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Facultad de Ingeniería
Escuela de Ingeniería Eléctrica
IE0308 - Laboratorio Eléctrico I
II - 2010
TRABAJO PREVIO
I. Investigación bibliográfica
1. Busque las hojas de datos de los siguientes componentes y describa brevemente las principales
características de cada uno:
• NTE123A y NTE159M
• 2N3819 y 2N3820
2. Explique brevemente la operación de transistores BJT y FET. Haga énfasis en sus características
eléctricas más importantes y muestre sus zonas de operación.
4. ¿Cuáles configuraciones existen para un amplificador lineal de tensión con un transistor BJT?
¿Cuáles para uno con un transistor FET? Mencione las características de cada configuración y
compare las distintas configuraciones del mismo tipo de transistor, así como las equivalentes para los
dos tipos de transistores.
II. Diseño
Para el diseño de los amplificadores, considere una resistencia de carga RL muy grande. Utilice una fuente DC
de 15 V y una señal de entrada senoidal de 200 mVpp y 1 kHz.
Pista: puede iniciar por escoger una corriente de operación de colector ( I cq ) o de drenaje ( I DQ ) entre 5 mA
y 10 mA.
1. Diseñe una etapa de entrada con un amplificador de drenaje común que cumpla con las siguientes
especificaciones:
• Ganancia de tensión mayor o igual a 0,7 ( AV 1 ≥ 0,7 ).
• Impedancia de entrada mayor o igual a 200 kΩ ( Z i1 ≥ 200 kΩ ).
• Impedancia de salida menor o igual a 2 kΩ ( Z o1 ≤ 2 kΩ ).
• Frecuencia de corte en bajo menor o igual a 20 Hz ( f cb1 ≤ 20 Hz ).
2. Diseñe una etapa de amplificación de tensión con un amplificador de emisor común que cumpla con
las siguientes especificaciones:
• Ganancia de tensión de 10 ( AV 2 ≈ 10 ).
• Impedancia de entrada mayor o igual a 10 veces Zo1 ( Z i 2 ≥ 10 ⋅ Z o1 ).
• Frecuencia de corte en bajo menor o igual a 20 Hz ( f cb 2 ≤ 20 Hz ).
• Máxima excursión simétrica.
Recuerde incluir TODOS los cálculos necesarios para llegar a la solución. Realice las simulaciones que le
permitan comprobar que los circuitos diseñados cumplen con las especificaciones indicadas.
3. Conecte los dos circuitos en cascada y verifique que para el circuito completo se cumple que
AV ≈ AV 1 ⋅ AV 2 . Obtenga la respuesta en frecuencia del circuito completo y encuentre su
frecuencia de corte en bajo.
TRABAJO EN EL LABORATORIO
1. Encuentre la ganancia de corriente β del transistor BJT, así como la corriente de saturación I DSS y
la tensión de compuerta-fuente de apagado V p del transistor JFET. Determine los efectos de las
variaciones de estos parámetros con respecto a los utilizados en el diseño.
2. Arme los circuitos diseñados y verifique que cumplen con las especificaciones indicadas. Tome
capturas que muestren la ganancia y la frecuencia de corte requeridas.
3. Determine la máxima excursión y el punto de operación de cada circuito. Compare los puntos de
operación obtenidos con los diseñados.
5. Conecte los circuitos diseñados entre sí y verifique que las dos etapas juntas cumplen con la ganancia
de tensión y la frecuencia de corte en bajo esperadas.