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TALLER 2.

SISTEMAS ANALÓGICOS II
TEMA: Repaso Análisis en DC para transistores de efecto de campo

OBJETIVO: Identificar los tipos de polarización usados en el análisis en DC para transistores de


efecto de campo (FET).

ACTIVIDADES:
 Realizar los ejercicios 1 al 5 sobre polarización para un transistor de efecto de campo (FET).
 Realizar la simulación de la red combinada planteada como ejercicio en clase, use el software
de simulación de circuitos que tenga disponible.
 Entregar en una hoja de examen el desarrollo del taller (ejercicios 1 al 5, propuesto en clase) y el
resultado impreso de la simulación realizada.

1. Para el circuito de la figura 1, ¿Cuál es el voltaje V DS? IDSS = 1mA, VP = -4v. Si el voltaje VG
cambia a -1v, ¿Cuál es el nuevo valor de VDS=?

2. Para el circuito de la figura 2, ¿Cuál es el voltaje V DS? IDenc = 1mA, VGSenc = 3v, VT = 1v. Si el
volltaje VG cambia a 5v, ¿Cuál es el nuevo valor de VDS=?
15V 28V
15V 20V 28V 10V
20V

RD RD
RD 10k RD RD
R1 1k
10k RD 10k 1k
10k 10M

-2V
-2V
2V
2V

RG RG
100M 100M
R2
10M
Figura 1. Figura 2.

3. Encuentre el punto de operación del MOSFET decremental mostrado en la figura 3. IDSS = 12mA,
VP = -6v
15V 28V 10V
20V

RD RD
10k RD 1k R1 RD
10k 10M 6k

-2V
2V

RG
100M
R2
RS
10M 1k
Figura 3.

AVPP 1
4. Determinar los voltajes en todos los nodos y las corrientes en todas las ramas. V T = 1v, k = 0,3
mA/V2.
28V 10V
20V

RD
RD 1k R1 RD
10k 10M 6k

RG
100M
R2
RS
10M 1k

BIBLIOGRAFÍA
[1] Floyd, Thomas L. Dispositivos electrónicos. Octava edición. Pearson Educación, México, 2008
[2] Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis. Electrónica y Teoría de Circuitos. Octava edición. Pearson
Educación, México, 2003
[3] Malvino, Albert Paul. Principios de Electrónica. Séptima edición. MCGRAW-HILL /
Interamericana De España, 2007

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