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ELECTRNICA DE POTENCIA (Uso Interno)

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SEGUNDA UNIDAD:
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS DE
CONVERTIDORES DE POTENCIA
COMPETENCIA
Comprende, analiza y aplica los conceptos, principios y datos tcnicos del
fabricante de Dispositivos Semiconductores de Potencia y hace uso de los
procedimientos de las ciencias y la tecnologa para simular y obtener valores
mediante programas de aplicacin especfica.

CAPTULO 3

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:


Diodos e interruptores no controlables
3.1. INTRODUCCIN
En las aplicaciones de electrnica de potencia, los elementos semiconductores trabajan con
niveles muy elevados de tensin y corriente. As, con objeto de reducir al mximo la potencia
disipada en los semiconductores, stos funcionan a modo de interruptores. En el anlisis de los
convertidores conmutados de potencia se emplearn las caractersticas ideales de los
semiconductores y as centrar el inters en el estudio y comprensin del circuito.
Por ello, en este captulo y en el siguiente se estudian las caractersticas ms importantes de
los dispositivos semiconductores de potencia. Atendiendo al grado de controlabilidad, los
dispositivos semiconductores de potencia pueden dividirse en tres grupos:

Diodos o interruptores no controlables, cuyo encendido y apagado lo realiza el circuito


de potencia, ya que no existe circuito de control.

Tiristores o interruptores semicontrolables, que son encendidos por una seal de


control y apagados por el circuito de potencia.

Interruptores controlables, donde una seal de control gobierna su encendido y apagado.


Entre ellos se encuentran los BJTs, MOSFETs, IGBTs y GTOs.

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3.2

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

3.2.1 EVOLUCIN TECNOLGICA


Durante la dcada de 1970, los Tiristores (SCRs), los Tiristores Bloqueables por Puerta
(GTOs); y los Transistores Bipolares (BJTs) constituan los dispositivos de potencia
primordiales, mientras que los Transistores MOSFETs eran todava demasiado recientes para
participar en las aplicaciones de potencia. Los SCRs y los BJTs de entonces slo podan
conmutar a frecuencias entre 1 y 2KHz.
Durante la dcada de 1980 se tuvieron avances de consideracin, tales como reduccin de la
resistencia en conmutacin de los transistores MOSFETs, aumento de la tensin y la corriente
permitida en los GTOs, desarrollo de los IGBTs, as como el incremento de las prestaciones de
los circuitos integrados de potencia y sus aplicaciones.

Figura 3.1: Diagrama de bloques de la evolucin histrica de dispositivos semiconductores en los 90.

En la dcada de 1990 los SCRs van quedando relegados a un segundo plano, siendo
sustituidos por los GTOs. Se incrementa la frecuencia de conmutacin en dispositivos
MOSFETs e IGBTs, mientras que los BJTs son gradualmente reemplazados por los dispositivos
de potencia anteriores. Los C.I. (circuitos integrados) de potencia tienen una gran influencia en
varias reas de la electrnica de potencia. Para concluir, decir que tecnolgicamente se tiende
a fabricar dispositivos con mayores velocidades de conmutacin, con capacidad para bloquear
elevadas tensiones, permitir el paso de grandes corrientes y por ltimo, que tengan cada vez,
un control ms sencillo y econmico en consumo de potencia.
En la figura 3.1 se pueden observar las limitaciones de los distintos dispositivos
semiconductores, en cuanto a potencia controlada y frecuencias de conmutacin. Dispositivos
que pueden controlar elevadas potencias, como el Tiristor (104 KVA) estn muy limitados por la
frecuencia de conmutacin (orden de KHz), en el lado opuesto los MOSFETs pueden conmutar
incluso a frecuencias de hasta 103 KHz pero la potencia apenas alcanza los 10 KVA, en la
franja intermedia se encuentran los BJTs (300 KVA y 10 KHz), los GTOs permiten una mayor
frecuencia de conmutacin que el Tiristor, 1 KHz con control de potencias de unos 2000 KVA,
por ltimo los IGBTs parecen ser los ms ideales para aplicaciones que requieran tanto
potencias como frecuencias intermedias.
Todas estas consideraciones justifican la bsqueda de nuevos dispositivos y la incesante
evolucin desde la aparicin de los semiconductores, siempre buscando el estado ideal; poder
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controlar la mxima cantidad de potencia, pudiendo hacer que los dispositivos conmuten a la
ms alta frecuencia con el consiguiente beneficio en rapidez y en eliminacin de ruidos pues
interesa conmutar a velocidades superiores a la frecuencia audible (20 kHz).
En la figura 3,2 se pueden apreciar algunas de las principales aplicaciones de los distintos
semiconductores, a lo largo de su historia, as como las cotas de potencia y frecuencias de
conmutacin alcanzadas y su previsible evolucin futura, Destacar la utilizacin de SCRs en
centrales de alta potencia; los GTOs para trenes elctricos; mdulos de Transistores, mdulos
de MOSFETS, IGBTs y GTOs para sistemas de alimentacin ininterrumpida, control de
motores, robtica (frecuencias y potencias medias, altas); MOSFETs para automocin, fuentes
conmutadas, reproductores de video y hornos microondas (bajas potencias y frecuencias
medias); y por ltimo mdulos de Transistores para electrodomsticos y aire acondicionado
(potencias bajas y frecuencias medias).
Potencia (VA)

Frecuencia de operacin (Hz)


Figura 3.2: Aplicaciones de los dispositivos de potencia (Rashid2004).

Desde los finales de la dcada del 50 en que se desarroll el tiristor, ha habido desarrollos
importantes. Hasta 1970, los tiristores se usaban para el control industrial de potencia. Desde
entonces se han desarrollado varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que se
emplean en la industria moderna. Los semiconductores de potencia se fabrican tpicamente de
silicio, aunque en la actualidad se vienen desarrollando la fbrica de dispositivos de carburo de
silicio. Estos dispositivos se pueden clasificar en forma general en tres clases:
1) Diodos de potencia,
2) Transistores y

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3) Tiristores.

Figura 3.3: Dispositivos semiconductores de potencia

3.2.2. CARACTERSTICAS DE LOS INTERRUPTORES


Existen muchos conmutadores de potencia y varan segn la tecnologa actual de los
dispositivos semiconductores. Cada uno de ellos tiene sus propias ventajas y desventajas y por
tanto son adecuados para aplicaciones especficas. Como poltica de motivacin en el
desarrollo de todo dispositivo nuevo es lograr las caractersticas de un dispositivo ideal (segn
Rashid2004 Superdispositivo); por tanto, se deben comparar y evaluar las caractersticas de
cualquier dispositivo real con referencia a las caractersticas ideales. Las caractersticas
prcticas son suministradas por los fabricantes mediante las hojas de datos que describen los
parmetros y las capacidades de cada uno de ellos. Los parmetros ms importantes son:
1)

capacidades de voltaje,

2)

capacidades de corriente,

3)

velocidad o frecuencia de interrupcin,

4)

capacidad de di/dt (amortiguador en serie),

5)

capacidad de dv/dt (amortiguador shunt o circuito RC),

6)

prdidas por conmutacin,

7)

requisitos de activacin de compuerta,

8)

rea de operacin segura (SOA),

9)

I2t para proteccin con fusible,

10)

Temperaturas y

11)

Resistencia trmica.

3.2.3 SELECCIN DE LOS INTERRUPTORES


La seleccin de un dispositivo de potencia para una aplicacin especfica no slo depende de
sus caractersticas de tensin y corriente, sino tambin de sus caractersticas de conmutacin.
As se tienen que, los transistores y los GTO permiten el control de activacin y desactivacin,
los SCR proporcionan el control de activacin pero no de desactivacin, y los diodos no
proporcionan ninguno de los dos. Las velocidades de conmutacin y prdidas de potencia son
parmetros importantes en los circuitos electrnicos de potencia. El transistor BJT es un
dispositivo de portadores minoritarios, mientras que el MOSFET es un dispositivo de portadores
mayoritarios que no sufre retrasos de almacenamiento de portadores minoritarios, por lo que el
MOSFET es ventajoso en cuanto a velocidad de conmutacin.

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DIODOS E INTERRUPTORES NO CONTROLADOS

3.3.1 DIODOS
Segn Rashid2004, un diodo de potencia es un dispositivo de potencia ms simple que
consiste en una unin pn con dos terminales, siendo que la unin pn se forma, en el caso
normal, por aleacin, difusin y crecimiento epitaxial. Las tcnicas modernas de control de
procesos de difusin y epitaxiales permiten obtener las caractersticas deseadas en el
dispositivo. En la figura 3.4 muestra un corte de una unin pn y su smbolo correspondiente.
Las caractersticas elctricas deseables en los diodos de potencia son las siguientes:
Capacidad para soportar gran intensidad con pequea cada de tensin en el estado de
conduccin o de polarizacin directa.

Capacidad para soportar elevada tensin con una pequea intensidad de fugas en el
estado de bloqueo o de polarizacin inversa.

Los semiconductores ms empleados en la fabricacin de diodos son el germanio y el silicio. El


silicio es, actualmente, el de mayor aplicacin. Soporta grandes cadas de tensin en bloqueo,
as como temperaturas de trabajo muy elevadas (200o). El germanio presenta como principal
ventaja una pequea cada de tensin en conduccin (0,5 V frente a 1 V en el silicio), pero por
contra, su temperatura de trabajo es menor (120 o) y soporta menos tensin en bloqueo o
inversa.

Figura 3.4: Diodo de unin pn y su smbolo que lo representa.

Figura 3.5: algunos tipos de diodos de potencia.

La corriente de fuga aumenta al subir la capacidad de voltaje y dichas capacidades estn


limitadas a 100 V y 300 A. En un diodo de potencia la cada de voltaje directo vara entre 0,5 y
1,2 V. En la figura 3.5 se muestran algunos tipos de diodos de propsito general. La
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clasificacin moderna de los semiconductores de potencia es la que se muestra en la figura


3.6.

Semiconductores
de potencia

SILICIO

Diodos

CARBURO DE SILICIO

Transistores

Diodo de
Schottky

Tiristores

Diodo de
unin bipolar

Diodo
Epitaxial
PIN

NPN
PNP

Tiristores para
control de fase

Diodo de
Schottky

Tiristor rpido

Diodo IBS

Simtrica
Asimtrica
Inversa
Conduccin

MOSFET
Diodo de
doble difuSin (PIN)

Transistores
MOSFET

Diodo PIN

Ampliacin
de canal N
Convencional
S-FET

Ampliacin
de canal P

IGCT

IGBT

NPT

Convencional

GTO
Simtrica
Asimtrica
Inversa
Conduccin

Cool-MOS

PT

Diodos

Asimtrica
Inversa
Conduccin
IGBT de
de zanja

MCT
Tipo P

Baja
VC(sat)

Alta
velocidad

Tipo N
MTO

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LEYENDA:
Dispositivos de poca importancia en el mercado mundial.

Figura 3.6: Clasificacin de semiconductores de potencia (Rashid2004).

3.3.1.1 TCNICAS DE CONSTRUCCIN Y ENCAPSULADO DE DIODOS DE POTENCIA


Los avances en los dispositivos semiconductores han dado como resultado un alto grado de
perfeccin en la construccin de los mismos. Entre las diversas tcnicas de construccin de
diodos de potencia, las ms importantes son la de difusin y la de crecimiento epitaxial. La
primera de ellas es la ms empleada, mientras que la segunda, aunque ms costosa, permite
controlar con mayor exactitud el espesor y el grado de dopado.
Tcnica de construccin del diodo de potencia: difusin Para la fabricacin de diodos de
potencia por la tcnica de difusin, se parte de un cilindro monocristalino del elemento
semiconductor (germanio o silicio) dopado con impurezas N (boro, por ejemplo). Este cilindro,
que debe tener uno o ms centmetros de dimetro y varios centmetros de largo, se corta en
discos cuyo grosor es proporcional a la tensin inversa mxima que se desea alcanzar. El disco
se introduce en un horno con atmsfera inerte, en la que previamente se ha inyectado
partculas aceptadoras (partculas P). stas se difunden por una de las caras del disco hasta
alcanzar en l una determinada profundidad y concentracin. Por ltimo, se realiza otro dopado
P muy intenso por la misma cara que el anterior, con objeto de disminuir la resistencia elctrica
de la soldadura al terminal del nodo. La figura 3.7 muestra el proceso de difusin.

FIGURA 3.7: Dopado por difusin y concentracin de impurezas.

Tcnica de construccin del diodo de potencia: crecimiento epitaxial


Para la construccin de un diodo de potencia mediante la tcnica de crecimiento epitaxial, se
depositan sobre una lmina de cristal de semiconductor puro tomos procedentes de una fase
gaseosa. Esta atmsfera gaseosa puede estar, a su vez, impurificada de particulas. Estas
partculas sustituyen a tomos de la red cristalina, concentrndose en el borde del substrato y
creando imperfecciones cristalinas. Por ello, generalmente los bordes de las pastillas
construidas bajo esta tcnica se encuentran biscelados, con objeto de evitar zonas dbiles para
soportar la tensin inversa.
Encapsulado
El encapsulado de un diodo de potencia debe resolver tres problemas: el aislamiento de la
pastilla con respecto a la atmsfera para evitar su deterioro qumico, la conexin elctrica al
circuito y la extraccin del calor generado por las prdidas elctricas. Los dos tipos principales

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de encapsulados son el de vstago y el pass-preck. El empleo de uno u otro depende de la


intensidad nominal del diodo.
En el primero de los encapsulados citados, la pastilla se encuentra soldada por su cara inferior
a una base de cobre a travs de un vstago roscado, que permite fijarla a un disipador metlico
que asegura su refrigeracin y su conexin al ctodo. Por la cara superior, la pastilla se suelda
a un terminal de cobre ms pequeo, que le permite su conexin al nodo. La pastilla se cierra
hermticamente en atmsfera inerte mediante una cpsula, bien cermica o bien metlica.
Cuando los diodos son de intensidades superiores a 700 A, se suelen encapsular con placas
planas de cobre a ambos lados de la pastilla. Estas placas se fijan a unos radiadores para
mejorar la disipacin de calor. A este tipo de encapsulado se le denomina pass-preck. Una
pastilla con este tipo de encapsulado por ambas caras es capaz de trabajar a un 35% por
ciento ms de intensidad que los de vstago, donde slo se disipa el calor por el ctodo.
3.3.1.2 CARACTERSTICAS ESTTICAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA
Las caractersticas estticas hacen referencia al comportamiento del diodo cuando se
encuentra en estado de bloqueo o de conduccin. Las caractersticas i-v que se muestran en la
figura 3.8 se pueden expresar por medio de la ecuacin del diodo de Schockley, que para el
funcionamiento en estado permanente est dado por:

(3.1)

El coeficiente de emisin depende del material y de la construccin fsica del diodo. As, para
los diodos de germanio se considera un valor de 1. Para los diodos de silicio, el valor terico es
de 2.
Si se aplica una tensin inversa (vD<0) en los terminales de un diodo de forma que la capa
andica (capa P) sea ms negativa que la catdica (capa N), los portadores de cada capa son
atrados a los extremos de la pastilla. La zona de carga se va haciendo cada vez mayor y se
vaca de portadores. Aparece as una diferencia de potencial de valor aproximado a la tensin
inversa aplicada en los extremos del diodo de potencia, adems de una pequea corriente de
fugas. Puede decirse, por tanto, que el diodo se encuentra en estado de bloqueo. Si la tensin
inversa aumenta y alcanza un cierto valor denominado tensin de ruptura (v R), el diodo
comienza a conducir en sentido inverso o de avalancha (figura 3.8). En el funcionamiento
normal de un diodo, la tensin inversa no debe alcanzarse. El diseo del circuito debe evitar
que se llegue a esta situacin.
La corriente de fugas es independiente de la tensin externa aplicada, a menos que el diodo
conduzca en avalancha, pero s depende de la temperatura de trabajo. Las prdidas de
potencia en estado de bloqueo son muy pequeas, ya que dependen del producto de la tensin
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inversa soportada por la intensidad de fugas, la cual es muy pequea. Normalmente se


desprecian frente a las prdidas en conduccin.
El circuito equivalente del diodo en estado de bloqueo se aproxima al de un circuito abierto,
aunque sera ms correcto asimilarlo a una fuente de intensidad dependiente de la
temperatura. Si se le aplica ahora a los terminales del diodo una tensin vD>vF el diodo
comienza a conducir, y la cada de tensin es muy pequea, del orden de 1 V para los diodos
de silicio y de 0.5 V para los de germanio (figura 3.8).

FIGURA 3.8: Curva caracterstica de un diodo: (a) real, (b) ideal.

Ntese que en estado de conduccin el diodo no limita la intensidad establecida en el circuito.


Esta intensidad depende de los elementos a los que se conecte el diodo, esto es, del circuito
de potencia. Cuanto mayor sea la temperatura de unin, la cada de tensin ser menor y, por
tanto, la potencia disipada en la pastilla disminuye. Este hecho puede considerarse como una
autodefensa del diodo contra el calentamiento. Sin embargo, el efecto resulta contrario para
intensidades mucho ms altas que la nominal, donde aumenta la potencia disipada.
En conduccin, el circuito equivalente puede representarse de forma muy aproximada por una
pila de tensin Vo igual al potencial de unin del semiconductor en cuestin, en serie con una
pequea resistencia r igual a la pendiente promedio de la curva vD-iD (figura 3.9).

FIGURA 3.9: Circuito equivalente de un diodo real.

Las prdidas que se originan en el diodo cuando se encuentra en estado de conduccin directa
vienen expresadas por:

(3.2)

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En un clculo aproximado, puede sustituirse la tensin nodo-ctodo por la de su circuito


equivalente, por lo que la expresin 3.2 queda como:
T

W=

1
( Vo+r iD ) i D dt =Vo I DC + I D
T 0

(3.3)

Donde IDC representa el valor medio de iD, e ID su valor eficaz. Segn la ecuacin anterior,
debido a su dependencia con la intensidad media, la potencia disipada est en funcin de la
forma de la onda.
Hasta ahora se ha analizado al diodo teniendo en cuenta sus caractersticas reales. Sin
embargo, y como se ha expuesto anteriormente, dada la escasa corriente de fugas que circula
por el diodo cuando est inversamente polarizado en comparacin con la corriente cuando lo
est de forma directa, y el gran voltaje que soporta en polarizacin inversa respecto a la
pequea cada de tensin en polarizacin directa, la curva caracterstica vD-iD del diodo puede
considerarse ideal, obtenindose la representacin dada por la figura 3.8b.
As, al analizar las topologas de los convertidores de potencia, se puede suponer que el diodo
funciona segn su caracterstica ideal (figura 3.8b). Sin embargo, en el diseo real del circuito
se debe utilizar su caracterstica real (figura 3.8a) para estimar, por ejemplo, el disipador
requerido por el diodo en el circuito.
3.3.1.3 CARACTERSTICAS DINMICAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA
El encendido de un diodo, o paso de bloqueo a conduccin, es muy rpido en comparacin con
otros transitorios que se producen en el circuito de potencia. Al ser este tiempo prcticamente
inapreciable, durante el encendido puede considerarse al diodo como ideal.
Sin embargo, el apagado de un diodo o paso de conduccin a bloqueo no se efecta de forma
instantnea. Si un diodo conduce en sentido directo una determinada intensidad I, la zona
central de la unin se encuentra saturada de portadores, siendo mayor la densidad cuanto
mayor sea el valor de I. Si a continuacin el circuito exterior fuerza la anulacin de la corriente
para llevar al diodo al estado de bloqueo mediante la aplicacin de una tensin inversa, tras el
paso por cero de la corriente existir an en la unin una cierta cantidad de portadores que
cambian el sentido del movimiento y origina que el diodo conduzca en sentido contrario. Al
cabo de un cierto tiempo esta corriente inversa se hace despreciable y el diodo queda
completamente apagado. A este tiempo durante el cual circula corriente inversa se le denomina
tiempo de recuperacin inversa (trr), y a la carga desplazada carga de recuperacin (Qrr). La
intensidad de pico alcanzada en sentido inverso se llama intensidad de recuperacin Ir. La
figura 3.10 ilustra los conceptos anteriormente definidos.
El tiempo de recuperacin inversa de los diodos suele ser del orden de 10 s, y el de los diodos
rpidos oscila entre 0.5 y 2 s. La recuperacin inversa es un fenmeno indeseable que causa
en ocasiones problemas en circuitos de alta frecuencia, pudiendo originar un calentamiento
excesivo del diodo. Asimismo, la circulacin de intensidad en sentido inverso disminuye la
eficacia de muchas operaciones de los circuitos electrnicos de potencia. No obstante, existen
otros muchos circuitos en los que la corriente inversa apenas afecta a su funcionamiento, por lo
que el diodo puede considerarse como ideal tambin en el apagado.

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FIGURA 3.10: Apagado de un diodo real.

3.3.1.4 TIPOS DE DIODOS


Los diodos de potencia son de tres tipos y son: de propsito general, de alta velocidad y
diodos Schottky. Los diodos de propsito general existen en el mercado hasta para 6000 V y
4500 A. Los diodos de alta velocidad existen de hasta 6000 V y 1100 A. El tiempo de
recuperacin inversa vara entre 0,1 y 5 s. Los diodos de alta velocidad son importantes para
una conmutacin de alta frecuencia de los convertidores de potencia. Los diodos de Schottky
tienen bajo voltaje de estado activo o de conduccin y un tiempo de recuperacin muy pequeo
y del orden de nanosegundos. Dependiendo de las caractersticas de la aplicacin, pueden
emplearse varios tipos de diodos:

Diodos Schottky, que presentan una cada de tensin directa muy baja (tpicamente 0.3
V). La cada de tensin inversa que son capaces de aguantar es tambin pequea, y oscila
entre los 50 y los 100 V.

Diodos de recuperacin rpida. Se utilizan en aplicaciones de alta frecuencias,


normalmente en combinacin con otros interruptores controlables, donde se precisan
tiempos pequeos de recuperacin inversa. A niveles de potencia de varios cientos de
voltios y varios cientos de amperios, estos diodos presentan tiempos de recuperacin
inversa de pocos microsegundos.

Diodos de frecuencia de lnea. Estos diodos presentan una pequea cada de tensin
directa. Por ellos pueden circular corrientes de varios kiloamperios, y son capaces de
aguantar tensiones inversas de varios kilovoltios. Como consecuencia, su tiempo de
recuperacin inversa es mayor, aunque resulta aceptable para aplicaciones de frecuencia
de lnea (60 Hz). Estos diodos pueden conectarse en serie y en paralelo con objeto de
satisfacer cualquier especificacin de corriente y tensin.

As, en muchas aplicaciones de alta tensin, como puede ser el transporte en corriente
continua, el empleo de un nico diodo resulta insuficiente para bloquear la tensin inversa que
requiere el circuito. Con objeto de repartir la tensin a bloquear, se emplean varios diodos
conectados en serie.
En otras aplicaciones de alta potencia, un diodo puede no ser capaz de permitir que circule una
cantidad de corriente tan grande como la que se origina. Para aumentar la capacidad de
transporte de estas intensidades tan elevadas, los diodos se conectan en paralelo. A
continuacin se muestran las principales caractersticas de funcionamiento de los diodos
cuando son conectados en serie y en paralelo.
Diodos conectados en serie

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La figura 3.11a muestra un circuito con dos diodos D1 y D2 conectados en serie e inversamente
polarizados. Al estar conectados en serie, la corriente de fugas is que circula por ambos diodos
es la misma. Si D1 y D2 fuesen exactamente iguales, las tensiones inversas que soportan
deberan ser idnticas. Sin embargo, en la prctica no ocurre as ya que, por razones de
tolerancias en la fabricacin, las curvas caractersticas de ambos diodos difieren ligeramente
(figura 3.11b). Esto origina un reparto desigual de la tensin inversa a bloquear por cada
semiconductor.
El reparto desigual de la tensin a bloquear constituye, precisamente, el principal inconveniente
de los montajes en serie de diodos. Una solucin a este problema consiste en aadir otros
elementos al circuito que permitan regular la cantidad de tensin a bloquear por los diodos. As,
colocando en paralelo con cada diodo resistencias de valores determinados, puede
conseguirse igualar los valores de vD1 y de vD2. El circuito resultante se muestra en la figura
3.12a.

FIGURA 3.11: Diodos conectados en serie.

FIGURA 3.12: Diodos conectados en serie. Circuito modificado.

La corriente is que circula por la pila (figura 3.12a) se reparte entre la que circula por cada diodo
y su resistencia en paralelo. Por tanto:
(3.4)
(3.5)
(3.6)

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Si se introducen las expresiones 2.4 y 2.5 en la ecuacin dada por 2.3, se obtiene que:
(3.7)
Como los valores de vD1 y vD2 resultan conocidos e iguales a la mitad de la tensin de la pila, es
decir, si se sustituyen en las curvas v-i de cada diodo (ver figura 3.12b) se obtienen iS1 e iS2.
Una vez introducidos los valores ya conocidos de iS1, iS2, vD1 y vD2 en la ecuacin 3.7 se obtiene
la relacin que deben cumplir las resistencias. De esta forma, fijando el valor de una de ellas,
por la ecuacin 3.7 se obtiene el de la segunda. Si se eligen R1=R2=R, al ser los diodos
ligeramente diferentes tambin lo sern las cadas de tensin en los mismos. Por tanto, para
calcular vD1 y vD2 se deber resolver el sistema de ecuaciones dado por:

(3.8)
Diodos conectados en paralelo
La figura 3.13a muestra un circuito con dos diodos D1 y D2 conectados paralelo y polarizados
en directa. Este montaje se emplea para aumentar la capacidad de transporte de grandes
cantidades de corriente. En el caso ideal en que D1 y D2 fuesen exactamente iguales, la
corriente que circula por cada uno de ellos sera idntica. Pero en la prctica no ocurre as, sino
que las curvas caractersticas de cada diodo difieren ligeramente una de la otra (figura 3.13b).
Esto origina un reparto desigual de la intensidad que circula por cada semiconductor.

FIGURA 3.13: Diodos conectados en paralelo.

Si se aaden resistencias conectadas en serie con cada uno de los diodos, puede equilibrase
el reparto de la intensidad en cada una de las ramas del circuito. De esta forma se logra igualar
las intensidades que circulan por los diodos. El montaje resultante se muestra en la figura 3.14
y de donde se extraen las siguientes ecuaciones:
(3.9)
Donde:
(3.10)
(3.11)
Si se introducen las expresiones dadas por 3.10 y 3.11 en 3.9 se obtiene que:

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(3.12)

FIGURA 3.14: Circuito resultante.

Como se desea conseguir un igual reparto de intensidades, los valores de is1 y de is2 resultan
conocidos, esto es, iguales a la mitad de la intensidad Is: As, si se sustituye este valor en las
curvas v-i de cada diodo (figura 3.14b) se obtienen vD1 y vD2. Una vez introducidos los valores
iS1, iS2, vD1 y vD2 en la ecuacin 3.12 se obtiene la relacin que deben cumplir las resistencias.
De esta forma, fijando el valor de una de ellas, por la ecuacin 3.12 se obtiene el de la
segunda.

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CAPTULO 4

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Transistores e interruptores controlables
4.1

INTRODUCCIN

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores


normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que
tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores
de potencia:

Bipolar.

Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).

IGBT.
Parmetros

MOS

Bipolar

Impedancia de entrada

Alta (1010 ohmios)

Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente

Alta (107)

Media (10-100)

Resistencia ON (saturacin)

Media / alta

Baja

Resistencia OFF (corte)

Alta

Alta

Voltaje aplicable

Alto (1000 V)

Alto (1200 V)

Mxima temperatura de operacin

Alta (200C)

Media (150C)

Frecuencia de trabajo

Alta (100-500 Khz)

Baja (10-80 Khz)

Costo

Alto

Medio

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Pequeas fugas.

Alta potencia.

Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de
funcionamiento.

Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.

Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado (VCE mxima elevada).

Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt).

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Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los


transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace
instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de
estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y
los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores.
4.1.1 PRINCIPIOS BSICOS DE FUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin
sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para
regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la
aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la
estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el
terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los
otros dos terminales. En resumen se destacan tres cosas fundamentales:

En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.

En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.

En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.

4.1.2

TIEMPOS DE CONMUTACIN

Figura 4.1: Esquema de un tiempo de conmutacin.

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si
tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se
produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener
un valor apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor.
Estas prdidas aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin
lo hace el nmero de veces que se produce el paso de un estado a otro. Se puede diferenciar
entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de
estos tiempos se puede dividir en otros dos.
Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se
aplica la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el
10% de su valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre
el 10% y el 90% de su valor final.

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Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el
90% y el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes
relaciones:

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo


de apagado (toff) ser siempre mayor que el
tiempo de encendido (ton). Los tiempos de
encendido (ton) y apagado (toff) limitan la
frecuencia mxima a la cual puede
conmutar el transistor:

Otros parmetros importantes

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Figura 4.2: Parmetros de en tiempos de conmutacin.

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. I CAV,
corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (I CM) o de drenador (IDM). Con
este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector
y emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en
saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia
esttica de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser:

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Figura 4.3: modos de trabajo de un transistor.

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor base y a una polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin
normal del transistor para amplificacin.

Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor base y a una polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada
raramente.

Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La


operacin en sta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado,
pues el transistor acta como un interruptor abierto (IC=0).

Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La


operacin en esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo
encendido, pues el transistor acta como un interruptor cerrado (VCE=0).

Avalancha secundaria. Curvas SOA.

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Figura 4.4: Zonas de avalancha.

Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO),
o la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin
colector - base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier
diodo, denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones
por debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en
directo. En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona
de base que reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo
(anillo circular).La densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al
grado de polarizacin de la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor,
se produce en los puntos calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de
las prdidas y de la temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte
de los casos, se le conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda
ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es
producir unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.
Se pueden ver que existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para
corriente pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante
el toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.

Figura 4.5: rea de funcionamiento seguro en rgimen continuo y pulsante.


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Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.


Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms
desfavorables dentro de la zona activa.

Figura 4.6: a) Circuito con carga inductiva.


b) Caractersticas de transferencia para el transistor en conmutacin con carga inductiva.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de


funcionamiento del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor
pasar de corte a saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a
saturacin por la recta que va desde A hasta C, y de saturacin a corte desde C a A. Sin
embargo, con una carga inductiva como en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin
recorriendo la curva ABC, mientras que el paso a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse
que este ltimo paso lo hace despus de una profunda incursin en la zona activa que podra
fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha secundaria, con valor VCE muy superior al valor
de la fuente (Vcc).
Para proteger al transistor y evitar su degradacin se utilizan en la prctica varios circuitos, que
se muestran a continuacin:

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Figura 4.7: Circuitos de proteccin del transistor.

a) Diodo Zner en paralelo con el transistor (la tensin nominal zner ha de ser superior a la
tensin de la fuente Vcc).
b) Diodo en antiparalelo con la carga RL.
c) Red RC polarizada en paralelo con el transistor (red snubber).
Las dos primeras limitan la tensin en el transistor durante el paso de saturacin a corte,
proporcionando a travs de los diodos un camino para la circulacin de la intensidad inductiva
de la carga.
En la tercera proteccin, al cortarse el transistor la intensidad inductiva sigue pasando por el
diodo y por el condensador CS, el cual tiende a cargarse a una tensin Vcc. Diseando
adecuadamente la red RC se consigue que la tensin en el transistor durante la conmutacin
sea inferior a la de la fuente, alejndose su funcionamiento de los lmites por disipacin y por
avalancha secundaria. Cuando el transistor pasa a saturacin el condensador se descarga a
travs de RS.
El efecto producido al incorporar la red snubber es la que se puede apreciar en la figura
adjunta, donde vemos que con esta red, el paso de saturacin (punto A) a corte (punto B) se
produce de forma ms directa y sin alcanzar valores de VCE superiores a la fuente Vcc.

Figura 4.8: Curvas que muestran el comportamiento de los sistemas de proteccin a los transistores.

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Para el clculo de CS podemos suponer, despreciando las prdidas, que la energa


almacenada en la bobina L antes del bloqueo debe haberse transferido a CS cuando la
intensidad de colector se anule. Por tanto:

de donde :

Para calcular el valor de RS hemos de tener en cuenta que el condensador ha de estar


descargado totalmente en el siguiente proceso de bloqueo, por lo que la constante de tiempo
de RS y CS ha de ser menor (por ejemplo una quinta parte) que el tiempo que permanece en
saturacin el transistor:

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga resistiva


La grfica superior muestra las seales idealizadas de los tiempos de conmutacin (ton y toff)
para el caso de una carga resistiva. Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo
de subida (tr) de la corriente de colector. En estas condiciones (0<t<tr) tendremos:

donde IC ms vale :

Tambin tenemos que la tensin colector - emisor viene dada como:

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Figura 4.9: Tiempos de conmutacin para el caso de carga resistiva.

Sustituyendo, tendremos que:

Nosotros asumiremos que la VCE en saturacin es despreciable en comparacin con Vcc.


As, la potencia instantnea por el transistor durante este intervalo viene dada por :

La energa, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida est dada por la integral
de la potencia durante el intervalo del tiempo de cada, con el resultado:

De forma similar, la energa (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de cada, viene
dado como:

La potencia media resultante depender de la frecuencia con que se efecte la conmutacin:

Un ltimo paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeramos un error
apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:
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En la siguiente pgina se puede observar en la grfica de la iC(t), VCE(t) y p(t) para carga
inductiva. La energa perdida durante en ton viene dada por la ecuacin:

Clculo de potencias disipadas en conmutacin con carga inductiva

Figura 4.10: Potencias disipadas en conmutacin con carga inductiva.

Durante el tiempo de conduccin (t5) la energa perdida es despreciable, puesto que VCE es de
un valor nfimo durante este tramo.
Durante el toff, la energa de prdidas en el transistor vendr dada por la ecuacin:

La potencia media de prdidas durante la conmutacin ser por tanto:

Si lo que queremos es la potencia media total disipada por el transistor en todo el periodo
debemos multiplicar la frecuencia con la sumatoria de prdidas a lo largo del periodo
(conmutacin + conduccin). La energa de prdidas en conduccin viene como:

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Ataque y proteccin del transistor de potencia


Como hemos visto anteriormente, los tiempos de conmutacin limitan el funcionamiento del
transistor, por lo que nos interesara reducir su efecto en la medida de lo posible.

Figura 4.11: Seal de base que puede permitir reducir tiempos de conmutacin.

Los tiempos de conmutacin pueden ser reducidos mediante una modificacin en la seal de
base, tal y como se muestra en la figura 4.11. Puede verse como el semiciclo positivo est
formado por un tramo de mayor amplitud que ayude al transistor a pasar a saturacin (y por
tanto reduce el ton) y uno de amplitud suficiente para mantener saturado el transistor (de este
modo la potencia disipada no ser excesiva y el tiempo de almacenamiento no aumentar). El
otro semiciclo comienza con un valor negativo que disminuye el toff, y una vez que el transistor
est en corte, se hace cero para evitar prdidas de potencia.
En consecuencia, si queremos que un transistor que acta en conmutacin lo haga lo ms
rpidamente posible y con menores prdidas, lo ideal sera atacar la base del dispositivo con
una seal como el de la figura 4.11. Para esto se puede emplear el circuito de la figura 4.12.

Figura 4.12: Circuito que puede permitir reducir tiempos de conmutacin.

En estas condiciones, la intensidad de base aplicada tendr la forma indicada a continuacin:

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Figura 4.13: Forma de la corriente de base.

Durante el semiperiodo t1, la tensin de entrada (Ve) se mantiene a un valor V e(mx). En estas
condiciones la VBE es de unos 0.7 v y el condensador C se carga a una tensin VC de valor:

Debido a que las resistencias R1 y R2 actan como un divisor de tensin.


La cte. de tiempo con que se cargar el condensador ser aproximadamente de:

Con el condensador ya cargado a VC, la intensidad de base se estabiliza a un valor IB que vale:

En el instante en que la tensin de entrada pasa a valer -Ve(min), tenemos el condensador


cargado a VC, y la VBE=0.7 v. Ambos valores se suman a la tensin de entrada, lo que produce
el pico negativo de intensidad IB (mn):

A partir de ese instante el condensador se descarga a travs de R2 con una constante de


tiempo de valor R2C.
Para que todo lo anterior sea realmente efectivo, debe cumplirse que:

con esto nos aseguramos que el condensador est cargado cuando apliquemos la seal
negativa. As, obtendremos finalmente una frecuencia mxima de funcionamiento:
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Un circuito ms serio es el de Control Antisaturacin:

Figura 4.14: Circuito de control Antisaturacin.

El tiempo de saturacin (tS) ser proporcional a la intensidad de base, y mediante una suave
saturacin lograremos reducir tS:

Inicialmente tenemos que:

En estas condiciones conduce D2, con lo que la intensidad de colector pasa a tener un valor:

Si imponemos como condicin que la tensin de codo del diodo D1 sea mayor que la del diodo
D2, obtendremos que IC sea mayor que IL:

En lo que respecta a la proteccin por red snubber, ya se ha visto anteriormente.


4.2
INTERRUPTORES CONTROLABLES: Caractersticas Generales
Existen varios tipos de semiconductores de potencia cuyo encendido y apagado se realiza
mediante seales de control. Estos semiconductores, entre los que se encuentran los BJTs,
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MOSFETs, GTOs e IGBTs, se denominan interruptores controlables. Los interruptores


controlables no permiten la circulacin de corriente cuando estn apagados, y cuando se
encuentran encendidos sta lo hace en un solo sentido. Un interruptor controlable ideal
presenta las siguientes caractersticas:

Bloquea cualquier tensin directa e inversa, arbitrariamente grande, cuando est apagado.

Conduce corrientes arbitrariamente grandes con una cada de tensin nula cuando estn
encendidos.

Conmuta instantneamente de su estado de encendido al de apagado y viceversa cuando


se le introduce la seal o seales de control.

La potencia necesaria para controlar el interruptor es muy pequea.

Los interruptores controlables reales, a diferencia de los ideales, no presentan las


caractersticas anteriores y consumen potencia. Si la potencia que disipan alcanza valores
elevados, puede originar la destruccin por sobrecalentamiento del propio dispositivo y de los
componentes a l conectados.
Para estudiar la potencia disipada y los tiempos de conmutacin en un interruptor controlable
real, considrese el circuito de la figura 2.10, que representa una situacin que aparece con
frecuencia en la electrnica de potencia. En este circuito, la corriente que circula por el
interruptor controlable lo hace tambin a travs de una o varias inductancias que mantienen la
corriente a un valor prcticamente constante, de ah que se las represente como una fuente de
corriente de valor I0. El diodo se considera ideal.

FIGURA 4.15: Circuito para el estudio de un interruptor controlable real.

Cuando el interruptor est abierto, toda la corriente I0 fluye a travs del diodo, apareciendo una
cada de tensin en el interruptor de valor Vd. Cuando el interruptor se cierra, circula por l toda
la corriente I0 y el diodo se encuentra polarizado en inversa.
La figura 4.16a muestra las formas de onda de la intensidad y de la tensin del interruptor
cuando se aplica una seal de control de frecuencia fs=1/Ts. donde Ts representa el periodo.
A continuacin se analizan los distintos intervalos a considerar en la conmutacin peridica del
interruptor, esto es:

Conmutacin de apagado a encendido.


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Interruptor encendido.
Conmutacin de encendido a apagado.
Interruptor apagado.

Conmutacin de apagado a encendido


Cuando se le aplica al interruptor la seal de control para provocar su encendido, se requiere
un pequeo tiempo td(on), denominado tiempo de retraso en el encendido, para que comience
a circular corriente por l. Al cabo de un cierto tiempo tri (tiempo de subida de corriente o
current rise time) la corriente por el interruptor ha alcanzado su valor mximo I0, dejando de
circular corriente por el diodo al quedar ste polarizado en inversa. As, una vez que la corriente
por el interruptor vale I0, comienza a disminuir su cada de tensin hasta un pequeo valor Von.
Al tiempo que tarda la tensin en el interruptor en caer desde Vd hasta Von se le denomina tfv
(tiempo de bajada de tensin o voltaje fall time). Las formas de onda durante el encendido del
interruptor quedan representadas en la figura 4.16a.

FIGURA 4.16: Curvas de intensidad, cada de tensin y potencia instantnea en un interruptor


controlable.

El tiempo de encendido viene dado, por tanto, por la suma de td(on), tri y tfv, esto es:

Durante el tiempo tc(on), que incluye el tiempo de subida de corriente tri y el tiempo de bajada
de tensin tfv, aparecen de forma simultnea corrientes y cadas de tensin apreciables en el
interruptor, por lo que la potencia disipada puede alcanzar valores elevados. As, la energa
disipada durante el encendido del interruptor, suponiendo lineales la subida de corriente y la
bajada de tensin, se calcula como:

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Se ha supuesto despreciable la potencia disipada durante el tiempo de retraso td(on). La


energa Wc(on) se corresponde con el rea rayada en la figura 4.16b.
Interruptor encendido
Una vez que el interruptor queda totalmente encendido, su cada de tensin vale Von y la
corriente que circula por l es I0. El interruptor permanece en este estado durante un tiempo
ton, generalmente mucho mayor que los tiempos de conmutacin de encendido y apagado. La
energa disipada en este tiempo ton vale:

Conmutacin de encendido a apagado


Desde el momento en que se aplica en el interruptor la seal conveniente para apagarlo hasta
que la tensin en el interruptor comienza a aumentar, transcurre un tiempo denominado td(off)
o tiempo de retraso en el apagado.
Durante un tiempo trv (tiempo de subida de tensin o time rise voltage) la tensin en el
interruptor crece hasta alcanzar su valor mximo de Vd. Una vez que la tensin ha llegado a
este valor mximo, el diodo entra en polarizacin directa y comienza a conducir. Esto origina la
disminucin de la corriente que circula a travs del interruptor, que se hace cero al cabo de un
tiempo tfi (tiempo de bajada de corriente o current fall time). As, el tiempo de apagado del
interruptor controlable viene dado por:

Durante el tiempo tc(off), que incluye el tiempo de subida de tensin trv y el tiempo de bajada
de corriente tfi, aparecen tensiones y corrientes apreciables en el interruptor, que pueden
originar importantes prdidas. La energa disipada en el apagado del interruptor, suponiendo
lineales la subida de tensin y la bajada de corriente, se calcula como:

Donde se supone despreciable la prdida de energa durante el tiempo de retraso td(off). La


energa Wc(off) se corresponde con el rea rayada en la figura 4.16b. Como puede observarse,
al ser el tiempo de apagado mayor que el de encendido, la energa disipada ser tambin
mayor.
Interruptor apagado
La corriente de fugas cuando el interruptor controlable est desactivado es tan pequea que se
puede despreciar. Por ello, cuando el interruptor se encuentra apagado, la energa disipada se
considera prcticamente nula.
Una vez analizados los distintos intervalos a que da origen la conmutacin peridica del
interruptor, se muestra en la figura 4.16b la potencia instantnea pT=(vT)(iT) disipada a lo largo
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71

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del periodo Ts. En ella se observa que los valores mximos de la potencia instantnea se
producen en la conmutacin. Como en cada periodo el interruptor se enciende y se apaga fs
veces, la potencia media disipada en las conmutaciones (Ps) se calcula como:

De la ecuacin 2.17 se deduce que la potencia perdida en la conmutacin del interruptor vara
linealmente con la frecuencia de la seal de control y con el tiempo de conmutacin. De esta
forma, si el tiempo de conmutacin es grande, se requiere una frecuencia pequea para evitar
grandes prdidas de potencia. Asimismo, si el tiempo que dura la conmutacin es pequeo,
podr aumentarse la frecuencia de conmutacin. Otra contribucin a las prdidas de potencia
es la que se origina cuando el interruptor se encuentra activado. Esta potencia media vara
linealmente con la tensin Von, como indica la ecuacin siguiente:

Por tanto, para minimizar el valor de Pon se debe procurar que Von sea lo ms pequeo
posible. En resumen, la potencia media PT disipada en un interruptor controlable viene dada
por la suma de la producida mientras que est en funcionamiento y la debida a las
conmutaciones:

Donde, como se apunt con anterioridad, se considera despreciable la potencia consumida por
el interruptor cuando est desactivado. As, atendiendo a las consideraciones anteriores, las
caractersticas deseables de los interruptores controlables son las expuestas a continuacin:

Pequea corriente de fugas cuando estn desactivados.

Pequea cada de tensin Von cuando estn activados.

Tiempos de encendido y apagado cortos, lo cual permitir su empleo a frecuencias altas de


conmutacin.

Capacidad para bloquear grandes tensiones directas e inversas. Con ello se elimina la
necesidad de conectar en serie varios dispositivos que requiere un sistema de control y
proteccin ms complejo.

Capacidad de conducir corrientes grandes, evitando as tener que disponer de varios


dispositivos conectados en paralelo, con los problemas de reparto de corriente que esto
supone.

Pequea potencia de control para activar y desactivar el interruptor, lo que simplifica


bastante el circuito de control.

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A continuacin se lleva a cabo una pequea introduccin de diferentes interruptores


controlables empleados en la electrnica de potencia. Entre ellos, se estudian aqu las
caractersticas generales de los BJTs y los MOSFETs, mientras que los GTOs se tratarn en el
siguiente captulo.
Se imponen los dispositivos MOSFETs, ya que poseen una mayor velocidad de conmutacin,
un rea de operacin segura ms grande y un funcionamiento ms sencillo, en aplicaciones de
reguladores de alta frecuencia y precisin para el control de motores.
Los GTOs son empleados con asiduidad en convertidores para alta potencia, debido a las
mejoras en los procesos de diseo y fabricacin que reducen su tamao y mejoran su
eficiencia. Aparecen los IGBTs, elementos formados por dispositivos Bipolares y dispositivos
MOS, estos dispositivos se ajustan mucho mejor a los altos voltajes y a las grandes corrientes
que los MOSFETs y son capaces de conmutar a velocidades ms altas que los BJTs.
Los IGBTs pueden operar por encima de la banda de frecuencia audible, lo cual, facilita la
reduccin de ruidos y ofrece mejoras en el control de convertidores de potencia. Mediados los
aos ochenta aparecen los dispositivos MCT que estn constituidos por la unin de SCRs y
MOSFETs.
Los transistores de potencia se clasifican en 4 tipos:
a)
transistores de unin bipolar (BJT: Bipolar junction transistors): se emplean en
convertidores de potencia con frecuencias menores que 10 Khz y se tienen de hasta
1200 V y 400 A.

Figura 4.17: Intervalos de potencia de los semiconductores comerciales (Rashid2004).

b)

transistores de efecto de campo de xido de metal semiconductor (MOSFET: Metal oxide


semiconductor field_effect transistors): se emplean en convertidores de potencia y se
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73

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disponen para bajas potencias de 1000 V y 100 A en el orden de decenas de Khz. El


COOLMOS es una nueva tecnologa para MOSFET de potencia con alto voltaje, tiene
menor resistencia en estado cerrado y maneja dos o tres veces ms potencia de salida
que el MOSFET.
c)

transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT: insulated-gate bipolar transistors): son


transistores de potencia de voltaje controlado. Son mas rpidos que los BJT y menos
rpidos que los MOSFET, pero ofrecen caractersticas de activacin y salida muy
superiores que los BJT. Son recomendados para alto voltaje, gran corriente y frecuencias
de hasta 20 Khz y se disponen hasta para 1700 V y 2400 A.

d)

transistores de induccin esttica (SIT: static induction trnasistors): Es de alta potencia y


alta frecuencia. Se disponen para 1200 V y 300 A y una velocidad de conmutacin de
hasta 100 Khz.

4.3

TRANSISTORES BIPOLARES (BJT)

Los transistores bipolares son el resultado de aadir una segunda regin P o N a la unin PN
de los diodos, dando lugar a transistores PNP o NPN. Estos transistores constan de tres
terminales denominados colector, emisor y base. La figura 2.12-a representa el smbolo de un
transistor bipolar NPN. Su curva caracterstica real v-i viene dada por la figura 2.12-b, y
representa la tensin colector- emisor vCE frente a la corriente a travs del colector iC para una
intensidad de base iB dada.
En estos transistores se distinguen tres regiones de operacin: regin de corte, activa y de
saturacin. En la regin de corte, la corriente de base es tan pequea que no permite el
encendido del transistor. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la
corriente por la base se amplifica por una ganancia y la tensin vCE entre el colector y el
emisor disminuye con la corriente de base. En la regin de saturacin, la corriente de base es
tan alta que la tensin entre el colector y el emisor es muy pequea. Por tanto, debido a que en
electrnica de potencia los transistores suelen trabajar a modo de interruptores, esto es, en las
regiones de saturacin y corte para los BJT, se emplea generalmente su curva caracterstica
ideal que aparece en 2.12-c.
La tensin de saturacin entre los terminales de colector y emisor vCE(sat) en estos
transistores se encuentra, generalmente, en el rango de V, por lo que las prdidas de potencia
en conduccin son muy pequeas. Para mantener en funcionamiento un transitor BJT, esto es,
para que fluya corriente por el terminal de colector, se requiere un suministro continuo de
corriente en la base. Debido a la dependencia de la corriente de colector con la intensidad de
entrada o de base, la ganancia de corriente depende fuertemente de la temperatura de la
unin. La ganancia de intensidad en corriente continua de estos transistores hFE vara en el
rango de 5 a 10 si el dispositivo es de alta potencia, por lo que a veces se requiere su conexin
en Darlington o en triple Darlington para incrementar esta ganancia (ver figura 2.13). Estos
montajes, sin embargo, ofrecen ciertas desventajas tales como una conmutacin ms lenta,
adems de una tensin vCE(sat) entre colector y emisor en saturacin ligeramente ms alta.
Los transistores BJT pueden trabajar con rangos de tensiones por encima de los 1400 V, y con
intensidades que alcanzan unos pocos de cientos de amperios.

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FIGURA 4.18: Transistor bipolar NPN: (a) smbolo, (b) curva i-v caracterstica, (c) curva ideal.

FIGURA 4.19: Configuraciones Darlington: (a) Darlington, (b) triple Darlington.

4.4. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (MOSFETs)


La figura 4.20a muestra el smbolo que representa a un transistor MOSFET de canal n. Su
curva caracterstica v-i real queda reflejada en la figura 4.20b.
Estos transistores constan de tres terminales: drenador, puerta y fuente. Como muestra la
figura 2.12-b, si la tensin entre los terminales de puerta y fuente vGS es lo suficientemente
grande, la intensidad a travs del drenador es muy elevada y el dispositivo siempre se
encontrar en funcionamiento. Si, por el contrario, la tensin vGS resulta ms pequea que un
valor umbral vGS(th), el transistor MOSFET se encontrar apagado. Las caractersticas ideales
de este dispositivo operando bajo las dos condiciones descritas, esto es, funcionando como un
interruptor, se muestra en la figura 4.20c.
Los transistores MOSFETs requieren para su funcionamiento la aplicacin permanente de una
tensin de magnitud apropiada entre sus terminales de puerta y fuente. Por el terminal de
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puerta no fluye corriente alguna, excepto durante las transiciones entre el encendido y apagado
y viceversa, en la que la capacidad de puerta se carga y se descarga. Estos tiempos de
conmutacin son muy cortos, comprendidos en el rango de unas pocas decenas de
nanosegundos a unos pocos cientos de nanosegundos, dependiendo del dispositivo.

FIGURA 4.20: Transistor MOSFET de canal n: (a) smbolo, (b) curva v-i caracterstica, (c) curva ideal.

Las prdidas originadas en la conmutacin de estos dispositivos son muy pequeas, debido a
la rapidez con que stas se producen. Sin embargo, no ocurre as con las prdidas en
conduccin.
Los transistores MOSFETs pueden emplearse con voltajes que exceden los 1000 V si la
corriente que circula por ellos es pequea, y con intensidades por encima de los 100 A si la
tensin en tambin pequea. El mximo voltaje entre la puerta y la fuente es de V, aunque su
control puede realizarse con tensiones vGS de 5 V.
Los transistores MOSFETs permiten fcilmente su conexin en paralelo, ya que su resistencia
en conduccin posee un coeficiente de temperatura positivo. Esto origina un calentamiento en
el dispositivo que conduce una corriente ms elevada, forzndolo al reparto equitativo de su
corriente con otro MOSFETs situado en paralelo.
Los BJTs y los MOSFETs poseen caractersticas que se complementan entre s en muchos
aspectos. As, los BJTs poseen menores prdidas en conduccin, pero poseen tiempos de
conmutacin mayores, especialmente durante el apagado del dispositivo. Los MOSFETs, sin
embargo, pueden encenderse y apagarse ms rpidamente, pero poseen mayores prdidas en
conduccin. Adems, la capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes
intensidades es mejor en los BJTs que en los MOSFETs.
4.5

TRANSISTOR IGBT
INTRODUCCION:
Durante muchos aos se a buscado la forma de crear un dispositivo que fuese lo
suficientemente veloz y que pudiese manejar grandes cargas pero han surgido nuevas ideas
con la unin de un MOSFET como dispositivo de disparo y un de dispositivo de potencia y de
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esta forma se lleg a la invencin del IGBT el cual se describe brevemente en esta seccin del
presente texto.
QUE ES EL IGBT:
La sigla IGBT corresponde a las iniciales de isolated gate bipolar transistor o sea transistor
bipolar de puerta de salida. El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que
combina los atributos del TBJ y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por
consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. El
smbolo ms comnmente usado se muestra en la figura. Al igual que el MOSFET de potencia,
el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el TBJ.
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es un dispositivo electrnico que generalmente se
aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control
de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando
una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.
El IGBT de la figura es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de
excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin
son como las del BJT. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz
y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones.
SIMBOLOGIA:
Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y
EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

FIGURA 4.20: Representacin simblica del transistor IGBT como BJT y MOSFET.

4.6: CONTENIDOS PRINCIPALES


1. Los diodos de potencia juegan un papel muy importante en los circuitos de electrnica de
potencia. Actan como interruptores, y son empleados en mltiples aplicaciones:
rectificadores, aislamientos, etc.
2. Los diodos de potencia pueden considerarse como ideales, aunque en la prctica existen
ciertas limitaciones a esta suposicin. Aunque su estructura consiste, al igual que en los
diodos ordinarios, en una unin PN, los diodos de potencia son capaces de conducir
mayores intensidades y bloquear mayores tensiones que los de pequea seal.
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3. Pueden distinguirse varios tipos de diodos, entre ellos los diodos Schottky, diodos de
recuperacin rpida y diodos de frecuencia de lnea.
4. Para el bloqueo de grandes tensiones inversas suelen emplearse varios diodos de potencia
conectados en serie. Si, por el contrario, se desea la circulacin de intensidades muy
elevadas, se emplea el montaje en paralelo de varios diodos de potencia. Para provocar un
reparto equitativo de la tensin a bloquear por los diodos o de la intensidad a conducir, se
aaden otros elementos al circuito tales como resistencias.
5. En este captulo se han analizado las caractersticas deseables para un interruptor
controlable, esto es, para aquellos interruptores de potencia en los que el encendido y el
apagado de los mismos se realiza mediante seales de control. Tambin se han presentado
las caractersticas principales de dos de ellos, en concreto de los BJTs y de los MOSFETs,
dejando el anlisis de los GTOs para un captulo posterior.
6. En aplicaciones en las que prime la velocidad en la conmutacin del interruptor controlable,
se emplean los transistores MOSFETs. Sin embargo, las prdidas en conduccin que
originan son mucho mayores que las que se producen en los transistores bipolares o BJTs y
su capacidad para bloquear grandes tensiones y conducir grandes intensidades son
tambin menores.

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CAPTULO 5

DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA:


Tiristores e interruptores semicontrolables
5.1

INTRODUCCIN

Un tiristor es un dispositivo de tres terminales y que al hacer pasar una pequea corriente a
travs de la compuerta, el tiristor conduce siempre en cuando el terminal del nodo tenga
mayor potencial que el ctodo. Se clasifican en once tipos:

Figura 5.1: Otros tipos de diodos y diversas configuraciones de tiristores (Rashid2004).

1) Tiristor conmutado forzado,


2) Tiristor conmutado por lnea,
3)

Tiristor de abertura de compuerta (GTO: gate-turn-off thyristor). Es un tiristor de


autoabertura y se activa o desbloquea mediante un pulso corto positivo o negativo en la
compuerta. Se tienen en el mercado hasta de 6000 V y 6000 A;

4)

Tiristor de conduccin inversa (RCT: reverse-conducting thyristor). Se usa en conmutacin


de alta velocidad, sobre todo en aplicacin de traccin. Es un tiristor con un diodo inverso
en paralelo y estn disponibles hasta para 4000 V y 2000 A y 800 A en conduccin inversa,
con un tiempo de conmutacin de 40 s.

5)

Tiristor de induccin esttica (SITH: static induction thyristor). Es equivalente a los GTO,
cuya capacidad puede alcanzar 1200 V y 300 A, se espera se apliquen en convertidores de
potencia intermedia y a frecuencias de varios cientos de Khz.

6)

Tiristor de abertura de compuerta asistida (GATT: gate-assisted turn-off thyristor). Es


equivalente a un RCT y se puede hallar disponible hasta para1200 V y 400 A con velocidad
de conmutacin de 8 s.
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7)

Rectificador fotoactivado controlado de silicio (LASCR: light-activated silicon-controlled


rectifier).

8)

Tiristor abierto por MOS (MTO: MOS turn-off). Es una combinacin del GTO y MOSFET y
supera la capacidad de abertura del GTO. Su estructura es parecida a la del GTO. Se
disponen hasta para 10 KV y 4000 A. Su uso vara entre 1 y 20 MVA.

9)

Tiristor abierto por emisor (ETO: emitter turn-off). Es un hbrido de MOS y GTO. Se tienen
hasta para 6000 V y 4000 A.

10)

Tiristor conmutado por compuerta integrada (IGCT: integrated gate-commutated thyristor).


En este dispositivo se integra un tiristor conmutado por compuerta (GCT) con un activador
de compuerta de tarjeta de circuito impreso. Un GCT es un GTO con conmutacin
permanente. El IGCT se enciende aplicando a su compuerta la corriente de cerrado y se
apaga por medio de una tarjeta de circuito activador de compuerta.

11)

Tiristor controlado por MOS (MCT: MOS-controlled thyristor). Se puede activar mediante un
pulso pequeo de voltaje negativo a la compuerta MOS (con respecto a su nodo), y se
puede desactivar con un pequeo pulso de voltaje positivo. Es como un GTO, excepto por
la ganancia de abertura que es muy alta. Se disponen hasta para 4500 V y 250 A.
Los tiristores son los dispositivos semiconductores de potencia ms antiguos y uno de los ms
empleados en la actualidad. En un primer momento se les denomin SCR (Semiconductor
Controlled Rectifiers) y surgieron a mediados del siglo XX como resultado de las
investigaciones llevadas a cabo en los laboratorios de investigacin de General Electric.
Los tiristores se comportan, de forma aproximada, como un diodo rectificador con iniciacin de
la conduccin controlada por un tercer terminal denominado puerta. Poseen casi todas las
ventajas de los diodos de silicio, como son el funcionamiento a temperaturas muy altas,
fiabilidad, robustez, etc. Presentan, adems, una disipacin pequea y, por tanto, un elevado
rendimiento, caracterstica fundamental en todo dispositivo semiconductor de potencia.
La importancia de los tiristores en los circuitos de electrnica de potencia reside en su
capacidad de bloquear grandes tensiones y conducir grandes corrientes. En este captulo se
estudia su estructura bsica, formas de funcionamiento y circuitos de proteccin de los tiristores
convencionales SCR. Tambin se analizan en detalle diversas variantes de los tiristores, en
concreto los denominados GTOs, TRIACs, SCSs y DIACs.
5.2 ESTRUCTURA BSICA DE UN TIRISTOR DE POTENCIA
En un sentido general, recibe el nombre de tiristor cualquier dispositivo con una estructura
PNPN.

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FIGURA 5.2: Seccin vertical de un tiristor.

La figura 5.2 muestra la seccin vertical de un tiristor, as como las dimensiones del ancho de
cada capa alternativa tipo P y tipo N y sus correspondientes densidades de dopado.
La capa andica P1 tiene un espesor relativo moderado y est muy dopada en la superficie
exterior para facilitar el contacto elctrico con el terminal metlico del nodo. La capa de
bloqueo N1 es la de mayor espesor y tiene una baja concentracin. La capa de control P2 es
ms estrecha que las anteriores porque debe permitir fcilmente la llegada a N1 de los
electrones emitidos por N2 en el estado de conduccin. La capa catdica N2 es la ms delgada
y se encuentra muy dopada para facilitar la emisin de electrones y el contacto elctrico con el
terminal metlico de ctodo.
En lo referente a las dimensiones laterales, los tiristores son de los dispositivos
semiconductores ms grandes. As, una oblea de silicio de 10 cm de dimetro puede
emplearse para fabricar un nico tiristor de alta potencia. La figura 5.3 muestra la vista en
planta de dos disposiciones diferentes (layouts) de los terminales de puerta y ctodo. La
disposicin con terminal de puerta distribuido se emplea en los tiristores de gran dimetro (10
cm), mientras que la disposicin con terminal de puerta localizado en el centro de la oblea se
emplea en tiristores de menor tamao. En general, esta disposicin de los terminales de puerta
y ctodo vara de unos tiristores a otros, en funcin de los siguientes factores:
Dimetro del tiristor.
Requerimientos en cuando a di/dt.
Velocidad de conmutacin requerida.

FIGURA 5.3: Diferentes disposiciones (layouts) de los terminales de puerta y ctodo en un tiristor.

La figura 5.4 muestra el smbolo que representa a un tiristor de potencia. Consta de tres
terminales: nodo, ctodo y puerta. El terminal de puerta es el terminal de control. Los sentidos
de las corrientes y de las tensiones consideradas como positivas quedan reflejadas de igual
forma en la figura 5.4.

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FIGURA 5.4: Smbolo de un tiristor de potencia.

Bsicamente, el funcionamiento de un tiristor es el siguiente: con la puerta en circuito abierto o


cortocircuitado al ctodo, el tiristor es capaz de bloquear tensin directa o inversa aplicada a los
terminales de nodo y ctodo hasta un cierto valor lmite. Con tensin positiva entre nodo y
ctodo, el tiristor entra en conduccin si se le aplica a la puerta un impulso de intensidad
adecuada, cayendo la tensin vAK a un valor muy pequeo (1 V aproximadamente). Este estado
se mantiene an en ausencia de la corriente de puerta gracias a un proceso interno de
regeneracin de portadores. Cuando las corrientes que circulan por el tiristor disminuyen por
debajo de cierto valor el tiristor pasa a estado de bloqueo.
5.3
CURVA CARACTERSTICA DE UN TIRISTOR DE POTENCIA
La figura 5.5 muestra la curva caracterstica de un tiristor de potencia, que viene dada en
funcin de la corriente iT que circula desde el nodo al ctodo frente a la tensin nodo-ctodo
vAK.

FIGURA 5.5: Curva caracterstica de un tiristor de potencia.

Como se observa en la figura 5.5, un tiristor en bloqueo inverso (v AK<0), al igual que ocurra con
los diodos, conduce una corriente muy pequea hasta que ste entra en avalancha. La mxima
tensin de trabajo -vRWM que el tiristor es capaz de soportar sin entrar en avalancha puede
alcanzar valores de hasta -7000 V.
Cuando el tiristor est directamente polarizado, esto es, v AK>0, se distinguen dos estados o
modos de operacin estables separados por uno inestable, que aparece como una resistencia
negativa en la curva vAK-iT. El primer estado estable se corresponde con la zona de bloqueo
directo, y se caracteriza por un elevado valor de la tensin nodo- ctodo y una pequea
intensidad iT. El segundo estado estable se corresponde con la zona de conduccin, y en l la
cada de tensin nodo-ctodo es muy pequea mientras que la intensidad que lo atraviesa
alcanza valores muy elevados. As, en este modo el tiristor puede conducir corrientes de hasta
2000 3000 A con una cada de tensin de slo unos pocos de voltios.
En la curva caracterstica de un tiristor (figura 5.5), es preciso definir ciertos valores
caractersticos de intensidad y tensin. As, la intensidad de mantenimiento I H (holding current)
se define como la mnima corriente que debe circular por el tiristor para que se mantenga en

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estado de conduccin. La tensin correspondiente a esta corriente v H, representa la mnima


cada de tensin en estado de conduccin.
En estado de bloqueo directo, se define la tensin de ruptura directa v B0 de un tiristor como la
tensin a partir de la cual, con una intensidad de puerta nula, el tiristor comienza a conducir. Si
se le aplica una intensidad de puerta al tiristor estando ste polarizado en directa, el tiristor
comenzar a conducir con un valor de vAK menor que vB0. Como se observa en la figura 3.4,
cuanto mayor sea la intensidad de puerta iG menor ser la tensin vAK necesaria para que el
tiristor entre en conduccin y cunto mayor sea esta tensin externa v AK aplicada al tiristor,
menor ser la corriente de puerta iG para dispararlo. En el momento en que el tiristor entra en
conduccin y para que quede efectivamente encendido, debe circular por l un corriente mayor
que la intensidad de enclavamiento IL (latching current). Una vez que el tiristor ha entrado en
conduccin, la cada de tensin en l es muy pequea (en torno a 1 V) y la elevada corriente
que lo atraviesa depende del circuito exterior.
La diferencia bsica entre los estados estables de conduccin y bloqueo en un tiristor es debida
a la densidad de corriente. As, la intensidad de mantenimiento marca el paso irreversible del
estado de conduccin a bloqueo directo. El paso contrario de bloqueo a conduccin consistir
en la creacin de las condiciones necesarias para que la densidad de corriente en algn punto
de la pastilla alcance un valor suficiente para que se mantenga el proceso regenerativo que
garantiza este estado. Esta zona inicial de conduccin se extender inmediatamente a toda la
pastilla si el circuito exterior permite la circulacin de intensidad suficiente.
La corriente de puerta que es necesario aplicar para disparar al tiristor no tiene que ser
continua, sino que basta con un pulso de corriente (de duracin mnima) para conseguir que el
tiristor entre en conduccin, mantenindose este estado gracias al proceso regenerativo. As, el
circuito de control slo consume potencia durante el proceso de disparo del tiristor y no durante
todo el tiempo de conduccin del mismo. Es precisamente la propiedad de los tiristores de ser
encendidos mediante pulsos de corriente de puerta la causa de la amplia difusin en el empleo
de estos dispositivos. El apagado de un tiristor se consigue a travs del circuito exterior, que
fuerza a que por el dispositivo circule una corriente menor que la intensidad de mantenimiento
IH durante un tiempo mnimo.
Sin embargo, se han desarrollado algunos diseos especiales de tiristores en los que se utiliza
el terminal de puerta para el apagado. Estos tiristores especiales se denominan GTO (Gate
Turn Off devices).
5.4
CARACTERSTICAS DE LOS TIRISTORES
A continuacin se exponen las caractersticas de los tiristores cuando entre nodo y ctodo
existe tensin positiva o negativa.
a) Bloqueo directo: vAK > 0.
Si la tensin en el nodo es mayor que la del ctodo, las uniones J1 y J3 se encuentran
directamente polarizadas (figura 5.4), por lo que la cada de tensin en ellas es prcticamente
nula. En cambio, la unin de control J2 se encuentra polarizada en inversa, es decir, toda la
tensin vAK aplicada en los terminales del tiristor cae en J2:
(5.1)

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Si en esta situacin de polarizacin directa la tensin v AK en los terminales del tiristor crece
mucho, la cada de tensin en J2 tambin aumentar y podra entrar en ruptura por avalancha,
provocando la entrada en conduccin del tiristor.
b)

Bloqueo inverso: vAK < 0.

Si la tensin aplicada al nodo es menor que la aplicada al ctodo, la unin de control J2 se


encuentra directamente polarizada, por lo que su cada de tensin es prcticamente nula. Las
uniones J1 y J3 se encuentran inversamente polarizadas, por lo que prcticamente toda la
tensin exterior aplicada al tiristor cae en estas uniones, esto es:
(5.2)
La unin catdica o unin J3 se encuentra muy prxima a las zonas ms dopadas, y por tanto,
con ms portadores que ofrecen una menor resistencia a la conduccin. Sin embargo, la unin
andica o unin J1 se encuentra prxima a las regiones menos dopadas con pocos portadores,
lo que supondr una mayor resistencia a la conduccin. As, la unin J1 es la que soporta casi
toda la tensin inversa exterior aplicada en los terminales de nodo y ctodo del tiristor.
(5.3)
Por tanto, las propiedades del tiristor en bloqueo inverso dependen casi exclusivamente de la
unin de nodo J1. De ah que se construyan las capas de nodo (capa P1) y de bloqueo (capa
N1) de gran espesor y poco dopadas en las proximidades de la unin, con el fin de conferirles
una alta resistencia a la conduccin.
5.5
FORMAS DE DISPARO DE UN TIRISTOR
Se denomina disparo de un tiristor al paso del estado de bloqueo al de conduccin de forma
estable. Ello requiere aumentar la corriente que pasa por el tiristor en estado de bloqueo
directo. Las cuatro formas de aumentar la intensidad de fugas en el tiristor cuando se encuentra
en bloqueo directo dan lugar a cada uno de los procedimientos de disparo de un tiristor, los
cuales se muestran a continuacin:
Disparo por una tensin vAK excesiva.
Disparo por impulso de corriente de puerta.
Disparo por derivada de tensin.
Disparo por luz.
El disparo real de un tiristor est causado muchas veces por la accin combinada de dos o ms
de los efectos citados y est influenciado por la temperatura de la unin, que si es elevada
facilita el disparo debido al enriquecimiento de portadores en las uniones por los pares
generados trmicamente.
5.5.1 DISPARO POR TENSIN EXCESIVA
Si la tensin vAK entre nodo y ctodo se acerca al valor de la tensin de ruptura directa v B0,
parte de los minoritarios que atraviesan la unin de control adquieren la energa suficiente para
generar por choque con la red cristalina nuevos pares electrn-hueco que pasan a engrosar la
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corriente en las zonas de bloqueo y de control. Estos nuevos portadores pueden, a su vez,
ocasionar la generacin de otros pares electrn-hueco, que da lugar a un aumento
considerable de la corriente de fugas al entrar la unin de control J2 en avalancha. Cuando
esta corriente de fugas alcanza un valor superior al de enclavamiento, el tiristor entra en estado
de conduccin y la tensin nodo-ctodo cae rpidamente al desaparecer la zona de carga
espacial en la unin de control (figura 5.6).

FIGURA 5.6: Disparo por tensin excesiva.

Esta forma de disparo raramente se emplea para pasar a un tiristor a estado de conduccin de
forma intencionada. Sin embargo, s se da de forma accidental o fortuita debido a
sobretensiones anormales en los equipos.
5.5.2 DISPARO POR IMPULSO DE PUERTA
El procedimiento normalmente empleado para disparar un tiristor consiste en aplicar en la
puerta un impulso positivo o entrante de intensidad mediante la conexin de un generador
adecuado entre la puerta y el ctodo, a la vez que se mantiene una tensin positiva entre
ambos terminales (vAK>0).
La figura 5.7 representa la parte de la pastilla que alberga el rea intermedia entre los
terminales de puerta y ctodo.

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FIGURA 5.7: Disparo por impulso de puerta: (a) Iniciacin del impulso de puerta,

(b) Terminacin del impulso de puerta.


Al iniciarse el impulso de intensidad de puerta i G (figura 5.7a), una nube de huecos h+ parten
del terminal de puerta a travs de la capa de control P2 en un recorrido lateral hacia la zona de
la unin del ctodo J3. Simultneamente, una nube de electrones se inyecta por la unin de
ctodo J3 en la capa de control P2 e inicia su recorrido lateral al encuentro de los huecos. Lo
mismo que stos, tienden a acercarse por difusin a la unin de control J2. Algunos de los
electrones son captados por su elevada barrera de tensin y se aceleran hacia la capa de
bloqueo N1, arrancando pares electrn-hueco por choque con los tomos de la red cristalina.
La velocidad de generacin de los pares electrn-hueco depende de:
La intensidad de puerta. Cuanto mayor sea la intensidad de puerta, ms huecos sern
inyectados en la capa de control P2, originando una mayor atraccin electrosttica que hace
que un mayor nmero de electrones cruce la unin de ctodo J3 y se generen ms pares
electrn-hueco.
La tensin vAK aplicada por el circuito exterior. Como la tensin entre nodo y ctodo v AK es
aproximadamente igual a la cada de tensin en J2, si v AK aumenta lo har la intensidad de
campo en la capa de control, por lo que la aceleracin con que los electrones cruzan la capa de
control J2 ser mayor, creciendo la probabilidad de generacin de pares electrn-hueco.
La temperatura. Cuanto mayor sea la temperatura mayor ser la energa de los electrones
para escapar de la red cristalina (mayor movilidad).
Los huecos generados se dirigen hacia la unin de ctodo J3 y a su llegada extraen una nube
de electrones por atraccin electrosttica, que a su vez se dirigir en parte a la unin de control
J2, pudiendo generar nuevos pares electrn-hueco o bien se recombinan en la capa catdica
N2. Un proceso anlogo ocurre con los electrones que cruzan la unin de control J2
dirigindose hacia la unin de nodo, y pueden generar ms pares electrn-hueco al cruzar J2.

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Los huecos generados realizan la misma misin que los huecos inyectados inicialmente por la
puerta, es decir, aumentar la corriente, por lo que se crea un rea local de conduccin en la
parte de la pastilla cubierta por el terminal de ctodo y vecina al terminal de puerta. Si la
densidad de corriente alcanzada es suficiente, esto es, si se ha producido una generacin
importante de pares electrn-hueco, la conduccin se mantiene independientemente del
impulso de puerta, y el rea de conduccin se extender a toda la pastilla siempre y cuando el
circuito exterior permita intensidad suficiente.
Los portadores inyectados por la corriente de puerta siguen teniendo influencia durante cierto
tiempo despus de la anulacin de la intensidad de puerta i G hasta que desaparecen por
recombinacin (figura 5.7b).
Si el circuito exterior fuerza un crecimiento muy rpido de la intensidad, puede darse el caso
que la densidad de corriente sea muy elevada en un punto aislado y se destruya el tiristor por
temperatura excesiva. De ah que el fabricante indique una derivada mxima permitida para la
intensidad de nodo al entrar conduccin y que no debe superarse en la prctica.
Para explicar de forma analtica el funcionamiento de un tiristor cuando se dispara por un
impulso de corriente, considrese el modelo de un tiristor representado como dos transistores
PNP y NPN conectados como indica la figura 5.8.

FIGURA 5.8: Representacin del tiristor como dos transistores.

Si la tensin entre nodo y ctodo vAK es lo suficientemente grande, los transistores Q1 y Q2 se


encuentran en activa. Si se aplica la ecuacin de Ebers-Moll Ic=IE+ICBO a ambos transistores,
donde ICB0 representa la corriente de fugas entre el colector y la base del transistor con emisor
a circuito abierto y cuyo valor es muy pequeo, se obtiene que:
(5.4)
(5.5)
De la figura 3.7, se extrae la expresin de la corriente de nodo como:
(5.6)
donde sustituyendo las expresiones 3.4 y 3.5 se obtiene que:
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(5.7)
Si se aplica por el terminal de puerta G una corriente de disparo de valor:
(5.8)
de donde:
(5.9)
e introduciendo la expresin 3.9 en la dada por 3.7 se obtiene que:
(5.10)

(1) y (2): ganancias de corriente.


Despejando el valor de IA de la ecuacin 5.10 queda que:

(5.11)
La ganancia de corriente de cada transistor depende de la corriente del emisor, por lo que:
(5.12)
(5.13)
Por tanto, si aumenta la corriente de puerta I G, por la frmula 5.11 aumenta la intensidad IA,
que a su vez provoca un aumento de las ganancias 1 y 2 (expresiones 5.12 y 5.13), por lo
que por la ecuacin 5.11 IA aumenta an ms su valor. Es decir, se produce una realimentacin
positiva o regenerativa. De esta forma, una vez disparado el tiristor por una pequea corriente
de puerta, la corriente se mantiene por un proceso de realimentacin positiva sin necesidad de
mantener dicha corriente de puerta.
5.5.3 DISPARO POR DERIVADA DE TENSIN
Si a un tiristor se le aplica un escaln de tensin positivo entre nodo y ctodo con un tiempo
de subida muy corto del orden de microsegundos (muy grande), los portadores sufren un
pequeo desplazamiento para poder hacer frente a la tensin exterior aplicada. No hay tiempo
para que se organicen las distribuciones de concentracin P y N y adquieran la situacin de
bloqueo directo, de forma que permanecen con el mismo perfil que en el caso de no
polarizacin pero desplazadas: la de huecos P hacia la unin catdica J3 y la de electrones N
hacia la unin andica J1.
Como consecuencia, la unin de control J2 queda vaca de portadores y se ensancha la zona
de carga espacial. Aparece en dicha unin una diferencia de potencial elevada que se opone a
la tensin exterior, y un campo elctrico que acelera a los minoritarios de las proximidades.
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stos atraviesan la unin de control J2 y arrancan por choque con la red cristalina pares
electrn-hueco, aumentando la intensidad de fugas. Si la corriente de fugas alcanza un valor
suficiente como para mantener el proceso regenerativo, el tiristor entrar en conduccin estable
y permanecer as aunque el escaln de tensin que lo dispar haya pasado. El circuito
exterior debe permitir la elevacin de la corriente de nodo por encima de la de enclavamiento.
Para producir el disparo de un tiristor por derivada de tensin bastan escalones de tensin de
un valor final bastante menor que el de la tensin de ruptura por avalancha, con tal de que el
tiempo de subida sea lo suficientemente corto. El valor de necesario depende tanto de la
tensin final como de la temperatura, siendo menor cuanto mayores sean aqullas.
Para explicar de forma analtica el funcionamiento del tiristor ante este tipo de disparo,
considrese igualmente el modelo de un tiristor representado como dos transistores PNP y
NPN conectados entre s. Como se observa en la figura 5.9, se han representado las
capacidades de las uniones, dada la gran importancia que poseen en el funcionamiento
transitorio del dispositivo.
Si el tiristor est en bloqueo directo (vAK>0) las uniones andica y catdica se encuentran
directamente polarizadas, en tanto que la unin de control J2 lo estar de forma inversa. Por
tanto, prcticamente toda la cada de tensin entre nodo y ctodo la soporta la unin de
control J2. De esta forma, si se aplica al tiristor una tensin entre nodo y ctodo que crezca de
forma muy rpida, tambin lo har de igual forma la tensin v J2. Como la expresin de la
intensidad iJ2 que circula por la unin de control J2 viene dada por:

(5.14)
Si dVJ2/di es grande, la corriente de fugas iJ2 por la unin de control J2 es tambin grande, por
lo que el tiristor entra en conduccin.

FIGURA 5.9: Representacin del tiristor como dos transistores con sus capacidades en las
uniones.

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Muchos circuitos someten a los tiristores a derivadas de tensin bruscas en funcionamiento


normal y sera indeseable el disparo en estas condiciones. Para aumentar la inmunidad del
tiristor a este fenmeno, muchos fabricantes utilizan una tcnica de construccin consistente en
cortocircuitar parcialmente las zonas de control y de ctodo, de forma que parte del exceso de
intensidad de fugas provocado por el escaln de tensin se deriva por el cortocircuito y no
provoca la inyeccin de electrones por el ctodo. En los tiristores ms pequeos donde la
puerta tiene bastante influencia en toda la pastilla, es aconsejable tambin conectar una
resistencia exterior entre la puerta y el ctodo para derivar parte de la corriente de fugas de la
unin de control.
De igual forma, valores de derivadas de tensin muy grandes no slo pueden causar un
disparo indeseable del tiristor, sino tambin provocar daos en el mismo. Por ello, el fabricante
define el valor mximo de que el tiristor es capaz de aguantar sin que entre en conduccin.
5.5.4 DISPARO POR LUZ
Existe un grupo de tiristores que se activan por pulsos de luz guiados por fibra ptica hacia una
zona especialmente sensible. A este grupo de tiristores se les denomina tiristores activados por
luz.
En estos tiristores, si incide luz de una longitud de onda apropiada, aumenta la generacin de
pares electrn-hueco en las uniones, por lo que la corriente de fugas en estado de bloqueo
directo alcanza un valor cada vez mayor hasta que origina la entrada en conduccin del tiristor.
Existen dos tipos de tiristores activados por luz: los de alta potencia, que se emplean en
aplicaciones de alta tensin tal como es el transporte de energa elctrica en corriente continua,
y los de baja potencia, que son los utilizados en los circuitos de control.
Un tiristor de potencia activado por luz tiene las siguientes caractersticas:
Aguanta hasta 4 KV de tensin.
Permite la circulacin de hasta 3 KA de corriente.
La cada de tensin en conduccin es de 2 V aproximadamente.
La potencia de disparo por luz es de 5 mW.
5.6
TIEMPOS DE ENCENDIDO DE UN TIRISTOR
En un tiristor en bloqueo directo, si se provoca la inicializacin de la conduccin por cualquiera
de los mtodos que se han expuesto con anterioridad, la intensidad de nodo aumenta y la
tensin entre el nodo y el ctodo disminuye con una velocidad que depende del propio tiristor
y del circuito exterior. Para estudiar el tiempo de encendido o de disparo de un tiristor se
supondr que la conduccin se ha iniciado con un impulso de puerta potente y rpido.
La figura 5.10 muestra las formas de onda de la intensidad i G aplicada a la puerta para
encender el tiristor y de la intensidad i T que circula por l. Como puede apreciarse, desde el
momento en que se aplica el impulso de puerta hasta que comienza a subir la intensidad del
nodo, transcurre un determinado tiempo, que se conoce como tiempo de retraso td (time
delay). As, el tiempo de retraso td se define como el intervalo de tiempo que transcurre desde
que circula el 10% de la corriente de puerta hasta que circula el 10% de la corriente final del
tiristor.
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Tras el tiempo td, la corriente por el tiristor comienza a subir. Se denomina tiempo de subida tr
(time rise) al tiempo que transcurre desde que circula el 10% de la intensidad por el tiristor
hasta que lo hace el 90% de la misma.
La suma de los tiempos td y tr se denomina tiempo de disparo del tiristor ton. De esta forma, el
tiempo de disparo de un tiristor ton ser el que transcurre desde que circula el 10% de la
corriente de puerta hasta el instante en que circula el 90% de la corriente final del tiristor. A la
hora de disear un circuito de disparo deben tenerse en cuenta las siguientes consideraciones:
La corriente de puerta al disparar el tiristor debe ser inicialmente grande. De esta forma, la
conduccin comenzar en una zona grande de la pastilla disminuyendo la densidad de
corriente. Adems, la potencia de pico disipada ser menor.
Una vez que el tiristor ha sido disparado no es necesario que circule corriente por la puerta,
debido a que la circulacin de corriente queda asegurada por un proceso de regeneracin
positiva. Adems, una circulacin continua de intensidad por la puerta producira un aumento
de las prdidas.

FIGURA 5.10: Formas de onda de las intensidades iT e iG.

Mientras que el tiristor est inversamente polarizado no debe circular corriente por la puerta,
ya que aumentara el nmero de portadores y, por tanto, la corriente de fugas, pudiendo
destruir al tiristor.
El ancho del impulso de corriente de puerta debe ser mayor que el tiempo necesario para que
la corriente de nodo alcance el valor de la corriente de enclavamiento. En la prctica, el ancho
del pulso de corriente se hace mayor que el tiempo de disparo del tiristor (ton). Ntese que un
mayor tiempo de disparo implica un mayor tiempo para que la corriente que atraviesa el tiristor
alcance el valor de enclavamiento.
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5.7
CARACTERSTICAS DE PUERTA
El circuito puerta-ctodo de un tiristor equivale al diodo P 2N2 en serie con la resistencia del
camino que los portadores deben recorrer lateralmente por la zona de control. Al contrario de lo
que sucede en un diodo normal, la dispersin de la curva v GK-iG de una a otra unidad de un
mismo tipo es muy grande, de forma que el fabricante proporciona curvas lmites dentro de las
cuales estar situada la caracterstica real del diodo en cuestin. La figura 5.11 muestra una de
estas curvas proporcionadas por un fabricante.
Los valores de la tensin vGK y de la intensidad iG que disparan al tiristor no dependen apenas
de la tensin nodo-ctodo para valores de sta suficientemente altos, pero s varan mucho
con la temperatura, necesitndose mayor tensin o intensidad cuanto menor sea aqulla. Esto
es debido a que la alta temperatura es una de las causas de generacin de pares electrnhueco.
Como el diseo de un circuito de puerta debe asegurar el disparo con un cierto impulso de
puerta y garantizar que no se produzca disparo entre los impulsos, el fabricante facilita para
cada tipo de tiristor los valores siguientes (figura 5.11):

FIGURA 5.11: Curva de la caracterstica de puerta de un tiristor.

VGK mxima SD: es la tensin puerta-ctodo mxima sin disparo del tirisor a una determinada
temperatura.
VGK mnima CD: es la tensin puerta-ctodo mnima con disparo del tiristor a una determinada
temperatura.

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IG mxima SD: es la intensidad de puerta mxima sin disparo del tiristor a una determinada
temperatura.
IG mnima CD: es la intensidad mnima de puerta con disparo del tiristor a una determinada
temperatura.
De esta forma, y como se aprecia en la figura 5.11, estos cuatro parmetros anteriormente
definidos dividen la grfica en tres reas: una superior de disparo seguro, una intermedia de
disparo incierto y otra inferior de disparo imposible o de no disparo.
El circuito de disparo puede reducirse a su equivalente Thvenin para determinar la recta de
carga sobre la curva caracterstica vGK-iG. La recta de carga debe pasar por la zona de disparo
seguro cuando se pretende iniciar la conduccin. Cuando el circuito de disparo se haya
desactivado, la recta de carga debe pasar por la zona de no disparo para asegurar que el
tiristor no entra en conduccin.
Existen unos lmites mximos de tensin puerta-ctodo y de intensidad de puerta que no deben
sobrepasarse para evitar el deterioro del tiristor. Asimismo, la potencia entregada al circuito
puerta-ctodo tiene unos lmites que varan con el factor de trabajo (duty ratio) de un tren de
pulsos, es decir, con la relacin entre la duracin de un impulso y el tiempo entre el comienzo
de dos impulsos consecutivos, expresada en tanto por ciento (figura 5.12). Se supone una
repeticin peridica de pulsos iguales.
Cuanto mayor sea el factor de trabajo menos potencia mxima podr consumirse en el circuito
de puerta-ctodo. Si la potencia consumida por el circuito de puerta-ctodo es muy grande, se
alcanza una temperatura muy alta que puede daar al tiristor.

FIGURA 5.12: Factor de trabajo.

5.8
BLOQUEO DE UN TIRISTOR. TIEMPO DE APAGADO
Cuando la corriente que circula por un tiristor se hace menor que la corriente de mantenimiento
IH, el tiristor deja de conducir al no poderse mantener el proceso regenerativo y entra en estado
de bloqueo. En este proceso, la puerta no tiene influencia apreciable, siendo el circuito exterior
de potencia el que fuerza la disminucin de la intensidad del nodo, ya sea de forma natural o
forzada.
En el bloqueo natural, el circuito de potencia provoca la disminucin de la intensidad en el
tiristor a un valor inferior a la de mantenimiento en el transcurso normal de funcionamiento. No
hace falta ningn circuito especial para provocar el apagado del tiristor.
En el bloqueo forzado, el circuito de potencia no provoca de forma natural el que la intensidad
por el tiristor se haga menor que la de mantenimiento, sino que es obligada mediante
componentes especiales. Estos circuitos llamados de conmutacin, estn formados por
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interruptores controlables, diodos auxiliares, tiristores auxiliares, bobinas y condensadores. En


una seccin posterior se tratarn estos circuitos de conmutacin con mayor detalle.
A continuacin se exponen los procesos internos que tienen lugar en un tiristor real cuando se
procede a su bloqueo.
En el momento en que el circuito exterior fuerza la anulacin de la corriente para apagar el
tiristor, existe un exceso de portadores en la unin que hace que comience a circular intensidad
en sentido inverso (figura 5.14). Esta corriente inversa circula por el tiristor durante un tiempo
t1. Al final de este tiempo los portadores son tan escasos que no puede mantenerse esta
intensidad inversa, comenzando a disminuir rpidamente al principio y lentamente despus,
despejando la zona de portadores al final de un tiempo denotado como t2. Al tiempo total
durante el cual circula intensidad inversa por el tiristor se le denomina tiempo de recuperacin
inversa trr (reverse recovery time), y equivale a la suma de los tiempos t1 y t2. Sin embargo, el
apagado de un tiristor requiere un tiempo mayor que trr.
De esta forma, el tiempo de apagado de un tiristor toff es el que transcurre desde que la
intensidad pasa por cero para hacerse negativa hasta que de nuevo se aplica una tensin
positiva vAK. El tiempo mnimo de apagado, denominado tiempo de desactivacin y que se
denota como tq, y debe ser proporcionado por el fabricante para cada dispositivo. As, si antes
de que transcurra este tiempo se aplica una tensin positiva v AK, aunque haya transcurrido el
tiempo trr an existen portadores libres en las uniones que harn entrar al tiristor en
conduccin.
Por tanto, para que un tiristor quede realmente apagado:
Debe transcurrir un tiempo mnimo tq desde que la corriente se anula hasta que de nuevo
pueda aplicarse tensin directa.
La velocidad de crecimiento dvAK/dt de la tensin directa aplicada debe ser menor que el lmite
especificado por el fabricante. Este lmite es de unos 100 V/s en tiristores de baja frecuencia y
de varios miles de voltios por microsegundo en los de alta potencia.
El tiempo de apagado es menor cuanto mayor es la tensin inversa aplicada, y tanto mayor
cuanto mayor es la derivada de tensin positiva al final del mismo. Aumenta con la temperatura
debido al aumento de pares electrn-hueco generados trmicamente, as como con la
intensidad que circula por el tiristor previa al proceso de bloqueo.
5.9
CIRCUITOS DE CONMUTACIN DE TIRISTORES
Como se expuso en la seccin anterior, existen circuitos de electrnica de potencia que en el
transcurso normal de funcionamiento hace que la intensidad que por l circula se haga menor
que la de mantenimiento IH, pasando el tiristor a estado de bloqueo sin necesidad de aadir
elementos adicionales. En tales circuitos se dice que el tiristor funciona con bloqueo natural. El
circuito de la figura 5.13 constituye un ejemplo.

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FIGURA 5.13: Circuito de bloqueo natural.

Sin embargo, en otras aplicaciones hacen falta elementos auxiliares en el circuito de potencia
para apagar el tiristor, es decir, para conseguir que la intensidad que por l circula se haga
menor que la de mantenimiento IH. Este proceso se conoce como bloqueo forzado del tiristor y
el circuito auxiliar que lo lleva a cabo recibe el nombre de circuito de conmutacin.
En un principio, cualquier combinacin de tiristor + circuito de conmutacin podra sustituirse
por un BJT (o un MOSFET), de forma tal que mientras se desee que est en conduccin se
mantendra la corriente en la base del BJT (o tensin en la puerta del MOSFET), y cuando se
desee su apagado se anulara dicha corriente de base (o dicha tensin de puerta).
Sin embargo, estos dispositivos no son capaces de soportar grandes tensiones e intensidades.
Por ello, muchos de estos circuitos emplean tiristores, ya que son los semiconductores que
ms potencia son capaces de aguantar.
Pero los tiristores son a la vez los dispositivos de potencia que ms tiempo de apagado
consumen, por lo que no resulta apropiado su empleo cuando la frecuencia de conmutacin es
muy elevada. As, por razones de coste, complejidad y prdidas asociadas a los circuitos de
conmutacin, en la actualidad los tiristores estn siendo sustituidos por dispositivos tales como
los BJTs y los GTOs, cada vez ms sofisticados y con mayor capacidad de soportar altas
potencias.

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FIGURA 5.14: Apagado de un tiristor real.

Un circuito de conmutacin presenta dos funciones principales:


Forzar a que la corriente que circula por el tiristor se anule.
Asegurar que el tiristor permanezca inversamente polarizado (vAK<0) por un tiempo mayor
que el tiempo de desactivacin del tiristor tq especificado por el fabricante.
En general, existen dos tipos de circuitos de conmutacin:
Circuitos de conmutacin por tensin o por impulso, que aplican de forma brusca una tensin
inversa al tiristor.
Circuitos de conmutacin por intensidad, que fuerza la anulacin de la corriente que circula
por el tiristor de forma suave.
A continuacin se analiza mediante un ejemplo el funcionamiento de cada uno de estos
circuitos de conmutacin. En el desarrollo del funcionamiento de estos circuitos se
considerarn los dispositivos semiconductores, las bobinas y los condensadores como ideales.

5.9.1 CIRCUITOS DE CONMUTACIN POR TENSIN


Los circuitos de conmutacin por tensin o por impulso tienen bsicamente la estructura dada
por la figura 5.15.

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FIGURA 5.15: Circuito de conmutacin por tensin.

Debido a la accin de un circuito no mostrado en la figura 5.15, el condensador se encuentra


inicialmente cargado a una tensin negativa, es decir:
(5.15)
Antes de cerrar el interruptor el tiristor se encuentra en estado de conduccin, por lo que su
cada de tensin es nula, y circula por l una intensidad constante de valor Id. El diodo, por el
contrario, se encuentra inversamente polarizado, cayendo en l una tensin de valor Vdc.
En el instante t=0 se cierra el interruptor, provocando la aparicin inmediata en el tiristor de una
fuerte tensin inversa de valor -V0. El exceso de portadores se elimina muy rpidamente y la
intensidad pasa a ser nula justo en t=0 (no ocurriendo as en un tiristor real). As, toda la
intensidad que circulaba por el tiristor pasa a circular por el condensador, que se carga
linealmente segn la expresin:
(5.16)
El diodo sigue sin conducir al estar polarizado en inversa, respondiendo su cada de tensin a
la ecuacin:
(5.17)
En el instante td en que la carga del condensador ha alcanzado el valor Vdc, el diodo queda
polarizado directamente, y comienza a conducir. La figura 5.16 muestra la evolucin de la
intensidad en el tiristor, as como las cadas de tensin en el condensador, el tiristor y el diodo.
Aunque se ha supuesto para el estudio del circuito de conmutacin que el tiristor se comporta
segn sus caractersticas ideales, debe tenerse en cuenta el tiempo que debe transcurrir desde
que la intensidad pasa por cero hasta que de nuevo se pueda aplicar una tensin positiva al
tiristor sin que ste se dispare.
Para el clculo del tiempo de apagado del tiristor considrese el tramo de las tensiones v AK y vC
comprendido entre t=0 y td (figura 5.16). En dicho tramo se cumple que:
(5.18)
Por lo que sustituyendo en 3.18 la ecuacin dada en 3.16, se obtiene que:

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(5.19)
Como en t=toff la tensin vAK vale cero, segn 3.19:
(5.20)
por lo que:
(5.21)
Para que el tiristor no vuelva a entrar en conduccin, el tiempo de apagado toff debe ser mayor
que el mnimo tq especificado por el fabricante. As, la capacidad del condensador y su carga
inicial deben ser elegidas de modo que se asegure el completo apagado del tiristor.
En los circuitos de conmutacin por tensin deben tenerse en cuenta las siguientes
consideraciones:

El condensador debe cargarse a la tensin -V0 antes de que el tiristor vaya a ser apagado
de nuevo.

La tensin inversa que soporta el diodo pasa de forma brusca de Vdc a (Vdc+V0) en el
momento de la conmutacin. Se requiere as de un diodo capaz de soportar este cambio
drstico de tensin.

El tiempo td viene dado en funcin de lo que el condensador tarda en cargarse desde -V0 hasta
Vdc. Como la intensidad del condensador se corresponde con la intensidad de carga, este
tiempo td depender de la carga.
5.9.2 CIRCUITOS DE CONMUTACIN POR CORRIENTE
Un circuito de conmutacin por corriente fuerza a que la intensidad que circula por el tiristor
disminuya hasta cero de forma suave, generalmente a travs de la accin oscilatoria de un
circuito LC. A continuacin se muestra el funcionamiento del circuito de conmutacin por
corriente como el que muestra la figura 5.17.
Antes de conectar el interruptor, el condensador se encuentra cargado a una tensin de valor
Vdc. El tiristor se encuentra en conduccin, circulando por l una intensidad constante Id y su
cada de tensin vale cero. La conduccin por la bobina es nula. Los diodos D1 y D2 estn
polarizados en inversa por lo que no conducen, y la cada de tensin vd vale Vdc. La
resistencia R se considera de valor muy elevado, por lo que no tiene influencia en el proceso de
conmutacin. En el instante t=0 se cierra el interruptor. A continuacin se analizan los distintos
intervalos a considerar en el proceso de conmutacin.
a) Intervalo de funcionamiento 0<t<t1
El circuito resultante en el intervalo de tiempo 0<t<t1 se muestra en la figura 3.17. Al cerrar el
interruptor comienza a circular corriente por la bobina. Debido a que la intensidad en la bobina
no puede variar bruscamente, el tiristor sigue conduciendo por lo que:

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FIGURA 5.16: Formas de onda en un circuito de conmutacin por tensin.

(5.22)
Como en este intervalo se cumple que:
(5.23)

(5.24)

FIGURA 5.17: Circuito de conmutacin por corriente.


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(5.25)

FIGURA 5.18: Circuito resultante en el intervalo de tiempo 0<t<t1.

Sustituyendo 5.23, 5.24 y 5.25 en 5.22 y resolviendo la ecuacin diferencial se obtiene la


expresin de la intensidad que circula por la bobina (ecuacin 5.26). Ntese que en t=0, la
intensidad iL es negativa respecto al sentido dibujado en la figura 5.18. El condensador y la
bobina se encuentran desfasados 90o, de forma que cuando el condensador suministra energa
la bobina la consume y viceversa.

(5.26)
Si se aplica la primera ley de Kirchoff al nudo A se obtiene que:
(5.27)
de donde la intensidad que circula por el tiristor vale:

(5.28)
As, al comienzo del intervalo, iT aumenta desde Id (valor que tena en t<0), se hace mxima
cuando iL pasa por su valor mnimo y luego comienza a disminuir.
La forma de onda de la tensin en el condensador se obtiene al resolver la integral definida en
5.25 (iC(t)=iL(t)), por lo que:
(5.29)
Mientras que el tiristor conduce, la pequea cada de tensin en l hace que D2 se mantenga
polarizado en inversa. Cuando la intensidad que circula por el tiristor se hace nula, ste se
apaga y D2 entra en conduccin. sto tiene lugar en el instante de tiempo t1 que marca el final
de este intervalo de funcionamiento, y que vale:
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(5.30)
b) Intervalo de funcionamiento t1<t<t2
Al entrar en conduccin D2 en el instante de tiempo t1, la pequea cada de tensin en el diodo
(aproximadamente 0.7 V en un diodo real) mantiene una pequea tensin negativa en el tiristor
(recurdese que para apagar un tiristor se requiere mantenerlo a tensin inversa durante un
cierto tiempo para evitar que vuelva a entrar en conduccin). El circuito equivalente en este
intervalo de tiempo se muestra en la figura 5.19.

FIGURA 5.19: Circuito resultante en el intervalo de tiempo t1<t<t2.

El circuito oscilatorio en este intervalo coincide con el del intervalo de tiempo anterior, por lo
que las formas de onda de la intensidad a travs de la bobina y de la tensin en el condensador
continan siendo las mismas. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nudo A se obtiene la
expresin de la intensidad iD2, de valor:
(5.31)
Donde iL(t) viene dada por la ecuacin 5.26. En el momento en que iL(t) vuelva a valer Id, lo cual
ocurre en el instante t2, segn 5.31 la intensidad por el diodo D2 pasa a valer cero (D2 off). El
estado del circuito cambia de nuevo.
c) Intervalo de funcionamiento t2<t<t3
La figura 5.20 muestra el circuito resultante en este intervalo de tiempo. La intensidad que
recorre la bobina y el condensador es constante y de valor Id, por lo que la tensin en la bobina
es cero en este perodo (vL(t)=L(diL/dt)).
El condensador se carga linealmente desde el valor que tena en t 2 hasta Vdc, segn la
expresin:
(5.32)

FIGURA 5.20: Circuito resultante en el intervalo de tiempo t2<t<t3.


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101

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En t=t2, la cada de tensin en el tiristor T cambia de forma brusca desde su valor 0.7 V para
tiristores reales (0 V para los ideales) hasta vc(t=t2). A partir de aqu la tensin en l aumenta
linealmente en la misma medida en que lo hace vc (recurdese que la tensin en la bobina vale
cero en el intervalo).
En t=t3 la tensin en el diodo ha alcanzado el valor Vdc, por lo que vd(t) vale cero y el diodo D1
comienza a conducir.
d) Intervalo de funcionamiento t3<t<t4
La figura 5.21 muestra el circuito que resultante en este intervalo de tiempo. La intensidad Id
que antes slo circulaba por la bobina (y el condensador) comienza ahora en parte a recorrer el
diodo D1, esto es:
(5.33)
Como la intensidad en la bobina no puede variar bruscamente, comienza a disminuir hasta
hacerse cero. Al mismo tiempo el condensador sigue cargndose, ya que aumenta la
circulacin de corriente en el sentido fijado por la bobina. As, en t=t4 la carga en el
condensador es mayor que Vdc.
En el instante t=t4 se abre el interruptor y el condensador comienza a descargarse a travs de
la resistencia R. Si se requiere descargar el condensador en un tiempo menor es necesario
emplear otro sistema para acelerar la descarga.

FIGURA 5.21: Circuito resultante en el intervalo de tiempo t3<t<t4.

La figura 5.22 muestra la evolucin de la tensin en el condensador, tensin en el tiristor,


intensidad en el tiristor e intensidad en la bobina en el intervalo de tiempo comprendido entre
t=0 y t=t4. Algunas consideraciones a tener en cuenta en este tipo de circuitos de conmutacin
son las siguientes:
El condensador ha de descargarse a la tensin Vdc antes de cerrar de nuevo el interruptor. Si
el tiempo entre disparos es lo suficientemente grande, puede bastar la resistencia para llevar a
cabo la descarga. Si no es as, se necesita de algn circuito adicional para la descarga en el
tiempo que requiera la frecuencia entre disparos.
El tiristor est sometido a un aumento brusco de la tensin en t=t2. Debido a esta derivada de
tensin har falta un circuito de proteccin (snubber) para evitar el disparo del tiristor.

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La mayora de los circuitos de conmutacin por intensidad tienen un diodo en antiparalelo con
el tiristor, con lo que la cada de tensin inversa aplicada al tiristor al apagarlo es pequea
(cada de tensin en el diodo cuando est en conduccin). De ah que este tipo de circuitos
resulte especialmente apropiado para la conmutacin de tiristores asimtricos, que son
capaces de aguantar muy poca tensin inversa.
El tiempo durante el cual se aplica al tiristor una pequea tensin inversa depende de la
intensidad de carga Id.
5.10 MEJORA DEL VALOR MXIMO DE di/dt
Al disparar un tiristor, la corriente mxima que circula por l depende del circuito de potencia.
La conduccin comienza en una pequea zona de la pastilla y soporta toda la corriente que
pasa por el circuito de potencia. Si la corriente que circula en esta pequea zona es elevada la
densidad de corriente tambin lo ser, por lo que se origina un calentamiento excesivo que
puede ocasionar la destruccin del tiristor.

FIGURA 5.22: Formas de onda en un circuito de conmutacin por corriente.


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Esta circunstancia obliga a limitar el aumento de la corriente que pasa por el tiristor al
comenzar la conduccin. As, si la corriente que circula por el tiristor en el momento de ser
disparado aumenta lentamente, sta puede extenderse por toda la pastilla sin que se originen
puntos calientes que destruyan al tiristor por sobrecalentamiento. La clave para aumentar el
valor de di/dt que puede soportar un tiristor consiste en aumentar el rea en la que comienza la
conduccin, esto es, la zona del ctodo ms prxima a la puerta.
Una manera de hacer mayor el rea en la que comienza la conduccin es aumentar la corriente
de puerta introduciendo ms huecos, ya que si la avalancha de huecos es mayor, la conduccin
se extiende a todo el ctodo ms rpidamente. El inconveniente de esta tcnica reside en el
aumento del consumo del circuito de puerta, ya que es ste el encargado de suministrar la
corriente.
Sin embargo, mediante el empleo de un tiristor secundario o piloto, puede conseguirse una
corriente de puerta elevada sin necesidad de aumentar la potencia del circuito de puerta. Es
ms, a menudo dicho tiristor piloto se presenta integrado en la misma oblea que el tiristor
auxiliar (figura 5.23).

FIGURA 5.23: Tiristor piloto.

Otra forma de conseguir aumentar el rea inicial de conduccin es mediante una disposicin
(layout) de terminal de puerta distribuido. Con esta disposicin, la periferia ctodo-puerta
aumenta con respecto a la de su disposicin habitual. Cuanto mayor sea el permetro de la
puerta, mayor es la zona del ctodo prxima a la puerta y, por tanto, mayor la zona de la oblea
donde comienza la conduccin.
Por otro lado, el empleo de un layout con terminal de puerta distribuida disminuye el tiempo de
apagado del tiristor. As, si se consigue que haya una corriente de puerta negativa en el
momento de apagar el tiristor, el exceso de portadores se elimina ms rpidamente, dejando
antes de conducir. La figura 5.24 muestra la forma de conexin del tiristor piloto para lograr el
doble objetivo de aumentar el rea de la pastilla donde comienza la conduccin y disminuir el
tiempo de apagado del mismo.

FIGURA 5.24: Tiristor con apagado asistido por puerta (GATT).


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5.11 CIRCUITOS DE PROTECCIN: SNUBBERS


Como se cit con anterioridad, un tiristor puede entrar en conduccin de forma accidental
cuando la derivada de tensin dvAK/dt resulta muy elevada. De igual forma, si cuando se
dispara un tiristor la corriente que circula por l aumenta muy rpidamente, esto es, di/dt es
muy grande, ciertos puntos aislados del dispositivo podran conducir mucha corriente, con la
consiguiente elevacin de la temperatura. sto puede provocar la destruccin del tiristor por
excesivo calentamiento de zonas localizadas. Por todo ello, se requiere el diseo de circuitos
de proteccin que limiten las derivadas de tensin dvAK/dt y de intensidad di/dt. Estos circuitos
reciben el nombre de snubbers. As, entre los circuitos de snubbers pueden distinguirse dos
tipos bsicos:
Aquellos que controlan el transitorio de apagado controlando el crecimiento de la tensin entre
nodo y ctodo vAK (snubber de apagado). Como elementos almacenadores de energa
emplean condensadores, ya que la tensin en estos componentes no puede variar
bruscamente.
Aquellos que controlan el transitorio de encendido controlando la velocidad de crecimiento de
la corriente que atraviesa el tiristor (snubber de encendido).
Emplean bobinas como elementos almacenadores de energa, ya que la intensidad en ellas no
puede variar de forma brusca. A continuacin se explica el funcionamiento bsico de cada uno
de estos circuitos de proteccin.
5.11.1 SNUBBERS PARA EL CONTROL DE dvAK/dt
El apagado de un tiristor no es un proceso controlable de forma externa mediante el circuito de
control. Para apagarlo, el circuito al que el semiconductor est conectado debe provocar que la
intensidad que circula por l sea menor que la intensidad de mantenimiento (tpicamente se
supone igual a cero).
Pero no slo eso: desde el instante en que se anula la intensidad que circula por el tiristior
hasta que realmente puede aplicarse una tensin v AK>0 sin riesgo de que el tiristor se encienda
de nuevo de forma accidental, debe transcurrir un tiempo mnimo tq especificado por el
fabricante. Adems, al aplicar una tensin vAK>0, la velocidad de crecimiento de sta debe
mantenerse por debajo de un lmite, tambin especificado por el fabricante, pues en caso
contrario se disparar por derivada de tensin. Para limitar el crecimiento de la tensin se
emplean circuitos del tipo RC (figura 5.25).
Cuando el tiristor T est apagado, el condensador Csnubber se carga a travs de la resistencia
en serie. Justo en el momento en que el tiristor se dispara, el condensador se descarga a
travs de l.

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FIGURA 5.25: Snubber de apagado.

El valor de Rsnubber debe ser lo suficientemente grande como para limitar la corriente que pasa
por T en el momento en que ste entre en conduccin, ya que por l no slo circular la
corriente procedente del condensador, sino tambin la que le llega a travs del circuito de
potencia. Sin embargo, un valor de Rsnubber muy elevado provocara un aumento de la tensin
vAK excesivamente lento que perjudicara al circuito de potencia. Por ello, resulta conveniente
el empleo de un diodo D en paralelo con una resistencia R1 segn alguna de las
configuraciones mostradas en la figura 5.26. Por otro lado, el valor del condensador C snubber
debe ajustarse de forma tal que cumpla que la derivada de tensin dv AK/dt sea menor que la
mxima especificada por el fabricante.
5.11.2 SNUBBERS PARA EL CONTROL DE di/dt
Para evitar que al entrar en conduccin el tiristor la corriente que circula por l crezca muy
rpidamente y originen puntos calientes que provoquen la destruccin del semiconductor, se
conecta en serie con el tiristor una inductancia. El valor de L debe elegirse de forma tal que
cumpla que la derivada de intensidad di/dt sea menor que la especificada por el fabricante.
Sin embargo, esta configuracin, adems de limitar la velocidad de aumento de la corriente
el proceso de encendido (que es el objetivo que se persigue), tambin limita la velocidad
disminucin de la misma en el proceso de apagado. sto ltimo puede resultar
inconveniente. Para evitarlo, resulta apropiado emplear el circuito de proteccin que
presenta en la figura 5.27.

en
de
un
se

Normalmente no preocupa demasiado el proteger contra grandes derivadas de corriente, ya


que el propio circuito de potencia al que est conectado el tiristor posee inductancias parsitas
procedentes de las fuentes, de las propias conexiones, etc., que hacen el papel de un snubber.
Estas inductancias parsitas provocan que la corriente que circula por el tiristor no aumente ni
disminuya de forma brusca.

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FIGURA 5.26: Otras configuraciones de snubbers de apagado.

FIGURA 5.27: Snubber de encendido.

5.12 GTO
En muchos aspectos, los tiristores pueden considerarse como interruptores ideales en
aplicaciones de electrnica de potencia. As, pueden bloquear grandes tensiones directas o
inversas cuando estn apagados y conducir grandes corrientes con una cada de tensin de
unos pocos de voltios cuando estn activados. Adems, se puede controlar su encendido a
travs de una seal de control aplicada por el terminal de puerta.
Sin embargo, el gran inconveniente de los tiristores es la imposibilidad de regular el momento
de apagado a travs de una seal de control adecuada. Para poder incluir esta capacidad se
requieren realizar ciertas modificaciones en el diseo de los tiristores. A continuacin se
describen la estructura y el modo de funcionamiento de estos tiristores con la capacidad de
apagado mediante la aplicacin de una seal de control por el terminal de puerta y que reciben
el nombre de GTOs (Get Turn Off Thyristors).
5.12.1 ESTRUCTURA BSICA DE UN GTO Y CURVA CARACTERSTICA
Los GTOs surgen de la necesidad de disponer de un dispositivo que, funcionando de igual
forma que un tiristor, permitiera su apagado mediante el suministro de una corriente negativa
por el terminal de puerta. Esta posibilidad se logra al modificar la geometra de la zona de
puerta de forma tal que la influencia de sta sobre el resto de la pastilla es mayor que en el
tiristor convencional. Para ello, se ramifica el ctodo por gran parte de la zona de puerta,
quedando los terminales de puerta y ctodo altamente interceptados. As, cuando se polariza
inversamente la puerta se extrae ms fcilmente los portadores que saturan la unin de control,
cesando el proceso regenerativo que mantiene el estado de conduccin.
La figura 5.28 muestra la seccin vertical de un GTO. ste mantiene la estructura bsica de
cuatro capas del tiristor, aunque el ancho de la capa P2 es generalmente algo mayor en ste
ltimo que en el GTO.

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FIGURA 5.28: Seccin vertical y vista en perspectiva de un GTO.

El smbolo de un GTO es el indicado en la figura 5.29.

FIGURA 5.29: Smbolo de un GTO.

En general, pueden distinguirse dos grandes tipos de GTOs:


GTO convencional.
GTO con cortocircuito de nodo, ms utilizado en la prctica.
5.12.2 GANANCIA DE APAGADO DE UN GTO
El modo de operacin bsico de un GTO apenas difiere del de un tiristor convencional. La
diferencia principal entre ambos dispositivos radica en las modificaciones efectuadas en la
estructura del GTO para poder realizar su apagado a travs del terminal de puerta.
Para estudiar la diferencia estructural de un GTO y los compromisos a adoptar para su correcto
diseo y funcionamiento, se analizar a continuacin las condiciones de apagado del modelo
de un GTO (tiristor con intensidad de puerta saliente) implementados como dos transistores
segn la disposicin que refleja la figura 5.30.
Si la tensin entre nodo y ctodo v AK es positiva y suficientemente grande, los transistores Q1
y Q2 se encuentran trabajando en su regin activa. As, despreciando las corrientes ICB0 y
aplicando la ecuacin de Ebers Moll se obtiene que:
(5.34)
(5.35)
Por otro lado, de la figura 5.30 se obtienen las siguientes relaciones:

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(5.36)
(5.37)

FIGURA 5.30: Modelo de un tiristor como dos transistores.

Si se introduce la expresin 5.35 en 5.37:


(5.38)
se obtiene la ecuacin que cumple Q2 cuando est en su regin activa (ecuacin 5.39). por
tanto, en caso que la intensidad de base IB2 se hiciera menor que este valor, el transistor Q2
pasara a su estado de corte. Esto es, la condicin para que Q2 deje de conducir viene dada
por la siguiente relacin:
(5.39)
Por otro lado, sustituyendo la expresin 3.36 en 3.39:
(5.40)
y teniendo en cuenta que:
(5.41)
Introduciendo 5.41 en 5.40 se obtiene la condicin que debe cumplir la intensidad negativa I GR a
aplicar en el terminal de puerta de un GTO para que el transistor Q2 entre en estado de corte.
Como se observa, la intensidad IGR depende de forma directa de la corriente IA que se pretende
apagar.

(5.42)
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La ganancia de apagado definida como:

(5.43)
No ofrece una respuesta simple de cunta corriente negativa de puerta es necesario aplicar
para apagar un cierto valor de corriente de nodo, debido a que la ganancia de los
transistores es funcin de la corriente del emisor IE, y por tanto de IA.
Para conseguir valores grandes de la ganancia de apagado, 2 debe hacerse tan prxima a la
unidad como sea posible, de la misma forma que 1 debe acercarse a cero. De esta forma se
siguen manteniendo las caractersticas deseadas de pequea cada de tensin en conduccin
y bloqueo de grandes tensiones en estado de apagado. Como el parmetro de cada
transistor es funcin de la geometra del mismo (=f(W/L)), en la construccin de un GTO la
profundidad de las capas es diferente de las de un tiristor convencional, as como la cada de
tensin que soporta, que es ligeramente mayor en aqul que en ste.
5.12.3 CARACTERSTICAS DE DISPARO DE UN GTO
Consideraciones en el encendido Como consecuencia de la geometra de un GTO,
considerado como un tiristor convencional con un nodo y muchas islas ctodos, al encenderlo
mediante un impulso positivo de puerta se inyectan huecos h+ en muchas zonas del mismo. De
esta forma, la conduccin comenzar en muchas reas de la pastilla al mismo tiempo,
creciendo la corriente de forma muy rpida, esto es, la derivada de intensidad di/dt resulta
elevada.
As, si este valor es demasiado grande en ciertos puntos de la pastilla, el GTO puede destruirse
por sobrecalentamiento. Se requiere, por tanto, proteger al GTO contra grandes derivadas de
corriente, para lo que se emplean los Snubbers de encendido.
Encendido de un GTO
Al igual que ocurre con un tiristor convencional, para llevar a cabo el encendido de un GTO es
necesario aplicar una determinada corriente entrante por la puerta. Sin embargo, en el
encendido de un GTO la corriente mxima por la puerta I GM y la velocidad de variacin de dicha
corriente al principio de la conduccin deben ser lo suficientemente grandes como para
asegurar que la corriente circula por todas las islas ctodo (figura 5.31). Si esto no fuese as y
slo algunas islas ctodo condujeran, la densidad de corriente en estas islas sera tan elevada
que el excesivo calentamiento en zonas localizadas podra provocar la destruccin del
dispositivo.

FIGURA 5.31: Intensidad de puerta en el encendido de un GTO.

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Del mismo modo, como muestra la figura 5.31, se requiere mantener una pequea corriente i G
durante todo el tiempo que se desee que el GTO conduzca, y evitar as que alguna isla se
apague de modo accidental. Si la corriente de puerta se hace cero una vez que el tiristor ha
entrado en conduccin y la corriente que circula desde el nodo hasta el ctodo (y que
depende del circuito exterior) disminuye lo suficiente, algunas islas ctodos podran dejar de
conducir. De igual forma, si por accin del circuito exterior la corriente de nodo volviera a
aumentar slo conduciran aquellas islas ctodo que no se apagaron. La densidad de corriente
de estas islas es muy alta y el excesivo calentamiento, localizado en algunos puntos, podra
destruir al GTO.
Consideraciones en el apagado Al comenzar a circular corriente positiva por la puerta, la
corriente de nodo a ctodo se concentra en las zonas situadas entre los terminales de puerta,
aumentando la densidad de corriente en estas zonas (figura 5.32). De esta forma, el GTO no
comienza a apagarse hasta que la corriente de nodo a ctodo ha quedado reducida a
pequeos filamentos entre los terminales de puerta. Entonces la tensin vAK, hasta entonces
muy pequea al estar el GTO en funcionamiento, comienza a aumentar. Como la gran
densidad de corriente que circula por estos pequeos filamentos podra ocasionar su
destruccin, se utiliza un condensador Snubber en paralelo con el GTO, que ofrece a la
corriente un camino alternativo por donde circular. As, cuando vAK comienza a aumentar el
condensador comienza a cargarse, por lo que parte de la corriente que circulaba por el GTO lo
hace ahora por el condensador.
Como consecuencia de que al apagar un GTO la corriente que circula desde el nodo hasta el
ctodo se concentra en las zonas entre los terminales de puerta, la corriente de puerta debe
circular lateralmente en la capa P2 (figura 3.31). Esta circulacin lateral de corriente provoca la
aparicin de una cada de tensin lateral denominada vL desde la zona de ctodo, donde se
concentra la corriente de nodo a ctodo, hasta la zona de terminal de puerta.
Si vL se hace lo suficientemente grande (tpicamente 10 V), la unin J3 podra entrar en ruptura
por avalancha. Si sto ocurriese, un aumento de la corriente de puerta se desplazar hacia la
zona de avalancha de J3, lo que no contribuye al apagado del GTO.

FIGURA 5.32: Apagado de un GTO.

Por ltimo, observar que la corriente de puerta negativa que se emplea para apagar un GTO se
encuentra limitada por la relacin entre IG e IA segn OFF:

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(5.44)
Apagado de un GTO
En un GTO, la ganancia de corriente de apagado OFF es pequea, oscilando entre los valores
de 3 a 5. Afortunadamente, esta corriente en el circuito de puerta slo se requiere durante un
tiempo pequeo. A continuacin, se detalla el funcionamiento del circuito de la figura 5.33 y que
representa el apagado de un GTO provisto de Snubber. Las formas de onda de la tensin v AK,
as como de las intensidades iG e iT se muestran en la figura 5.34.

FIGURA 5.33: Circuito de GTO con snubber.


El intervalo de tiempo t1 recibe el nombre de tiempo de almacenamiento. En l, la regin de
puerta se vaca de portadores y al final del mismo la intensidad de nodo comienza a disminuir.
El intervalo de tiempo t2 recibe el nombre de tiempo de cada y en l la corriente iT comienza a
disminuir. La diferencia entre I0 e iT pasa al condensador. Debido a la inductancia parsita, se
observa un pequeo pico en vAK. Al final de este intervalo, el exceso de portadores ha sido
eliminado.
El intervalo de tiempo t3 se define como aqul que transcurre desde que iT se hace
prcticamente cero hasta que vAK se estabiliza a su valor. Este tiempo viene determinado por
la intensidad de nodo que se debe bloquear, y depende del valor del condensador, que define
el ritmo de subida de vAK. Este tiempo t3 no debe ser inferior a un cierto valor, debido a que
una disipacin prcticamente instantnea puede destruir al dispositivo. Adems, durante un
tiempo continua circulando una pequea corriente de nodo denominada corriente de cola,
debida a la pequea carga an remanente entre las uniones N1 y P2. Si el tiempo durante el
cual circula esta corriente es muy grande se origina una gran disipacin de potencia.

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FIGURA 5.34: Formas de onda en el apagado de un GTO con snubber.

GTO con cortocircuito de nodo


Este tipo de GTO se caracteriza por la introduccin de zonas P1 en la capa N1 que se
cortocircuitan al terminal de nodo (figura 5.35).
Un GTO con cortocircuito de nodo posee un tiempo de apagado menor que un GTO normal.
Como contrapartida soporta menos tensin inversa (de 20 a 30 V tpicamente) debido a la gran
densidad de dopaje a ambos lados de la unin J3. As, si en el apagado de un GTO
convencional se extrae corriente por la puerta, en el de un GTO con cortocircuito de nodo la
propia estructura N2P2N1 hace que se pierdan las propiedades regenerativas de los tiristores
PNPN. Por ello, el tiempo de apagado es menor.

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FIGURA 5.35: GTO con cortocircuito de nodo.

Por otro lado, al cortocircuitar P1N1, la tensin en la unin J1 vale cero, por lo que al someter al
GTO a bloqueo inverso toda la tensin cae en J3. Como esta unin est muy dopada es capaz
de bloquear menos tensin inversa que los GTOs convencionales.
5.13 El TRIAC
Debido al auge alcanzado por los tiristores en la electrnica de potencia, comenz a
investigarse sobre otro tipo de tiristor para la conduccin controlada en circuitos de corriente
alterna. De esta forma nace el triac (TRIode AC semiconductor) capaz de bloquear tensin y
conducir corriente en ambos sentidos entre los terminales T1 y T2 (debido a su carcter
bidireccional desaparecen los trminos de nodo y ctodo). Su estructura bsica, smbolo y
curva caracterstica aparece en la figura 5.36.
El triac es un componente simtrico en cuanto a la conduccin y estado de bloqueo se refiere,
ya que las caractersticas en el cuadrante I de la grfica v-i (figura 3.35) son iguales a las del
cuadrante III. Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin
prcticamente iguales a las de un tiristor convencional. Adems, el hecho de que entre en
conduccin si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido lo hace inmune a la
destruccin por sobretensin.
Como se observa en la figura 5.36, la estructura de un triac tiene seis capas, aunque funciona
siempre como un tiristor de cuatro. En el sentido T2-T1 conduce a travs de P1N1P2N2, y en
sentido T1-T2 lo hace a travs de P2N1P1N4. La capa N3 facilita el disparo con intensidad de
puerta negativa. Lo complicado de su estructura hace que soporte menos derivada de tensin e
intensidad, y posea una menor capacidad para soportar sobreintensidades.

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FIGURA 5.36: Estructura, smbolo y curva caracterstica del triac.

5.13.1 MODOS DE FUNCIONAMIENTO


El triac puede dispararse en cualquiera de los dos cuadrantes I o III, esto es, con una corriente
positiva o negativa por la puerta y con la aplicacin entre los terminales T1 y T2 de un impulso
positivo o negativo. Esta particularidad simplifica considerablemente el circuito de disparo.
As, un triac conduce en el cuadrante I de su curva caracterstica v-i si T2 es positivo respecto a
T1 y se aplica un impulso de puerta positivo o negativo. Esto da lugar a los modos de
funcionamiento I+ e I-. Por otro lado, un triac conducir en el cuadrante III si la tensin en T2 es
negativa respecto a la de T1 y se aplica un impulso de corriente positivo o negativo en la
puerta. As, un triac puede funcionar segn cuatro modos diferentes: I+, I-, III+ e III-.
Estos cuatro modos de funcionamiento tienen diferente sensibilidad, es decir, la corriente de
puerta necesaria para que el triac entre en conduccin es diferente en cada caso. El modo ms
sensible es el I+, que funciona como un tiristor convencional, seguido del III-. Estos modos
requieren menos corriente de puerta entrante (I+) y saliente (III-) para ser disparados. Son, por
tanto, los modos de operacin ms empleados. De los otros dos modos restantes, el I- es el
siguiente en orden de sensibilidad, mientras que el modo III+ es el de disparo ms difcil y debe
evitarse su empleo.
5.13.2 INCONVENIENTES DEL TRIAC
El empleo de un triac resulta ms barato que dos tiristores colocados en antiparalelo. Sin
embargo, la dificultad de su construccin debido a su complicada estructura de seis capas, le
confieren algunas limitaciones:
Aguantan menos derivadas de intensidad que un SCR.
Aguantan menores derivadas de tensin que stos. La derivada de tensin
mxima que puede soportar un triac es del orden de 100 V/s, por lo que su uso se restringe
prcticamente a aplicaciones de frecuencia de la transicin de energa elctrica (50 60 Hz).
Su tiempo de apagado es mayor que el de un SCR. Esto es debido, precisamente, a su poca
capacidad de aguantar derivadas de tensin elevadas.
Poca sensibilidad de la corriente de puerta para el disparo en la mayora de los modos de
funcionamiento.
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Estos inconvenientes provocan que se empleen en aplicaciones de baja frecuencia.


5.14 OTROS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
Paralelamente al tiristor convencional, al GTO y al triac, se han desarrollado otros
semiconductores de control basados en el mismo proceso regenerativo de la estructura PNPN
de aqullos. Su empleo es ms restringido, ya que no aguantan mucha potencia, por lo que se
suelen aplicar principalmente en circuitos de control. A continuacin se muestran dos de ellos:
el SCS (Silicon Controlled Switch) y el diac.
5.14.1 SCS (Silicon Controlled Switch)
La figura 5.37 muestra la estructura, smbolo y curva caracterstica de un SCS. En ella se
observa que mantiene la estructura de un tiristor convencional, al que se ha aadido una puerta
adicional conectada a P2. Su funcionamiento es muy similar al de un tiristor convencional, pero
con las siguientes diferencias:
Permite su disparo mediante un impulso de corrienete negativa (saliente) en el terminal de
puerta G2.
Permite su bloqueo (apagado) mediante un impulso de corriente de puerta positiva (entrante)
en G2.
En lo referente a la sensibilidad de disparo, sta es mucho mayor en la puerta de ctodo (G1)
que en la de nodo (G2). As, el disparo por la puerta de ctodo requiere una corriente del
orden de 2 A, en tanto que la de nodo necesita 2 mA. El disparo por la puerta de nodo se
produce por un fenmeno simtrico al disparo por la puerta de ctodo, en la que los papeles de
electrones y huecos se han intercambiado. As, el disparo por G1 inyecta huecos y el disparo
por G2 inyecta electrones.
El bloqueo por impulso positivo en G2 se basa en la polarizacin inversa a que queda sometida
la unin P1N1, que deja automticamente de conducir. Tambin es posible el bloqueo por
impulso negativo en G1, pero se necesita una resistencia exterior que limite la intensidad de
nodo a un valor adecuado. La intensidad de nodo mxima es estos semiconductores no
suele pasar de 1 A.

FIGURA 5.37: Estructura, smbolo y curva caracterstica de un SCS.


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5.14.2 El diac
El diac no es realmente un semiconductor de potencia, ya que no aguanta grandes corrientes ni
tensiones. Es un componente de dos terminales que permite la conduccin en ambos sentidos
una vez que se ha sobrepasado cierto umbral de tensin entre los terminales A1 y A2. La figura
3.37 muestra la estructura, smbolo y curva caracterstica del diac.

FIGURA 5.38: Estructura, smbolo y curva caracterstica de un diac.

La tensin e intensidad de ruptura son del orden de 30 V y 100 A respectivamente. Adems,


su gran simetra hace que no exista una diferencia mayor de 2 V entre la tensin directa de
rupura y la inversa.
El diac es un dispositivo especialmente indicado para su empleo en los circuitos de disparo de
los tiristores. Casi todos los circuitos que lo emplean descargan un condensador sobre la
puerta del componente a disparar a travs del diac.
5.15 COMPARACIN ENTRE TRANSISTORES Y TIRISTORES DE POTENCIA
A modo de resumen, se indican en esta seccin las principales diferencias entre los distintos
transistores y tiristores empleados en electrnica de potencia. As, las principales ventajas que
ofrece el transistor MOSFET frente al BJT son las siguientes:
Menor tiempo de conmutacin.
Para mantenerlo en conduccin se requiere slo una tensin en la puerta, ya que posee una
alta impedancia de entrada. Por tanto, se requiere menor potencia en el circuito de control.
Las ventajas de los BJTs frente a los MOSFETs son:
Menor cada de tensin en conduccin.
Son capaces de soportar tensiones mayores.
Permiten una mayor circulacin de corriente.
Los tiristores de potencia son los dispositivos ms empleados en electrnica de potencia, ya
que aguantan gran tensin y corriente. Poseen un tiempo de encendido bastante rpido. Sin
embargo, su tiempo de apagado es excesivamente largo, lo que los convierte en dispositivos
lentos no aptos para aplicaciones a altas frecuencias. Los GTOs habitualmente empleados son
los GTOs con cortocircuito de nodo. stos presentan un tiempo de apagado menor que los
tiristores y por ello se pueden emplear con frecuencias de hasta 2 KHz. Como contrapartida de
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la disminucin del tiempo de apagado, los GTOs con cortocircuito de nodo aguantan muy
poca tensin inversa.
En general, los tiristores se emplean a niveles de potencia elevados, cuando se requiere que
circule una gran corriente y cuando se necesite aguantar una gran tensin. Los transistores son
empleados a niveles ms bajos de potencia y cuando la frecuencia de conmutacin es mayor.
La tabla 3.1 muestra las caractersticas principales de los distintos tipos de tiristores y
transistores de potencia.
5.16 REFRIGERACIN DE SEMICONDUCTORES
Las prdidas de potencia que se producen en un semiconductor durante su funcionamiento se
deben evacuar de forma conveniente para que la temperatura del cristal se mantenga por
debajo del mximo permitido. Por ello, los semiconductores se montan sobre elementos
disipadores encargados de transportar ese calor al ambiente. As, el calor fluye del cristal a la
cpsula y de sta al disipador en el medio refrigerante, normalmente el aire.
TABLA 5.1: Caractersticas de los transistores y tiristores de potencia.

Sea P la potencia consumida en el dispositivo semiconductor. Esta potencia consumida


coincide con la prdida de potencia en el circuito principal. Esto es debido a que el
semiconductor en las aplicaciones de electrnica de potencia funciona como un interruptor y,
por tanto, idealmente no consume. En rgimen permanente se verifica que:

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(5.45)
Donde representa la resistencia trmica entre los dos medios ( oC/W) y T la temperatura en
grados centgrados.
En rgimen permanente puede establecerse una analoga elctrica en el comportamiento de un
semiconductor (figura 5.39).

FIGURA 5.39: Analoga elctrica de un semiconductor en rgimen permanente.

Los valores de las resistencias trmicas jc y cs vienen dadas normalmente por los
fabricantes de semiconductores. Sin embargo, la resistencia trmica del disipador sa depende
de la aplicacin que se lleve a cabo y se obtiene a partir de la potencia perdida P para cierta
temperatura de ambiente. A partir del valor calculado de sa se selecciona el tamao y el tipo
de disipador con las tablas de datos suministrados por el fabricante. En general, los disipadores
se encuentran pintados de color negro para favorecer la componente de disipacin debida a la
radiacin.
Como la resitencia trmica cs entre la cpsula y el disipador depende de la calidad del
contacto que las une, se emplean para su conexin unas pastas especiales de elevada
conductancia trmica. Adems, los fabricantes suministran un valor ptimo de la fuerza de
apriete entre la cpsula y el disipador.
El esquema de la figura 5.39 resulta vlido, una vez alcanzado el rgimen permanente, al
someter el semiconductor a corriente continua. Sin embargo, si se somete al semiconductor a
una corriente pulsada, adems de las resistencias trmicas comienzan a influir las capacidades
trmicas. Aparece as el concepto de inercia trmica, que tiene en cuenta el tiempo que tarda el
cristal en calentarse y enfriarse (figura 5.40).

FIGURA 5.40: Inercia trmica.


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As, cuando en el tiempo t1 comienza a circular corriente de forma brusca por el dispositivo, la
temperatura de la unin no cambia de inmediato, sino que se produce un calentamiento
paulatino de forma exponencial (figura 5.40). Cuando en el tiempo t 2 deja de circular corriente,
la temperatura de la unin disminuye por extraccin del calor por conveccin.
Si se somete ahora al semiconductor a un tren de pulsos de corriente como indica la figura
5.41, al alcanzar el rgimen estacionario la temperatura de la unin se estabiliza entre los
valores de Tjmn y Tjmx. Si estos impulsos de corriente son de poca duracin, el valor de los
mismos puede ser grande ya que siempre existe entre ellos un tiempo suficiente para que el
dispositivo se enfre. Sin embargo, si la duracin de los mismos es elevada, los impulsos de
corriente a los que se puede someter el semiconductor deben ser de poca intensidad.

FIGURA 5.41: Variacin de la temperatura de la unin ante un tren de pulsos al alcanzar el rgimen
estacionario.

Al aplicar una sucesin de impulsos rectangulares de potencia de cualquier amplitud y duracin


(ver figura 5.42) se cumple que:

(5.46)
donde:

FIGURA 5.42: Tren de pulsos rectangulares de potencia.


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As, una forma cualquiera de potencia puede aproximarse a un conjunto de impulsos de igual
duracin siendo el valor de la amplitud de cada uno igual al valor instantneo de la potencia en
el centro del intervalo (figura 5.43). Por tanto, aplicando el procedimiento anterior se obtiene
que la temperatura al final del pulso n vale:

(5.47)

FIGURA 5.43: Aproximacin de un pulso de potencia a un tren de pulsos rectangulares.

5.17 CONTENIDOS PRINCIPALES


1. Los tiristores son dispositivos de estructura PNPN. Son capaces de bloquear grandes
tensiones y de conducir grandes corrientes.
2. Cuando el tiristor se encuentra directamente polarizado (v AK>0), se distinguen dos estados o
modos de operacin estables separados por uno inestable. El primero de ellos recibe el nombre
de zona de bloqueo directo, en el cual el tiristor se encuentra apagado. El segundo de ellos
recibe el nombre de zona de conduccin, y en l el tiristor se encuentra en funcionamiento.
3. El tiristor es un interruptor semicontrolado. Esto es, mediante un circuito de control, externo
al circuito de potencia, se puede controlar su encendido. Sin embargo, no se puede apagar un
tiristor mediante una seal externa al circuito de potencia.
4. El tiristor comienza a conducir cuando la tensin entre sus terminales de nodo y ctodo es
positiva y se aplica un impulso de corriente por el terminal de puerta. Una vez encendido el
tiristor puede cesar el impulso de corriente por la puerta, ya que el estado de conduccin se
mantiene por un proceso regenerativo.
5. El tiempo empleado en las conmutaciones de los tiristores es mayor que el requerido por los
transistores de potencia como los BJTs y los MOSFETs. Por ello, suelen emplearse en
circuirtos que trabajen a bajas frecuencias.
6. Los tiristores requieren de un circuito de proteccin denominado snubber, que lo protegen de
las derivas de tensin (snubber de apagado) y de las derivas de la intensidad (snubber de
encendido).

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7. Con objeto de poder realizar el apagado de un tiristor mediante un impulso negativo de


puerta, se ha modificado la estructura bsica de los tiristores creando los denominados GTOs.
8. El GTO empleado de forma ms habitual es el GTO con cortocircuito de nodo. El tiempo de
apagado de este dispositivo es menor que el de un tiristor convencional. Sin embargo, aguanta
menos tensin inversa.
9. En este captulo, adems de los tiristores convencionales y los GTOs, se han estudiado las
principales caractersticas de otros tipos de semiconductores de potencia, tales como los
TRIACs, SCSs y DIACs.
PROBLEMAS
Se recomienda resolver problemas de los captulos 2, 4 y 7 del libro de M. Rashid.

Bibliografa
[Aguilar07]

E. Aguilar. ELECTRNICA DE POTENCIA. Apuntes de la Universidad de


Jan Espaa. 2007.

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E. Alexander Bueno Montilla. ELECTRNICA DE POTENCIA: Aspectos


Generales y Convertidores Electrnicos. Universidad Simn Bolvar, 2012.

[Erickson04] R. W. Erickson & Dragan Maksimovic. FUNDAMENTALS OF POWER


ELECTRONICS. 2da. Edicin. University of Colorado, Boulder. 2004.
[Hart01]

Daniel W. Hart. ELECTRNICA DE POTENCIA. Prentice Hall. 2001.

[Mohan03]

N. Mohan, T.M. Undeland and W. P. Robins. POWER ELECTRONICS


(Converters, Applications & Design). 3ra. Edicin. Editorial Wiley, 2003.

[Pozo12]

Ana Pozo Ruiz & Noem Jimnez Redondo ELECTRNICA DE POTENCIA.


1ra. Edicin, 2012.

[Rashid04]

Muhammad H. Rashid. ELECTRNICA DE POTENCIA. Circuitos,


Dispositivos y Aplicaciones. 3ra. Edicin, editorial Prentice Hall. 2004.

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