TECNOLOGICO NACIONAL DE

MEXICO
INSTITUTO TECNOLOGICO DE OCOTLAN
Electrónica analógica
INGENIERIA ELECTROMECANICA

UNIDAD 2

4°EA

PROFESOR:
ING. SANDRA VIANNEY PADILLA ARÁMBULA

ALUMNO:
Guzman Zúñiga Juan Francisco
CODIGO:
21630040
FECHA: 17/05/2023
Introducción
En esta investigación hablaremos sobre algunos de los distintos tipos electrónicos
de potencia que vienen siendo el SCR, DIAC ,TRIAC, LGBT

DISPOSITIVO DE POTENCIA SCR

Gracias a sus capacidades operativas con altos valores de corriente y voltaje, el
mayor campo donde se suelen usar e implementar es en los sectores industriales.
Los SCR se construyen como lo dice su nombre a base de silicio y sus
aplicaciones más utilizadas comúnmente son para (rectificación) convertir la
corriente CA(corriente alterna) en corriente CC(corriente continua), por eso el
nombre de rectificador controlado por silicio. Aunque también se suelen utilizar
para otros medios como reguladores de potencia, en circuitos de inversiones, etc

La terminología SCR cual significado quiere decir o significar rectificador

controlado de silicio, el cual pertenece a la familia de los tiristores. Es más popular
que los otros tiristores como TRIAC, DIAC, etc. Aunque algunas personas suelen
identificarlos indistintamente Tiristor y SCR. Entonces, cuando una persona
simplemente diga un Tiristor como referencia en general, se referirá al SCR.

El tiristor o Rectificador controlado de Silicio (SCR). El nombre proviene de la

unión de Tiratrón y Transistor. Un tiristor es un dispositivo semiconduc- tor de
cuatro capas de estructura PNPN con tres uniones PN. Tiene tres terminales:
ánodo, cátodo y puerta ó gate.
Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta.
Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unión entre la compuerta y el cátodo,
y sale del SCR por la terminal del cátodo. La cantidad de corriente de compuerta
necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT.
Además de alimentar y cortar la corriente, los SCR se utilizan para controlar el
valor medio de una corriente de carga sin disipar grandes potencias. En este
último uso pueden reemplazar a los reóstatos de gran tamaño y gran potencia, y a
la vez, ahorrar energía eléctrica.

DISPOSITIVO DE POTENFIA DIAC

El Diac es un dispositivo semiconductor de dos conexiones. Es un diodo

bidireccional, una combina- ción paralela inversa de dos terminales de capas de
semiconductor que permiten el disparo en cualquier dirección. Las características
del dispositivo mues- tran que hay un voltaje de ruptura en ambas direcciones.

El DIAC (Diodo para Corriente Alterna) es un dispositivo semiconductor de dos

conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente sólo
tras haberse superado su tensión de disparo, y mientras la corriente circulante no
sea inferior al valor característico para ese dispositivo.
Un Diac se activa cuando el voltaje entre sus terminales alcanza el voltaje de
ruptura, dicho voltaje puede estar entre 20 y 40 vol- tios según la referencia. En la
curva podemos ver que su com- portamiento es similar al de un tiristor, salvo que
su tensión de disparo es única y en ambos sentidos.
El DIAC (diodo para corriente alterna) es un dispositivo semiconductor doble de
dos conexiones. Es un diodo bidireccional autodisparable que conduce la corriente
sólo tras haberse superado su tensión de disparo alternativa, y mientras la
corriente circulante no sea inferior al valor triple de voltios característico para ese
dispositivo. El comportamiento es variable para ambas direcciones de la corriente.
La mayoría de los DIAC tienen una tensión de disparo doble variable de alrededor
de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lámpara de neón.
DISPOSITIVO DE POTENCIA TRIAC

Un TRIAC o triodo para corriente alterna es un dispositivo semiconductor, de la

familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que este es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podría decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.

Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposición que formarían

dos SCR en direcciones opuesta]. Posee tres electrodos: MT1, MT2 (en este caso
pierden la denominación de ánodo y cátodo) y puerta (G). El disparo del TRIAC se
realiza aplicando una corriente al electrodo de puerta.

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corriente alterna (C.A.).

Una de ellas es su utilización como interruptor estático ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecánicos convencionales y los relés.
Funciona como interruptor electrónico y también a pila.
Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como atenuadores
de luz, controles de velocidad para motores eléctricos, y en los sistemas de control
computarizado de muchos elementos caseros. No obstante, cuando se utiliza con
cargas inductivas como motores eléctricos, se deben tomar las precauciones
necesarias para asegurarse que el TRIAC se apague correctamente al final de
cada semiciclo de la onda de Corriente alterna.
Para explicar el funcionamiento de un TRIAC se suele dividir su régimen en
cuadrantes según la polaridad de la puerta (G) y el terminal secundario (MT2),
ambas con respecto al terminal primario (MT1).

En los cuadrantes 1 y 2, MT2 es positivo, y la corriente fluye de MT2 a MT1 a

través de capas P, N, P y N. La región N unida a MT2 no participa
significativamente. En los cuadrantes 3 y 4, MT2 es negativo, y la corriente fluye
de MT1 a MT2, también a través de capas P, N, P y N. La región N unida a MT2
está activa, pero la región N unida a MT1 solo participa en el disparo inicial, no
contribuye al flujo inicial de corriente.

La sensibilidad relativa depende de la estructura física de un triac particular, pero

por regla general, el cuadrante 1 es el más sensible (menor corriente de puerta
requerida), y el cuadrante 4 es el menos sensible (más corriente de puerta
requerida).

En la mayoría de las aplicaciones, la corriente de puerta se extrae de la misma

conexión de MT2, por lo que los cuadrantes 1 y 3 son los únicos modos de
funcionamiento (G y MT2 positivos o negativos con respecto a MT1). Otras
aplicaciones con un disparador de polaridad única desde un circuito de excitación
pueden operar en los cuadrantes 2 y 3.
DISPOSITIVO DE POTENCIA igbt

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate

Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente
se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrónica de
potencia.

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del inglés Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia.
Este dispositivo posee la características de las señales de puerta de los transistores
de efecto campo con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja saturación
del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control
y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de
excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de
conducción son como las del BJT.
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no habian sido viables hasta
entonces, en particular en los Variadores de frecuencia así como en las
aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores de potencia que nos
acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente
conscientes de eso: automóvil, tren, metro, autobús, avión, barco, ascensor,
electrodoméstico, televisión, domótica, Sistemas de Alimentación
Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS), etc.
SIMBOLOGIA: Su estructura microelectrónica es bastante compleja es por ello
que lo describimos en base a su esquema equivalente.

CURVA CARACTERISTICA IGBT:

COMO FUNCIONA:
Consideremos que el IBGT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que
no existe ningún voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el
IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va
desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON
en el que la señal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain
D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA señal de
encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es
aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo
de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de drain iD es igual
a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el
dispositivo se mantiene así por una señal de voltaje en el gate. Sin embargo, en
virtud del control de voltaje la disipación de potencia en el gate es muy baja.
EL IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal
gate. La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar
apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en
el rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido
a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje
VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido
se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se
autolimita.
El IGBT se aplica en controles de motores eléctricos tanto de corriente directa como
de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.
CARACTERISTICAS A TENER EN CUENTA EN UN IGBT:
• IDmax Limitada por efecto Latch-up.
• VGSmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
• Se diseña para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea
entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla
durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una protección electrónica cortando
desde puerta.
• VDSmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja,
será
VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700,
2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan
valores mayores)
• Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.
• La tensión VDS apenas varía con la temperatura ⇒ Se pueden conectar
en
paralelo fácilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad,
por ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para
potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz
a 40kHz.

REFERENCIAS
https://transistores.info/transistores-igbt-de-potencia/
https://sites.google.com/site/tiristorescircuitos/scr-disparos#
https://grudilec.com/wp-content/uploads/7.automatismoelectronico153-216.pdf
https://es.m.wikipedia.org/wiki/Triac#:~:text=Un%20TRIAC%20o%20triodo%20par
a,conmutar%20la%20corriente%20alterna%E2%80%8B