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UNIVERSIDAD

NACIONAL TECNOLÓGICA DE LIMA SUR


INGENIERÍA ELECTRÓNICA Y
TELECOMUNICACIONES

ELECTRÒNICA INDUSTRIAL
RUIZ SAAVEDRA, José Luis

TRABAJO N°5 DE INVESTIGACIÓN:

- Transistores IBJT o IGBT aplicaciones


- TRIAC: IT(RMS), VDRM/VRRM, VTM (datasheet)

INTEGRANTES
AGAPITO VÁSQUEZ, Marco

LIMA – PERÚ
2017
Transistores IBJT o IGBT

Los IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) constituyen, desde el punto de


vista de su empleo, un híbrido entre los transistores bipolares y los
MOSFET para aprovechar tanto la sencillez de ataque de los últimos, como
la capacidad para conducir altas corrientes y baja resistencia en conducción
de los primeros.
La estructura básica, así como el circuito equivalente se muestra en la
siguiente figura:

La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia


donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una
fina capa epitaxial. El IGBT está construido de forma casi idéntica. La capa
epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin
embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una
oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unión PN adicional, así creada,
inyecta portadores (huecos) en la región epitaxial Tipo N reduciendo su
resistividad y rebajando la caída de tensión en conducción.
A este proceso se le conoce también por "Modulación de la Conductividad"
y puede contribuir a incrementar la capacidad de conducción de corriente
hasta 10 veces más.
Por otro lado, la adición de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor
parásito que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma
un Tiristor parásito, el cuál en caso de ser activado puede destruir al IGBT.
Desde el punto de vista económico, los IGBT, al utilizar el principio de los
FET tan sólo para el circuito de ataque y no el de potencia, dejando éste
enmanos de una estructura bipolar, reducen sustancialmente los
requerimientos en cuanto a superficie de Silicio necesaria. Tenemos
entonces que, para tensiones superiores a los 400V, la superficie de un
IGBT es típicamente un tercio de la del MOSFET comparable.

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El techo de frecuencia se sitúa alrededor de los 75kHz, debido a que la
corriente principal se controla con un transistor bipolar. En estos
dispositivos sin embargo, se han conseguido tiempos de conmutación de
0,2 ms con muy bajas caídas de tensión, lo que les hace muy útiles en
conmutaciones rápidas.
La facilidad de control, similar a la de un MOSFET, unida a sus pérdidas
relativamente bajas, les convierten en la elección idónea para aplicaciones
de control de motores conectados directamente a la red (hasta 480 V). Para
tensiones de 400 a 1200 V, los IGBT ofrecen ventajas sustanciales frente a
los transistores bipolares de potencia, por lo que están sustituyendo a éstos
en un amplio campo de aplicaciones.
Actualmente, con la aparición de la 2ª generación de IGBTs, los fabricantes
ofrecen una amplia gama de estos dispositivos, y se pueden elegir bien por
su rapidez o bien por su caída de tensión en conducción; esto es muy
interesante ya que permite optimizar la utilización de éstos dispositivos en
función de las distintas aplicaciones. Se encuentran ya dispositivos capaces
de soportar 1200 V y 400 A.

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta , el IGBT enciende
inmediatamente, la corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de
encendido en que la señal en la puerta es aplicada. Para encender el IGBT, el
terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la terminal E. La
señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts,
puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual
la corriente de colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como
constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de
voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipación de
potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la
terminal G. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede
tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede
estar en el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de
encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este
valor el voltaje VCE cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de
estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un voltaje arriba de 15
V, y la corriente IC se autolimita.

Características técnicas

 ICmax Limitada por efecto Latch-up.


 VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.

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 Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito
sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda
soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda actuar una protección
electrónica cortando desde puerta.
 VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja,
será VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600,
1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600
Amp.

En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y


un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de
potencia. Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta
tensión. Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones
en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos acompañan cada
día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstic
o, Televisión, Domótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en
Inglés UPS), etc.

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TRIAC (DATASHEET)
DESCRIPCIÓN GENERAL DATOS DE REFERENCIA RÁPIDA Triacs
pasivados con vidrio en un SIMM plástico. Envolvente UNIT, destinado para
uso en aplicaciones que requieren transitorios y bloqueo BT136- 500F 600F.
las aplicaciones incluyen control de motores, tensiones industriales y
domésticas, RMS (RMS) RMS en calefacción y conmutación estática.

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