ELECTRONICA DE

POTENCIA APLICADA
SESION 06: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Prof. Carlos Quilla Paredes

 Objetivos

 Describir la construcción básica del JFET.

 Identificar las regiones de la curva de salida y
curva de transferencia del JFET.
 Determinar la zona de funcionamiento del JFET
 Analizar las aplicaciones de los JFET.

ELEMENTO DE CAPACIDAD TERMINAL:

Reconocer los transistores FET y su polarización
directa e inversa.

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 Recordemos la sesión anterior
Formas de onda para un amplificador PDT

SEÑAL DESACOPLADA

DESFASE DE 180°

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 Recordemos la sesión anterior
Distorsión
La señal aplicada en la base produce una corriente en el
emisor, pero, la corriente de emisor sufre distorsión debido
a la curvatura de la gráfica IE-UBE

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TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
JFET Junction Field-Effect Transistor
 introduction

https://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_5.html
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Introducción
 A diferencia del BJT, el FET (Field Effect Transistor) es
unipolar ya que su funcionamiento depende solo de un
tipo de carga, ya sea de electrones o de huecos. Se
trata de un dispositivo controlado por Tensión.
 Hay dos tipos de transistores unipolares JFET y MOSFET

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Construcción y características del JFET

En la figura se muestra la
construcción básica del JFET de
canal N.
La mayor parte de su estructura es
de material tipo n, que forman un
canal entre los materiales de tipo
P.
Sin tensión tenemos dos uniones
PN si polarización.
Construcción y características del JFET

La región de
agotamiento no
presenta portadores
libres.
La terminología del
JFET esta definida para
el flujo de electrones.
Construcción y características del JFET

En la figura la Fuente (S) y

la Compuerta (G) tienen el
mismo potencial.
Cuando se aplica VDD los
electrones son atraídos al
terminal de Drenador.
En estas condiciones el flujo
de carga no tiene
restricción.
Construcción y características del JFET

La región de agotamiento es
mas amplia en la parte
superior de ambos
materiales tipo P.
Mientras mayor es la
polarización inversa, mas
ancha es la región de
agotamiento.
Construcción y características del JFET
Construcción y características del JFET

IDSS es la corriente
máxima de drenaje y
esta definida mediante
las condiciones:

El JFET tiene las

características de una
fuente de corriente.
Polarización del JFET

El voltaje de compuerta a
fuente VGS es el voltaje que
controla al FET.
Se puede desarrollar curvas
de ID en función de VDS para
varios niveles de VGS.
Para el JFET de canal N el
voltaje de control VGS es
negativo.
Polarización del JFET

En la figura se aplica un
voltaje de -1V entre
compuerta y fuente.
El resultado es que se
alcanza un nivel de
saturación a un nivel
menor de VDS.
Polarización del JFET

Curva característica del JFET de canal N con IDSS=8 mA y VP= -4V.

Polarización del JFET
Polarización del JFET

Región Óhmica
Polarización del JFET

Tensión de estrangulamiento

Tensión de ruptura

La zona activa del JFET es

la región empleada en los
amplificadores lineales.
Polarización del JFET

Región de saturación, corte y zona lineal.

Polarización del JFET

JFET de canal P
Las direcciones de las
corrientes están
invertidas lo mismo que
las tensiones.
Polarización del JFET

JFET de canal P
Curva del JFET de canal P con IDSS=6mA y VP=+6V
Símbolos del JFET

En el JFET de canal N la flecha apunta hacia adentro,

representado la dirección de IG si la unión PN tuviera
polarización directa.

JFET de canal N JFET de canal P

Característica de transferencia

La relación entre ID y VGS se encuentra definida por la

ecuación de Shockley:

El termino cuadrático indica una relación no lineal entre ID y

VGS.
Característica de transferencia

ID en función de VGS ID en función de VDS

Ejercicio

Trazar la curva del JFET de canal N con IDSS=12mA y VP=-6V

Trazar por lo menos 4 puntos.
Ejercicio

Trazar la curva del JFET de canal P con IDSS=4mA y VP=3V

Trazar por lo menos 4 puntos.
Polarización del JFET

Configuración de Polarización fija

El resistor RG asegura que Vi este presente en la entrada del
amplificador para el análisis en AC.
Para el analisis en DC tenemos:
Polarización del JFET

Configuración de Polarización fija

El resistor RG asegura que Vi este presente en la entrada del
amplificador para el análisis en AC.
Para el análisis en DC tenemos:
Polarización del JFET

Configuración de Polarización fija

Aplicando la LVK tenemos:

VGS resulta una cantidad fija, luego

la ID se calcula con la ecuación de
Shockley
Polarización del JFET

Configuración de Polarización fija

Solución grafica: el punto donde
se intersecan ambas curvas es la
solución y se conoce como el
punto de operación estable.
Polarización del JFET

Configuración de Polarización fija

Aplicando la LVK al circuito de salida
Ejercicio
Polarización del JFET

Configuración de Auto-polarización
Utiliza una sola fuente de
alimentación, el voltaje de control
de la compuerta a fuente lo
determina la resistencia RS.
RG puede cambiarse por un corto
circuito debido a que IG =0
Polarización del JFET

Configuración de Auto-polarización
Para el análisis en DC tenemos:

VGS depende de ID
Polarización del JFET

Configuración de Auto-polarización
Solución matemática:
Polarización del JFET

Configuración de Auto-polarización
Aplicando la LVK al circuito de
salida:
Polarización del JFET

Configuración de Auto-polarización
Solución gráfica
A partir de la ecuación:

Trazamos la recta que interseca a

la curva característica del JFET y
establecemos el punto Q.
Ejercicio
 Ejercicio

Repetir el ejercicio anterior para RS

a) 100
b) 10K 
Ejercicio
Polarización del JFET

Polarización mediante divisor de voltaje

Para el JFET IG=0
Polarización del JFET

Polarización mediante divisor de voltaje

Polarización del JFET

Polarización mediante divisor de voltaje

Polarización del JFET

Polarización mediante divisor de voltaje

Ejercicio
 BIBLIOGRAFIA

• "Electrónica Teoría de Circuitos". Boylestad,

Nashelki.
• "Diseño Electrónico Circuitos y Sistemas". Savant, C.
• "Principios de Electrónica". Malvino, A.

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