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Universidad Nacional De Colombia - Sede Bogotá

Facultad De Ingenierı́a Electrónica Análoga 2


Departamento De Ingenierı́a Eléctrica Y Electrónica 2019-I

Práctica 1. Caracterización de transistores


MOSFET.

1. Materiales
Transistores MOSFET ALD1106 y ALD1107
Computador con LTSpice

Resistencias
Protoboard y puentes de diferentes tamaños
Memoria USB

2. Práctica
2.1. Trabajo previo
Leer las siguientes referencias:
Sedra, A., Smith, K.. Microelectronic Circuits. Quinta Edición. Sección 4.2: Current-Voltage Characteristics.
Rashid, M.. Microelectronic Circuits. Segunda Edición. Sección 7.3.1: Enhancement MOSFETs. Output and
Transfer Characteristics.
El circuito de la Figura 1 permite obtener un valor aproximado para el voltaje umbral Vt del dispositivo. Haga
un análisis en su bitácora, por medio de las ecuaciones de corriente del transistor NMOS, que permita validar esta
afirmación.

2.2. Trabajo en el Laboratorio


Durante esta sesión de laboratorio deberán obtenerse los parámetros de caracterización de un transistor MOSFET, Vt
y k0n ·W· L−1 , además de la curva caracterı́stica vGS vs. iD del transistor.

Cada circuito integrado cuenta con 4 transistores de tipo N (ALD1106) ó 4 transistores de tipo P (ALD1107).
El primer circuito sobre el cual se trabajará se muestra en la Figura 1. Consta de uno de los cuatro transistores
en el circuito integrado, una fuente DC y un voltı́metro, representado por la resistencia caracterı́stica entre sus
terminales. Consigne en una tabla el valor leı́do por el voltı́metro para cada uno de los transistores. Calcule Vt
para cada uno de ellos.
Ubique una resistencia de valor nominal superior a 100 kΩ entre los terminales del voltı́metro. Ésta modificación
permite obtener un valor para el factor k0n ·W· L−1 . En su bitácora consigne el análisis y las ecuaciones que
permiten llegar a él.
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Figura 1: Circuito para la caracterización en DC del transistor MOSFET.

(Semana 2) vGS vs. iD : Para sólo 1 de los transistores. Cambie la fuente DC por un generador de señales
que realice el barrido de la tensión de alimentación del circuito. El voltaje en la resistencia es directamente
proporcional al valor de corriente a través de sus terminales. Obtenga haciendo uso del osciloscopio el valor de
vGS . ¿Existe alguna manera de observar simultáneamente los valores de vGS e iD ?. En su bitácora proponga un
esquema de conexión de los equipos de medida que permita, haciendo uso del modo XY del osciloscopio, observar
la curva caracterı́stica del transistor.

2.3. Trabajo en Casa


Haga una tabla donde consigne los datos obtenidos de la caracterización DC para los 4 transistores. ¿Hay diferencias
con los valores del modelo del simulador? Si hay, ¿a qué pueden deberse?.

Haga uso de los datos almacenados en la unidad USB y dibuje:

Señales en el dominio del tiempo, vGS e iD


Relación vGS vs. iD
Modifique los parámetros del modelo spice del transistor, de tal manera que coincidan las gráficas obtenidas en
simulación y en el laboratorio.

3. Bibliografı́a
Sedra, A., Smith, K.. Microelectronic Circuits. Quinta Edición. Sección 4.2: Current-Voltage Characteristics.

Rashid, M.. Microelectronic Circuits. Segunda Edición. Sección 7.3.1: Enhancement MOSFETs. Output and
Transfer Characteristics.