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DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD

PROGRAMA NACIONAL DE FORMACION EN MANTENIMIENTO DE EQUIPOS


ELECTRICOS
VALERA, ESTADO TRUJILLO.

Autores:
Henríquez Ely C.I: 26.155.056
Parra Yestherlin C.I:25.171.251
INTRODUCCION

Desde la invención del primer tiristor de unión PNPN, por los laboratorios Bell en 1957, hubo un
gran avance en los dispositivos semiconductores de potencia.

Para ser aplicado en sistemas de alta potencia y válvulas reemplazan el rudimentario ignitrón ,
phanotron y thyratron , dispositivos semiconductores deben ser capaces de soportar grandes
corrientes y altas tensiones inversas en su conmutación. Además, en varias aplicaciones de
electrónica de potencia, hay necesidad de una operación en altas frecuencias de conmutación
de los dispositivos semiconductores, como, por ejemplo, los inversores de tensión, necesarios
para la construcción de filtros activos de potencia. De esta forma, los dispositivos
semiconductores deben tener bajas pérdidas de potencia durante la conmutación.

Hasta 1970, los tiristores convencionales se utilizaron exclusivamente para el control de


potencia en aplicaciones industriales. Desde 1970, varios tipos de dispositivos semiconductores
de potencia han sido desarrollados y se han vuelto disponibles comercialmente. Estos
dispositivos se pueden dividir en cinco tipos: diodos de potencia, tiristores, transistores
bipolares de energía de unión de la potencia del MOSFET, de la SIT ( estáticos de inducción
Transistores ) y IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor ), sujeto de esta disertación.

El IGBT se vuelve cada vez más popular en los circuitos de control de potencia de uso
industrial e incluso en electrónica de consumo y embarcada, reuniendo las características de
conmutación de los transistores bipolares de potencia a la elevada impedancia de entrada de
los MOSFET, el IGBT se vuelve cada vez más popular en los circuitos de control de potencia
de uso industrial e incluso en electrónica de consumo y embarcada.

Los transistores bipolares de potencia poseen características que permiten su utilización en el


control de altas corrientes con muchas ventajas, como bajas pérdidas en el estado de
conducción. Sin embargo, sus características de entrada, exigiendo corrientes elevadas de
base, ya que operan como amplificadores de corriente, traen ciertas desventajas en algunas
aplicaciones.

Por otro lado, los transistores de efecto de campo MOS de potencia pueden también controlar
potencias elevadas con muchas ventajas por el hecho de exigir tensión para el disparo, pues,
aunque sean dispositivos de alta impedancia, tienen como desventaja una baja velocidad de
conmutación debida a las capacitancias de puerta ( puerta ) que aumentan con la intensidad de
corriente (anchura de canal) para ser controlada. Sin embargo, para bajas corrientes de
conducción a través del canal, el MOSFET puede operar con altas frecuencias.

El IGBT reúne la facilidad de accionamiento de los MOSFET y su elevada impedancia de


entrada con las pequeñas pérdidas en conducción de los TBP (Transistores Bipolares de
Potencia). Su velocidad de conmutación se determina, en principio, por las características más
lentas - que son debidas a las características del TBP. Así, la velocidad de los IGBT's es similar
a la de los TBP; sin embargo, en los últimos años ha crecido gradualmente, permitiendo su
operación en frecuencias de decenas de kHz, en los componentes para corrientes en la gama
de decenas y hasta cientos de Amperios.

Al juntar lo que hay de bueno en estos dos tipos de transistores, el IGBT es un componente
que se vuelve cada vez más recomendado para la conmutación de carga de alta corriente en
régimen de alta velocidad.

A continuación presentamos un gráfico que contiene una comparación entre los principales
dispositivos semiconductores de potencia en cuanto a sus características de tensión, corriente
y frecuencia de operación. En esta figura, vemos que los tiristores son los dispositivos que
logran soportar los mayores valores de corriente y tensión, pero no pueden operar en
frecuencias de conmutación elevadas. Como podemos ver a partir de esta figura, los IGBT's
poseen una capacidad de soportar mayores tensiones y pueden operar en más altas
frecuencias que los transistores bipolares de potencia y pueden soportar mayores tensiones y
corrientes que los MOSFET de potencia. Como podemos observar a partir de este gráfico, la
región de operación segura del IGBT es mayor que las regiones reservadas al MOSFET y al
transistor TBP, lo que se deseaba.
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

La sigla IGBT corresponde a las iniciales del inglés Insulated Gate Bipolar Transistor, es un
dispositivo semiconductor de potencia híbrido que combina los atributos del TBJ y del
MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de
entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el
IGBT no exhibe el fenómeno de ruptura secundario como el TBJ.

Es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un


dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. La tensión de control de puerta es
de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una señal
eléctrica de entrada muy débil en la puerta. El IGBT es un dispositivo semiconductor con tres
terminales de conexión, muy útil por su alta eficiencia, potencia y rapidez de conexión y
desconexión.

Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habían sido viables hasta entonces, en
particular en los variadores de frecuencia, así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas,
convertidores de potencia, domótica y Sistemas de Alimentación Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.

HISTORIA DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA.

Los japoneses Yamagami y Akakiri, propusieron en 1968 un dispositivo de cuatro capas


alternas semiconductoras P-N-P-N cuyo funcionamiento fuera controlado mediante una
estructura de "puerta" de semiconductor de óxido metálico (MOS), sin acción regenerativa. Esta
patente fue concedida en 1972 bajo el código 47-21739. Este modo de operación fue reportado
experimentalmente por vez primera en 1978 en un rectificador controlado de silicio (SCR) por
Scharf y Plummer, quienes no persiguieron la comercialización de sus ideas sobre el
dispositivo. El modo de operación descrito por ambos investigadores también fue descubierto
de manera experimental por J. Jayant Baliga, en 1979, en un dispositivo al que llamó
"dispositivo MOSFET con surco vertical con la región de drenaje reemplazada por una región
de ánodo de tipo P". Plummer solicitó una patente para el dispositivo que propuso en 1978.
Un dispositivo idéntico, fue inventado por Hans W. Becke y Carl F. Wheatley quienes
presentaron una solicitud de patente en 1980, y que se denominaron "MOSFET de potencia
con una región de ánodo". Esta patente ha sido llamada "la patente seminal del transistor
bipolar de puerta aislada." 6 En la patente se afirmó que "ninguna acción de tiristores se
produce en todas las condiciones de funcionamiento del dispositivo." Esto significa
sustancialmente que el dispositivo exhibe operación de IGBT sin enclavamiento a lo largo de
todo el rango de funcionamiento del dispositivo.
SIMBOLOGIA:

Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y
EMISOR (E) y su símbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

¿CÓMO FUNCIONA?

Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encedido se da una tensión
positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n son atraídos a la región p de la puerta;
así se polariza en directa la base del transistor NPN permitiendo la circulación de corriente
colector-emisor. Para el apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto requiere de un
circuito de control simple para el transistor IGBT.
CIRCUITO DE DISPARO:

CARATERISTICAS ELECTRICAS:

CARATERISTICAS FISICAS:

CONFIGURACION:

EJEMPLOS:

FALLAS:

Los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) requieren una protección total para evitar
daños y fallos causados por condiciones tales como cortocircuitos, sobrecargas y
sobretensiones. La protección es fundamental para garantizar que las operaciones de
conversión de potencia sean seguras y estables en aplicaciones tales como controladores de
motores y sistemas de generación de energía solar y eólica. Para detectar condiciones de
sobrecargas y sobretensión, los amplificadores de aislamiento que ofrecen una rápida
respuesta o feedback de fallos se pueden utilizar en las fases de salida y el bus de CC.
La Figura 1 muestra un diagrama de bloques típico de un convertidor de potencia en una
unidad de control de motor de CA. Se compone de un inversor que convierte la tensión del bus
de CC a corriente alterna a una frecuencia variable para accionar el motor. Los IGBTs son los
costosos interruptores de potencia que forman el corazón del inversor. Estos dispositivos de
alimentación deben operar a una frecuencia alta y deben tener la capacidad de soportar altas
tensiones.
Los amplificadores de aislamiento como el ACPL-C79A, en la Figura 1 (ver recuadro),
funcionan en conjunto con resistencias de derivación para proporcionar mediciones exactas de
la corriente en convertidores de potencia, incluso cuando existe un alto ruido de conmutación.
Cuando se utiliza con un divisor resistivo los amplificadores de aislamiento funcionan como
sensores de precisión de corriente para llevar un control de la tensión del bus de CC. La
información de la corriente y el voltaje de los amplificadores de aislamiento son recolectados
por el microcontrolador, que utiliza los datos para calcular los valores de retorno y las señales
de salida necesarias para proporcionar un control eficaz y un manejo de fallos en los
convertidores de potencia.

° Requisitos para la protección de fallos: En un inversor, los IGBTs son los componentes
más costosos y, por lo tanto, tiene sentido proporcionar la mayor protección posible para
protegerlos contra posibles daños. Los amplificadores de aislamiento proporcionan una
detección rápida de las condiciones de falla y los algoritmos que ejecuta el microcontrolador
pueden evitar que las condiciones de falla provoquen que los IGBT fallen. Además, el
aislamiento óptico en los amplificadores impide que las condiciones de falla sobrecarguen al
microcontrolador causando que este falle.

Sin embargo, la protección de los IGBTs debe ser rentable - el mercado sigue exigiendo una
protección suficiente para los IGBT contra las condiciones de falla a un precio que no afecte
significativamente el costo total del sistema de control del motor. Para satisfacer esta demanda,
se han introducido los controladores del circuito compuerta del IGBT (tales como el ACPL-332J
[1]) y los sensores de corriente con funciones de protección para la detección de fallas
esenciales, además de sus funciones de control y detección. Estos productos proporcionan un
esquema rentable para poner en práctica la protección de los IGBTs y eliminar la necesidad de
componentes de detección y de retroalimentación por separado. Consulte la Bibliografía [1], [2]
para más detalles de las características de protección integradas con los controladores de
circuito compuerta y cómo implementar esas funciones de protección. El resto de este artículo
se centrará en algunas de las funciones de protección de fallas que pueden ser implementadas
con sensores de corriente/tensión como se indica en la Tabla 1.

° Detección de sobrecorriente: Las condiciones de sobrecorriente en un IGBT pueden darse


debido a un cortocircuito entre fases, un cortocircuito de línea a tierra o a corriente de
cortocircuito. Los dispositivos de detección de corriente de derivación del amplificador de
aislamiento en las fases de salida y el bus de CC proporcionan la detección de fallas, además
de la medición de corriente (ver Figura 1). Los tiempos de supervivencia al cortocircuito de los
IGBT comunes se han valorado hasta un límite de 10 ms [3, 4]. Para garantizar una protección
eficaz, este límite no debe superarse. Dentro de este límite, la falla debe ser detectada,
retroalimentada al controlador y debe cumplirse el procedimiento de apagado dentro de este
plazo. Para cumplir con este requisito, los amplificadores de aislamientos utilizan diferentes
métodos.

Por ejemplo, el ACPL-C79A tiene un tiempo de respuesta rápida de 1.6 µs para una entrada
escalonada. Eso permite que el amplificador capture los transientes durante las condiciones de
cortocircuito y de sobrecarga (ver Figura 2) [5]. El retraso de la propagación de la señal de
entrada a la salida en el punto medio es de sólo 2 µs, mientras que sólo se necesita 2.6 µs para
que la señal de salida alcance la señal de entrada, alcanzando el 90 % de los niveles finales.
Además del tiempo de respuesta rápido, el ACPL-C79A proporciona una precisión de ganancia
de ± 1 %, una no linealidad excelente de 0,05 % y una relación señal-ruido (SNR) de 60 dB.
También está disponible el ACPL-C79B, que ofrece una precisión de mayor ganancia de ± 0.5
%, y el ACPL C790, que tiene una tolerancia de ganancia de ± 3%. Todos los dispositivos de la
familia ACPL-C79A están certificados para soportar un pico en la tensión de aislamiento de
1230 V, y pueden rechazar ruido trasiente de modo común de hasta 15 kV /µs. Estas
características se entregan en un paquete SO-8 que tiene un tamaño un 30 % menor que el
paquete estándar DIP-8.

Otro ejemplo es el HCPL-788J, que adopta un enfoque diferente para lograr una respuesta
rápida en la detección de sobrecorriente (Figura 3) [6, 7]. Además del vástago de la señal de
salida, viene con un vástago de falla que cambia rápidamente de alto a bajo para indicar una
condición de sobrecorriente. Este amplificador de aislamiento proporciona una precisión de
medición de ± 3 %.

Dentro del diseño de retroalimentación de fallas, una cuestión con la que el diseño debe lidiar
son los disparos por interferencia. Los disparos por interferencia son una falsa activación de la
detección de fallas en ausencia de cualquier condición de falla aparente que pueda dañar los
IGBTs. Para evitar falsas alarmas, el HCPL-788J cuenta con un circuito discriminador de pulso
para inhibir eficazmente la influencia de las fallas di/dt y dv/dt. La ventaja de este método es
que el rechazo es independiente de la amplitud, lo que significa que el umbral de fallas se
puede establecer en un nivel mucho más bajo sin aumentar el riesgo de disparos por
interferencia.

En la implementación del circuito para lograr la detección rápida de fallas, se utilizan dos
comparadores en el bloque de detección de fallas para detectar los umbrales de fallas
negativos y positivos. El umbral de conmutación es igual a la referencia del modulador sigma-
delta de 256 mV. Las salidas de estos comparadores están conectadas a filtros de supresión
con un periodo de supresión de 2 ms y luego se envían al bloque del codificador.
Para asegurarse de que el estado de fallo se transmita a través del límite de aislamiento tan
rápido como sea posible, se utilizan dos únicas secuencias de codificación digital para
representar la condición de falla, un código para el nivel negativo y otro para el positivo.
Cuando se detecta una falla, la transferencia de datos normal a través del canal óptico se
interrumpe y el flujo de bits es reemplazado con el código de falla. Estos dos códigos de falla se
desvían significativamente del régimen normal de codificación, por lo que en el lado del
detector el decodificador reconoce inmediatamente los códigos como condiciones de falla [7].

El tiempo requerido por el decodificador para detectar y comunicar la condición de falla a través
del límite de aislamiento es de alrededor de 1 ms. La adición del retraso de 400 ns al filtro
antialiasing da un retraso de propagación de 1.4 ms. El retraso entre el evento de falla y la
señal de salida de falla es la suma del retraso de propagación y el período de supresión (2 ms),
lo que resulta en un tiempo de detección de fallas global de 3.4 ms (véase la Figura 4).
El vástago de salida de falla permite que la señal de falla de varios dispositivos se conecten
entre sí, lo que permite conectar múltiples partes (wire-ORed) para crear una única señal de
falla (véase la parte superior derecha de la Figura 5) [6]. Esta señal puede utilizarse luego para
desactivar directamente las entradas PWM a través del controlador.
° Detección de sobrecarga: Una condición de sobrecarga se refiere a una situación en la que
la corriente del motor excede la corriente nominal de la unidad, pero no tanto como para poner
el inversor o el motor en peligro inmediato de falla, por ejemplo, si el motor está
mecánicamente sobrecargado o una situación de bloqueo del motor como resultado de una
falla del cojinete.

Los inversores se suelen especificar con una capacidad de sobrecarga adicional al valor
nominal. El periodo de tiempo de la capacidad de sobrecarga permisible depende del intervalo
de tiempo antes de que el sobrecalentamiento se convierta en un problema. Una capacidad de
sobrecarga típica es de 150 % de la carga nominal para un período de hasta un minuto.

El ACPL-C79A acepta una gama completa de entrada de ± 300 mV y las especificaciones de la


hoja de datos se basan en un rango de entrada nominal de ± 200 mV. Un diseñador tiene la
flexibilidad de elegir el umbral de sobrecarga en cualquiera de las dos figuras, o en el medio. Si
la precisión de la medición de la corriente de sobrecarga con el umbral cerca de 300 mV es
menos estricta en comparación con la de la corriente de funcionamiento normal, lo cual suele
ser el caso, es una buena elección ya que esto permite un uso completo del rango dinámico de
entrada del amplificador de aislamiento. Sin embargo, si se fija el umbral a 200 mV garantiza la
precisión de la medición de la corriente de sobrecarga. Una vez que se han decidido los niveles
de tensión, el diseñador tiene que elegir el valor apropiado de la resistencia de detección de
acuerdo al nivel de corriente correspondiente.

El HCPL-788J incluye una característica adicional, la salida ABSVAL, que puede ser utilizada
para simplificar el circuito de detección de sobrecarga. El circuito ABSVAL rectifica la señal de
salida, proporcionando una señal de salida proporcional al nivel absoluto de la señal de entrada
según la fórmula:
ABSVAL = |ENT V| *REF V,EXT / 252mV
Esta salida también puede ser cableada (wire OR-able). Cuando se combinan tres fases
sinusoidales del motor, la salida rectificada (ABSVAL) es esencialmente una señal de corriente
continua que representa la corriente RMS del motor. Esta señal de CC y un comparador de
umbral pueden indicar las condiciones de sobrecarga del motor antes de producir daños al
motor o al controlador (véase la parte inferior derecha de la Figura 5).

° Detección de sobretensión: La tensión del bus de CC también debe ser mantenida bajo
constante control. Bajo ciertas condiciones de funcionamiento, un motor puede actuar como un
generador, devolviendo un alto voltaje al bus de CC a través del dispositivo de alimentación del
inversor y / o los diodos de recuperación. Esta alta tensión se añade a la tensión de CC y forma
un pico muy elevado aplicado a los IGBTs. Este pico puede exceder el máximo voltaje del
colector-emisor del IGBT y causar daños.

El amplificador de aislamiento miniatura (ACPL-C79A) se utiliza a menudo como un sensor de


voltaje en aplicaciones de control de bus de CC (Figura 6). Un diseñador debe reducir la
tensión del bus de CC para adaptarse a la gama de entrada del amplificador de aislamiento
eligiendo los valores de R1 y R2 de acuerdo a la proporción adecuada.