UNIVERSIDAD UTE

FACULTAD DE CIENCIAS DE LA INGENIERÍA E INDUSTRIAS

CARRERA MECATRÓNICA
Nombre: Jefferson Santiago Astudillo Portilla Materia: Control de actuadores eléctricos
Fecha: 28/04/2021 Número de la tarea: 1
Tema: Consulta Semestre: 6TD

1. Tiristores o rectificadores controlados

El tiristor es un semiconductor de potencia que se utiliza como interruptor, ya sea para
conducir o interrumpir la corriente eléctrica, a este componente se le conoce como de
potencia por que se utilizan para manejar grandes cantidades de corriente y voltaje, a
comparación de los otros semiconductores. Cuando se habla de tiristores comúnmente se
cataloga al tiristor como un SRC (silicon controlled rectifier), pero esto no es del todo
correcto ya que este tipo es el más popular y conocido, pero no es el único que existe.
(Mecafenix, 2018)
Un tiristor es un componente electrónico que conduce la corriente eléctrica en un solo
sentido (como un diodo) y que además para que conduzca en ese sentido tiene que ser
activado con una pequeña corriente eléctrica (como un transistor).
Podemos decir que es un interruptor que se activa (abre o cierra) eléctricamente, pero a
diferencia del transistor, se puede utilizar con grandes corrientes (grandes potencias) de
salida. (Area tecnologia , s.f.)

Los tiristores están conformados por 3 terminales un ánodo, un cátodo y una compuerta o
mejor conocida “gate”, su funcionamiento se asemeja al de un relevador o un interruptor
mecánico, Ya que cuando aplicas una corriente a la terminal gate este se activa y obtiene la
característica de dejar pasar a la electricidad. (Mecafenix, 2018)
Pero además tiene otra diferencia con el transistor, una vez que el tiristor se activa,
permanece activado (interruptor cerrado) aunque cortemos la corriente por la patilla o
puerta G. Si queremos que deje de pasar corriente entre el ánodo y el cátodo del tiristor la
única forma es desconectando la corriente directa de alguna manera como luego veremos.
(Area tecnologia , s.f.)

2. Tiristores de apagado por puerta o GTO

A Gate Turn off Thyristor o GTO es un dispositivo de conmutación de semiconductores
bipolar, son semiconductores discretos que actúan como interruptores completamente
controlables, los cuales pueden ser encendidos y apagados en cualquier momento con una
señal de compuerta positiva o negativa respectivamente.
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicación de una señal
positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una señal negativa de
compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se construir con especificaciones de
corriente y voltajes similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta
un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. (Ecured, s.f.)
La corriente de compuerta requerida para apagar el GTO es relativamente alta. Por ejemplo,
un GTO con 4000 V y 3000 A puede necesitar-750 A de corriente de compuerta para
apagarlo. Por lo tanto, la ganancia de apagado típica de GTO es baja y está en el rango de 4
a 5. Debido a esta gran corriente negativa, los GTO se utilizan en aplicaciones de baja
potencia.
El GTO se puede APAGAR mediante la aplicación de corriente de compuerta inversa que
puede ser de paso o de rampa. El GTO se puede APAGAR sin invertir el voltaje del ánodo.
La línea punteada en la figura muestra la trayectoria i-v durante el apagado para una carga
inductiva. Se debe tener en cuenta que, durante el apagado, GTO puede bloquear solo un
voltaje nominal adelantado. (Electronica Lugo, s.f.)
 3. Transistores bipolares de puerta aislada IGBT
El IGBT es un transistor de conmutación de potencia que combina las ventajas de MOSFET y BJT
para su uso en circuitos de control de motores y fuentes de alimentación. El transistor bipolar de
puerta aislada también llamado IGBT para abreviar, es una especie de cruce entre un transistor de
unión bipolar convencional (BJT) y un transistor de efecto de campo (MOSFET), lo que lo hace ideal
como dispositivo de conmutación de semiconductores.

El transistor IGBT toma las mejores partes de estos dos tipos de transistores comunes, la alta
impedancia de entrada y las altas velocidades de conmutación de un MOSFET con el bajo voltaje
de saturación de un transistor bipolar, y los combina para producir otro tipo de dispositivo de
conmutación de transistores capaz de manejar grandes corrientes de colector-emisor con una
unidad de corriente de puerta prácticamente cero.

Debido a que el IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, solo requiere un pequeño voltaje en
la puerta para mantener la conducción a través del dispositivo, a diferencia de los BJT, que
requieren que la corriente base se suministre continuamente en una cantidad suficiente para
mantener la saturación.

Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la

corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo
hasta cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta
es aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con
respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a
la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede

causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de
colector ID es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez
encendido, el dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en
virtud del control de voltaje la disipación de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La

transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50
kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a
un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo,
el G debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita. (ecured, s.f.)

4. Funcionamiento ideal de los dispositivos semiconductores de

potencia

La electrónica digital trata la aplicación de los dispositivos electrónicos como

conmutadores o llaves controladas funcionando solo en dos estados: encendido (ON) o
apagado (OFF). La electrónica de potencia trata sobre la operación y aplicaciones de
dispositivos electrónicos utilizados para el control y conversión de la potencia eléctrica.
Debido a estas diferencias de aplicación se debe seleccionar el tipo más adecuado de
componente electrónico según la función y las especificaciones del sistema a desarrollar. A
partir de aquí estudiaremos algunos de los distintos tipos de dispositivos electrónicos, sus
características físicas, parámetros y modelos que se utilizan en electrónica de potencia

Diodo

Los diodos de potencia funcionan de forma similar a los diodos comunes, pero pueden
manejar niveles de tensión y de corriente muy elevados. Presentan dos estados de
funcionamiento bien definidos: conducción y corte. El paso de un estado a otro no se
realiza en tiempo cero, por lo que el tiempo necesario para las transiciones entre estados es
un factor que limita el uso del dispositivo en alta frecuencia. Este efecto está asociado con
el comportamiento capacitivo de la juntura semiconductora, Capacitancia de difusión y
Capacitancia de barrera, y se tiene en cuenta a través del tiempo de recuperación inversa trr.
El tiempo de recuperación inversa se mide desde el momento que la corriente pasa por cero
hasta el 25% de la corriente inversa máxima “Irr”.
Tiristor

Si se aumenta la tensión aplicada entre ánodo y cátodo hasta un valor suficientemente

elevado se producirá la ruptura por avalancha de la juntura J2. Esta tensión corresponde a la
tensión de ruptura directa VBo. Como las junturas J1y J3están polarizadas en forma directa
se producirá un movimiento de portadores a través de las tres junturas. Resulta la
circulación de una gran corriente de ánodo y el dispositivo pasa al estado de conducción
plena. La caída de tensión total será debida a la caída óhmica en las regiones
semiconductoras y típicamente se encuentra entre 1 V a 2 V. En esta región la corriente IA
por el dispositivo quedará limitada por el circuito externo. La característica corriente de
ánodo en función de la tensión ánodo-cátodo para excitación nula en puerta (González)
Bibliografía
Area tecnologia . (s.f.). Obtenido de TIRISTOR:
https://www.areatecnologia.com/electronica/tiristor.html

Ecured. (s.f.). Obtenido de Transistor IGBT: https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT

Ecured. (s.f.). Obtenido de Tiristor desactivado por compuerta (GTO):

https://www.ecured.cu/Tiristor_desactivado_por_compuerta_(GTO)

Electronica Lugo. (s.f.). Obtenido de Puerta Turn Off Tiristor: https://electronicalugo.com/puerta-

turn-off-tiristor/

González, I. M. (s.f.). Dispositivos semiconductores de potencia.

Mecafenix, I. (22 de Octubre de 2018). ¿Que es un tiristor y como funciona? Obtenido de

Ingeniería Mecafenix: https://www.ingmecafenix.com/electronica/que-es-un-tiristor-y-
como-funciona/