INTERRUPTOR

ES DE ESTADO
SÓLIDO
 SC
R
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por
cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
Un SCR posee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (compuerta). La puerta es la encargada de controlar el
paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado,
permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la compuerta del
SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, el tiristor comienza a conducir.
Trabajando en corriente alterna el SCR se des excita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente
continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
 CURVA CARACTERÍSTICA DEL
SCR
Cuando el SCR tiene polarización inversa, actúa como un diodo común, con su pequeña cantidad normal
de corriente de fuga (también llamada “corriente de escape” o “pérdida”). Cuando se aumenta la tensión
inversa, también llegara a la ruptura, como un diodo. También actúa como un diodo con polarización directa
entre los puntos D y E. Para valores altos de corriente de compuerta, tales como el punto C, el SCR se
encenderá (o disparará) al valor bajo de la tensión VB de ánodo a cátodo a lo largo del eje horizontal.
Cuando disminuye la corriente de compuerta, tal como el punto B, la tensión VB de ánodo a cátodo tendrá
un valor mucho más alto antes que el SCR se disparé.
 TRIAC
Es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es
que este es unidireccional y el TRIAC es bidireccional (se activa en ambas direcciones, tanto en el ciclo
positivo como en el ciclo negativo). De forma coloquial podría decirse que el TRIAC es un interruptor capaz
de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que
formarían dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: MT1, MT2 (en este caso pierden la
denominación de ánodo y cátodo) y puerta (G). El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo de puerta.
Aplicaciones del Triac:
Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido, los circuitos de control de
fase, interruptores de potencia, para el control de pequeños electrodomésticos, para controles de velocidad
de un ventilador eléctrico, etc.
 DIA
C
Es un dispositivo semiconductor doble de dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que
conduce la corriente sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la corriente
circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para ese dispositivo. El comportamiento es
variable para ambas direcciones de la corriente.
Los DIAC son una denominación de tiristor, y se usan normalmente para autocompletar el ritmo variado del
disparo de un triac, el tiristor que mencionamos anteriormente.
 T
O
Son semiconductores discretos que actúan como interruptores completamente controlables, conocidos
simplemente como GTO (Gate Turn-Off Thyristor), los cuales pueden ser encendidos y apagados en
cualquier momento con una señal de compuerta positiva o negativa respectivamente. Estos componentes
están optimizados para tener muy bajas pérdidas de conducción y diseñados para trabajar en las mas
demandantes aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente utilizados en Convertidores de
Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de baja y media frecuencia.
 IG
BT
Es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia. Este dispositivo posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto
campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una
puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción
son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en
los variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de
potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras aplicaciones.

Terminales Puerta (G),

colector (C) y
emisor (E)