valor de la ganancia de voltaje y corriente, y la impedancia
trados en la tabla I. Para el circuito de la Fig. 2, se tabularon los
de entrada, tabulados en la tabla IV.
datos para máxima excursión e incursión simétrica registrados
en la tabla II, tanto en la tabla III, registran los resultados
III-B. Actividad 2 respecto de la ganancia e impedancia de voltaje y corriente.
Luego retirando el capacitor by pass, se tabularon sus datos
Para la segunda actividad se diseña una red de polariza-
de ganancia e impedancia de voltaje y corriente en la Tabla
ción que permita operar un transistor BJT como una com-
IV.
puerta lógica NOT. Se considerá un voltaje de alimentación
Vcc =12[V] y un tren de pulso de 5[V]/1[KHz] como señal
de entrada Vin , en la protoboard usando un generador de
IV-B. Resultados actividad 2
funciones, un transistor tipo NPN 2N2222, tres resistencias
de 1[kΩ] RB , RC y RL y un diodo Led. Se registra el Se obtiene que el tiempo de retardo en los dos estados ak
retardo entre la señal de entrada y salida, midiendo el voltaje momento del cambio correspondı́a a 82.0¨[ns], y 640 [ns].
y la corriente en la carga de VRL y IRL para el estado de Se tabularon los datos respecto al voltaje y corriente en los
interrumptor encendido y apagado, registrados en la tabla V. estados del led apagado y encendido.
UNIVERSIDAD DE CONCEPCIÓN, CHILE 3

Tabla I
R ESULTADOS ACTIVIDAD 1, C IRCUITO F IG . (1)

Teórico Practico
VBE [V] 0.98 1.03
VCE [V] 5.57 6.22
IB [A] 21.90 u 28.20 u
IC [A] 1.12 m 1.21 m
IE [A] 1.15 m 1.23m
IR1 [A] 0.24 m 0.28 m
IR2 [A] 0.27m 0.29 m
Figura 4. Amplificación
Factor β 50 52.1
Punto de operación (1,36 mA, 6.24 V) (0.86 mA, 6.82 V)

Tabla II
R ESULTADOS ACTIVIDAD 1 F IG . 2

Teórico Practico
Máxima incursión simetrica [V] 0.40 0.61
Máxima excursión simetrica [V] 2.55 2.23

Tabla III
R ESULTADOS ACTIVIDAD 1
C IRCUITO F IG . 2 Figura 5. Señal creciente, encendido y carga decreciente, apagado

Con capacitor CE Sin capacitor CE

Teórico Practico Teórico Practico
Ganancia Vpp [V ] 6.90 8.16 0.81 0.73
Ganancia Irms [A] 7.30 21.3 7.34 22.7
Impedancia de entrada [kΩ] 2.40 2.45 2.40 2.45

Tabla IV
R ESULTADOS ACTIVIDAD 1
C IRCUITO F IG . 2

Frecuencia Minima Frecuencia Maxima

Ancho de Banda 60 Hz 2.8 MHz
Figura 6. Señal decreciente, apagado y carga creciente, encendido

Tabla V
R ESULTADOS ACTIVIDAD 2 transistor no cumple la función asignada. La eliminación del
C IRCUITO F IG .3
condensador de bypass disminuye la ganancia del amplifica-
Led apagado Led encendido dor. Es importante destacar que el condensador de bypass es
V Rled [V ] 0 7.20 importante ya que se utiliza para filtrar las señales no deseadas
IRled [A] 0 7.20m que pueden aparecer en la etapa de amplificación, por lo que
T iempo de retardo [ns] 82.0 640.0 ayuda a obtener una señal de salida más limpia y libre de
interferencias. Los transistores son componentes electrónicos
esenciales en la construcción de circuitos electrónicos, es
importante manejarlos y diseñar adecuadamente el circuito
V. D ISCUSI ÓN
para para optimizar el rendimiento de un circuito.
En este laboratorio, se logró observar y analizar el fun-
cionamiento de los transistores, de forma práctica se observó
su función como amplificador y como interruptor. Se evaluó VI. I NVESTIGACI ÓN
como los componentes del circuito afectan en el resultado
que se busca. Durante la primera actividad, se observó que la VI-A. ¿Qué se entiende por máxima excursión de señal?
ganancia de voltaje es la principal responsable de la amplifica-
ción de la señal de salida, también se observó la importancia La máxima excursión de señal se refiere al rango máximo
de que las resistencias sean elegidas correctamente, ya que al de amplitud de una señal que un amplificador puede manejar
usar valores incorrectos la señal no se amplifica por lo que el sin distorsionar la señal[6].
UNIVERSIDAD DE CONCEPCIÓN, CHILE 4

VI-B. ¿Qué se entiende por máxima excursión simétrica?

La máxima incursión simétrica se refiere al rango de voltaje
en el que la entrada del amplificador puede variar en ambas
polaridades sin causar distorsión. Ambas se miden en amplitud
de onda.

VI-C. ¿Qué elementos definen la respuesta en baja y alta

frecuencia de un amplificador mono etapa con BJT?
La respuesta en baja y alta frecuencia de un amplificador
mono etapa con BJT está determinada por elementos como
capacitores de acoplamiento, capacitores de derivación, limi-
tando su respuesta a baja frecuencia, resistencias de carga,
capacitores de bypass, inductores y condensadores de compen-
sación. También limitando el circuito a baja y alta frecuencia,
se calcula el ancho de banda, que corresponde al margen de
frecuencias en que se puede utilizar el amplificador[8].

R EFERENCIAS
[1] https://electronicaonline.net/componentes-
[2] A. Con, “Tema 5.” Available: https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro gen
/teoria/tema-5-teoria.pdf
[3] Máxima excursión de señal https://catedras.facet.unt.edu.ar/e1/wp-
content/uploads/sites/124/2017/03/Tema-7-3-V4.ppt
[4] “Khan Academy,” Khanacademy.org, 2022. [Online]. Available:
https://es.khanacademy.org/science/ap-physics-1/ap-circuits-
topic/current-ap/v/circuits-part-1.
[5] “Khan Academy,” Khanacademy.org, 2022. [Online]. Available:
https://es.khanacademy.org/science/physics/circuits-topic/circuits-
resistance/a/ee-kirchhoffs-laws.
[6] El TBJ en alterna. Operacion y modelado a pe-
quen a sen al”. https://catedras.facet.unt.edu.ar/e1/wp-
content/uploads/sites/124/2017/03/Tema-7-3-V4.ppt
[7] El BJT en la zona activa. (s. f.). Recuperado 4 de abril de 2023, de PDF
Cap ıtulo 3.Transistores BJT, Electro nica Biome dica.
[8] Eltransistorbipolar.(s.f.).https://www.uv.es/esanchis/cef/pdf/Temas/A
T2.pdf