TRANSISTOR IGBT

EMILSE FUENTES GARCIA

DANIEL ROMERO LERMA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA – 2019 II

 INTRODUCCI
ÓN
Durante mucho se tiempo se busco la forma de
obtener un dispositivo que tuviera una alta
impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar
altas potencias a altas velocidades, esto dio lugar a la
creación de los Transistores bipolar de puerta aislada
(IGBT).
 ENCAPSULADOS DE
¿QUÉ ES IGBT? IGBT

La sigla IGBT El IGBT es un dispositivo

corresponde a las semiconductor de cuatro capas
iniciales transistor que se alternan (PNPN) que son
bipolar de puerta de controlados por un metal-óxido-
salida. semiconductor (MOS), estructura
de la puerta sin una acción
regenerativa.
TO 247
 FUNCIONAMIENTO
Al igual que un MOSFET el IGBT se controla con tensión. Para el encendido
se da una tensión positiva en puerta respecto al emisor, los portadores n
son atraídos a la región p de la puerta; así se polariza en directa la base del
transistor NPN permitiendo la circulación de corriente colector-emisor. Para
el apagado basta con quitar la tensión de la puerta. Esto requiere de un
circuito de control simple para el transistor IGBT.
CARACTERISTICAS:
 V_GE
Se pueden combinar IGBTs en paralelo para manejar
(tensión puerta-
corrientes muy grandes y altas tensiones con señales de
emisor) está
entrada pequeñas (15V) , por ello se usan en aplicaciones
limitada por el
de grandes potencias y energía (la operación en paralelo
espesor del
provoca mayores perdidas de calor).
óxido de silicio.

Es adecuado para
Una gran Ic
altas frecuencias
(Corriente de
de conmutación, Tiene pequeñas
colector) puede
por lo que ha perdidas de
producir
sustituido al BJT en conmutación.
enclavamiento
muchas
(Latch up).
aplicaciones.
 CARACTERISTICAS:

La V_CE (tensión
colector-emisor),
Soporta temperaturas tensión de ruptura
de 150ºC. es muy baja y
apenas varía con la
temperatura.

Está diseñado para

que soporte
corrientes de Al contrario que los
cortocircuito MOSFET, los
V_GEmax (tensión tiempos de
maxima puerta- conmutación no
emisor) 4-10 veces la dan información
nominal durante 5- sobre las perdidas
10us y se pueda de conmutación.
actuar cortando
desde la puerta.
Características compartidas Se suele usar en condiciones de:
con el MOSFET y el BJT:
Alta impedancia de entrada (MOSFET). Bajo ciclo de trabajo
Alta capacidad de manejar corriente (BJT). Aplicaciones de alta tensión (>1000V)
Fácil manejo controlable por voltaje (MOSFET).
Alta potencia (>5kW)
Sin problemas de segunda ruptura (BJT).

Bajas perdidas de conducción en estado activo (BJT).

COMPARACION DE POTENCIA MODELO EQUIVALENTE
Y FRECUENCIA
APLICACIONES
• Control de motores, sistemas de alimentación ininterrumpida,
sistemas de soldadura, iluminación de baja frecuencia y alta potencia.
Están presentes en la circuitería de los automóviles, trenes, metros,
autobuses, aviones y barcos pero también de los electrodomésticos del
hogar mediante la interconexión de diversos IGBT que controlan los
motores eléctricos.

• Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren

circuitos de electrónica realmente potentes y con velocidades de
conmutación de hasta 20KHz. Los IGBTs han estado todo momento con
nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrónica de potencia.
APLICACIONES

• Algunos fabricantes de tecnología de consumo ya están utilizando para

mejorar sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Por ejemplo estos
transistores han permitidos ser integrados en teléfonos móviles para
dotar cámaras de un flash de xenón realmente potente.

• Otro ejemplo de esta tecnología es su utilización para activar o

desactivar los pixeles en las pantallas táctiles de nueva generación,
sistemas de iluminación de edificios o centrales de conmutación
telefónica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan
IGBTs.
 REFERENCIAS
 http://ccpot.galeon.com/enlaces1737117.html

 https://es.slideshare.net/david99999/exposicion-igbt

 https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/IGBT
/Par%C3%A1metros_caracter%C3%ADsticos_de_funcionamiento