Universidad Autónoma De Sinaloa

Facultad De Ingeniería Mochis

Ingeniería En Procesos Industriales

Electrónica II

“4.6 IGBT”

Profesor: M.C. Manuel de Jesús Bustamante Lau

Equipo N° 1

Los Mochis Sinaloa 05 de Enero de 2021

 Transistor IGBT

Es un dispositivo semiconductor que se aplica como interruptor

controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido
viables hasta entonces, en particular en los variadores de frecuencia

Propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas alternas

semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado
mediante una estructura de "puerta" de semiconductor de óxido
metálico (MOS), sin acción regenerativa.
 CARACTERÍSTICAS

Dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia
Posee las características de las señales de puerta de los transistores de efecto de campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la
entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en particular en los
variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas, convertidores de potencia,
domótica y  sistemas de alimentación interrumpida, entre otras aplicaciones
Información Básica
• Corriente de fuga baja • Polaridad de transistor: Canal-N
• Cambio de alta velocidad • Voltaje drenaje fuente máximo VDSS: 630 V
• Voltaje de saturación de colector a emisor baja • Voltaje fuente compuerta máximo VGSS: ± 30 V
• Aplicaciones: HVAC, electrónica de consumo, • Corriente  drenaje máxima ID: 40 A
administración de potencia • Disipación máxima PD (TC=25°C): 30 W
• Temperatura de operación máxima: 150°C
• Encapsulado: TO-220F
• Número de pines: 3
Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para
mantenerse en conducción.
Combina las ventajas de MOSFET y BJT para
su uso en circuitos de control de motores y
fuentes de alimentación es una especie de
cruce entre un transistor de unión bipolar
convencional (BJT) y un transistor de efecto de
campo (MOSFET), lo que lo hace ideal como
dispositivo de conmutación de
semiconductores.
Toma las mejores partes de estos dos tipos
de transistores comunes, la alta impedancia
de entrada y las altas velocidades de
conmutación de un MOSFET con el bajo
voltaje de saturación de un transistor bipolar,
y los combina para producir otro tipo de
dispositivo de conmutación de transistores
capaz de manejar grandes corrientes de
colector-emisor con una unidad de corriente
de puerta prácticamente cero
 FUNCIONAMIENTO

Funciona como un transistor normal pero a mayor velocidad

de respuesta y de corriente, si se le aplica un voltaje umbral
dependiendo del modelo este se encenderá y dará paso a la
corriente y se mantendrá así mientras el voltaje en el Gate
se mantenga, cuando dicho voltaje se quite el transistor
inmediatamente se apaga o bloquea y queda como un diodo

Dos de sus terminales ( CE ) están asociados con la ruta de

conductancia que pasa la corriente, mientras que su tercer
terminal ( G ) controla el dispositivo.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La transición del estado de
conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo que la frecuencia de
conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.
La cantidad de amplificación lograda por el transistor bipolar de puerta aislada es una relación entre su señal de
salida y su señal de entrada. Para un transistor de unión bipolar convencional, (BJT) la cantidad de ganancia es
aproximadamente igual a la relación de la corriente de salida a la corriente de entrada, llamada Beta

Para un transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal o MOSFET, no hay corriente de
entrada ya que la puerta está aislada del canal principal de transporte de corriente. Por lo tanto, la ganancia de
un FET es igual a la relación entre el cambio de corriente de salida y el cambio de voltaje de entrada, lo que lo
convierte en un dispositivo de transconductancia y esto también es cierto para el IGBT.
 APLICACIÓN
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo
para la conmutación en sistemas de alta tensión.
Se usan en los Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de
potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso:
Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, Domótica, Sistemas de
Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.

Están presentes en la circuitería de los algunos ejemplos anteriormente mencionados mediante la interconexión
de diversos IGBT que controlan los motores eléctricos.

Es usado en aplicaciones de altas y medias energía como fuente conmutada, control de la tracción en motores
y cocina de inducción
Grandes módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas
corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se utiliza en cualquier clase de equipos o maquinas, su capacidad de uso y sus virtudes hace que sea un
elemento indispensable en cualquier elemento que necesite controlarse y maneje electricidad.